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Fターム[4K046CC01]の内容

るつぼ炉・流転床炉 (1,690) | るつぼ炉の真空、雰囲気ガス処理装置(方法) (81) | 真空加熱、溶解、蒸発又は熱処理装置 (38)

Fターム[4K046CC01]に分類される特許

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【課題】コールドクルーシブル溶解炉において、溶解した金属の溶湯を安定して出湯することのできる出湯用電磁ノズル装置を提供する。
【解決手段】コールドクルーシブル溶解炉10のるつぼ底部16に、出湯用ノズル20とその外側のノズルコイル22とから成る出湯用電磁ノズル装置18を設ける。その出湯用電磁ノズル装置18は、ノズルコイル22を上コイル22-1と下コイル22-2とに分割し、出湯用ノズル20の出湯口径をDとして、上コイルをその下端が出湯用ノズル20の下端よりもD以上の上側となる上位置に配置し、また下コイル22-2をその下端が出湯用ノズル20の下端よりも(1/2)D以上下方に突出した下位置に配置しておく。 (もっと読む)


【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置を提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端12aから処理装置に投入可能な被処理物通路12と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路12へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路12の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部14と、前記被処理物通路12のうちで前記閉鎖部14よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部15とが設けられており、前記被処理物通路12は、前記ジョイント部15の接合位置を維持したままで、前記出口端が前記接合位置に対して接近・離反するようにして伸縮可能である。 (もっと読む)


【課題】被処理物収容部から被処理物を投入可能な状態のままで被処理物通路の出口端を移動させることが容易で作業性の良い被処理物投入装置用のパイプユニットを提供する。
【解決手段】被処理物を収容する被処理物収容部と、被処理物が気密状態で通過して出口端12aから処理装置に投入可能な被処理物通路12と、前記被処理物収容部から前記被処理物通路12へと被処理物を気密状態で取り出し可能な被処理物取出機構と、前記被処理物通路12の処理装置側と被処理物収容部側とを遮断可能な閉鎖部14と、前記被処理物通路12のうちで前記閉鎖部14よりも被処理物収容部側の位置にて、前記被処理物通路を分離及び接合可能なジョイント部15とが設けられた被処理物投入装置に用いられ、前記被処理物通路12の一部を構成するもので、被処理物の入口となるパイプ入口端と、同出口となるもので、前記被処理物通路の出口端と一致するパイプ出口端とを有し、前記パイプ入口端の位置を固定したままで伸縮可能である。 (もっと読む)


【課題】ルツボを築炉する際に、手間および時間を軽減することが可能な真空溶解装置と、その真空溶解装置で用いられるルツボユニットを提供すること。
【解決手段】真空吸引されるチャンバ20内でコイル120に高周波電流を導通させて、鉄換算で50kg以上の原料を誘導加熱して溶解するルツボユニットを有する真空溶解装置10であって、コイル120の空芯部125に配置されると共に材質がセラミックスである外ルツボ140と、外ルツボ140の内筒部144に配置されると共に、材質をセラミックスとする内ルツボ150と、を具備し、内ルツボ150は、外ルツボ140よりも熱膨張係数が大きなセラミックスを材質として形成されていると共に、外ルツボ140の内筒面144aと内ルツボ150の外周面153aとの間の隙間寸法Sは、原料の溶解の際の熱膨張において外ルツボ140側から内ルツボ150側へ圧力を及ぼす状態に設定されている。 (もっと読む)


【課題】 使用電力を節減することができるとともに、省スペースが可能な誘導炉を実現する。
【解決手段】 内部にるつぼ130を配置する、ホットゾーンを形成するための円筒状の筒体120を配設する。筒体120の外周壁に近接して、これを巻回するようにして、高周波電流が流れる誘導コイル110を配設する。下端が基台150に固着された支柱16により支えられた、誘導コイル110から発生する漏洩磁束を低減するための複数のコア部10を、誘導コイル110の外周側に近接して配設する。 (もっと読む)


【課題】CCIM法を用いて、健全な長尺の鋳塊を安定して製造することができる長尺鋳塊の溶解製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】溶湯4を芯金用鋳型9に注湯して軸状の芯金鋳塊1を作製する第一工程と、溶湯4を棒状原料鋳型10内に立設した芯金鋳塊1の周囲に複数回に分けて注湯することで棒状原料2を作製する第二工程と、るつぼ底6が上下方向に移動自在に形成された水冷銅製るつぼ5内に棒状原料2を装入して誘導加熱で溶解し下方に引き抜くことで、その引抜方向の長さが直径に対して1.5倍以上の長尺鋳塊3を製造する第三工程とよりなる。 (もっと読む)


【課題】Co−Cr−Pt系またはCo−Cr−Pt−Ru系の金属、およびSiO2、TiO2、Cr23、CoO、Ta25のうちのいずれか1つまたは複数の金属酸化物からなるターゲットから、工程数を少なくかつ不純物の混入を少なく金属を回収する。
【解決手段】ターゲット1を、貫通孔12Bが底面にある上段ルツボ12および該貫通孔12Bの下に設けられた下段ルツボ14を備えてなる2段ルツボ10の該上段ルツボ12内で、ターゲット1にTiO2およびTa25のどちらも含まれない場合は1400〜1790℃で加熱し、ターゲット1にTiO2が含まれ、Ta25が含まれない場合は1400〜1630℃で加熱し、ターゲット1にTa25が含まれる場合は1400〜1460℃で加熱して、溶融した前記金属を下段ルツボ14内に流れ込ませて前記金属酸化物から分離する。 (もっと読む)


【課題】溶鋼時の溶損を防止するために耐熱性を向上するだけではなく、同時に、ルツボ自体の耐水性を向上して強度を確保して、ルツボの移動や傾動作業に際して亀裂が発生しにくい金属溶解用ルツボを提供することを課題とする。
【解決手段】真空溶解炉で使用される酸化カルシウム(CaO)を主成分とする金属溶解用ルツボにおいて、 原料となるCaOの粉体と、バインダとしての液状のジルコニウムキレートと液状のアルミニウムキレートとポリビニルピロリドン(PVP)とを含む混合物の焼結体として構成されることを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】溶解炉内でアークを発生させて溶解用電極を溶解し、凝固させて高融点金属の金属鋳塊を得るに際し、溶解中の溶解炉内を目視観察できない場合でも、炉内の溶解状態を的確、かつ確実に把握し、必要に応じて溶解炉の動作を制御することができるようにした、消耗電極式真空アーク溶解方法及びその装置を提供すること。
【解決手段】溶解炉1内でアークBを発生させて溶解用電極Aを溶解し、凝固させて高融点金属の金属鋳塊Dを得る消耗電極式真空アーク溶解装置において、溶解炉1内部の熱画像を取得する赤外線カメラ11と、赤外線カメラ11で取得した熱画像を取り込み、前記熱画像から炉内温度情報を得る画像処理装置12と、赤外線カメラ11で取得した熱画像又は前記画像処理装置12で得た炉内温度情報に基づいて炉内の溶解状態を判断し、該溶解状態に基づいて前記溶解炉1の動作を制御する制御装置14とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明は、反応ガス及び未反応ガスを円滑で、かつ均一に排出できる真空熱処理装置用熱処理容器を提供することをその目的とする。
【解決手段】本発明に従う真空熱処理装置用熱処理容器は、底部と側壁とを含み、側壁の上部に排気通路が形成される。 (もっと読む)


【課題】高真空雰囲気中において、放出ガスによって圧力を低下させること無く、また、周辺環境を汚染させること無く使用することが可能な可撓性を有する水冷ケーブル及び水冷ケーブルを備えた真空加熱装置を提供する。
【解決手段】水冷ケーブル20は、冷却水を流通する冷却水通路20cを有して、真空雰囲気中で冷却水及び電源を供給するためのもので、電源を供給するための導線20aと、導線20aとの間に冷却水通路20cを有して外装され、耐熱温度が100℃以上で、少なくとも外皮の放出ガス量が10−4Pa・m/s・m以下の可撓性を有する絶縁材料で形成された略管状の被覆管20bとを有する。 (もっと読む)


【課題】優れた熱電変換性能を有するマグネシウム−ケイ素複合材料を提供する。
【解決手段】実質的にドーパントを含まない場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Mgの含有量が原子量比で66.17〜66.77at%であり、Siの含有量が原子量比で33.23〜33.83at%である組成原料を、開口部とこの開口部を覆う蓋部とを有し、上記開口部の辺縁における上記蓋部への接触面と、上記蓋部における上記開口部への接触面とが共に研磨処理された耐熱容器中で加熱溶融する工程を有する製造方法により製造される。一方、ドーパントを含む場合、マグネシウム−ケイ素複合材料は、Mgの含有量とSiの含有量との比が原子量比で66.17:33.83〜66.77:33.23であり、ドーパントの含有量が原子量比で0.10〜2.0at%である組成原料により製造される。 (もっと読む)


【課題】鋳造欠陥の発生を抑制でき、健全な大型の鋳塊を製造することができる鋳塊の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】CCIM法で、溶解原料3を供給しつつ、るつぼ底1を下方に引き抜いて鋳塊6を製造する方法において、水冷銅製るつぼ2を構成する銅製セグメント7間に形成されているスリット8の下端位置を、高周波コイル4の下端位置より下方に配置すると共に、溶湯プール5と鋳塊6との凝固界面が水冷銅製るつぼ2の内面に接する位置が、高周波コイル4の下端位置と高周波コイル4の高さの半分の高さ位置の間に収まるようにして鋳塊6を製造する。 (もっと読む)


【課題】鋳造欠陥の発生を抑制でき、健全な大型の鋳塊を製造することができる鋳塊の製造方法およびコールドクルーシブル誘導溶解装置を提供する。
【解決手段】CCIM法で、溶解原料3を供給しつつ、るつぼ底1を下方に引き抜いて鋳塊6を製造する方法において、高周波コイル4の高さ寸法を、水冷銅製るつぼ2の内径寸法の0.5〜0.8倍として鋳塊6を製造する。また、その鋳塊6を製造するコールドクルーシブル誘導溶解装置Aにおいて、高周波コイル4の高さ寸法を、水冷銅製るつぼ2の内径寸法の0.5〜0.8倍とする。 (もっと読む)


【課題】蒸着材料の熱膨張における体積変化を行う通路を確保し、蒸着容器割れや破損を防止することにより、蒸着容器交換頻度を減らし、蒸着コストを低減する薄膜の製造装置および薄膜の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の薄膜の製造装置は、基板4の表面に、真空蒸着を用いて成膜を行う薄膜製造装置100であって、蒸着原料と、前記蒸着原料を収容する容器16と、前記容器に16収容された前記蒸着原料を加熱する加熱手段17と、前記加熱手段17が前記蒸着原料を加熱して溶解時に、前記蒸着原料の溶解面より下方と前記溶解面の上方とを連通する管50と、を有する薄膜製造装置である。 (もっと読む)


【課題】チタンおよびチタン合金等の金属精製において、高精度かつ最適時期にホットトップ制御を行うことができる真空アーク溶解方法およびその溶解炉を提供する。
【解決手段】消耗電極をアークにより溶解し、滴下する金属を凝固させてインゴットを製造する真空アーク溶解方法であって、前記消耗電極が溶解、滴下し、残存電極が短くなるのにともない溶解を終了させるホットトップ操作の際に、消耗電極の上面温度を感知する赤外線熱感知装置を設け、感知された消耗電極の上面温度に応じて開始時期および/または終了時期を決定することを特徴とする真空アーク溶解方法である。さらにこの方法が適用される真空アーク溶解炉である。 (もっと読む)


【課題】遺骨または骨灰のみしか含まない石化遺骨灰を製造することのできる石化遺骨灰の製造方法を提供すること。
【解決手段】火葬した人または愛玩動物の遺骨灰を粉砕する粉砕工程S1と、粉砕した遺骨灰のみが投入された溶融坩堝21が取り付けられた外筒坩堝22の周囲雰囲気を減圧雰囲気とする減圧工程S4と、減圧雰囲気に配置された溶融坩堝21内の遺骨灰27を溶融させる溶融工程S5と、溶融工程にて溶融することで一体化した石化遺骨灰27を徐冷する徐冷工程S7と、を含む石化遺骨灰の製造方法であって、徐冷工程S7にて、溶融坩堝21と外筒坩堝22との間に介在される断熱材により溶融坩堝21と外筒坩堝22との間が断熱される。 (もっと読む)


結晶材料(3)を溶融させかつ凝固させる溶融凝固炉(1)は、底部(4)および側壁(5)を有する坩堝(2)と、電磁誘導によって結晶材料を加熱するための手段と、を備える。炉は、側壁(5)の周囲の坩堝(2)の周辺に配置された少なくとも1つの側部断熱システム(6)を含む。側部断熱システム(6)の少なくとも1つの側部エレメントは、側壁(5)に対して、断熱位置と熱損失を助長する位置との間を移動する。側部断熱システム(6)は、1S/m未満の電気伝導率と、15W/m/K未満の熱伝導率と、を有する。
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【課題】チタンスクラップを溶解原料として電子ビーム溶解によりチタンインゴットを溶製する技術において、供給量や寸法に大小ばらつきのあるチタンスクラップを溶解原料として安定して利用でき、品質の優れたチタンインゴットを歩留まり良くしかも安定的に金属を溶製できる装置および方法を提供する
【解決手段】原料供給手段と、電子ビーム照射手段と、供給された金属原料を溶解した溶湯を保持するハースと、溶湯を冷却してインゴットを得る鋳型を備えた金属チタンの電子ビーム溶解装置であって、原料供給手段は、塊状原料供給手段と顆粒状原料供給手段とかなる。また、上記電子ビーム溶解装置を用いた金属の電子ビーム溶解方法において、ハースに塊状原料と顆粒状原料を同時に供給する。 (もっと読む)


【課題】金属シリコン材料の精製時間効率の向上を図る。
【解決手段】電子ビームEBを照射して溶解する金属シリコン材料を装填する水冷坩堝10は、水冷機構を設けた銅製容器1の内面に配置された炭素からなる成形体2を備え、この成形体2は、前記母材よりも高純度のシリコンを含む部位を、溶解した前記母材と触れる側に少なくとも有する。成形体2のかさ密度は、0.1g/cm〜0.5g/cmの範囲内であることが望ましい。また、成形体2の厚さtは、5mm<t≦30mmであることが望ましい。さらに、成形体2は、炭素繊維またはポーラスカーボンからなる部材であることが望ましい。 (もっと読む)


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