【課題】特定の一部の領域にのみ加工歪みが存在する場合であっても、短時間で容易に歪みを評価することのできる方法による評価の結果合格した窒化ガリウム基板、その窒化ガリウム基板を含む発光素子もしくは電界効果トランジスタ、及びそのガリウム基板上に結晶を成長させるエピタキシャル膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様によれば、窒化ガリウム基板１のバンドギャップに対応する波長のフォトルミネッセンスピーク強度を、窒化ガリウム基板１の表面の測定範囲３内において１ｍｍ×１ｍｍの正方形の測定領域２ごとに測定したときの、全測定領域２におけるフォトルミネッセンスピーク強度の最小値が平均値の４５％以上であり、測定領域２は測定範囲３内に隙間無く連続する、窒化ガリウム基板１が提供される。 （もっと読む）

【課題】 グラフェン構造体及びその製造方法、並びにグラフェン素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に形成される側面が露出された成長層と、成長層の側面に成長されたグラフェンと、を備えるグラフェン構造体である。 （もっと読む）

【課題】成膜の際のウェーハとサセプタの貼り付きの有無を検出し、歩留り、スループットの向上が可能な気相成長方法及び気相成長装置を提供する。
【解決手段】反応室内にウェーハを導入して、支持部上に載置し、支持部の下部に設けられたヒータにより、ウェーハを加熱し、ウェーハを回転させ、ウェーハ上にプロセスガスを供給することにより、ウェーハ上に成膜し、ウェーハの周縁部における少なくとも円周方向の温度分布を検出し、検出された温度分布に基づき、ウェーハと支持部との貼り付きの有無を判断する。 （もっと読む）

【課題】ウエハステージにおいて石英ガラスからなる当設部材が割れるのを防止する。
【解決手段】ウエハＷを支持する支持ユニット２をウエハＷの外周円上に配置したウエハステージであって、各支持ユニット２は、ウエハＷの外周縁に接するセラミック質の当接部材３と、当接部材３が装着される金属製のベース部と、当接部材３をベース部に固定する固定具とを備える。ベース部には挿入孔４０が形成され、当接部材３には挿入孔４０に向かって上下に貫通する係合孔３０が形成され、固定具は挿入孔４０に嵌合する上下に延びる軸部５４と係合孔３０に係合する係合頭部５３とが一体に形成されたピン５を備え、ピン５が永久磁石の磁力によって下方に向かって付勢されていることで当接部材を固定している。 （もっと読む）

【課題】故意にミスカットした基板を用いることにより、半極性（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ、Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶である。
【解決手段】具体的には、結晶は、（Ａｌ，Ｉｎ，Ｇａ，Ｂ）ＮまたはＩＩＩ族窒化物および該結晶の成長方向に垂直な表面からなる結晶であって、該表面は少なくとも幅１０μｍであり、半極性方位を有し、 該結晶はｘ線回折により測定される半値全幅（ＦＷＨＭ）が０．５５°未満であるロッキング・カーブにより特徴づけられる結晶品質を有することを特徴とする結晶を提供する。 （もっと読む）

【課題】クリーンかつダメージのない表面を半導体基板上に形成するための装置および方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャル層を形成する前にプラズマ洗浄プロセスに基板の表面を暴露するように適合された洗浄チャンバを含有するシステム。洗浄プロセスを基板に実施する前に、該洗浄チャンバの内部表面にゲッタリング材料を堆積することによって、該洗浄チャンバで処理された基板の汚染物を減少するための方法が用いられる。酸化およびエッチングステップが洗浄チャンバにおいて基板に繰り返し実施されて、エピタキシャルを配置可能な基板にクリーンな表面を暴露および生成する。一実施形態において、低エネルギプラズマが該洗浄ステップ時に使用される。 （もっと読む）

【課題】一度に処理する基板の枚数を増大させ、ＧａＮのエピタキシャル膜の生産性を向上させることができる膜の形成方法及び基板処理装置を提供する。
【解決手段】エピタキシャル膜を有する基板を処理する基板処理装置において、前記基板処理装置は、前記基板を処理する処理室２０１と、前記処理室内に少なくとも前記エピタキシャル膜を形成する原料ガスとクリーニングガスを供給するガス供給源２４０と、前記処理室内の少なくとも温度と圧力を制御する制御部２８０と、前記制御部は、前記処理室内が予め定められた温度および圧力になると前記処理室内をクリーニングガスを供給するように前記ガス供給源を制御する、ことを特徴とした基板処理装置。 （もっと読む）

【課題】 被処理物の温度を推定し、装置内の各種状態に影響を受けない温度制御を行う。
【解決手段】 被処理物を加熱する加熱手段と、加熱手段の温度を検出する第１検出手段を有する気相成長装置であって、気相成長装置は、当該気相成長装置の状態を検出する第２検出手段と、第１検出手段で検出された温度と、第２検出手段で検出された状態に基づいて、被処理物の表面温度を推定する温度推定手段と、温度推定手段で推定した表面温度を、予め定められた目標温度になるよう加熱手段を制御する温度制御手段によって解決する。 （もっと読む）

【課題】成膜最適温度にフィルム基板を予備加熱して、成膜室での薄膜形成を安定して行うことができる薄膜形成装置を提供する。
【解決手段】フィルム基板１０の巻出し及び／又は巻取りを行う少なくとも一対のロール１１，２１と、該少なくとも一対のロール１１，２１の間に配設された薄膜形成用の成膜室３と、一対のロールのうち巻出し側となる少なくとも一方のロール１１と成膜室３との間に配置された少なくとも一つのアイドラローラ１３と、該アイドラローラ１３と成膜室３との間に配置された加熱ローラ１４とを備え、フィルム基板１０が加熱ローラ１４に接触して昇温された後、成膜室３に導入されるように構成された薄膜形成装置において、アイドラローラ１３の位置を変更して加熱ローラ１４に対する抱き角αを変更する抱き角調整装置１５，１６を設けた薄膜形成装置。 （もっと読む）

【課題】気化ユニット内部に堆積物が大量に蓄積する前に、気化ユニットを配管から取り外すこと無くその堆積物を外部へと排出させる。また、原料の分解によって発生した副生成物を除去してパ−ティクル（塵埃）の増加を防止し、配管やバルブ等のメンテナンス周期を延ばす。
【解決手段】気化ユニット内に堆積した生成物を除去して気化ユニットを洗浄する気化ユニットの洗浄方法において、生成物が堆積した気化ユニット内に第１の洗浄液を供給する第１の工程と、第１の洗浄液を気化ユニット内から排出しない状態で、気化ユニット内に第２の洗浄液を供給する第２の工程と、第１の洗浄液および第２の洗浄液を気化ユニットから排出する第３の工程と、を順に行う。 （もっと読む）

【課題】半導体基板に薄膜を形成する成膜装置に付着した堆積物をクリーニングする方法を提供する。
【解決手段】基板ステージの温度を非加熱状態〜４００℃、好ましくは２００℃〜４００℃に維持した成膜チャンバー内に水素あるいは水素−アルゴン混合ガスからなる水素系クリーニングガスを供給し、前記成膜チャンバー内に配置した電極にパルス電源装置から電力を印加することで発生したパルスプラズマを成膜チャンバー内の壁面部分に作用させて、成膜装置に付着した堆積物をクリーニングする。 （もっと読む）

【課題】シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えて被処理体毎の温度変化を抑制することが可能な成膜装置を提供する。
【解決手段】排気可能になされた処理容器４と、前記処理容器内に設けられて被処理体Ｗを載置するための載置台２４と、前記被処理体を加熱するための加熱手段３０と、前記載置台と対向するように前記処理容器の天井部に設けられて成膜用の原料ガスを供給するシャワーヘッド部６と、を有して前記被処理体の表面に所定の薄膜を堆積する成膜装置において、前記シャワーヘッド部の表面を、表面処理により輻射率が０．５以上になるように設定する。これにより、シャワーヘッド部の表面に不要な付着膜が堆積しても、その輻射率の変動を抑えるようにする。 （もっと読む）

【課題】ガラス板とその上に形成された酸化錫膜とを備えた透明導電膜付きガラス板を改良し、可視域から近赤外域にかけての広い波長域において光を効果的に散乱させるに適した構造とする。
【解決手段】本発明による透明導電膜付きガラス板においては、ガラス板１の上に形成された透明導電膜３が、酸化錫を主成分とする層３１と、層３１の表面上に配置された酸化亜鉛または酸化インジウムを主成分とする島部３２とを有し、透明導電膜３の表面に、島部からなる第１凸部３２とともに、層の表面に存在する第２凸部３３が露出している。 （もっと読む）

【課題】ダミー処理を極力廃止することができる基板処理時間設定方法を提供する。
【解決手段】他の基板処理装置１１におけるプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、次ロットの当該基板処理装置１１への供給予想時刻が算出され、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了予想時刻が算出され、次ロットの供給予想時刻及び本ロットのプラズマ処理の終了予想時刻に基づいて、本ロットの全てのウエハのプラズマ処理の終了後に続く予想アイドル時間が算出され、予想アイドル時間がダミー処理必要アイドル時間以上である場合、本ロットの未処理の各ウエハのプラズマ処理の間に補助アイドル時間が追加されて設定される。 （もっと読む）

【課題】反跳したパーティクルの処理室内への侵入を防止することができる反射装置を提供する。
【解決手段】反射装置３６は、排気マニホールド１６の内部に配置され、ＴＭＰ１８に対向するように配置された円板状の第１の反射面部材４１と、該第１の反射面部材４１の周縁に配置され且つＴＭＰ１８の回転軸４３を指向するように面角度が設定された円環状の第２の反射面部材４２とから成る反射板３８を備える。 （もっと読む）

【課題】種結晶の側面や表面外周部からの原子の脱離を抑えることができ、高品質な単結晶の作製が可能な単結晶の製造方法を提供すること。
【解決手段】単結晶の製造方法は、種結晶９が固定された坩堝蓋８で密閉される坩堝７内に原料６を配置して、原料６を昇華させて単結晶を製造する単結晶の製造方法であって、坩堝蓋８に固定された種結晶９の露出面を覆うように、予め、種結晶９が昇華しない温度領域で結晶薄膜１５を形成する成膜工程と、結晶薄膜１５が形成された坩堝蓋８で坩堝７を密閉して、原料６を昇華させて単結晶を成長させる成長工程と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜がアンテナに付着するのを抑制可能なプラズマ装置を提供する。
【解決手段】プラズマ装置は、アンテナ１を備える。アンテナ１は、絶縁管１ａと、導体１ｂと、伝熱材１ｃとを含む。絶縁管１ａは、略Ｕ字形状を有し、Ａｌ_２Ｏ_３からなる。導体１ｂは、略Ｕ字形状からなり、筒状部分１ｄを有する。筒状部分１ｄには、冷却水が流される。そして、導体１ｂは、絶縁管１ａ内に挿入される。伝熱材１ｃは、絶縁管１ａと導体１ｂとの間に充填される。そして、伝熱材１ｃは、シリコン樹脂からなる。 （もっと読む）

【課題】エピタキシャル層の均一性に優れた有機金属気相成長装置を提供する。
【解決手段】有機金属気相成長装置は、サセプタ回転システム１００を有する。サセプタ回転システム１００は、回転殻１１２、サセプタ１１０、及び該サセプタ１１０の下部で、回転殻１１０及びサセプタ１１２を駆動して、サセプタ軸の周りを回転するように構成されている駆動部品を含む。加えて、該サセプタ回転システム１００は、サセプタ１１０上に配置され、該サセプタ１１０とともにサセプタ軸の周りを回転し、かつ1以上の基板１４０を支持するように構成されている1以上の基板ホルダ１３０と、基板ホルダを支持するホルダギア１３２、及び1以上のホルダギア１３２と係合し、1以上のホルダギア１３２がサセプタ軸の周りを回転する場合に、1以上のホルダギア１３２をそれぞれ1以上のホルダ軸の周りを回転させるように構成されている中心ギア１２０を含む。 （もっと読む）

【課題】均質なｎ型導電性のＩＩＩ族窒化物半導体層を含むＩＩＩ族窒化物半導体膜およびかかるＩＩＩ族窒化物半導体膜を含むＩＩＩ族窒化物半導体デバイスを提供する。
【解決手段】本ＩＩＩ族窒化物半導体膜２０は、主面２０ｍ，２１ｍ，２２ｍが（０００１）面２０ｃに対して０°より大きく１８０°より小さいオフ角θを有し、ｎ型導電性を実質的に決定するドーパントが酸素であるＩＩＩ族窒化物半導体層２１，２２を少なくとも１層含む。また、本ＩＩＩ族窒化物半導体デバイスは、上記のＩＩＩ族窒化物半導体膜２０を含む。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＨＤＰ−ＣＶＤ装置（１）の処理室内に半導体基板（１００）を搬入し、半導体基板上に化学気相成長法により第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を形成する。その後、リモートプラズマ装置（２０）内から、Ａｌを含有する材料よりなる配管であって、その内壁にコーティング材料層を有する配管（１０）を通して、処理室内にラジカル化されたガス（例えば、フッ素ラジカル）を導入することにより処理室の内壁に付着した第１膜（例えば、酸化シリコン膜）を除去（クリーニング）する。かかる方法によれば、コーティング材料層により、発塵を低減し、クリーニング効率を向上することができる。 （もっと読む）