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Fターム[4K044AA11]の内容

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【課題】本発明は、錆の発生を防ぐ化学的な処理において、赤錆の再発および塗料の剥離、飛散の懸念を払拭する、煙突内面の新規な処理方法について提案することを目的とする。
【解決手段】煙突内部の鉄素地上に発生した赤錆層の厚みを30μm以下に調整した後、該赤錆層上に錆置換液を20μm未満の塗布厚で塗布し、赤錆層を黒錆化した黒錆層とし、次いで黒錆層上にコーティング剤を塗布してコーティング層を形成する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、上記のような実情に鑑み、生体に対する毒性が懸念されることなく、表面に官能基を導入した複合材料とその方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明1の複合材料は、金属またはセラミックスよりなる基材の表面にカルボキシル基あるいは活性エステルあるいは酸無水物を有する化合物をエステル結合により反応させてなることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】振動が誘起する割れを防止し、以って寿命を改善した圧縮機の動翼を提供する。
【解決手段】動翼の本体である翼は、断面がエアロフォイル形状となるべく、凸面にされた背面と凹面にされた腹面とを有する。翼の先端に、前記背面と連続する背面と、翼の中心面と一致する腹面とを有するスキーラーを形成する。前記スキーラーの腹面に硬質コートを被覆する。中心面はほとんど振動による伸縮が無いので、前記硬質コートに割れが生じにくい。 (もっと読む)


本発明は、A−Bの一般式を持ち、上式でAは、下式
【化11】


の基を表し、式中、ZはCまたはNを表し、XはC−HまたはC−Lを表し、ただし、Lは、F、Cl、Br、I、CF、NOおよびN(CHの中から選ばれる電子求引基であり、YはHもしくはCHを表すか、またはYはXとの間で5員もしくは6員の複素環を形成し、Tは、NH、CO、CONHまたはNHを表し、ただし、Uは、例えばF、Cl、Br、I、OH、NO、HSO、SO2−、CO2−、HCOまたはSCNなどの可溶性陰イオンであり、Bは、部分的または完全にFで置換された脂肪族直鎖アルキル基C−C20を表す化合物が、固体基材の表面に自己集合することによって形成される疎水性で疎油性の新しい超薄膜、ならびにその膜の調製法およびエピラムとしてのその使用に関する。

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【課題】ペプチドやタンパク質等の生体物質よりも大きなマクロな粒子を電気化学的反応を利用して可逆的に固定化する方法を提供すること。
【解決手段】導電性材料への粒子の電気化学的固定化法であって、
(1)金属イオン配位結合部位及び粒子結合部位を夫々一端に含むタグと粒子を反応させて、粒子結合部位を介して該タグを該粒子の表面に結合させる工程、
(2)工程(1)で得られたタグ修飾粒子に該金属イオンを配位させる工程、及び
(3)工程(2)で得られた金属イオン配位粒子を導電性材料に近接させ、該導電性材料に還元電位を印加することにより、該金属イオン配位粒子を該金属イオンの還元により生じる金属原子を介して該導電性材料に固定化する工程、
を含むことを特徴とする前記電気化学的固定化法。 (もっと読む)


【課題】金属光沢があり、装飾性に富むとともに、人体への影響を考慮して安全性が高く、かつ検針機が作動することのないボタンを提供する。
【解決手段】ボタンの基材の表面に、少なくとも無電解めっきの前処理をする工程と、銀鏡用めっき液を吹き付けて銀鏡皮膜を形成する工程と、銀鏡皮膜上にトップコート層を設ける工程を経て得ることを特徴としている。 (もっと読む)


【課題】本発明は、基材上に、金属および金属酸化物を含有するサーメット材料からなり、平面性に優れたサーメット層を直接形成することができるサーメット積層体の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】本発明は、基材と、上記基材上に形成され、金属および金属酸化物を含有するサーメット材料により構成されたサーメット層とを有するサーメット積層体の製造方法であって、上記基材上に、互いに異なる金属元素を含有する2種類以上の金属酸化物が含まれる金属酸化物膜を形成する金属酸化物膜形成工程と、上記金属酸化物膜に含まれる2種類以上の金属酸化物のうち、少なくとも1種類の金属酸化物を還元することにより、上記金属酸化物膜を、少なくとも1種類の金属と少なくとも1種類の金属酸化物とを含有するサーメット状態にする還元工程と、を有することを特徴とする、サーメット積層体の製造方法を提供することにより、上記課題を解決するものである。 (もっと読む)


【課題】製造効率が向上された光透過性電磁波シールド材の製造方法を提供すること。
【解決手段】シランカップリング剤とアゾール系化合物との混合物または反応生成物、および、貴金属化合物を含む無電解めっき前処理剤を、透明基板11上に塗布、乾燥させ、前記透明基板11上に前処理層12を形成する工程(A1)、前記前処理層12上にドット状のめっき保護層13を形成する工程(A2)、前記前処理層12を、還元処理する工程(A3)、及び前記めっき保護層13が形成されずに露出した前記前処理層12上に、無電解めっきすることによりメッシュ状の金属導電層14を形成する工程(A4)、を含む光透過性電磁波シールド材の製造方法。 (もっと読む)


【解決手段】カルボキシル基を分子構造内に有するポリイミド前駆体及びアニオン性ポリイミドから選ばれるポリイミド化合物の水溶液又は水と有機溶媒との混合溶媒溶液であるポリイミド電着液から、電着にて成膜したポリイミド薄膜であって、電着の通電時において電極反応によりイオン化して上記ポリイミド電着液中に溶解する金属からなる基材を陽極として、該基材上に、電着の通電時において電極反応によりイオン化して上記ポリイミド電着液中に溶解することのない金属層又は金属化合物層を介して成膜してなる電着ポリイミド薄膜及びその成膜方法。
【効果】Cu等の導電体金属上に成膜された密着性に優れた電着ポリイミド薄膜を提供することができる。 (もっと読む)


【課題】本発明は食品用容器・器具等の製品表面に形成される抗菌性効果のあるAgをSnと合金化させた層を有する薄膜およびその製造方法ならびにこの薄膜によって表面を被覆された物品を提供する。
【解決手段】物品の表面に、めっきあるいは物理蒸着によりAg−Sn積層薄膜を形成し、このAg−Sn積層薄膜を200℃以上300℃以下の温度で加熱・保持し、50℃/min以下の冷却速度で冷却する熱処理をすることにより、抗菌性薄膜を形成させる。 (もっと読む)


【課題】使用する粉体の材料とは異なる材料製の被膜を形成することを技術的課題とする

【解決手段】少なくとも一対の電極(3,4)と、前記電極(3,4)間に配置された絶
縁部材(8)と、前記電極(3,4)および前記絶縁部材(8)により形成された空間(
9)に収容された粉体(F)と、前記空間(9)に前記粉体(F)化合する媒質ガスを供
給する前記ガス供給装置(D1)と、前記電極(3,4)に電圧を印加することにより、
前記粉体(F)を前記電極(3,4)間で往復動させる電源装置(E)と、を備えた被膜
形成装置(1)。 (もっと読む)


【課題】エアロゾルデポジション法により良質で膜密度の高いニオブ酸リチウムカリウムナトリウム薄膜が形成できる圧電薄膜素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板102上に下部電極103、圧電薄膜104、上部電極105を順に配した構造を有し、前記圧電薄膜104がエアロゾルデポジション法により形成され(NaxyLiz)NbO3(0<x<1、0<y<1、0≦z<1、x+y+z=1)で表されるアルカリニオブ酸化物系ペロブスカイト構造の多結晶を主成分とする圧電薄膜素子101において、圧電薄膜104の膜密度が95%以上である。 (もっと読む)


【課題】膜の厚さムラを低減できる成膜方法および成膜装置を提供することにある。
【解決手段】成膜中に金属基板B1の電位を測定し、この測定結果に基づいてエアロゾルの吹き付け条件を調整する。このようにすれば、吹き付けられているエアロゾルZの状態をリアルタイムで把握し、吹き付け操作の途中であっても基板電位を測定してその結果をエアロゾルZの吹き付け条件にフィードバックして、膜厚を均一化することができる。また、吹き付け中の金属基板B1の電位を一定とすれば一定の厚さの膜が得られることから、金属基板B1の電位を指標として吹き付け条件を調整することにより、所望の厚さの膜を容易に形成することができる。 (もっと読む)


本発明は、少なくとも部分的に防食加工され、特に光沢のある、金属及び/又は非金属支持体の製造方法であって、a)支持体に、少なくとも部分的に被覆され得る少なくとも1つの面を設ける段階と、b)第1の金属、第1の貴金属又は第1の金属合金を含む少なくとも1層の金属保護層と、第2の金属、第2の貴金属及び/又は第2の金属合金の少なくとも1種の酸、酸化物、複酸化物、酸化物水和物、硫化物、ハロゲン化物、窒化物、炭化物、窒化炭素、ホウ化物、ケイ化物、オキシハロゲン化物及び/又は塩と、を付与する段階と、を含む製造方法に関する。更に本発明は、少なくとも部分的に防食加工され、特に、光沢の在る支持体であって、支持体と、第1の金属、第1の貴金属又は第1の金属合金及び第2の金属、第2の貴金属及び/又は第2の金属合金の少なくとも1種の酸、酸化物、複酸化物、酸化物水和物、硫化物、ハロゲン化物、窒化物、炭化物、窒化炭素、ホウ化物、ケイ化物、オキシハロゲン化物、特にオキシフッ化物及び/又は塩を含む少なくとも1層の金属保護層と、を含む支持体に関する。 (もっと読む)


ここで記述の本発明の実施形態は、一般的に、コバルトシリサイド層、金属コバルト層、他のコバルト含有材料を形成する方法および装置を提供する。一実施形態では、基板上にコバルトシリサイド含有材料を形成する方法を提供し、この方法では、シリコン含有面をさらすために、基板に少なくとも1つの前洗浄プロセスを施し、シリコン含面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、コバルトシリサイド材料上に金属コバルト材料を堆積し、基板上に金属接触材料を堆積する。別の実施形態では、方法は、シリコン含有面をさらすために基板を少なくとも1つの前洗浄プロセスにさらし、シリコン含有面上にコバルトシリサイド材料を堆積し、基板にアニールプロセスを施し、コバルトシリサイド材料上にバリア材料を堆積し、バリア材料上に金属接触材料を堆積する。 (もっと読む)


【課題】気体や液体の混合物から、特定物質の分離、濃縮等を行うことができ、触媒担体としても利用可能な多孔質ハニカム構造体を提供する。
【解決手段】多孔質ハニカム構造体は、ハニカム基体のハニカム壁面に、多孔質シリカが設けられている。好ましくは、シリカ層のシリカの平均細孔径を、50nm以下とし、比表面積を100〜1000m/gとする。ハニカム基体としては、金属製のハニカム基体やセラミック製のハニカム基体を用いる。 (もっと読む)


【課題】時計仕掛けのシリコンひげゼンマイ(1)のような絶縁材でできた微小機械部品は、図の左側部分に示すように、移動中にてんぷ受け(9)のような隣接部品に付着する傾向がある。この欠点を解決しようとするものである。
【解決手段】そのため本発明は、表面の全部又は一部に、好ましくは金、白金、ロジウム又はシリコンのような、非酸化かつ非磁性である金属のような導電性材料層の薄い堆積を実行することによって、図の右側部分に示すように、取り除かれる。 (もっと読む)


【課題】 電源から分極性電極への通電性を向上させることにより、分極性電極を有する電極構造体を備えるイオントフォレーシス装置の性能を改善する。
【解決手段】 導電粉を含有する導電塗料の塗膜により形成される集電体12と、前記集電体の前面側に配置され、前記集電体からの通電を受ける分極性電極13とを有する電極構造体を備えるイオントフォレーシス装置において、前記集電体に前記導電粉よりも比抵抗の小さい金属メッキM1、M2が施されたイオントフォレーシス装置が開示される。この金属メッキM1、M2は、導電粉Pの表面に施すことが可能であり、或いは集電体12の前面側表面に施すことが可能である。金属メッキには金を使用することが可能である。 (もっと読む)


【課題】 高密度銅配線半導体の銅の拡散を抑制するに際し、膜剥離を生じさせない程度の薄い膜厚で、また細かい配線ピッチでも十分なバリア効果を得ることができ、さらに熱処理等により温度上昇があっても、バリア特性に変化がない高密度銅配線半導体用バリア膜及びバリア膜形成用スパッタリングターゲットの提供。
【解決手段】 Cr:5〜30wt%、Ti及び/又はZr:1〜10wt%含有し、残部が不可避的不純物及びNiからなるNi−Cr系合金膜からなり、膜厚が3〜150nm、膜厚均一性が1σで10%以下であることを特徴とする高密度銅配線半導体用バリア膜。Cr:5〜30wt%、Ti及び/又はZr:1〜10wt%含有し、残部が不可避的不純物及びNiからなるNi−Cr系合金であって、スパッタ面の面内方向の比透磁率が100以下であることを特徴とするバリア膜形成用スパッタリングターゲット。 (もっと読む)


【課題】 板厚が薄く0.19mm以下でも良好な溶接性が確保されるNiめっき系の溶接缶用鋼板を提供する。
【解決手段】 圧延方向に対して直角方向の粗度が中心線平均粗さで0.1〜0.3μm、高さ0.25μm以上のピークを20〜200個/cmになるように圧延方向に平行に線状の凹凸を付与した原板に、200〜1200mg/m2 のNiめっきを施し、更に最表層に金属Cr換算量で、2〜20mg/m2 のクロメート皮膜を付与することをした溶接性、塗料密着性、フィルム密着性、耐食性に優れた溶接缶用鋼板。 (もっと読む)


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