【課題】フレキシブルな基板を用いても、高い精度で薄膜トランジスタを形成することができる薄膜トランジスタの製造装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、基板上に薄膜トランジスタを製造する製造装置であり、基板に関する基板情報を取得する取得部と、取得部で得られた基板に関する基板情報に基づいて、基板の伸縮強度が高い方向を特定し、伸縮強度が高い方向と薄膜トランジスタのチャネル領域を挟んでソース電極およびドレイン電極が配置される配置方向とが直交するように薄膜トランジスタを形成する向きを設定する設定部とを有する。 （もっと読む）

【課題】記憶内容に対する保持特性の改善を図ることが可能な半導体装置を提供する。また、半導体装置における消費電力の低減を図る。
【解決手段】チャネル形成領域に、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができるワイドギャップ半導体材料（例えば、酸化物半導体材料）を用い、且つ、ゲート電極用のトレンチと、素子分離用のトレンチを有するトレンチ構造のトランジスタとする。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能となる。また、ゲート電極用のトレンチを有することで、ソース電極とドレイン電極との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果の発現を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】トレンチおよび／またはホールの間口のオーバーハングを抑制することができる成膜方法およびリスパッタリング方法を提供すること。
【解決手段】処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ誘導結合プラズマ生成機構により処理容器内に誘導結合プラズマを生成し、直流電源から金属ターゲットに直流電力を供給し、バイアス電源により載置台に高周波バイアスを印加して、載置台上の被処理基板に金属薄膜を堆積させる工程と、誘導結合プラズマ生成機構によるプラズマの生成と直流電源への給電を停止し、処理容器内にプラズマ生成ガスを導入しつつ載置台に高周波バイアスを印加して、処理容器内に容量結合プラズマを形成するとともにプラズマ生成ガスのイオンを被処理基板に引き込んで堆積された金属薄膜をリスパッタリングする工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板を加熱してトレンチやホールの間口部のオーバーハングを抑制しつつ金属膜を成膜するとともに、成膜後に速やかに被処理基板の温度を低下させることができる成膜方法を提供すること。
【解決手段】載置台を低温に保持して、載置台上に被処理基板を吸着させずに載置する工程と、プラズマ生成ガスのプラズマを生成し、載置台に高周波バイアスを印加した状態で、被処理基板にプラズマ生成ガスのイオンを引きこんで被処理基板を予備加熱する工程と、ターゲットに電圧を印加して金属粒子を放出させ、プラズマ生成ガスのイオンとともにイオン化した金属イオンを被処理基板に引きこんで金属膜を形成する工程と、被処理基板を低温に保持された載置台に吸着させ、載置台と被処理基板との間に伝熱ガスを供給して被処理基板を冷却する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】ピンチオフ特性を維持しながら動作効率を向上することができる化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１１と、基板１１上方に形成された電子走行層１２と、電子走行層１２上方に形成された電子供給層１３と、電子供給層１３上方に形成されたソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄと、電子供給層１３上方で、ソース電極１５ｓ及びドレイン電極１５ｄの間に形成された第１のゲート電極１５ｇ−１及び第２のゲート電極１５ｇ−２と、が設けられている。ゲート電極１５ｇ−１の仕事関数は、第２のゲート電極１５ｇ−２の仕事関数よりも低い。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】基板上への薄膜の成膜速度を上げ、かつトレンチやビアホールの底面に効率よく薄膜を成膜できる薄膜の形成方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、開口幅又は開口径が３μｍ以下で、かつ、アスペクト比が１以上の段差であるトレンチ又はビアホールを有する基板上に薄膜を成膜する成膜方法であり、真空排気可能な処理室に、基板を支持する第１の電極と、前記基板に対向するように配置されターゲットを支持する第２の電極と、前記第２の電極の外側に配置されて当該第２の電極の内側にカスプ磁界を形成する複数のマグネットと、を備え、
前記処理室にＮｅを含む処理ガスを導入し、前記第１の電極と前記第２の電極の少なくとも一方にプラズマ形成用の高周波電力を供給すると共に、前記第２の電極上にカスプ磁場を生成してプラズマを発生させ、ターゲット物質をトレンチ又はビアホールを有する基板上に成膜する。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にＵ字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して３倍以上、好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタのソース領域やドレイン領域へのコンタクトを確実
にした半導体装置を提供するものである。
【解決手段】本発明における半導体装置において、半導体層上の絶縁膜およびゲイト電極
上に形成された第１の層間絶縁膜と、前記第１の層間絶縁膜の上に形成された第２の層間
絶縁膜と、前記第２の層間絶縁膜、前記第１の層間絶縁膜、および前記絶縁膜に設けられ
たコンタクトホールとを有する。前記第１の絶縁層の膜厚は、前記積層の絶縁膜の合計膜
厚の１／３以下に形成する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する基板上に有機化合物を含む層を有する素子が設けられた半導体装置を歩留まり高く作製することを課題とする。
【解決手段】基板上に剥離層を形成し、剥離層上に、無機化合物層、第１の導電層、及び有機化合物を含む層を形成し、有機化合物を含む層及び無機化合物層に接する第２の導電層を形成して素子形成層を形成し、第２の導電層上に第１の可撓性を有する基板を貼りあわせた後、剥離層と素子形成層とを剥す半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】接触抵抗を低減した有機電子素子用電極、及びこれを利用した有機トランジスタ素子を提供することを課題とする。
【解決手段】カーボンナノホーンを含んで構成された有機電子素子用電極、及び当該電極を、ソース電極１８、及びドレイン電極２０として適用した有機トランジスタ素子。 （もっと読む）

【課題】少数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。
【解決手段】ワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、半導体基板より低不純物濃度のワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体層と、半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域の周囲に形成されるワイドギャップ半導体の第２導電型の第２の半導体領域と、第１の半導体領域に挟まれ、接合深さが第２の半導体領域の接合深さよりも深いワイドギャップ半導体の第２導電型の第３の半導体領域と、第１、第２および第３の半導体領域上に形成される第１の電極と、半導体基板の下面に形成される第２の電極と、を備えることを特徴とする半導体整流装置。 （もっと読む）

【課題】配線溝へのめっきの埋め込み性を安定させることができる半導体装置の製造方法等を提供すること。
【解決手段】実施形態によれば、半導体装置の製造方法が提供される。半導体装置の製造方法は、めっき処理によって金属膜を埋め込んで検査パターン１０を形成する形成工程と、検査パターン１０の特性を検出する検出工程と、検出工程によって検出された検査パターン１０の特性に基づいて、前記めっき処理の条件を調整する調整工程とを含む。前記形成工程は、３層以上の配線層１１〜１３に亘って形成され、かつ中間層にスタックドビア２２を有するパターンを、前記検査パターン１０として形成する。 （もっと読む）

【課題】小数キャリアが注入される電圧を低下させ、十分なサージ電流耐性を有するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。
【解決手段】ワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、不純物濃度が１Ｅ＋１４ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上５Ｅ＋１６ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以下、厚さが８μｍ以上のワイドギャップ半導体の第１導電型の半導体層と、半導体層表面に形成されるワイドギャップ半導体の第１導電型の第１の半導体領域と、第１の半導体領域に挟まれて形成され、幅が１５μｍ以上であるワイドギャップ半導体の第２導電型の第２の半導体領域と、第１および第２の半導体領域上に形成される第１の電極と、半導体基板の下面に形成される第２の電極と、を備えることを特徴とする半導体整流装置。 （もっと読む）

【課題】電極材料が拡散するのを抑制し、特性の向上を実現する。
【解決手段】半導体装置を、ゲート電極３とゲート絶縁膜２との間、Ａｌ含有オーミック電極４、５とＡｕ配線９との間、及び、ゲート電極３の下方及びＡｌ含有オーミック電極４、５の上方、のいずれかに設けられ、第１ＴａＮ層６Ａ、Ｔａ層６Ｂ、第２ＴａＮ層６Ｃを順に積層した構造を有する電極材料拡散抑制層６を備えるものとする。 （もっと読む）

【課題】表示装置に含まれるＴＦＴのゲート電極と、ソース電極及びドレイン電極との間の絶縁耐圧が低くなる場合がある。
【解決手段】表示装置であって、基板上に形成されるゲート電極と、前記ゲート電極上に、前記ゲート電極を覆うように形成されたゲート絶縁膜と、前記ゲート絶縁膜上に形成された半導体層と、前記半導体層上に形成されたソース配線と、前記半導体層上に形成されたドレイン配線と、を有し、前記半導体層は、前記ゲート電極の上方に形成されたチャネル層と、前記チャネル層の両側に、それぞれ前記ソース配線またはドレイン配線を介して分離して形成されたエッチング防止層と、を有する、ことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】良好なノーマリ・オフ動作を可能とすることに加え、アバランシェ耐量が大きく、外部のダイオードを接続することを要せず、確実に安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧のＨＥＭＴを得る。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｄを、少なくとも電極用リセス２Ｄの底面で化合物半導体積層構造２と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造２とショットキー接触するフィールドプレート電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を有する窒化物半導体を低コストで製造する。
【解決手段】基板１０の上方に形成された半導体層２２，２３，２４と、前記半導体層の一部を酸化することにより形成された絶縁膜３０と、前記絶縁膜上に形成された電極４１と、を有し、前記絶縁膜は、酸化ガリウムを含むもの、または、酸化ガリウム及び酸化インジウムを含むものにより形成されているものであることを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）