【課題】チャンバ構成部品のような加工片の表面にテクスチャを設ける方法及びシステムを提供する。
【解決手段】本方法は、加工片をテクスチャ化チャンバへ供給するステップと、加工片の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップとを含む。形成されたフィーチャは、一般的には凹み、突起、及びそれらの組合わせである。プロセスチャンバ内の汚染を減少させる方法も提供される。この方法は、１またはそれ以上のプロセスチャンバ構成部品の表面を横切って電磁エネルギのビームを走査させて該表面上に複数のフィーチャを形成させるステップと、１またはそれ以上のチャンバ構成部品をプロセスチャンバ内に位置決めするステップと、プロセスチャンバ内においてプロセスシーケンスを開始するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】優れた摺動特性と耐摩耗性の両立を図ることのできる摺動部材を提供する。
【解決手段】摺動面が、第１材料からなり複数の凹部が規則的に配列された基部１と、上記凹部を充填する第２材料からなる充填部２とを有し、前記第１材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種からなり、前記第２材料は、金属材料、セラミックス材料、および炭素系材料よりなる群から選択される１種以上からなり、前記第１材料と前記第２材料は、摩擦係数と硬度のうちの１以上が異なり、更には、前記基部１の表面と前記充填部２の表面が単一面を形成していることを特徴とする摺動部材。 （もっと読む）

【課題】 Ｔａなどの高融点金属層とＲ−Ｔ−Ｂ系永久磁石が積層された高性能永久磁石薄膜を用いた、高加工精度の小型・高性能なマイクロデバイスを、低コストで大量に生産することができる、希土類永久磁石薄膜の製造方法の提供。
【解決手段】基板上に、厚さ５００ｎｍ以下の希土類合金磁性層と、厚さ５０ｎｍ以下の高融点金属層を含む多層構造を有する希土類永久磁石薄膜を形成し、前記希土類永久磁石薄膜上にフォトレジスト層を形成し、前記フォトレジスト層を露光、現像することによりパターニングし、前記パターニングされた前記フォトレジスト層をマスクとして、露出した前記希土類永久磁石薄膜をイオンミリングにより除去し、残存する前記希土類永久磁石薄膜上の前記フォトレジスト層を酸素プラズマアッシングにより除去する。 （もっと読む）

【課題】固体表面に存在する数１０ｎｍ〜１００μｍ程度の周期の表面粗さをガスクラスターイオンビームの照射によって低減する。
【解決手段】固体表面の法線とガスクラスターイオンビームとがなす角度を照射角度とし、固体とこの固体に衝突したクラスターとが相互作用する距離が飛躍的な増大に転じる照射角度を臨界角として、予め固体表面の形状データを取得する過程と、臨界角以上の照射角度で固体表面に対して、形状データに含まれる８００ｎｍ以上１．１μｍ以下の範囲の周期をもつ表面の凹凸のうねりの方向と照射方向とを一致させてガスクラスターイオンビームを照射する照射過程とを有する固体表面の平坦化方法とする。この臨界角は７０°である。 （もっと読む）

【課題】取付スペースが小さくて済み、かつ開閉動作時間も短いエッチング装置おけるシャッタ機構を提供する。
【解決手段】パレット２２に複数のパーツを搭載し、パレット２２の下方のイオンビーム発射装置から発射されたイオンビームIをパレット２２の入射口２３からパーツの底部に照射することによりエッチングを行うエッチング装置において、入射口２３に配置されたシャッタ羽根１４と、シャッタ羽根１４が連結された回転アクチェータ１２とを備え、回転アクチェータ１２の回転によりシャッタ羽根１４を、入射口２３を開放する垂直位置と入射口２３を閉鎖する水平位置とに回転駆動するようにした。 （もっと読む）

【課題】摺動部品表面への被加工材の凝着物が発生し難い摺動部品を提供する。
【解決手段】表面構造として、周期１０〜１００nm、深さ５〜５０nmの第１周期構造と、周期１００〜１０００nm、深さ２０〜５００nmの第２周期構造と、周期１０００〜１００００nm、深さ１００〜３０００nmの第３周期構造のうち、少なくとも２種類の周期構造を有し、当該少なくとも２種類の周期構造のうち一方の周期構造上に他方の周期構造が形成されている表面構造を有する摺動部品である。 （もっと読む）

集積回路編集のための銅の集束イオンビームエッチング用のエッチング促進剤はイオンビームによる隣接する誘電体の損失を防ぎ、隣接面上のスパッタされ再堆積した銅を非導電性にして電気的短絡を回避する。促進剤は分子中にＮ−Ｎ結合を有し、約７０〜２２０℃の沸点を有し、ヒドラジン及び水の溶液と、ヒドラジン誘導体と、メチル、エチル、プロピル及びブチルから選択された２つの炭化水素基によって飽和したニトロソアミン誘導体と、ニトロソアミン関連化合物と、四酸化窒素とを含み、好適にはヒドラジン一水和物（ＨＭＨ）、ヒドロキシエチルヒドラジン（ＨＥＨ）、ＣＥＨ、ＢｏｃＭＨ、ＢｏｃＭＥＨ、ＮＤＭＡ、ＮＤＥＡ、ＮＭＥＡ、ＮＭＰＡ、ＮＥＰＡ、ＮＤＰＡ、ＮＭＢＡ、ＮＥＢＡ、ＮＰＹＲ、ＮＰＩＰ、ＮＭＯＲ及びカルムスチン単独、又は四酸化窒素との組合せである。促進剤は高アスペクト比（深さ）の孔の銅をエッチングするのに有効である。
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【課題】密着性が充分な非晶質炭素被膜を被覆した非常に高い面圧下で使用される機械部品や、切削工具、金型を提供する。
【解決手段】非晶質炭素被覆部材の構造を、基材１上に周期律表第ＩＶａ 、Ｖａ、ＶＩａ 、ＩＩＩｂおよびＣ以外のＩＶｂ 族元素のなかから選ばれた少なくとも１つの元素、またはこれらのなかから選ばれた少なくとも１つの元素の炭化物からなる中間層２が形成され、この中間層２上に非晶質炭素膜３が形成された構造とし、中間層２の厚さを０．５ｎｍ 以上１０ｎｍ未満とする。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】絶縁のために電圧等を印加する必要が無く、機械的強度の低下を抑えることができ、寄生容量を抑制可能な、互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域を有する構造体及びその製法を提供する。
【解決手段】互いに電気的に絶縁された複数の導電性領域104を有する構造体は、導電性領域104の上面側に、可動に支持された可動子301が設けられ、可動子301は導電性領域104に対向する電極を有する。導電性領域104の下面を介して電気信号が授受可能に構成され、複数の導電性領域104間が、連続した酸化領域によって絶縁され、酸化領域は、複数の貫通孔103もしくは溝が形成された材料の酸化物102から成る。 （もっと読む）

【課題】ガスクラスターイオンビーム加工において、被加工物における目的の品質を確実に得る。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム９を被加工物１１に照射して加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、相対走査速度と照射ドーズ量との関係ｆ１、被加工物１１の回転軸からの距離と照射ドーズ量との関係ｆ２、表面粗さや形状精度等の品質に影響するパラメータと照射ドーズ量との関係ｆ３，ｆ４，ｆ５，ｆ６を予め測定して記憶しておき、被加工物１１に要求される品質と、関係ｆ１から関係ｆ６とに基づいて被加工物１１に対するガスクラスターイオンビーム９の相対走査速度を決定し、この相対走査速度によるガスクラスターイオンビーム９の照射によって被加工物１１の加工を行うことで、被加工物１１に目的の品質を実現する。 （もっと読む）

【課題】被加工物の表面を粗面化することなく、ガスクラスターイオンビームの照射による所望の照射痕を得る。
【解決手段】ソース部１およびフィラメント６で生成されたガスクラスターイオンビーム８を加速電極７で加速して被加工物９に照射するガスクラスターイオンビーム加工装置Ｍにおいて、加速電極７の出射口と被加工物９との間に荷電粒子レンズ１１を配置し、この荷電粒子レンズ１１に設けられ、ガスクラスターイオンビーム８が通過する開口部の形状、および荷電粒子レンズ１１と被加工物９との距離の少なくとも一方を制御することで、荷電粒子レンズ１１の開口部を通過したガスクラスターイオンビーム８を選択的に被加工物９に照射して、被加工物９を粗面化することなく、所望の形状の照射痕を形成する。 （もっと読む）

【課題】 効率的で安定したイオンビームを用いた圧電振動子の周波数調整装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 周波数調整装置は、真空室１と、真空室内に設けられた斜めに配置されたイオンガン２と、水晶振動子３と、水晶振動子を搭載するパレット４と、パレット４を搬送する搬送機構と、捕捉体２４を有し、真空室外部には周波数測定部６や真空ポンプ７あるいは不活性ガス供給部２３等を有する構成である。イオンガンの複数のグリッド開口２０ａは全体として略菱形状に配置された構成で、各グリッド開口２０ａはその平面形状が楕円形状となっている。 （もっと読む）

【課題】高精度・高性能・高額な処理装置を用いないで、また精細で複雑な処理工程を必要としないで、簡素な手法で再現性良く微細な凹凸構造を形成する方法、及び前記方法によって形成された基板を提供する。
【解決手段】エッチング処理によって基板表面に凹凸構造を形成する方法であって、前記基板上に膜を成膜する工程、前記膜をエッチング処理することにより前記膜に微細な凹凸構造を形成する工程、及び前記膜に生じた微細な凹凸構造をエッチングマスクとして前記基板のエッチング処理を行う工程からなることを特徴とする基板表面に凹凸構造を形成する方法、並びに前記方法によって得られた凹凸構造を有する基板。 （もっと読む）

【課題】被加工物に対するガスクラスターイオンビームの照射位置を相対的に変化させながら加工する際における被加工物の加工精度を向上させる。
【解決手段】ノズル５から噴出するガス流から、タングステンフィラメント７、引出し電極８、加速電極９を用いてガスクラスターイオンビーム１０形成し、アパーチャ２２を介して姿勢制御装置１３に保持された被加工物２１に照射して微細加工を行うガスクラスターイオンビーム加工装置１００において、加工中に、ガスクラスターイオンビーム１０が出射される加速電極９から被加工物２１の加工点に至る距離Ｌ（ガスクラスターイオンビーム１０の飛程）を一定の距離Ｌ０に制御して、ガスクラスターイオンビーム１０の飛程のばらつきに起因する加工量のばらつきを抑止し、被加工物２１の高精度の加工を実現する。 （もっと読む）

【課題】異なる材料から成る被加工物の表面を平準化するミリング装置及びミリング方法の提供。
【解決手段】基板Ｓには、基板Ｓの加工面に対して略直交する方向に沿って、ラジカル源３からラジカルが供給され、基板Ｓの加工面に対して略並行な方向に沿って、中性粒子ビーム源４から中性粒子ビームＮＢが照射される。これにより、複数の材料から構成されている基板Ｓを加工する際に、基板Ｓのうち物理エッチングに対する耐性が低い材料が用いられている箇所を、ラジカルによって基板Ｓの加工面から略直交する方向に削りすぎることなく、物理エッチングに対する耐性が高い材料を削ることができる。さらに、化学的に安定した材料が用いられている箇所を中性粒子ビームＮＢによる物理エッチングによって補助的に加工することができる。よって、ラジカルによる加工量の偏りを中性ネオンビームＮＢによって補完し、基板Ｓの加工面を平らにすることができる。 （もっと読む）

【課題】光取り出し効率に優れた光学シート又はその原版として好適な凹凸パターンシート、及びその製造方法、光学シートの製造方法、並びに光学装置を提供する。
【解決手段】一方の面が、下記条件を満たす凹凸構造Ｘと凹凸構造Ｙが重畳した凹凸構造Ｚとされていることを特徴とする凹凸パターンシート。
凹凸構造Ｘ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｘが２〜２００μｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｘに対する最頻高さＨ_ｘの比Ｒ_ｘが０．３５０〜０．７１４である１次元又は２次元の凹凸構造。
凹凸構造Ｙ：凹凸の最頻ピッチＰ_ｙが３〜３８０ｎｍであり、前記最頻ピッチＰ_ｙに対する最頻高さＨ_ｙの比Ｒ_ｙが０．５〜１０である２次元凹凸構造。 （もっと読む）

【課題】搬送ミスが少なくイオンビームによるエッチング処理時に被加工物の冷却を充分に行うことができるミリング装置の提供。
【解決手段】真空チャンバ２０の外部にはロードロック扉４１が設けられており、ロードロック扉４１の開口部を、真空チャンバ２０を画成する壁部２０Ａに密着当接させて密閉することで、当該壁部２０Ａの部分とロードロック扉４１とでロードロック室４０を画成する。当該壁部２０Ａの部分には開口２０ａが形成されている。開口２０ａは真空チャンバ２０とロードロック室４０とを連通するように壁部２０Ａを貫通して形成されている。開口２０ａに基板保持端部６０Ａを挿入し、鍔部６５が開口２０ａを画成する壁部２０Ａの部分に密着当接することにより、真空チャンバ２０内とロードロック室４０内との連通が遮断される。 （もっと読む）

【課題】切削加工された被加工物の加工面に発生した虹目等の凹凸を、切削加工で創成した形状の悪化や損傷を生じることなく、一様に除去できる固体除去技術を提供する。
【解決手段】ガスクラスターイオンビーム１０の照射経路上に、被加工物１１が載置される回転ステージ１２、この回転ステージ１２が載置されたＸ軸ステージ１３およびＹ軸ステージ１４、Ｙ軸ステージ１４が載置されるブラケット１５、ブラケット１５が載置される揺動ステージ１６、揺動ステージ１６を支持するベース１７を備える加工ステージ３０を設け、被加工物１１の加工面の加工後の表面荒さを加工前の表面粗さよりも悪化させない範囲に、被加工物１１の加工面に対するガスクラスターイオンビーム１０の照射角度が保たれるように被加工物１１の姿勢を制御しつつ、被加工物１１の加工面に存在する条痕による虹目を除去する。 （もっと読む）

【解決課題】従来以上の配向性を有し、かつ、高強度のエピタキシャル薄膜形成用の配向基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、金属層と、前記金属層の少なくとも一方の面に接合されたニッケル層とからなるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板であって、前記ニッケル層は、結晶軸のずれ角Δφが、Δφ≦７°である｛１００｝〈００１〉立方体集合組織を有し、かつ、前記ニッケル層のニッケル純度が９９．９％以上であるエピタキシャル薄膜形成用のクラッド配向金属基板である。この配向金属基板は、純度９９．９％以上のニッケル板を冷間加工、熱処理して配向化熱処理を行った後、金属板と配向化処理したニッケル板とを表面活性化接合で接合することにより製造される。 （もっと読む）