【課題】ガス管路１１８からウエハ端部に至るガス流路に活性化したクリーニングガスを供給して、ガス噴出部、ウエハのエッジ部分等に堆積する堆積物を除去する。
【解決手段】真空排気装置が接続可能で内部が減圧可能な真空容器と、該真空容器内にガスを供給するガス供給手段と、前記真空容器内に供給されたガスをプラズマ化するプラズマ生成手段と、前記真空容器内に配置され、その上面に試料を載置し保持する試料台と、該試料台の外周をリング状に被覆して試料台をプラズマから保護するサセプタを備えたプラズマ処理装置において、前記サセプタは、ガスを導入して蓄積するガス充填部１１３、ガス充填部に充填されたガスを試料載置面側に噴出するガス噴出部１１５と、前記プラズマの発光を前記充填部に導入する光透過窓１１１を備えた。 （もっと読む）

【課題】本発明は装置稼働率を低下させることなく安定したプロセス性能結果が得られるRun-to-Run制御によりプラズマ処理を行うプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】本発明はプラズマ処理を行うプラズマ処理室と、プラズマ処理室内の状態をモニタするプロセスモニタと、プラズマ処理条件を構成するパラメータを制御するアクチュエータと、プロセスモニタによりモニタされたプロセスモニタ値とプロセスモニタの目標値との偏差および予め取得された、プロセスモニタ値とパラメータである操作変数との相関関係を用いて操作変数の補正量を算出するＮ＋１個の補正量計算ユニットと、Ｎ番目の操作変数の次に優先度の高い操作変数を追加するＮ個の操作変数追加ユニットとを備え、Ｎ番目の操作変数追加ユニットは、Ｎ＋１番目の補正量計算ユニットにより算出された補正量をＮ＋１番目の操作変数の補正量とすることを特徴とするプラズマ処理装置である。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ及びプラズマエッチングの分野において、生産コストの低減に必要な、高速で基板サイズの大面積化が可能なプラズマ表面処理方法およびプラズマ表面処理装置を提供する。
【解決手段】導波管を備えた空洞共振器１と、高周波電源２０と、インピーダンス整合器３２と、３端子サーキュレータ５０と、該３端子サーキュレータ５０に接続された無反射終端器５２及び反射波検知器５４とから成るプラズマ表面処理装置で、インピーダンスの整合を取るに際し、供給電力のアンテナ２からの反射波が最小に、かつ、該空洞共振器内部に放射される電力が最大になるように調整可能としたことを特徴とする。リッジ６１を有する導波管を用いることも特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板表面で均一な処理を生成するために、処理チャンバの内部に成分を分配する成分送給機構を提供する。
【解決手段】前記成分は、処理チャンバ１２内のワークピース１８を処理するために使用される。前記成分送給機構７５は、成分を処理チャンバの所望の領域に出力する複数の成分出力部を含む。前記成分送給機構は、更に、複数の成分出力部に結合された空間分配スイッチ４０，５６を含む。前記空間分配スイッチは、成分を複数の成分出力部の少なくとも一つへ振り向けるように構成される。前記成分送給機構は、更に、空間分配スイッチに接続された単一の成分供給源３６を含む。前記単一の成分供給源は、成分を空間分配スイッチへ供給するように構成される。 （もっと読む）

【課題】成膜種を効率よく生成することができ、高品質の薄膜を成膜することができるプラズマ処理方法及び処理装置を提供する。
【解決手段】被処理体３を収納して被処理体３上に薄膜を成膜する反応チャンバー１と、反応チャンバー１内に配置され、被処理体３を保持するステージ４と、反応チャンバー１内に第１のガスを供給する第１のガス供給部１０と、反応チャンバー１内に第１のガスとは異なる第２のガスを供給する第２のガス供給部１４と、反応チャンバー１内に高周波放電を発生させる高周波プラズマ源７とを備えるプラズマ処理装置を用い、反応チャンバー１内において、高周波放電によってプラズマ化された第１のガスと、プラズマ化が抑制された第２のガスとを接触させて分解反応を起こさせ、該分解反応に基づいて、ステージ４に保持された被処理体３上に薄膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】半導体材料を堆積させる新規な方法及び堆積システムを提供する。
【解決手段】ＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板に堆積させる方法は、複数のガスコラムに対する基板の空間的位置づけを変更することによってＩＩＩ族元素のガス状前駆体及びＶ族元素のガス状前駆体を基板に連続的に導入するステップを含む。例えば、基板は、各々が異なる前駆体を配置する複数の実質的に位置合わせされたガスコラムに対して移動することができる。前駆体を生成するための熱運動化ガス噴射器は、入口と、熱運動化管路と、液体試薬を保持するように構成された液体容器と、出口とを含むことができる。１つ又は複数のＩＩＩ−Ｖ族半導体材料を基板の表面に形成するための堆積システムは、前駆体を複数のガスコラムを介して基板に誘導するように構成された１つ又は複数のそのような熱運動化ガス噴射器を含むことができる。 （もっと読む）

本発明の実施形態は、超小型電子構造の形成に関する。３２ｎｍの次のテクノロジーノード向けの低誘電率誘電体材料は、約２．６未満の誘電率を呈する必要がある。本発明により、全体として超小型電子構造の曲げおよび剪断強度の完全性を向上させながら、そのような低誘電率誘電体材料を使用する半導体デバイスを形成することが可能になる。
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【課題】基板処理を行って基板の処理品質を調べることなく、プラズマが適正状態になっているかどうかを直接的に調べることが可能なプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】基板を収容する処理室４６と、処理室内に反応ガスを供給する反応ガス供給機構と、反応ガスに電子ビーム２４を照射して反応ガスプラズマを発生させる電子ビーム照射機構と、処理室内に配置され、反応ガスプラズマのプラズマ密度を電子ビームの照射方向に沿った所定の箇所で測定するプラズマ密度測定機構５０と、を備えるプラズマ処理装置とする。 （もっと読む）

【課題】膜厚分布を均一化するとともに、放電電極における反射電力を抑制することを目的とする。
【解決手段】所定の周波数の高周波電力を位相変調して出力する高周波電源部１７ａ，１７ｂと、基板を支持する対向電極３と、高周波電源部から出力された高周波電力が供給され、高周波電力により対向電極との間にプラズマを形成する放電電極と、夫々が異なるインピーダンスに設定された複数の整合回路２０ａ〜２０ｄを有し、高周波電源部側のインピーダンスに放電電極側のインピーダンスを整合させる整合器１３と、高周波電力の供給時に、複数の前記整合回路のうち、位相変調により変動する放電電極側のインピーダンスが高周波電源部側のインピーダンスに整合する整合回路を選択する選択手段２２とを備える。 （もっと読む）

【課題】薄膜の厚さや特性が均一になるように薄膜を形成し、さらに、薄膜の形成を効率よく行う。
【解決手段】成膜容器内に有機金属ガスを導入して、基板上に有機金属の成分を吸着させる。次に、成膜容器内に酸化ガスまたは窒化ガスを導入してプラズマを発生させ、基板に積層した有機金属の成分を酸化または窒化させる。プラズマを発生させたとき、基板上で発光する光の所定の波長の発光強度を、成膜容器に設けられた観測窓を介して検出する。検出した発発光強度が所定値以下になるとき、プラズマの発生を停止する。 （もっと読む）

【課題】 修正の領域、材料、あるいは種類等における適用範囲を大幅に拡大できる表示装置の修正方法およびその装置の提供。
【解決手段】 基板の表面にパターン欠陥を有する電子回路パターンが形成された表示装置の前記パターン欠陥を修正する修正装置であって、
前記パターン欠陥の領域に局所的なプラズマの照射によって前記パターン欠陥を修正するプラズマ照射手段を備えてなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は洗浄周期が長く、生産性が高い原子層蒸着装置を提供する。
【解決手段】本発明による原子層蒸着装置は、基板を支持する基板支持台、該支持台上に形成されて基板支持台と接触した状態で反応室を規定する反応室壁、反応室内に工程気体を流入させる気体流入管、基板支持台と共に反応領域を規定して、気体流入管と連結されて反応領域に気体を供給するための複数の噴射孔を有する気体分散器具、気体分散器具上に配置されて絶縁物質からなる気体分散器具絶縁板、該絶縁板と反応室壁との間に配置されている気体流動調節板、反応室の内部の気体を流出させるための気体流出口、そして高周波電力を印加するために気体分散器具に連結されている高周波接続端子を含み、気体分散器具と気体分散器具絶縁板との間、該絶縁板と気体流動調節板との間、そして気体流動調節板と反応室壁との間に気体が通過することができる気体通路が形成されている。 （もっと読む）

【課題】低温で基板上に直接粒径の揃ったシリコンドットを均一な密度分布で形成する方法及び装置を提供する。
【解決手段】チャンバ１内に水素ガスとシラン系ガスを導入し、該ガスに高周波電力印加することでチャンバ１内に、プラズマ発光において波長２８８ｎｍにおけるシリコン原子の発光強度Ｓｉ（288nm)と波長４８４ｎｍにおける水素原子の発光強度Ｈβとの比〔Ｓｉ（288nm)／Ｈβ〕が１０．０以下であるガスプラズマを発生させ、該ガスプラズマのもとで、５００℃以下の低温で基板Ｓ上に直接粒径が２０ｎｍ以下のシリコンドットを形成する。 （もっと読む）

【課題】ＣＮＴ成長プロセスにおいて発生するイオン種を遮蔽する部材からのエッチング生成物をなくしたリモートプラズマＣＶＤ装置及びＣＮＴ成長方法の提供。
【解決手段】リモートプラズマＣＶＤ装置１において、処理基板Ｓがプラズマに曝されないように、プラズマ発生領域Ｐと処理基板Ｓとを離間すると共に、プラズマ発生領域Ｐと基板ステージ３との間に、Ｍｏ、Ｔｉ、Ｗ及びＷＣから選ばれた物質で構成されているメッシュ状の遮蔽部材５を設ける。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ装置を使用することにより形成される半導体装置の品質向上を図ることのできる技術を提供する。
【解決手段】ウェハを搬入した後（Ｓ１０１〜Ｓ１０４）、チャンバ内に酸素ガスを供給する（Ｓ１０５）。続いて、チャンバに巻きつけられているコイルに高周波電圧を印加して酸素ガスからプラズマガスを生成する（Ｓ１０６）。そして、このプラズマガスの発光強度の測定を開始する（Ｓ１０７）。次に、チャンバ内にシランガスを供給するとともに、ウェハにＲＦバイアスを印加する（Ｓ１０８）。その後、シランガスをプラズマ化することにより生成されるシリコンイオンの発光強度の上昇より成膜開始時刻を特定する（Ｓ１０９）。同様に、酸素イオンの発光強度の上昇よりＲＦバイアスを印加した時刻を特定する（Ｓ１１０）。そして、成膜開始時刻とＲＦバイアスを印加した時刻のずれを検出する（Ｓ１１１）。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成室１０２と基体１０４の処理室１０３との間にガスの流れを制御する仕切り板１１１を有する装置において仕切り板の交換なしにガスコンダクタンスの変更を行う。
【解決手段】 仕切り板１１１内部に仕切り板を加熱あるいは冷却する手段を設ける。 （もっと読む）

【課題】本発明は集束イオンビーム用ガス導入装置に関し、試料への加工性能を向上させることができる集束イオンビーム用ガス導入装置を提供することを目的としている。
【解決手段】集束イオンビームを用いてイオンビーム支援エッチング又はビーム支援堆積を行なうことが可能な装置において、イオンビーム鏡筒の下に複数の流体送出システムとしてのパイプ８を複数有し、該パイプ８の出口であるノズル８ａ同士が１次イオンビーム１７の軸と対称で内部を通過する流体が試料１８面に向かう形状で構成され、該パイプ８への導入ガスの噴射条件を個別に制御できる構成であり、該パイプ同士間を連結する機構を有して構成される。 （もっと読む）

【課題】ガスの流れを良好にするプラズマ処理装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波プラズマ処理装置１００には、噴射孔Ａを有する第１のガス供給管パーツ２８ａと、その下方に位置し、噴射孔Ｂを有する第２のガス供給管パーツ２８ｂと、各第１のガス供給管パーツ２８ａをその両端にて支持する第１の側壁と、噴射孔Ｂが基板に向かって開口するように、各第２のガス供給管パーツ２８ｂをその両端にてそれぞれ支持する第２の側壁と、第１および第２のバッファ空間４２ａ１，４２ｂ１をその一部に構成する第１および第２のガス通路４２ａ、４２ｂとを有する。アルゴンガスおよび酸素ガスは、第１のバッファ空間４２ａ１から各第１のガス供給管パーツ２８ａに通され、噴射孔Ａから処理室Ｕに供給される。シランガスは、第２のバッファ空間４２ａ２から各第２のガス供給管パーツ２８ｂへ通され、噴射孔Ｂから処理室Ｕに供給される。 （もっと読む）

【課題】目的は、製品の品質のバッチ毎のばらつきが抑制される薄膜製造方法及び薄膜製造システムを提供すること。
【解決手段】薄膜製造装置１を用いた薄膜製造方法は、（ａ）製膜バッチ処理Ｌを実行して基板８上に薄膜１１３を形成する工程を具備する。（ａ）工程は、（ａ１）基板８を対向電極２に保持する工程と、（ａ２）製膜室６内に薄膜１１３の原料を含むガスＬを導入する工程と、（ａ３）ガスＬを導入しながら、放電電極３と対向電極２との間に高周波電力１０５を印加して基板８上に薄膜１１３を形成する工程とを含む。（ａ）工程は、薄膜製造装置１についてのセルフクリーニングＮの後、その次のセルフクリーニングＮ’の前に実行される。（ａ３）工程において、セルフクリーニングＮから製膜バッチ処理Ｌまでに薄膜製造装置１が実行する製膜バッチ処理の回数Ｌに基づいて高周波電力１０５が制御される。 （もっと読む）

【課題】CVD設備の提供。
【解決手段】主にチャンバー、気体管路加熱器、基材キャリア、キャリア加熱器、複数のホットフィラメント、電場装置、磁場装置を含む。該気体管路加熱器は気体を予熱し、該キャリア加熱器、該複数のホットフィラメントは該基材を加熱し、多種の異なる加熱方式により、気体と基材の加熱速度を加速し、積層時間を短縮し、積層効率を高める。さらに電場と磁場装置を組み合わせることで、該チャンバー内の気体イオン化濃度を高め、基材の積層膜厚度の均一性を増加させることができる。 （もっと読む）