【課題】サセプタ上の複数の領域毎に材料ガスの混合比および流量を調整する。
【解決手段】被処理基板１０が載置され、上面に複数の領域を有するサセプタ１２０と、サセプタ１２０と対向し、上記複数の領域の各々に複数の材料ガスを供給するシャワーヘッド１３０とを備える。また、複数の材料ガスを上記複数の領域の数だけ所定の分岐比率で分岐して所定の流量でシャワーヘッド１３０に導入するための複数のガス分岐機構と、複数の材料ガスのうちの所定の複数の材料ガスを混合し、複数のガス分岐機構とそれぞれ接続された複数の混合配管と、複数のガス分岐機構を制御する制御部１９０とを備える。制御部１９０は、複数のガス分岐機構の各々の上記所定の分岐比率を設定することにより、上記複数の領域のそれぞれにおいて供給される複数の材料ガスの流量を調整する。 （もっと読む）

【課題】基板の周方向における温度分布を均一にすることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１００は、反応ガス４が供給されて成膜処理が行われるチャンバ１と、チャンバ１に配置されて基板７が載置されるサセプタ８と、サセプタ８を下方から加熱するヒータ９とを有する。サセプタ８は、リング状の第１のサセプタ部８ａと、第１のサセプタ部８ａに接して設けられ、第１のサセプタ部８ａの開口部分を遮蔽する第２のサセプタ部８ｂとを有し、第２のサセプタ部８ｂの加熱部に対向する面は水平面から傾斜している。また、第１のサセプタ部８ａは、第２のサセプタ部８ｂの厚みに対応した周方向に異なる形状を有する。 （もっと読む）

【課題】成膜処理の生産性の向上を図ることができ、且つキャリアの洗浄回数を減らすことができる等のキャリアの管理コストの低減に寄与する真空処理装置を提供する。
【解決手段】真空処理装置は、ロードロックチャンバＬＬとプロセスチャンバＰＣの間で移送されるキャリア７と、プロセスチャンバＰＣ内に移送されたキャリア７から基板７を受け取るフック１９を備えており、基板５への真空処理はキャリア７がロードロックチャンバＬＬに退避した後に行われる。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】石英製の処理容器８内で保持手段２２に保持された複数の被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うようにした成膜装置の運用方法において、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面にカーボン膜の密着性を向上させる密着膜７０を形成する密着膜形成工程を行うようにする。これにより、処理容器内の処理空間に接する石英製の部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制する。 （もっと読む）

【課題】サセプターのうち基板が配置される範囲内を均一な温度に維持できる成膜装置を提供する。
【解決手段】
回転部３０により板部２１を筒部２２と一緒に回転させながら、ヒーター２３によって板部２１と筒部２２とを加熱し、原料ガス導入部１３から真空槽１１内に原料ガスを導入し、板部２１の表面に配置された基板５１に薄膜を形成する成膜装置１０であって、板部２１のうち、基板５１が配置される範囲より外側には、基板５１が配置される範囲の厚みより厚みが薄い第一の熱抵抗部分４１が環状に設けられており、基板５１が配置される範囲内から外側に熱が逃げにくくなっている。 （もっと読む）

【課題】ガイドローラと基材とを接触させずに巻き取り可能な基材上に原子層堆積膜を連続的に形成する。
【解決手段】第一前駆体ガスが導入される第一真空気室と、第二前駆体ガスが導入される第二真空気室と、第一前駆体及び第二前駆体を排出するために用いられるパージガスが導入される第三真空気室と、基材の幅方向の両端部を保持する保持部を有し、基材を、第一真空気室，第二真空気室，及び第三真空気室に搬送する搬送機構とを備え、搬送機構が、第一真空気室，第二真空気室，及び第三真空気室のいずれかの室内に、かつ自身の一部が他の室内に位置しないように配置された巻き取り成膜装置を用いて、基材を巻き取りながら基材上に成膜を行う巻き取り成膜方法は、搬送機構により、基材を第一真空気室及び第二真空気室を交互に複数回通過させて、基材の表面に原子層を堆積させて原子層堆積膜を形成することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】内部スペースを有する加熱されたチャンバー内において半導体ウェハを支持するサセプタに関する。
【解決手段】当該サセプタ１０は、上面２４、および当該上面２４と反対の下面２６を有する本体２０を備える。当該サセプタ１０は、当該上面２４から当該本体２０に仮想の中央軸２２に沿って下方に延びる凹部を有する。当該凹部はその中に半導体ウェハ１２を受容することができる大きさおよび形状に形成されている。当該サセプタ１０は、当該本体２０を貫通し凹部から下面２６まで延びる複数のリフトピン開口部を有する。複数のリフトピン開口部のそれぞれは、ウェハを凹部に対して選択的に上昇または下降させるため、リフトピンを受容することができる大きさに形成されている。サセプタ１０は、本体２０から中央軸２２に沿って凹部から下面２６まで延びる中央開口部を有する。 （もっと読む）

【課題】処理容器内の処理空間に接する部材の表面に対するカーボン膜の密着性を向上させてパーティクルの発生を抑制することができる成膜装置の運用方法を提供する。
【解決手段】処理容器２内で保持手段２２に保持された被処理体Ｗの表面にカーボン膜を成膜する成膜工程を行うと共に不要なカーボン膜を除去するためにクリーニングガスでクリーニング工程を行なうようにした成膜装置の運用方法において、成膜工程に先立って、処理容器内の処理空間に接する部材の表面にカーボン膜７４の密着性を向上させ且つクリーニングガスに対して耐性を有する耐性プリコート膜７０を形成す。これにより、カーボン膜の密着性を向上させ、しかも不要なカーボン膜を除去するクリーニング処理を行っても耐性プリコート膜を残存させる。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体デバイス用の半導体積層構造を成長させるために改善されたバッファ層構造を有する基板を提供する。
【解決手段】窒化物半導体層を成長させるためのバッファ層構造を有する基板は、Ｓｉ単結晶基板の（１１１）主面上に形成された窒化ケイ素層、この窒化ケイ素層上に堆積されたＡｌＮ結晶層、およびこのＡｌＮ層上に堆積された複数のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ（１＞ｘ＞０）結晶層を含み、これら複数のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ結晶層においてはその下層に比べて上層ほど小さなＡｌ組成比ｘを有しており、複数のＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層結晶中の一層は非晶質と結晶質が混在するＡｌＮ中間層を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】基材の表面近傍をごく短時間だけ均一に高温熱処理するに際して、あるいは、反応ガスによるプラズマまたはプラズマと反応ガス流を同時に基材へ照射して基材を低温プラズマ処理するに際して、基材の所望の被処理領域全体を短時間で処理することができるプラズマ処理装置及び方法を提供することを目的とする。
【解決手段】誘導結合型プラズマトーチユニットＴにおいて、多重の渦形のスパイラルコイル３が第一石英板４に接合され、誘導結合型プラズマトーチユニットＴの最下部にプラズマ噴出口８が設けられる。第二石英板５及び第三石英板６に囲まれた長尺チャンバ内部の空間７にガスを供給しつつ、スパイラルコイル３に高周波電力を供給して、長尺チャンバ内部の空間７にプラズマを発生させ、基材２に照射する。 （もっと読む）

【課題】電極を縮みにくくし、処理される基板の品質を均一なものとする
【解決手段】 基板を収容する処理室と、前記処理室内に処理ガスを供給するガス供給ユニットと、前記処理ガスを活性な状態とするため、高周波電力が印加される少なくとも一対の電極と、前記一対の電極のそれぞれを、少なくとも一箇所が曲がった状態で収納する収納管と、を備え、前記電極は、金属で構成される芯線と、該芯線により折曲可能であるように複数個が連結された管体と、前記複数個の管体を覆うように設けられ金属で構成される網組部材と、を有する。 （もっと読む）

【課題】低温領域において、フッ化水素に対する耐性の高い窒化膜を形成する。
【解決手段】基板に対して原料ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた水素含有ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起または熱励起させた窒化ガスを供給する工程と、基板に対してプラズマ励起させた窒素ガスおよびプラズマ励起させた希ガスのうち少なくともいずれかを供給する工程と、を含むサイクルを所定回数行うことで、基板上に窒化膜を形成する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、窒化ガリウム膜製造方法に関し、より詳細には、成長する窒化ガリウム膜内の欠陥を減らすことができる窒化ガリウム膜製造方法に関する。
【解決手段】このために、本発明は、基板上に、外周面に周方向溝を有する窒化ガリウムナノロッド（ＧａＮ ｎａｎｏ ｒｏｄ）を成長させる窒化ガリウムナノロッド成長ステップ；及び、前記窒化ガリウムナノロッド上に窒化ガリウム膜を成長させる窒化ガリウム膜成長ステップ；を含むことを特徴とする窒化ガリウム膜製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】成膜を繰り返し実行しても、ピット密度が低く高品質な成膜を行うことができ、量産性に優れたバーチカル方式のＭＯＣＶＤ装置などの気相成膜装置及びこれに用いられる材料ガス噴出装置を提供する。
【解決手段】材料ガス噴出器１２は材料ガス供給室２３，２４と、材料ガス供給室に隣接して設けられた冷却器２１と、材料ガス供給室側に材料ガス流入開口２５，２６を備え、冷却器を貫通して材料ガス供給室の反対側に材料ガス噴出開口３１，３２を備える材料ガス通気孔と、を備えている。上記材料ガス通気孔は冷却器内部で屈曲した形状を備え、材料ガス噴出開口３１，３２から材料ガス流入開口２６，２６への見通し経路を有しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】有害物除去装置の有害物の析出量を増加して除去効率を向上でき、有害物除去装置の掃除の頻度を低減できる有害物除去装置を提供することを目的とする。
【解決手段】化合物半導体薄膜形成装置から排出されるガスを冷却室内に導入するガス導入口と、前記冷却室内に設けられ、前記導入口から導入される前記排出ガスを冷却する冷却水配管とを有し、前記冷却室内で前記排出ガスを冷却することで析出する有害物を除去可能な有害物除去装置であって、前記冷却水配管と接触した状態で該冷却水配管の周囲に配置された金属メッシュを有するものであることを特徴とする有害物除去装置。 （もっと読む）

【課題】 多段に積層された基板の中心付近への処理ガスの供給を促進させる。
【解決手段】 積層された複数の基板を収容して処理する処理室と、処理室内に処理ガスを供給する処理ガス供給系と、を備え、処理ガス供給系は、基板の積層方向に沿って延在し、内部を処理ガスが流れるノズル軸と、上流端がノズル軸の長手方向に沿って配列するようにノズル軸の胴部にそれぞれ接続され、下流側にノズル軸内を流れた処理ガスを分散させて供給するガス供給口がそれぞれ設けられ、上流端と前記ガス供給口との間の距離が、ノズル軸と基板の外縁との間の距離よりもそれぞれ長く構成されている複数のノズルと、を備える。 （もっと読む）

【課題】天盤の少なくとも一部が誘電体窓を形成するエンクロージャを有する誘導結合プラズマ反応器が提供される。
【解決手段】基板支持体２１５が誘電体窓２０７の下のエンクロージャ２００内に配置される。ＲＦ電力アプリケータ２４０が、誘電体窓を通してエンクロージャ内にＲＦ電力を印加するために誘電体窓の上に配置される。複数のガス注入装置２３０、２３５が、処理ガスをエンクロージャ内に供給するために基板支持体の上に均一に分配される。処理ガスの流れを制限するように、円形バッフル２７０が、エンクロージャの内部に配置され、基板支持体の上であるが、複数のガス注入装置の下に配置される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、優れた透明性及び導電性を兼ね備え、且つ外観の良好な透明導電性部材を提供する。
【解決手段】本発明に係る透明導電性部材１は、グラフェン層２と、前記グラフェン層２に重なっている着色層３と、透明な基材４とを備える。前記透明導電性部材１には、前記グラフェン層２と前記着色層３と前記基材４とが重なっている領域からなる第一領域５と、前記着色層３と前記基材４とが重なっていると共に前記グラフェン層２は重なっていない領域からなる第二領域６とが形成されている。前記第一領域５の透過色と前記第二領域６の透過色との間における、Ｌ^*の差ΔＬ^*、ａ^*の差Δａ^*、及びｂ^*の差Δｂ^*が、下記式（１）に示す関係を満たす。
｛（ΔＬ^*）²＋（Δａ^*）²＋（Δｂ^*）²｝^1/2≦１．２ …（１） （もっと読む）

【課題】液体原料の温度を精度よく制御できる基板処理装置および半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板２００が収容される処理室２０１と、気化空間２７１を有し、気化空間内に封じ込められた液体原料２７０を気化して気化ガスを生成する液体原料容器２６０と、気化ガスを処理室内へ供給する気化ガス供給ライン２４０ａと、液体原料容器内の液体原料を加熱するための加熱装置２６３と、気化空間内の圧力を測定する圧力計２６１と、気化空間内の圧力計による測定圧力に基づいて加熱装置を制御する制御部２６６と、を有する。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの上部電極上に形成される充填膜の膜厚均一性を向上させる。
【解決手段】半導体基板１と、半導体基板１上に形成された下部電極１４と、下部電極１４上に形成された容量絶縁膜１５と、容量絶縁膜１５上に形成された上部電極１６と、上部電極１６の表面に形成された表面改質層と、表面改質層上に形成された充填膜１８を有する半導体装置１００。 （もっと読む）