【課題】成膜後の金属酸化物粒子の緻密性を改善することができ、所望の性能を有する金属酸化物半導体薄膜や透明導電膜を形成することが可能な金属酸化物粒子分散組成物を提供する。
【解決手段】金属酸化物粒子と、金属塩及び／又は有機金属化合物と、溶媒とを含有する透明導電膜形成用の金属酸化物粒子分散組成物であって、前記金属酸化物粒子は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属の酸化物を含有し、かつ、前記金属塩及び／又は有機金属化合物は、Ｚｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属の金属塩及び／又はＺｎ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ａｌ、Ｓｂ、Ｃｄ及びＦｅからなる群より選択される少なくとも１種の金属を含む有機金属化合物である金属酸化物粒子分散組成物。 （もっと読む）

【課題】段差を有する膜構造を高精度にエッチングするプラズマ処理装置またはドライエッチング方法を提供する。
【解決手段】真空容器１０７と、この真空容器内部の処理室内に配置されその上面にエッチング対象のウェハ１１２が載せられる下部電極１１３と、下部電極１１３にバイアス電位を形成するための高周波電力を供給するバイアス印加装置１１８，１２０と、前記処理室内に反応性ガスを導入するガス供給手段１１１と、前記処理室内にプラズマを生成するための電界を供給する電界供給手段１０１〜１０３と、前記高周波電力により前記ウェハ１１２に入射する前記プラズマ中のイオンのエネルギーの分布を調節する調節装置１２７とを備えたプラズマ処理装置。 （もっと読む）

【課題】記憶内容に対する保持特性の改善を図ることが可能な半導体装置を提供する。また、半導体装置における消費電力の低減を図る。
【解決手段】チャネル形成領域に、トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができるワイドギャップ半導体材料（例えば、酸化物半導体材料）を用い、且つ、ゲート電極用のトレンチと、素子分離用のトレンチを有するトレンチ構造のトランジスタとする。トランジスタのオフ電流を十分に小さくすることができる半導体材料を用いることで、長期間にわたって情報を保持することが可能となる。また、ゲート電極用のトレンチを有することで、ソース電極とドレイン電極との距離を狭くしても該トレンチの深さを適宜設定することで、短チャネル効果の発現を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】電極に対して有機分子結晶層を配向制御して接合することができる有機分子結晶層の接合方法およびこの接合方法を利用した有機素子の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性基体１１上に電極１２およびこの電極１２と接合する芳香族化合物からなる有機分子結晶層１３を形成する場合に、電極１２の側面１２ａの絶縁性基体１１の主面に対する傾斜角度を制御することにより、有機分子結晶層１３の電極１２に対する配向を制御する。電極１２の側面を傾斜角度が互いに異なる複数の面により形成するようにしてもよい。 （もっと読む）

【課題】インク材料等として、発光輝度の向上を可能にする材料を提供すること。
【解決手段】分子量２００以上の共役化合物がアスペクト比１．５以上の金属ナノ構造体に吸着されてなる金属複合体及びイオン性化合物を含む金属複合体組成物（ここで、イオン性化合物が共役化合物の場合、イオン性化合物である共役化合物の分子量は２００未満である。）；金属複合体組成物と、分子量２００以上の共役化合物とを含有する混合物等。イオン性化合物は、下記式（ｈｈ−１）で表される構造を有する化合物であってもよい。
【化１】


（式中、Ｍ^ｍ’＋は、金属カチオンを表す。Ｘ’^ｎ’−はアニオンを表す。ａ及びｂはそれぞれ独立に、１以上の整数を表す。Ｍ^ｍ’＋及びＸ’^ｎ’−の各々は複数存在する場合には、それらは、各々、同一であっても異なっていてもよい。） （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】生産性が高く微細な電界効果トランジスタとその製造方法ならびに製造装置を提供すること。
【解決手段】以下の工程（１）から（３）よりなる印刷工程により前記基板上へラインもしくはスペース最小幅が１から５０μｍであり、印刷位置精度が１００ｐｐｍ以下の機能性膜の形成を行うことを特徴とする電界効果トランジスタの製造方法としたもの。
工程（１） 版の画線部に相当する溝構造部にドクターブレードを用いたインキング法で、機能性材料が溶媒へ溶解もしくは分散した薬液を充填する工程。
工程（２） 転写シリンダーと前記版を接触させ、前記溝構造部の薬液を前記転写シリンダーへ転移させる工程。
工程（３） 前記転写シリンダー上の薬液を前記基板の所定の位置へ転写し、機能性膜の形成を行う工程。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムをチャネル材料とする金属／ゲルマニウムからなるソース／ドレイン構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体と金属とが接合してソース／ドレイン構造を形成する半導体素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）を３価元素（又は５価元素）でドーピングしたｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）をチャネル２の材料とし、当該ｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）の任意の結晶面における原子配置と同一の原子配置である結晶面を有する金属３を、前記同一の原子配置である結晶面で接合して界面を形成し、当該形成された界面を用いたソース／ドレイン構造を有する。 （もっと読む）

【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】真空成膜技術を用いずに、簡単な製造工程で作製することができる導電性素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性素子の製造方法は、導電性高分子および溶媒を含む導電性組成物を、複数の微細構造体が形成されたモールドの成形面に塗布または印刷する工程と、モールドの成形面に塗布または印刷された導電性組成物に含まれる溶媒を除去し、導電層を形成する工程と、導電層に基体を貼り合わせる工程と、基体が貼り合わされた導電層をモールドの成形面から剥離する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ゲート絶縁膜界面材料としてＧｅＯ₂ を用いた場合においてもＧｅＯ₂ 層の劣化を抑制することができ、素子の信頼性向上をはかると共に、プロセスの歩留まり向上をはかる。
【解決手段】本発明の実施形態による電界効果トランジスタは、Ｇｅを含む基板１０上の一部に設けられた、少なくともＧｅＯ₂ 層を含むゲート絶縁膜２０と、ゲート絶縁膜２０上に設けられたゲート電極３０と、ゲート電極３０下のチャネル領域を挟んで前記基板に設けられたソース／ドレイン領域５０と、前記ゲート絶縁膜２０の両側部に形成された窒素含有領域２５と、を備えた。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、ゲートパターン加工時のアスペクト比を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に、ゲート絶縁膜と下部ゲート電極と電極間絶縁膜と上部ゲート電極とハードマスクとを順次形成し、選択トランジスタの形成予定領域に、ハードマスクと上部ゲート電極と電極間絶縁膜とを貫き、下部ゲート電極まで達する溝を形成し、溝の中に選択的に下部ゲート電極の結晶構造から影響を受けつつ結晶成長させることにより、特定の結晶配向を優先的に持つ結晶構造を有し、且つ、下部ゲート電極と上部ゲート電極とを電気的に接続する接続層を形成する。 （もっと読む）

【課題】無電解メッキパターンを正確に形成できる無電解メッキパターン形成用組成物、塗布液、及び無電解メッキパターン形成方法を提供すること。
【解決手段】表面を有機物１０３で修飾されるとともに、前記表面１０３に触媒金属微粒子１０５を担持した金属化合物粒子１０１を含む無電解メッキパターン形成用組成物。前記有機物１０３としては、3-ヒドロキシ-4-ピロン誘導体、又は1,2-ジオールが挙げられる。前記触媒金属微粒子１０５としては、パラジウム、銀、白金、ニッケル、及び銅からなる群から選ばれる１種以上の微粒子が挙げられる。 （もっと読む）

【課題】微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置を提供する。
【解決手段】トランジスタのチャネル長方向の断面形状において、アスペクト比の大きいゲート電極上に半導体層を形成することで、トランジスタを微細化しても短チャネル効果が生じにくいチャネル長を確保できる。また、半導体層と重畳し、ゲート電極より下層に絶縁層を介して下部電極を設ける。下部電極と重畳する半導体層は、下部電極の電位（電界）により導電型が付与され、ソース領域及びドレイン領域が形成される。半導体層の、ゲート絶縁層を介してゲート電極と対向する領域は、ゲート電極がシールドとして機能し、下部電極の電界の影響を受けない。すなわち、不純物導入工程を用いることなく、自己整合によりチャネル形成領域、ソース領域及びドレイン領域を形成することができる。これにより、微細化が容易で、短チャネル効果が生じにくい半導体装置が実現できる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、酸化物半導
体を有する半導体装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する半導体装置の作
製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって
形成されたマスク層を用いて酸化物半導体膜及び導電膜のエッチング工程を行う。エッチ
ング工程において、第１のエッチング工程は、エッチングガスによるドライエッチングを
用い、第２のエッチング工程はエッチング液によるウエットエッチングを用いる。 （もっと読む）

【課題】高耐圧な半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、第一と第二の主面を有する炭化珪素基板と、炭化珪素基板の第一の主面に設けられた第一導電型の第一の炭化珪素層と、第一の炭化珪素層の表面に形成された第二導電型の第一の炭化珪素領域と、第一の炭化珪素領域の表面に形成された第一導電型の第二の炭化珪素領域と、第一の炭化珪素領域の表面に形成された第二導電型の第三の炭化珪素領域と、第一の炭化珪素層、第一の炭化珪素領域および第三の炭化珪素領域の表面に連続的に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された炭化珪素からなる第一の電極と、第一の電極上に形成された第二の電極と、第一と第二の電極を被覆する層間絶縁膜と、第二の炭化珪素領域と第三の炭化珪素領域と電気的に接続される第三の電極と、炭化珪素基板の第二の主面に形成された第４の電極と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】有機導電性材料を含む塗布組成物をプラスチック基板上に形成した後、高い電気電導度の配線を形成することができる配線の形成方法および形成装置を提供すること。
【解決手段】プラスチック基板上に有機導電性材料を含む塗布組成物が塗布されて配線パターンが形成された部材を準備し、少なくとも前記配線パターンに電磁波を照射してアニールし、有機導電性材料からなる配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】電流のリークを抑制する電子素子用金属層を提供する。
【解決手段】被形成面１２に、金属インクを塗布し金属粒子層を形成しパターニングする。基板側からランプ照射し、金属粒子層の下層部分のみを溶融させ、下層部分の金属粒子どうしを融着させる。金属粒子の融着層１４Ａと金属粒子の非融着層１４Ｂとをこの順で有する積層体で構成されたゲート電極１４とする。 （もっと読む）

【課題】トランジスタのチャネル部が形成される領域にＵ字状の縦長溝を形成し、見かけ上のチャネル長に対してチャネル長を長くする方法は、溝を掘るためにフォトリソグラフィ工程を余分に行う必要があり、コストや歩留まりの観点で問題があった。
【解決手段】ゲート電極または絶縁表面を有する構造物を利用し、三次元形状のチャネル領域を形成することにより、チャネル長が、上面から見たチャネル長に対して３倍以上、好ましくは５倍以上、さらに好ましくは１０倍以上の長さとする。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタなどの素子動作層をなす導電性インジウム含有酸化物半導体層に電気的接触抵抗が小さい金属電極を形成できるようにする。
【解決手段】インジウム含有酸化物半導体層とその層の上方に設けた素子動作電流を流通させる金属電極層との間に、酸化物半導体層をなすインジウム酸化物などを化学的に還元でき、且つ易酸化性の金属からなる金属膜を素材とした金属酸化物層と金属層とを設け、更に、金属酸化物層と金属層との境界には還元されたインジウムを蓄積したインジウム濃化層を設ける構成とする。 （もっと読む）