【課題】高電力で高性能なデバイスによって生成される熱応力に耐えることができる金属相互接続システムを提供する。
【解決手段】半導体デバイス構造であって、炭化ケイ素およびＩＩＩ族窒化物からなる群から選択される広バンドギャップの半導体部分と、該半導体部分に対する相互接続構造であって、それぞれ２つの高導電性層と互い違いに、少なくとも２つの拡散バリア層を含む、相互接続構造とを備え、該拡散バリア層は、該高導電性層とは異なる熱膨張係数を有し、該高導電性層よりも低い熱膨張係数を有し、該それぞれの熱膨張係数の差異は、該高導電性層の膨張を抑えるために十分な大きさであるが、層間の接着強度を超える歪みを隣接層間に生じさせる差異よりも小さい、半導体デバイス構造。 （もっと読む）

【課題】常時オフＶＪＦＥＴ集積電源スイッチを含むワイドバンドギャップ半導体デバイスの提供。
【解決手段】電源スイッチは、モノリシックまたはハイブリッドに実装され得、シングルまたはマルチチップのワイドバンドギャップ電源半導体モジュールにビルトインされた制御回路と一体化され得る。該デバイスは、高電力で温度に対する許容性があり、耐放熱性のエレクトロニクスコンポーネントにおいて用いられ得る。該デバイスを作成する方法もまた、記述される。 （もっと読む）

【課題】ゲルマニウムをチャネル材料とする金属／ゲルマニウムからなるソース／ドレイン構造を有する半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体と金属とが接合してソース／ドレイン構造を形成する半導体素子において、ゲルマニウム（Ｇｅ）を３価元素（又は５価元素）でドーピングしたｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）をチャネル２の材料とし、当該ｐ型ゲルマニウム（又はｎ型ゲルマニウム）の任意の結晶面における原子配置と同一の原子配置である結晶面を有する金属３を、前記同一の原子配置である結晶面で接合して界面を形成し、当該形成された界面を用いたソース／ドレイン構造を有する。 （もっと読む）

【課題】素子面積を増加させずに順電圧降下を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１半導体領域と、第１電極と、第２半導体領域と、絶縁領域と、第２電極と、を備える。第１半導体領域は、第１部分と、第１主面上において第１主面に直交する第１方向に延在した第２部分と、を有する第１導電形の半導体領域である。第１電極は、第２部分と対向して設けられた金属領域である第３部分と、第３部分と、第２部分と、をむすぶ第２方向に延在し、かつ第１方向に延在する第４部分と、を有する。第２半導体領域は、第２部分と、第３部分と、のあいだに設けられ、第１半導体領域よりも不純物濃度の低い第１濃度領域を有し、第３部分とショットキー接合した第１導電形の半導体領域である。絶縁領域は、第４部分と、第２半導体領域と、のあいだに設けられる。第２電極は、第１部分と導通する。 （もっと読む）

【課題】大電流かつ高耐圧な窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の上方に形成された電子走行層３０と、電子走行層３０上に形成された、電子走行層３０とバンドギャップエネルギーの異なる電子供給層４０と、電子供給層４０上に形成されたドレイン電極８０と、ドレイン電極８０に流れる電流を制御するゲート電極７０と、ゲート電極７０をはさんでドレイン電極８０の反対側に形成されたソース電極９０とを備え、ゲート電極７０とドレイン電極８０との間の電子走行層３０の表面には、２次元電子ガスの濃度が他の領域より低い複数の低濃度領域３２が、互いに離れて形成されている、窒化物系半導体デバイス１００。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、トレンチ構造におけるゲート・ソース間容量を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１導電形の半導体層と、前記半導体層の第１の主面側に設けられた第１主電極と、前記半導体層の第２の主面側に設けられた第２主電極と、前記半導体層の前記第１の主面側から前記第２の主面の方向に形成されたトレンチの内部に設けられ、前記第１主電極と前記第２主電極との間に流れる電流を制御する２つの第１制御電極と、前記トレンチの内部において、前記２つの第１制御電極と、前記第２の主面側の底面と、の間に設けられた第２制御電極と、を備える。前記２つの第１制御電極は、前記第１の主面に平行な方向に離間して設けられ、それぞれ第１の絶縁膜を介して前記トレンチの内面に対向し、前記第２制御電極は、第２の絶縁膜を介して前記トレンチの内面と対向する。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、サージ耐量が高く、順方向の電流密度を向上させることが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１導電形の半導体層と、前記半導体層の第１の主面に選択的に設けられた第２導電形の第１の領域と、前記第１の領域に接続して前記第１の主面に選択的に設けられた第２導電形の第２の領域と、を備える。そして、前記半導体層と前記第１の領域とに接して設けられた第１の電極と、前記第２の領域に接して設けられた第２の電極と、前記半導体層の前記第１の主面とは反対の第２の主面側に電気的に接続された第３の電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】高耐圧半導体装置の大型化を招くことなく、従来の高耐圧半導体装置９００の場合よりも「気中放電による逆耐圧の低下」を抑制することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなるｎ型の半導体層１１０と、バリアメタルからなる第１電極層層１２８と、第２電極層１３０と、ｐ型のリサーフ層１１６と、ｐ^＋型のエッジターミネーション層１２０と、リサーフ層１１６の内部における、エッジターミネーション層１２０の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ＋型の第１ガードリング層１２２と、半導体層１１０の表面における、リサーフ層１１６の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ型の第２ガードリング層１１８と、半導体層１１０の表面上において第１電極層１２８を取り囲む領域に形成された絶縁層１２４とを備え、第２ガードリング層１１８が絶縁層１２４の外周近傍まで形成されている高耐圧半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】高出力の窒化ガリウムショットキー・ダイオード素子を提供する。
【解決手段】１〜６μｍの厚さを有するｎ＋型ドープしたＧａＮダイオードから製造した窒化ガリウムベースの半導体ショットキー・ダイオードをサファイア基板の上に配設する。１μｍを超える厚さを有するｎ−型ドープしたＧａＮダイオードを、複数の細長形の指にパターン化した前記ｎ＋型ドープＧａＮダイオード上に配設し、金属層をｎ−型ドープＧａＮ層上に配設し、それとの間にショットキー接合を形成する。細長形の指の層厚、長さおよび幅は、降伏電圧が５００Ｖを超え、電流容量が１アンペアを超え、かつ順方向電圧が３Ｖ未満である素子を得るように最適化される。 （もっと読む）

【課題】定電流動作が可能な窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】窒化物半導体を含む半導体層３０と、ソース電極４０と、ドレイ電極５０と、第１ゲート電極１０と、第２ゲート電極２０と、を備えた窒化物半導体装置１１１が提供される。ソース電極４０とドレイン電極５０は、主面上に設けられ、半導体層とオーミック性接触を形成し、互いに離間する。第１ゲート電極１０は、主面上においてソース電極４０とドレイン電極５０との間に設けられる。第２ゲート電極２０は、主面上においてソース電極４０と第１ゲート電極１０との間に設けられる。ソース電極４０と第１ゲート電極１０との間の電位差が０ボルトのときに、半導体層３０のうちの第１ゲート電極に対向する部分は導通する。第１ゲート電極１０は、第２ゲート電極２０に印加される電圧に応じた定電流をスイッチングする。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣ半導体装置において、不純物添加工程や表面保護膜形成におけるプロセス条件のばらつきがあっても、簡便に逆方向耐圧に大きな影響を与えないターミネーション構造（接合終端構造）を提供する。
【解決手段】素子の外周端部に、第１導電型の耐圧維持層および有限長さの前記第１導電型とは異なる第２導電型の領域からなる接合終端構造を備えたＳｉＣ半導体素子であって、前記接合終端構造の一部において、第１の方向である層方向に対して均一ではなく、前記接合終端領域の内側端であって前記素子の外周端から前記接合終端領域の外側端に向かって、前記第１導電型領域の不純物濃度が空間的に変調され、不純物濃度が徐々に減少する傾向を持って形成された接合終端構造を有することを特徴とするＳｉＣ半導体素子。 （もっと読む）

【課題】デバイス利得、帯域幅、および動作周波数が増加するトランジスタを提供する。
【解決手段】第１のスペーサ層２８が、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間の活性領域の表面の少なくとも一部の上にある。ゲート電極２４は、ソース電極２０とドレイン電極２２に向かって延在する一般的にＴ字型の頂部３４を備える。フィールドプレート３２は、スペーサ層２８の上であって、ゲート頂部３４の少なくとも１つの区域のオーバーハングの下にある。第２のスペーサ層３０は、ゲート電極２４とドレイン電極２２との間、およびゲート電極２４とソース電極２０との間にある第１のスペーサ層２８の少なくとも一部の上と、フィールドプレート３２の少なくとも一部の上に形成される。少なくとも１つの導電性経路が、フィールドプレート３２をソース電極２０またはゲート電極２４に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】オン抵抗が小さく、またオフ容量が低い、デュアルゲートを備えた電界効果トランジスタを提供する。
【解決手段】第１又は第２のゲート電極８は、ソース電極４側又は前記ドレイン電極５側に延びる第１のひさし部６１と、第２又は第１のゲート電極８側に延びる第２のひさし部６２とを有し、第２のひさし部６２の長さが第１のひさし部６１の長さより短い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、製造コストの増大を抑制しつつ、簡易な構成で、絶縁膜とさらに上部に形成された絶縁膜との界面の電荷を低減することができる半導体装置の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】本発明にかかる半導体装置の製造方法は、（ａ）ＳｉＣ半導体を用いた基板を用意する工程と、（ｂ）前記基板の表層部において、前記基板の素子領域を囲むように、リセス構造と前記リセス構造の下部にガードリング層とを形成する工程と、（ｃ）前記ガードリング層を覆って、第１絶縁膜を形成する工程と、（ｄ）前記第１絶縁膜を覆って、前記第１絶縁膜とは異なる材質の第２絶縁膜を形成する工程と、（ｅ）前記第１絶縁膜上に蓄積する電荷とは逆電荷のイオンを、前記工程（ｄ）の前、又は、前記工程（ｄ）中、又は前記工程（ｄ）の後に照射する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】半導体装置内に保護ダイオードをレイアウトする。
【解決手段】半導体装置は、電界効果トランジスタ１１と、電界効果トランジスタ１１の形成領域３０に隣接するダイオード形成領域１２とを備え、ダイオード形成領域１２はトランジスタの形成領域３０と半導体基板上で絶縁され、ダイオード形成領域１２内において、電界効果トランジスタ１１のゲート電極１がバス配線７を介して半導体基板とショットキー接合とオーミック接合のいずれか又は両方の接合をする第１のダイオード電極２０と、電界効果トランジスタ１１のソース電極２がパッド５を介して半導体基板とオーミック接合とショットキー接合のいずれか又は両方の接合をする第２のダイオード電極２１とを備えることによってゲート電極１とソース電極２間にダイオードが形成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ｐ型ＳｉＣ領域と金属との低抵抗コンタクトの実現を可能とする半導体装置を提供する。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、導電性材料を用いた電極２４０と、導電型がｐ型の炭化珪素（ＳｉＣ）半導体部２２０と、を備えており、かかるｐ型のＳｉＣ半導体部２２０は、前記第１の電極２４０に接続され、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）、及びバリウム（Ｂａ）のうちの少なくとも１種類の元素が前記電極との界面部に面密度がピークになるように含有されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低いオン抵抗を有するドリフト経路／ドリフト領域を有する、半導体素子、特にパワー半導体素子を提供する。
【解決手段】半導体基材１００と、上記半導体基材１００内の、半導体材料からなるドリフト領域２と、ドリフト領域２に対し、少なくとも部分的に隣り合って配置され、接続電極１９を含む、半導体材料からなるドリフト制御領域３と、ドリフト領域２とドリフト制御領域３との間に配置された蓄積誘電体４と、第１素子領域８と、第１素子領域８との間にドリフト領域２が配置され、第１素子領域８から離れて配置された第２素子領域５と、ドリフト制御領域３の接続電極１９および第１素子領域８の間に接続された容量性素子５０とを含む。 （もっと読む）

【課題】ｐ型不純物のドーピングおよびそのｐ型不純物の活性化を必要とすることなく、簡便かつ低コストでノーマリオフ型ＨＦＥＴを提供する。
【解決手段】ノーマリオフ型ＨＦＥＴは、厚さｔ_１のアンドープＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層（１１）、この層（１１）へ電気的に接続されかつ互いに隔てられて形成されたソース電極（２１）とドレイン電極（２２）、これらソース電極とドレイン電極との間でＡｌ_ｘＧａ_１−ｘＮ層上に形成された厚さｔ_２のアンドープＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層（１２）、ソース電極とドレイン電極との間においてＡｌ_ｙＧａ_１−ｙＮ層の部分的領域上でメサ型に形成された厚さｔ_３のアンドープＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ層（１３）、およびＡｌ_ｚＧａ_１−ｚＮ層上に形成されたショットキーバリア型ゲート電極（２３）を含み、ｙ＞ｘ＞ｚおよびｔ_１＞ｔ_３＞ｔ_２の条件を満たすことを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】良好なノーマリ・オフ動作を可能とすることに加え、アバランシェ耐量が大きく、外部のダイオードを接続することを要せず、確実に安定動作を得ることができる信頼性の高い高耐圧のＨＥＭＴを得る。
【解決手段】化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｃを、ゲート絶縁膜６を介して電極材料で埋め込むようにゲート電極７を形成すると共に、化合物半導体積層構造２に形成された電極用リセス２Ｄを、少なくとも電極用リセス２Ｄの底面で化合物半導体積層構造２と直接的に接するように電極材料で埋め込み、化合物半導体積層構造２とショットキー接触するフィールドプレート電極８を形成する。 （もっと読む）

【課題】良好な整流特性を示すショットキー型ダイオードデバイスに利用可能な、半導体層を担持した安価な材料を提供する。
【解決手段】Ｃｒ含有量が１０.５〜３２.０質量％であるＦｅ−Ｃｒ系合金の母材２１と、その母材を酸化性雰囲気に加熱することによって形成させた表面酸化皮膜２２とが一体となった材料であって、ＡＥＳによる前記酸化皮膜表面からの深さ方向分析において酸素濃度が最大酸素濃度の１／２となる深さ位置に対応するＳｉＯ_２換算深さを当該酸化皮膜の膜厚とするとき、当該酸化皮膜は、膜厚が１７〜５０ｎｍのｎ型半導体であり、かつ皮膜表面側から順にＦｅ主体アモルファス酸化物、Ｃｒ濃化したＦｅ−Ｃｒ結晶酸化物を形成して母材とオーミック接合で一体化しており、ｎ型半導体中のドナー密度が１Ｅ１６ｃｍ^−３〜１Ｅ１８ｃｍ^−３の範囲で含まれているダイオード用ｎ型半導体担持電極材料。 （もっと読む）