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Fターム[4K057WE07]に分類される特許

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相補型金属酸化物半導体(CMOS)トランジスタの製造の間、急速な熱アニールによって金属ケイ化物の形成後、ニッケル、コバルト、チタン、タングステン、およびそれらの合金などの金属を除去するために有用な水性金属エッチング組成物。また、水性金属エッチング組成物は、ウエハ再加工のために金属ケイ化物および/または金属窒化物を選択的に除去するために有用である。1つの調合において、水性金属エッチング組成物は、シュウ酸と、塩化物含有化合物とを含有し、他の調合において、組成物は、過酸化水素などの酸化剤と、フッ化物供給源、例えば、フルオロホウ酸とを含有する。別の特定の調合において組成物は、誘電体および基板を攻撃せずにニッケル、コバルト、チタン、タングステン、金属合金、金属ケイ化物および金属窒化物を有効にエッチングするためにフルオロホウ酸およびホウ酸を含有する。
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【課題】 エッチング反応によって生じた不純物を効果的に処理することを特徴とする湿式エッチング処理方法、及びそれを実施するエッチングシステムを提供すること
【解決手段】 LCDガラス基板40をエッチングするシステムを、エッチング槽11、エッチング反応で生じた不純物3を含むエッチング排液2を取り出すエッチング液排出管12、一次反応沈澱槽14、二次反応沈澱槽16、不純物3が一部除去された上澄み液7と、新しく追加される未使用のエッチング液8とからエッチング液9を調製するための調合槽18などで構成する。そして、エッチング槽11、エッチング液排出管12、一次反応沈澱槽14、および二次反応沈澱槽16の全部または一部に噴射手段32〜35を設け、不純物除去流体31をエッチング液1またはエッチング排液2に噴射して、これらから不純物3が沈殿する反応を誘起する。 (もっと読む)


【課題】チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを溶液に浸漬させて、短時間に腐食量が少なく、あらゆる複雑な形状のチタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを表面粗さ2〜20μmに、歪みなく、粗面化する処理方法を提供することにある。
【解決手段】 チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレスを、弗化水素の濃度0.5〜60重量%の弗酸に増粘剤を加え、粘度1000〜1560000mPa・sにした溶液(液温が0〜60℃)中に浸漬することによって、チタン、チタン合金、アルミニウム、アルミニウム合金およびステンレス表面を粗面化する処理方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】 アルミニウム系導電性薄膜とモリブデン系導電性薄膜とからなる多層膜のエッチング処理において、基板表面のエッチング液の流動性が異なっても均一に良好な順テーパー形状を与えることのできる優れたエッチング液を提供することを課題とする。
【解決手段】 リン酸、硝酸(好ましくは濃度1〜10質量%)及び硫酸(好ましくは濃度1〜20質量%)を含有する水溶液(好ましくは水分量20質量%以下)からなるエッチング液組成物を調製し、Moを主成分とする第1の導電性薄膜とAlを主成分とする第2の導電性薄膜からなる2層膜、または、Moを主成分とする第1の導電性薄膜とAlを主成分とする第2の導電性薄膜とMoを主成分とする第3の導電性薄膜からなる3層膜のエッチングに用いる。
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【課題】水素と酸素を混合することなく生成し、エネルギー効率を向上させる。
【解決手段】チタン薄膜21表面上に耐エッチングマスクをパターンニングし、耐エッチングマスクを介してチタン薄膜をエッチングすることによりチタン薄膜に貫通孔22を形成し、貫通孔の内側表面に白金層23を形成することによりカソード電極6を製造する。このようなカソード電極によれば、カソード電極の面内方向に電子を速やかに行き渡らせることができるのと同時に、発生する水素を貫通孔を通じて排出することができるので、水素と酸素を混合することなく生成し、エネルギー効率を向上させることできる。 (もっと読む)


【課題】 基板上の電子部材や各種積層膜等を腐食させることなく、タングステン膜に対するエッチレートを安定化させ、かつ選択的にエッチングできる微細加工処理剤、及びそれを用いた微細加工処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明の微細加工処理剤は、タングステン膜及びシリコン酸化膜が積層された基板を微細加工する微細加工処理剤であって、(1)フッ化水素と、(2)硝酸と、(3)ケトン、エーテル、エポキシド、アルデヒド、アミド、アミン、ニトリル、スルホキシド、ヘテロ環化合物、有機酸、フェノール、チオール、及びスルフィドからなる群から選ばれる少なくとも1種の化合物とを含み、前記タングステン膜に対する25℃でのエッチレートが5〜5000nm/分の範囲内であり、且つ、前記タングステン膜に対する25℃でのエッチレートが、前記シリコン酸化膜に対する25℃でのエッチレートの2倍以上であることを特徴とする。

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骨移植組織片の表面仕上げ方法は、研磨粒子での噴射加工によって移植組織片の表面を粗面化するステップと、移植組織片の表面を汚染しうる、部分的に嵌められた全ての研磨用噴射加工粒子を弛めるために、粗面化した移植組織片を酸洗液で酸洗するステップとを含む。その後、機械的な処理によって移植組織片の粗面化表面をクリーニングして、前記表面から弛められた噴射加工粒子を離脱させる。前記酸洗及びクリーニングステップは、処理済表面に対して更なる粗面化処理を行うためではないが、最初の研磨噴射加工によって得られた所要の粗度に組み込まれる。典型的に、Ra及びRt粗度パラメータは、それぞれ3≦Ra≦7μm及び20≦Rt≦70μmである。 (もっと読む)


【課題】低誘電率の誘電膜を除去するためのエッチング溶液及びこれを利用した低誘電率の誘電膜エッチング方法を提供する。
【解決手段】本発明の低誘電率の誘電膜をエッチングするエッチング溶液は低誘電率の誘電膜を酸化させる酸化剤及び酸化物を除去するための酸化物エッチング剤を含み、このようなエッチング溶液を使用して低誘電率の誘電膜を一度の工程で簡単に除去することができる。 (もっと読む)


【課題】 銅エッチング液の低コスト性を満足させながら、優れたエッチング速度を付加し、塩化水素による臭気環境を改善することのできる、銅エッチング液が提供されていない。
【解決手段】 エッチング装置5において、濃度が約2mol/Lである塩化第二銅を主成分とし、1.5mol/L以下の濃度となるように塩化第二鉄を添加したことを特徴とするエッチング液によりエッチングを行い、エッチング装置5の使用済みエッチング液に含有される、塩化第二銅と塩化第二鉄との濃度をサンプリング装置3において計測し、塩化第二銅の濃度と塩化第二鉄の濃度とを、薬剤補充量調整装置4において調整してエッチング前の濃度になるように濃度制御を行う。 (もっと読む)


【課題】 有害物質であるクロメートを表面に施した金属材料のクロメートを除去する。
【解決手段】 表面にクロメート処理された金属材料のクロメートを迅速且つ選択的に抽出する方法であり、クロメートを抽出するための酸4と、収納するための容器2と、前記酸中の前記材料の表面に超音波を照射するための超音波発生装置1で構成される。酸は、塩酸、硝酸、酢酸、硫酸、ふっ酸、過塩素酸、過酸化水素の中から少なくとも1種からなりその濃度が0.001〜3mol/l更に好ましくは0.01〜1.5mol/lであることを特徴とする。また、超音波発生器の超音波周波数が20k〜35kHz、更に好ましくは20k〜30kHz程度であることを特徴とする。 (もっと読む)


【解決手段】絶縁フィルムの少なくとも一方の表面に基材金属層および導電性金属層がこの順序で積層された基材フィルムにおける該導電性金属層の表面に、感光性樹脂層を露光・現像して所望のマスキングパターンを形成し、該パターンをマスキング材として、主として導電性金属層を選択的にエッチングした後、該マスキング材を残したまま、露出した基材金属層を連続的にソフトエッチングして除去し、次いで形成された配線パターンを、還元性を有する有機化合物を含む水溶液で処理することを特徴としている。
【効果】導電性金属層を除去する際に、配線パターンの厚さを減少させることなく配線パターンを容易に製造することができ、マイグレーションの発生による絶縁抵抗の変動が少なく、信頼性の高いプリント配線基板を効率よく製造できる。 (もっと読む)


【課題】 加工対象物に供与する液体の性状に関わらず、特別な装置又は器具等を用いずに、加工対象物を加工し得る方法の提供。
【解決手段】 本発明は、加工対象物上に、液体を配置する第1工程と、前記液体に気体を溶解させ、当該液体を変質させて、前記加工対象物を当該変質後の液体により加工する第2工程とを含む加工方法により、上記課題を解決する。また、前記第1工程が、インクジェット法により前記液体を配置する工程であることが好ましい。 (もっと読む)


【課題】アルミニウムの基材にダメージを与えることなく、付着したタンタル成分を選択的にエッチング除去する。
【解決手段】フッ化物、リン酸及び/又はリン酸塩を含んでなるエッチング用組成物を用いることにより、アルミニウム基材にダメージを与えることなく、付着したタンタルを選択的にエッチング除去する。フッ化物としてはフッ酸、フッ化ナトリウム、フッ化カリウム、フッ化アンモニウム、リン酸としてはオルトリン酸、メタリン酸、ポリリン酸等が用いられ、その他の成分として過酸化水素を含んでも良い。 (もっと読む)


【課題】少なくとも一の基板の表面を微細構造化するための装置を提供する。
【解決手段】本装置は少なくとも、基板が一の部材から他の部材に搬送されるときに支持体が変化しないように各部材内又は各部材に対して基板を維持するように構成された基板支持手段(15)を好ましくは含む基板(S)保持用手段(6)と、感光性樹脂層を基板に塗布する部材と、樹脂層を硬化及び/又は乾燥させる手段と、レーザ光を用いて既定のプログラムに基づいて基板上の樹脂層を自動的に露光する部材(20)と、露光済みの樹脂層部分又は未露光の樹脂層部分を除去する現像用部材と、基板を化学エッチングする部材と、基板を洗浄する部材と、制御部(7)と、を備えた支持枠体(2)を有することを特徴とする表面微細構造化装置に関する。 (もっと読む)


【課題】 疎水性の障壁によるメニスカスの分離および閉じ込め。
【解決手段】 多くの実施形態の1つにおいて、基板を処理するための方法が提供される。該方法は、第1の流体メニスカスと第2の流体メニスカスとを基板の表面上に生成する工程を有する。このとき、第1の流体メニスカスは、第2の流体メニスカスにほぼ隣接する。このメニスカスは、また、第1の流体メニスカスと第2の流体メニスカスとを障壁によって分離する工程も有する。 (もっと読む)


【課題】反転通電における信頼性でばらつきが大きく、十分ではないという問題がある。
【解決手段】支持基板の表面に設けられた配線導体の上に、メッキ層を有する熱電素子が半田により接合されてなる熱電モジュールであって、上記支持基板対して垂直な断面におけるメッキ層がなす断面曲線の最大高さRmaxが3〜30μmである素子が少なくとも一つあることとした。 (もっと読む)


【課題】 いくつかの基板除去技法を組み合わせて、各基板除去工程の特徴を利用できるようにする。
【解決手段】 基板300の厚みの大部分の中を通ってブラインド形状412を形成するステップであって、ブラインド形状412は少なくとも1つの側壁表面416および底面418によって画定されるものである、ブラインド形状を形成するステップと、ブラインド形状412にウエットエッチレジスト材料を被着するステップと、底面418の少なくとも一部から前記ウエットエッチレジスト材料を除去するステップと、基板300の前記厚みを通して貫通形状305を形成するほど十分に、少なくとも底面418を通して基板300をウエットエッチングするステップとを含んでなる方法を提供する。 (もっと読む)


本発明は、有用な層(1)が最初に犠牲層(2)によって基板を構成する層(3)に接続される方法に関するものである。犠牲層(2)をエッチングする前に、犠牲層(2)に接触する層の少なくとも一方の層の表面(4、5)の少なくとも一部をドープする。犠牲層(2)をエッチングした後で、表面(4、5)を表面エッチングして、そのドープした部分の粗さを増大させる。ドープする前に、有用な層(1)の一部にマスク(9)を被着させて、表面(4、5)のドープする領域およびドープしない領域の輪郭を設定する。これらの領域の一方により、表面エッチング段階の後でストッパが構成される。
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腐蝕耐性インクをインクジェット印刷により金属または合金の選択された領域へ塗布し、該腐食耐性インクを化学線放射及び/または粒子ビーム放射に露光して重合を行い、場合によって該腐蝕耐性インクを熱処理し、次いで露出した金属または合金を化学エッチング法で除去することを含有する金属または合金表面をエッチングする方法であって、該腐蝕耐性インクは実質的に溶媒を含まず、そして成分として、
(A) 30乃至90部のアクリレート官能性単量体;
(B) 0乃至50部の金属接着促進有機化合物;
(C) 0乃至20部のポリマー及び/またはプレポリマー;
(D) 0乃至20部のラジカル開始剤;
(E) 0乃至5部の着色剤;そして
(F) 0乃至5部の界面活性剤;
を含有し、該インクは40℃で200cPs(mPa.s)以下の粘度を有し、そして全ての部は重量基準であり、そして(A)、(B)、(C)、(D)、(E)及び(F)の合計部数は100であり、ただし、該金属または合金が非腐食性の基材により支持されている場合は、印刷回路板を構成しない、金属または合金表面をエッチングする方法。 (もっと読む)


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