【課題】メゾスコピックな金属クラスターは大きな比表面積、少数原子数の効果によって触媒、電子、光電子、磁気特性がバルク状金属と異なっているため、将来の展開が期待されているが、そのスケールをナノメートルサイズ迄小さくして集積させ、さらに室温で作動させる必要がある。すなわち、従来の機械的・熱的切断法、化学・物理蒸着被覆法、腐食法による結晶金属もしくは合金製造法では不可能である。
【解決手段】熱、光、電荷のような外部エネルギーの付加なしで、酸性溶液中での金属ガラスまたは金属アモルファス中のある構成元素の選択溶解により、常温非晶質／結晶転移を利用してナノ結晶を有する金属もしくは合金を製造する方法により、超微細パターニングや量子ドットトンネリングする集積微細構造(セル)を作成する。 （もっと読む）

【課題】
微細な銅または銅合金配線とレジスト（樹脂）との密着性に優れる該銅または銅合金表面を所望の程度に粗化するための金属表面処理剤および表面処理方法を提供する。
【解決手段】
過酸化水素、無機酸、ハロゲンイオン、トリアゾール類を含有する金属表面処理剤で、銅又は銅合金表面を所望の程度に粗化することにより、微細な銅配線において銅配線とレジスト（樹脂）との密着性が優れることを見出した。 （もっと読む）

【課題】表面性状を極力複雑化することによって、複合化する樹脂部材との接合性を高めたアルミニウム合金部品を提供する。
【解決手段】Ａｌ‐Ｓｉ系合金鋳物部材の表面に酸系液による化学エッチング処理を施し、内面に共晶Ｓｉ結晶からなる凸部を複数有する平均開口幅が０．１μｍ以上３０μｍ以下の凹状部を、表面の一部又は全面に複数有するＡｌ合金部材であって、前記共晶Ｓｉ結晶からなる凸部が球相当粒子径で０．１μｍ以上１０μｍ以下のサイズを有し、蛍光Ｘ線のマッピング分析によりＳｉ元素及びＡｌ元素分析を行ったときに共晶部分に存在するＳｉのみが分布する部位が５％以上８０％以下を占めるような部品を得る。 （もっと読む）

【課題】液体金属冷却によって方向性凝固法で鋳造する際に侵入した金属汚染物を、鋳造基体、例えば、タービンエンジン部品の表面から金属物質を除去するのに有効な方法及び組成物を提供する。
【解決手段】鋳造基体の表面から金属物質を除去する方法は、金属物質を式Ｈ_xＡＦ₆の酸又はその前駆体を含有する水性組成物と接触させる工程を含む。式中のＡはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｚｒ、Ａｌ及びＧａからなる群から選択され、ｘは１〜６である。 （もっと読む）

本発明は、無応力電気化学銅研磨（ＳＦＰ）の処理、ＳＦＰ処理の間に形成された酸化タンタル又は酸化チタンの除去、及び、ＸｅＦ_２ガス相エッチングバリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮ処理、からなる半導体処理の方法及び装置に関する。第１に、板状の銅フィルムの少なくとも一部がＳＦＰにて研磨される。第２に、ＳＦＰ処理の間に形成されたバリア金属酸化物がエッチング液によりエッチングされる。最後に、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮがＸｅＦ_２ガス相エッチングにより除去される。そのため装置は３つのサブ系からなり、それらは無応力銅電解研磨系、バリア層酸化物フィルム除去系、及び、バリア層Ｔａ／ＴａＮ又はＴｉ／ＴｉＮガス相エッチング系である。
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【課題】基板面内や基板間の厚さのバラツキを低減することができるとともに、製品性能や製造歩留を向上させる基板処理装置を提供する。
【解決手段】液体または気体が送入される槽ＴＫと、槽ＴＫの内部に液体または気体を送り出す機構ＴＢ、Ａと、を備え、槽ＴＫに被処理基板１を配置し処理を行う基板処理装置であって、被処理基板１と機構ＴＢ、Ａとの間の被処理基板１近傍に、少なくとも一つの整流板ＰＬ１が配置された処理装置。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多孔性チタンフォームまたは多孔性チタン合金フォームをエッチングするためのプロセスに関する。
【解決手段】清浄で乾燥したフォーム製品が、約０．５〜約５体積パーセントのＨＦおよび約５〜約２０体積パーセントのＨＮＯ_３を含む酸性水溶液中に、所望の表面粗さに達成するのに十分な時間、浸漬される。エッチングされたフォームを加熱して、残留するチタン酸塩を除去する。このエッチングプロセスは、フォームの表面での多孔度を増大させるが、エッチング剤は、フォームの内部に完全には浸透しないので、適切な機械的特性が維持される。このエッチングプロセスは、フォーム表面における摩擦係数も増大させる。このフォームは、連続気泡型整形外科または歯科インプラントを構成してもよく、あるいは、基材の表面上のコーティングを構成してもよい。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性に優れた耐摩耗金属体の製造方法を提供する。
【解決手段】炭化タングステン粒子２１を結合相２２によって結合してなる超硬合金２の表面を酸によってエッチングして結合相２２の一部を除去したエッチング表面を形成するエッチング工程と、その後、チャンバー内に超硬合金２と共に配置した銅ターゲットに電子ビームを照射することによって銅をガス化し、ガス化した銅をエッチング表面において液化させて炭化タングステン粒子２１の粒界に含浸させる銅含浸工程とを行う。これにより、超硬合金２の表面に、炭化タングステン粒子２１が銅２３によって結合された改質表層１１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】処理液を交換することなく、高いエッチング速度で酸エッチングを継続して行う方法を提供する。
【解決手段】酸エッチング方法は、アルミニウム系材料を鋳造及び／又は鍛造してなるアルミニウム系部材の表面を、無機酸を含むｐＨ３以下の表面処理液で酸エッチングする方法であり、Ｆイオンとアルカリ金属イオンとを上記表面処理液に供給する供給工程２，１１を含む。 （もっと読む）

【課題】｛１１０｝面の傾斜角度が小さくてもヘイズレベルが良好なウェーハを提供する。
【解決手段】｛１１０｝面を主面とし、｛１１０｝面のオフアングルが１度未満のシリコン単結晶基板にエピタキシャル層を成長させる工程と、前記エピタキシャル層表面のヘイズレベル（ＳＰ２，ＤＷＯモードで測定）が０．１８ｐｐｍ以下であって、輝点欠陥ＬＰＤがヘイズの影響なく測定できるように、前記エピタキシャル層の表面を３０℃〜９０℃の温フッ化アンモニウム溶液で処理する工程と、を備える。 （もっと読む）

【課題】タングステン又はタングステン合金を含む層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、防食剤、及び水溶性有機溶剤を含有する。防食剤としては、環内に窒素原子を２個有する含窒素５員環化合物が用いられる。 （もっと読む）

【課題】シリコン表面層に形成された非貫通孔内に、めっき法を用いて金属等が空隙を形成することなく充填されている複合材料と、その複合材料の製造方法を提案する。
【解決手段】シリコン１００の表面から形成された非貫通孔の底部に位置する第１金属が起点となって、その非貫通孔が、自己触媒型無電解めっき法を用いた実質的に第２金属又は前記第２金属の合金１０６により充填されることにより、高精度に充填された、換言すれば、空隙の形成されにくい複合材料が得られる。 （もっと読む）

【課題】絶縁層や窒化チタン層を有する半導体多層積層体においても、これらの層を浸食することなく、形成されているチタン被膜を除去することが可能なチタン除去液、及びそのチタン除去液を用いたチタン被膜の除去方法を提供する。
【解決手段】本発明のチタン除去液は、フッ酸、及び水溶性有機溶剤を含有し、水溶性有機溶剤が多価アルコールを含む。このチタン除去液は、全量に対して１．０質量％以下の過酸化水素を含有してもよい。 （もっと読む）

【課題】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液で、かつ工業的に満足できる速さでエッチングできるエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 銀又は銀合金からなる金属膜と透明導電膜とを一液でエッチングするための組成物として、銅イオン、硝酸、及びフッ素化合物を含有する組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】 チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層をエッチングするのに好適なエッチング液及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液。及び、珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有するエッチング液により、チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体を一括エッチングする方法。チタンを主成分とする層とアルミニウムを主成分とする層とを含んでなる積層体中のチタンを主成分とする層及びアルミニウムを主成分とする層を珪フッ化水素酸、水、及び珪フッ化水素酸塩を含有することを特徴とするエッチング液により同時にエッチングする方法。 （もっと読む）

【課題】基板の主面の周縁部におけるエッチング液の滞留を防止または抑制して、基板の主面に対して均一なエッチング処理を施すことができる基板処理装置を提供する。
【解決手段】スピンチャック４に保持されたウエハＷの上面の周縁部上に、第１案内プレート２３および第２案内プレート３３が対向配置される。第１案内プレート２３および第２案内プレート２８は平板状に形成されており、ウエハＷの周縁部に面する案内面２８，３８を有しており、ウエハＷの外方へと張り出している。ウエハＷの上面の周縁部に存在するフッ硝酸は、案内面２８，３８を伝って、ウエハＷの外方へとスムーズに排出される。 （もっと読む）

【課題】高速度鋼基板がＴｉＮ硬質層、ＴｉＣＮおよび／またはＴｉＡｌＮ硬質層のいずれによって被覆されているかに関わりなく、工業上はるかに容易かつ柔軟に前記基板の層除去を行い得る方法を、提案する。
【解決手段】ＴｉＮ，ＴｉＣＮ，ＴｉＡｌＮからなる少なくとも一つの層を備えた、高速度鋼からなる物体の層を除去するために、過酸化水素と、塩基、ならびにリン酸塩、ホスホン酸塩、ホスホン酸のグループのうちの一つの物質とを有する、アルカリ性溶液が使用される。 （もっと読む）

【課題】設計図面通りに精度よく再現された大型の高精度のディスプレイ用マスクが得られるエッチング性とエッチング精度が優れたエッチング液およびディスプレイ用マスクの製造方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも硝酸第二セリウムアンモニウムを含有するエッチング剤と、界面活性剤とを水中に含有してなり、上記の界面活性剤が直鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩７０〜８０質量％と分岐鎖のフッ化炭素基を有するペルフルオロアルキルスルホン酸塩２０〜３０質量％との混合物であることを特徴とするディスプレイ用マスクエッチング液、および該エッチング液を使用してディスプレイ用マスク基板をエッチングすることを特徴とするディスプレイ用マスクの製造方法。 （もっと読む）

【課題】遮断板を使用せずに薬液処理を可能とする裏面洗浄方法であり、容易な装置構成にて、ベベル部および基板裏面に付着したルテニウムのエッチングを行う。
【解決手段】上ノズル１と下ノズル２から基板３の上面および下面に次亜塩素酸ナトリウム水溶液を供給し、下面のルテニウム膜を除去すると同時に、上面のルテニウム膜６をパターンニングする工程と、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して次亜塩素酸ナトリウム水溶液を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に弗酸を供給して不純物を除去する工程と、この工程の後に、前記ノズル１，２から基板３の上面および下面に純水を供給して弗酸を除去する工程と、この工程の後に、スピンベース５により基板３を回転させて乾燥させる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 チタン含有層のエッチング速度が速く、シリコン基板やガラス基板等の含シリコン基板及びチタンより酸化電位が高い金属含有層に対するチタン含有層のエッチング速度が大きく、且つ、チタンより酸化電位が高い金属−チタン間の電蝕によるエッチングも抑制され、サイドエッチングが小さいエッチング液、及びエッチング方法を提供する。
【解決手段】 珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するチタン含有層用エッチング液。珪フッ化水素酸、水及びエーテル結合を有するアルコールを含有するエッチング液により、チタン含有層とチタン含有層以外の層を有する積層体中のチタン含有層をエッチングする方法。 （もっと読む）