【課題】穴あき耐食性に優れる熱間プレス部材の得られる熱間プレス用鋼板およびそれを用いた熱間プレス部材の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼板表面に、順に、60質量%以上のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が0.01〜5g/m²のめっき層Iと、10〜25質量%のNiを含み、残部がZnおよび不可避的不純物からなり、付着量が10〜90g/m²のめっき層IIとを有することを特徴とする熱間プレス用鋼板。 （もっと読む）

【解決課題】エピタキシャル薄膜成長用の配向基板において、基板表面の配向度及び平滑性が従来のものよりも改善されたものを提供する。
【解決手段】本発明は、配向化された銅からなる配向化金属層に補強材である金属基材をクラッドしてなるエピタキシャル膜形成用配向基板において、前記配向化金属層は、配向度Δφ、Δωがいずれも５〜９°である配向性を有する金属であり、前記配向化金属層の表面上に、ニッケルめっき膜からなり１００〜５０００ｎｍの厚さの配向性改善層を備え、前記配向化金属層表面における配向度（Δφ及びΔω）と、前記配向性改善層表面における配向度（Δφ及びΔω）との差が、いずれも０．１〜３．０°であることを特徴とするエピタキシャル膜形成用配向基板である。 （もっと読む）

【課題】耐溶融金属脆化割れと耐塗膜膨れ腐食性に優れた溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき鋼板を提供すること。
【解決手段】Ａｌ：１．０〜２２．０質量％、Ｍｇ：１．５〜１０．０質量％を含む溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき層を有する溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき鋼板を、１０５℃以上の水蒸気に接触させることで得られる溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき鋼板であって、前記溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき層表面のＸ線回折強度が、式（１）の条件を満たす、溶融Ａｌ、Ｍｇ含有Ｚｎめっき鋼板。
Ａ−Ｂ ≦ ４００ｃｐｓ …（１）
ここで、Ａ：２θ＝２０．６８０°（Ｃｕ管球、電圧：４０ｋＶ、電流：５０ｍＡ）の回折ピーク強度（ｃｐｓ）とし、Ｂ：２θ＝２０．０００°（Ｃｕ管球、電圧：４０ｋＶ、電流：５０ｍＡ）のバックグラウンドの強度（ｃｐｓ）とする。 （もっと読む）

【課題】良好な曲げ性と導電性を有する電気・電子部品用に好適な銅合金条を提供する。
【解決手段】０．５〜３．０質量％のＣｏ、０．１〜１．０質量％のＳｉを含有し、残部が銅及び不可避不純物から成り、双晶境界頻度が４０〜７０％であるＣｕ−Ｃｏ−Ｓｉ系合金条である。 （もっと読む）

【課題】温度の変化に対して、電気抵抗の変化が小さい内蔵抵抗体を提供する。
【解決手段】金属箔上に、該金属箔より電気抵抗率の高い膜を有する電気抵抗膜付金属箔であって、該電気抵抗膜は、ＣｒＳｉＯ又はＮｉＣｒＳｉＯからなる酸化物系抵抗膜と温度変化に対して電気抵抗の変化が少ない金属Ｃｒ膜との多層構造を有する。金属箔の上に設ける電気抵抗体を多層構造とし、抵抗が比較的高い状態でも温度特性が良い。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性、高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる表面処理銅箔を提供する。
【解決手段】表面粗さＲａが０．２μｍ以下、又はＲｚが１．５μｍ以下である母材銅箔の少なくとも片面表面に、付着量が０．０５〜１．０ｍｇ／ｄｍ^２のＮｉまたＮｉ−Ｐの一次処理層が設けられ、該一次処理層の上に付着量が０．０１〜０．１０ｍｇ／ｄｍ^２のＺｎまたはＺｎ−Ｖの二次処理層が設けられ、該二次処理層の上に接触角θ（親水性）が１５°から３５°を有するクロメート処理層が形成され、該クロメート処理層の上に付着量０．００２〜０．０２ｍｇ／ｄｍ^２のシランカップリング処理層が施されている表面処理銅箔である。また、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを積層する銅張積層板の製造方法は、前記表面処理銅箔と熱硬化性樹脂基板とを式１に示すＬＭＰ値が１０６６０以下の条件で加熱積層し、前記表面処理銅箔の最表面シランカップリング処理層の官能基を、熱硬化性樹脂の官能基と反応させる銅張り積層板の製造方法である。
式１：ＬＭＰ＝（Ｔ＋２７３）＊（２０＋Ｌｏｇｔ）
ここで、２０は銅の材料定数、Ｔは温度（℃）、ｔは時間（hr）、Ｌｏｇは常用対数である。 （もっと読む）

【課題】周波数が５ＭＨｚ以上の電磁波に対して電磁波遮蔽効果の高い電磁波シールド材用Ｃｕ−Ｆｅ系銅合金板材を提供する。
【解決手段】Ｆｅを１０．０ｍａｓｓ％以上５０．０ｍａｓｓ％以下、Ｎｉ，Ｃｏを１種又は２種の合計で０．００１ｍａｓｓ％以上５．０ｍａｓｓ％以下、及びＣを１０ｐｐｍ以上含むＣｕ−Ｆｅ系銅合金板材。Ｃｕ母相内にＦｅ系第二相が晶出及び析出した組織を有し、圧延方向に垂直な断面において、アスペクト比が５以上のＦｅ系第二相が、板厚方向に厚さ０．０５ｍｍあたり平均１０個以上存在し、その平均アスペクト比が２０以上である。Ｐ，Ｓｉ，Ｔｉ，Ｍｇ，Ｃａ，Ｚｒ，Ｃｒ，Ａｌ，Ｂを１種又は２種以上の合計で０．００５〜２．０ｍａｓｓ％、Ｚｎを０．００５〜５．０ｍａｓｓ％、Ａｇ，Ｓｎ，Ｉｎ，Ｍｎ，Ａｕ，Ｐｔを１種又は２種以上の合計で０．００１〜５．０ｍａｓｓ％含むことができる。 （もっと読む）

【課題】粉末噴射コーティング法を用いて誘電体層を形成する成膜法及び成膜装置において、誘電体層の膜厚ムラを低減させる。
【解決手段】本発明に係る成膜法は、粉末噴射コーティング法を用いて、シート基材５の表面上に誘電体層を形成する方法であり、工程（ａ）と工程（ｂ）とを有している。工程（ａ）では、シート基材５の表面を凸面状又は凹面状に湾曲させる。工程（ｂ）では、シート基材５の湾曲した表面上に、粉末噴射コーティング法を用いて誘電体粉末を堆積させることにより、誘電体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕ薄板の材料特性を活かしつつ応力緩和率を低減させる。
【解決手段】Ｃｕ製又はＣｕ基合金製の薄板上の所定部分に、拡散接合助材と強化材とを溶媒に分散させたスラリーを供給し、該供給したスラリーを乾燥させたあとレーザーを照射して溶融固化して固着させることにより肉盛層を形成するＣｕ薄板処理方法であって、（ａ）前記拡散接合助材として、Ｎｉ又はＮｉ−Ｃｒ合金の粉末を使用し、（ｂ）前記強化材として、炭化物系金属化合物、窒化物系金属化合物又は硼化物系金属化合物を使用し、前記拡散接合助材と前記強化材との重量割合を８０：２０〜５０：５０とし、（ｃ）前記拡散接合助材及び前記強化材として、中位径Ｄ₅₀が共に０．１〜１００μｍに入り、前記拡散接合助材の中位径Ｄ₅₀の方が前記強化材の中位径Ｄ₅₀より大きく、前記拡散接合助材の分布率Ｄ₉₀／Ｄ₁₀及び前記強化材の分布率Ｄ₉₀／Ｄ₁₀が共に４．０以下のものを使用する。 （もっと読む）

【課題】金属箔と金属箔上に配置される抵抗層との間の剥離を抑制し、且つ抵抗層の抵抗値のばらつきを低減可能な電気抵抗層付き金属箔及びその製造方法を提供する。
【解決手段】光学的方法で測定した十点平均粗さＲｚが１μｍ以下であり、イオンビーム強度０．７０〜２．１０ｓｅｃ・Ｗ／ｃｍ²のイオンビーム照射により処理された表面を有する金属箔と、金属箔の前記表面上に配置された電気抵抗層とを備える。 （もっと読む）

【課題】性能指数Ｍが６００以上で、高強度と高導電性とを併せ持ち、製造加工コストを低減することができる金属ガラス合金複合化材および金属ガラス合金複合化材の製造方法を提供する。
【解決手段】原子％による組成が、組成式：Ｆｅ_ａＣｏ_ｂＮｉ_ｃＢ_ｘＳｉ_ｙＭ_ｚ（式中、０≦ａ≦８０、０≦ｂ≦８０、０≦ｃ≦１８、７０＜ａ＋ｂ＋ｃ≦８０、７≦ｘ≦２１、４≦ｙ≦１６、１８≦ｘ＋ｙ≦２５、ＭはＮｂおよびＴａのうちいずれか一方または両方、０≦ｚ≦５）の金属ガラス合金の表面に、Ｎｉから成る密着中間層を介して、導電性のメッキ層を形成して成る。金属ガラス合金は、厚さが１０μｍ乃至２５μｍである。メッキ層は、ＣｕおよびＡｇのうち少なくとも一方を含み、厚さが２０μｍ乃至５０μｍである。 （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【解決手段】銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、前記被覆層が、銅箔基材表面から順に積層した、Ｐｔ、Ｐｄ、及び、Ａｕの少なくともいずれか１種からなる第１の層及びＮｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕ及びＣｒの何れか１種以上の金属からなる第２の層で構成され、被覆層の厚さが３〜２５ｎｍであり、Ｐｔ、Ｐｄ、及びＡｕのいずれか１種以上の原子濃度（％）をf(x)、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｓｎ、Ｚｎ、Ｃｕ及びＣｒの何れか１種以上の金属の原子濃度をｇ(x)とし、区間［０、１５］におけるf(x)、ｇ(x)の第一の極大値をそれぞれf(Ｆ)、ｇ(Ｇ)とすると、Ｇ≦Ｆ、f(Ｆ)≧１％、ｇ(Ｇ)≧１％を満たすプリント配線板用銅箔。 （もっと読む）

【課題】電解条件を制御して、所望のＰ付着量を有したリン酸塩皮膜量を形成させ、耐酸化性（耐黄変性）、塗料密着性等の性能に優れた缶用表面処理鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】鋼帯を脱脂し、酸洗し、鋼帯表面に錫層を形成した後、無機リン酸化合物を含有するＰＲ電解処理浴中で、正逆反転サイクル電流を用いたＰＲ電解処理を２回以上行い、前記錫層上にＰ付着量を制御したリン酸塩皮膜を形成させる。また、前記ＰＲ電解処理において、前記鋼帯を陰極処理の後、陽極処理を行い、さらに、陰極処理、陽極処理を行うというサイクルを繰り返すＰＲ電解処理を行い、前記ＰＲ電解処理のサイクルが陽極処理で終了するようにした。前記ＰＲ電解処理において、１サイクルにおける鋼帯の陽極処理時間ａを陰極処理時間ｃよりも長くするとともに、該１サイクルの陽極処理時間を０．３〜０．８秒とすることも好ましい。 （もっと読む）

【課題】電解条件を制御して耐黄変性に優れたリン酸塩皮膜を形成させた缶用表面処理鋼板の製造方法を提供する。
【解決手段】
鋼帯を脱脂し、酸洗し、鋼帯表面に錫層を形成した後、無機リン酸化合物を含有するＰＲ電解処理浴中で、前記鋼帯を陰極処理の後、陽極処理を行い、さらに、陰極処理、陽極処理を行うというサイクルを繰り返すＰＲ電解処理を行い、前記錫層上に、１．８〜３．５ｍｇ／ｄｍ^２のＰ付着量を含有したリン酸塩皮膜を形成させることを特徴とする。
また、前記ＰＲ電解処理のサイクルが、陽極処理で終了するようにしたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】４００℃の高温に耐え、安全性、加工性に優れたプレコートアルミニウム板を提供する。
【解決手段】アルミニウム板２の表面に、ケイ酸塩化合物と水性樹脂を含むシリカ系皮膜３が形成されたプレコートアルミニウム板１Ａであって、前記シリカ系皮膜３は、大気雰囲気中、４００℃で２４時間加熱した後に下記式（１）で算出される皮膜残存率が１０％以上８０％以下であることを特徴としている。
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【課題】電解コンデンサの漏れ電流を低減する事を目的とする。
【解決手段】この目的を達成するため本発明の電極箔（陽極箔２）は、アルミニウム箔の粗面化された表面に、水溶液を用いた置換メッキにより厚み３ｎｍ以上１０ｎｍ以下のジルコニウム層を形成し、その後アルミニウム箔を化成して、ジルコニウム層よりも厚く、かつジルコニウムを含有する酸化アルミニウム皮膜３を形成したものである。これにより本発明は、酸化アルミニウム皮膜３に微量のジルコニウムが比較的均一に含有され、皮膜の結晶構造により電解コンデンサ１の漏れ電流を低減できる。 （もっと読む）

【解決課題】ノンクロムでありながら、耐食性及び耐指紋性に優れる金属表面処理剤及び金属表面処理方法を提供すること。
【解決手段】防錆成分が溶媒に溶解又は分散しており、該防錆成分の全部又は一部がフィチン酸チタンであることを特徴とする金属表面処理剤。 （もっと読む）

【課題】プラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）の前面パネルに使用される電磁波シールド導電性フィルムに適し、その後に行われる黒色化処理に適合する表面処理層を有する電解銅箔及びその製造方法の提供。
【解決手段】銅箔Ｓ面の亜鉛付着量が３０〜１１０μｇ／ｄｍ^２、銅箔Ｍ面のクロム付着量が２５〜５０μｇ／ｄｍ^２であり、且つ銅箔Ｓ面のクロム付着量（Ｃｒ（ｓ））と銅箔Ｍ面のクロム付着量（Ｃｒ（ｍ））の比Ｃｒ（ｓ）／Ｃｒ（ｍ）が０．５〜１．８である処理面を備えていることを特徴とする電磁波シールド用電解銅箔。亜鉛を主成分とするバリヤー層メッキ浴２及びクロムを主成分とする防錆層メッキ浴３を用い、銅箔Ｓ面側に電気メッキによる亜鉛層と電気メッキ又は浸漬クロメートによるクロム層、及び銅箔Ｍ面側に電気メッキによる亜鉛層と電気メッキ又は浸漬クロメートによるクロム層を形成することを特徴とする電磁波シールド用電解銅箔の製造方法。 （もっと読む）

【課題】優れたレーザ切断性および一次防錆性を兼備し、かつ視認性、特に白色塗料で書いた文字の視認性に優れた塗装鋼材を提供する。
【解決手段】鋼材の表面に、チタニア粉末および亜鉛粉末およびアルミニウム粉末および黒色酸化鉄顔料、黒色焼成顔料の１種または２種以上からなる着色顔料を含有し、前記チタニア粉末の含有量が4.5g/m²以上26g/m²以下、前記亜鉛粉末の含有量が5g/m²以上30g/m²以下、前記アルミニウム粉末の含有量が0.1g/m²以上10g/m²以下であり、前記チタニア粉末の含有量をAg/m²、前記亜鉛粉末の含有量をBg/m²、前記アルミニウム粉末の含有量をCg/m²とし、前記着色顔料の含有量をXg/m²とした場合、下記(1)式で表されるYの値が0.010以上0.200以下であり、かつ、前記乾燥塗膜表面のマンセル値の明度が7.0以下である塗膜を有する。Y=X/(A+B+C)・・・(1) （もっと読む）

【課題】ファインピッチ化に適した、裾引きが小さい断面形状の回路を良好な製造効率で製造可能なプリント配線板用銅箔及びそれを用いた積層板を提供する。
【解決手段】プリント配線板用銅箔は、銅箔基材と、該銅箔基材表面の少なくとも一部を被覆する被覆層とを備えたプリント配線板用銅箔であって、前記被覆層が、Ｐｔ、Ｐｄ、及び、Ａｕの少なくともいずれか１種を含み、前記被覆層には、Ａｕが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｔが２００〜２０００μｇ／ｄｍ²、Ｐｄが１２０〜１２００μｇ／ｄｍ²の被覆量で存在し、ＣＣＬ製造工程の熱履歴を受けて、２０ｎｍの深さまでの表層の２価のＣｕの酸化物の原子数の割合である（２価のＣｕの酸化物の原子数）／｛（１価のＣｕの酸化物の原子数）＋（単体のＣｕの原子数）｝（％）が８０％以下となる。 （もっと読む）