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Fターム[4K057WE07]の内容

Fターム[4K057WE07]に分類される特許

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【課題】 アルミニウム合金に施すメッキ前処理の工程数を少なくすることが可能なメッキ前処理方法を提供する。
【解決手段】 変質層の除去とアルミニウム合金成分の除去の処理液として、濃度が10vol%以上50vol%以下の硫酸と濃度が10g/l以上100g/l以下の酸性フッ化アンモニウムまたは濃度が10g/l以上70g/l以下のフッ化カリウムの混合液、濃度が50vol%以上85vol%以下のリン酸と濃度が10g/l以上100g/l以下の酸性フッ化アンモニウムの混合液または濃度が10vol%以上40vol%以下のリン酸と3vol%以上12vol%以下の硝酸と濃度が10g/l以上100g/l以下の酸性フッ化アンモニウムの混合液を用いる。 (もっと読む)


【課題】母材へ与える影響をより低減させたTi系被膜除去剤、特に、その母材がコバルトを結合相とする超硬質材料である場合にも、コバルトの溶出が抑制でき、これにより従来の除去剤を使用した場合に生じていた再コーティングしたTi系被膜の膜剥がれの問題を解決できるTi系被膜除去剤の提供。
【解決手段】(A)塩化水素5〜20質量%、(B)フッ化アンモニウム、フッ化カリウム、フッ化ナトリウム及びフッ化リチウムから選ばれる少なくとも1種のフッ化塩化合物0.5〜10質量%、(C)下記一般式(1)で表される化合物又はその塩を1〜10質量%含む水溶液からなるTi系被膜除去剤。
HS−X1−Y (1)
(式中、X1は、炭素数1〜4のカルボキシル基で置換されてもよいアルキレン基を表し、Yは、カルボキシル基又はアミノ基を表す。) (もっと読む)


【課題】コンパクトに構成でき膨大なエッチング酸の浪費を防止することができるエッチング酸廃液処理システム及びエッチング酸廃液処理方法及びこれに適用するエッチング酸廃液処理装置を提供する。
【解決手段】フィルタ2にて固形物を除去する固形物除去工程と、陽金属イオン交換樹脂塔3によって金属イオンとして陽金属イオンを除去する陽金属イオン除去工程とをエッチング酸廃液処理循環流路5によって連続して行い、陽金属イオン除去工程よりも上流側で固形物除去工程を行い、さらに陽金属イオン除去工程の後に、エッチング酸廃液処理循環流路5の下流側でキレート形成性繊維又はキレート形成性樹脂によって少なくともBを除去する陰金属イオン除去工程を行うことによってエッチング酸廃液をエッチング酸廃液処理循環流路5によって連続して循環再利用する。 (もっと読む)


【課題】被処理膜(特に、被処理膜における除去すべき部分)を、残存させることなく除去する。
【解決手段】ウェットエッチングにより、基板の上に形成された被処理膜における第1の部分を除去し、被処理膜における第2の部分を除去せずに残存させる。次に、ウェットエッチングにより、被処理膜における第2の部分を除去する。被処理膜における第2の部分の面積は、60mm2以上である。 (もっと読む)


【課題】低い過酸化水素含有量で銅膜と他の金属膜とからなる多重膜の一括エッチングが可能で、工程に適したエッチング速度、適当なエッチング量、及び適切なテーパ傾斜角を有するエッチング液組成物により、既存の過水系エッチング液よりも高い安定性を有し、処理枚数能力を向上させる。
【解決手段】
本発明による金属配線エッチング液は、過酸化水素、酸化剤、フッ素化合物、キレート剤、硝酸系化合物、ホウ素系化合物、添加剤、及び残量の水を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】パターン外析出を抑制し、密着力を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体ウエハ1と、半導体ウエハ1上にパターンニングして形成され最表面に複数の凹部9が形成されたAl−Si金属層2と、Al−Si金属層2上と半導体ウエハ1が露出した箇所上に形成された酸化膜11と、Al−Si金属層2上に酸化膜11を介して各凹部9を埋め込むように形成されたNiめっき膜3およびAuめっき膜4とを備える。 (もっと読む)


【課題】より低い抵抗値を実現できる負極集電体用の金属箔を提供する。
【解決手段】箔表面から裏面に至る貫通孔を複数有し、当該貫通孔の密度が1000個/cm以上である領域を有し、貫通孔の平均内径が100μm以下で、開口率が30%以下であり、2.0>[箔厚み(μm)/開口率(%)]>0.25である負極集電体用金属箔に係る。又貫通孔の密度が1000個/cm未満である領域をさらに含み、貫通孔の密度が1000個/cm以上である領域の面積が100mm2以上である負極集電体用金属箔に係る。 (もっと読む)


【課題】基板上面の周縁部における処理幅を精密に制御することができる基板処理装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】ウエハWはスピンチャックにより水平姿勢で保持されている。スピンチャックに保持されたウエハWの下面の中央部には、下ノズル6からの処理液が供給される。下下ノズル6は、ウエハWの下面から間隔G1を隔てて対向する上面52を有している。上面52には、処理液吐出口6aが形成されている。ウエハWを回転させつつ、処理液吐出口6aから処理液を吐出すると、その吐出された処理液によって、ウエハWの下面と下ノズル6の上面52との間の空間53が液密状態にされる。ウエハWの下面に接液する処理液は、ウエハWの回転による遠心力を受けて回転半径外方側へと広がり、ウエハWの周端面102から上面に回り込む。 (もっと読む)


【課題】透明導電膜のエッチングにおいて、エッチング後、エッチング液の泡およびエッチング剤に由来するエッチング残渣を全く残さず、ジャストタイムでエッチングすることができるエッチング液およびエッチング方法を提供すること。
【解決手段】少なくとも蓚酸を含有する導電膜用エッチング剤(a)と、下記の一般式(1)で表される化合物(b)とを水中に含有する導電膜用エッチング液。
(Rf1SO2)(Rf2SO2)NX (1) (もっと読む)


【課題】多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すことで電変換効率の向上が可能な太陽電池の製造方法を得ること。
【解決手段】多大な設備を必要とすることなく、また環境に負荷を与えることなく、簡便な方法で効率良く基板にテクスチャ加工を施すために、基板の被加工層の表面に、開口を有する撥水性の撥水性膜を形成し、前記開口に水溶液を配置してマスク部を形成し、前記マスク部をマスクとして用いたエッチングにより前記被加工層を加工する。 (もっと読む)



【課題】安全に銀を処理することができ、且つ銀の導体パターンを形成する場合に、所望のパターンどおりの形状であって且つパターンサイドの形状を良好にすることができる銀処理剤、銀の処理方法および導体パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】ハロゲンイオンと、銅および/または鉄イオンと、イミダゾール、1位、2位または4位の炭素または窒素原子に炭素数1−4のアルキル置換基を有するイミダゾール化合物及び1,2−ジアルキルイミダゾールからなる群より選ばれた少なくとも1種とを含むことを特徴とする銀処理剤、銀処理方法、およびこれらを使用する導体パターンの形成方法を提供する。 (もっと読む)


【課題】不良を発生させることなく所望の凹凸構造を形成可能な凹凸構造形成方法を提供する。
【解決手段】所望の形状の凹凸構造4に対応する凹凸構造を有する型2を準備する準備ステップと、太陽電池基板6表面に外的刺激で硬化する液体樹脂10を塗布する塗布ステップと、該型を基板表面に塗布された該液体樹脂に対向して配設する配設ステップと、該型と基板とを相対移動させて該型で基板を押圧する押圧ステップと、該型で基板を押圧した状態で、該液体樹脂に外的刺激を付与して該液体樹脂を硬化させ、前記所望の形状の凹凸構造を硬化樹脂に転写する硬化ステップと、該硬化ステップを実施した後、該型を基板上から取り除くステップと、該取り除きステップを実施した後、基板上に該所望の形状の凹凸構造が転写された硬化樹脂とともに太陽電池基板に等方性エッチングを施すエッチングステップとを具備し、該エッチングステップにより該硬化樹脂を除去する。 (もっと読む)


【課題】 平滑なめっき皮膜であって、アルミニウム合金に対して良好な密着性のめっき皮膜を形成することができるアルミニウム合金のめっき前処理方法を提供する。
【解決手段】 本発明のめっき前処理方法10は、酸として硫酸単独または硫酸とフッ化アンモニウムとの混合物を用いて、被めっき処理物であるアルミニウム合金材を酸エッチングする工程13と、この酸エッチングしたアルミニウム合金材のデスマット処理を行う工程14と、デスマット処理したアルミニウム合金材を第1および第2の亜鉛置換処理する工程15、17と、この亜鉛置換処理の間に、硫酸と過硫酸水素カリウムの混合物を用いて、アルミニウム合金材を酸浸漬処理する工程16を含む。 (もっと読む)


【課題】機械構造用合金鋼であるクロムモリブデン鋼材のSCM−415において、その金属加工処理で生じたバリ取り及び表面の平滑化並びにこれら含有元素によるスマットの発生を抑制し、良好な金属表面を得る事が出来る化研処理方法を提供する。
【解決手段】過酸化水素と酸性フッ化アンモンまたは蓚酸を含有する水溶液を用いて揺動エッチング処理後、水酸化カリウムとグルコン酸ナトリウムを含有する水溶液を用いて揺動処理することにより、更には塩酸水溶液で揺動処理することによりスマット析出を抑制してクロムモリブデン鋼材の金属表面状態を清浄化することができる。 (もっと読む)


【課題】インジウム系金属膜、アルミニウム−ランタニウム系合金膜及びチタニウム系金属膜からなる三重膜用エッチング液組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のエッチング液組成物は、組成物の総重量に対して、過酸化水素1重量%〜15重量%、無機酸0.1重量%〜10重量%、含フッ素化合物0.01重量%〜5重量%、及び水残部を含むことを特徴とする、 (もっと読む)


【課題】処理液が供給される基板の下面側の雰囲気から、処理液が供給されない基板の上面側への雰囲気の周り込みを防止する共に、上下両面側の雰囲気を分離するために供給されるパージガスの消費量を抑制することが可能な液処理装置を提供する。
【解決手段】水平に保持した基板の下面に処理液を供給する液処理装置2において、囲み部部材4は基板Wから飛散した処理液を受け止め、天板部5は水平に保持された基板Wの上面に対向するように配置され、ガス供給部53、531は天板部5と基板Wとの間に形成される空間に加圧されたガスを供給する。そして気体取り込み口52は天板部5と基板Wとの間に形成される空間内の負圧により、この空間の外部の雰囲気の気体を当該空間内に取り込む。 (もっと読む)


【課題】適切にマスクを清浄する方法を提供する。
【解決手段】マスクを清浄するための方法および装置が、説明される。一実施形態において、本発明は、マスクを清浄する方法である。その方法は、マスクを清浄溶液の中に配置することを含む。また、この方法は、予め定められた攪拌レベルで予め定められた時間だけ清浄溶液を攪拌することを含む。 (もっと読む)


【課題】作業効率がよく、エッチングされる基板の材料の選択範囲も大きい、ウェットエッチング方法を提供する。
【解決手段】パターニングされたクロム層2及びレジスト層3を表面に有するガラス基板1をエッチング液4に浸しウェットエッチングする。その際、アルミニウム又は鉄からなる金属棒6がタンク5内のエッチング液4に浸され、所望のタイミングで、クロム層2の露出面2aと金属棒6の端部とが接触される。金属棒6と接触されたクロム層2は電気化学反応等により徐々にエッチングされ小さくなり、ガラス基板1のエッチング液4にさらされる部分が徐々に増え、その部分がウェットエッチングされる。これによりガラス基板1のアンダーカット形状が調節され、ガラス基板1にテーパ面7が形成される。ガラス基板1としては、例えば、石英、白板ガラス、青板ガラス、ホウケイ酸ガラス、無アルカリガラス、又は鉛ガラス等が適用可能である。 (もっと読む)


【課題】 エッチング液の安定性を確保しエッチング工程上のマージンを保障して費用を節減することができるエッチング液組成物及びこれを利用したアレイ基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明のエッチング液組成物は、過硫酸アンモニウム((NH4228;ammonium persulfate)0.1〜30質量%、無機酸0.1〜10質量%、酢酸塩0.1〜10質量%、フッ素含有化合物0.01〜5質量%、スルホン酸化合物0.01〜5質量%、アゾール系化合物0.01〜2質量%、及び総量が100質量%となる量の水を含む。 (もっと読む)


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