【課題】窒化ガリウム材料デバイスおよびその形成方法を提供する。
【解決手段】該デバイスは、電極規定層２４を包含する。電極規定層は典型的にはその内部に形成されたビア２６を有し、該ビア内に電極１８が（少なくとも部分的に）形成される。したがって、ビアは、電極の寸法を（少なくとも部分的に）規定する。いくつかの場合において、電極規定層は、窒化ガリウム材料領域上に形成された不動態化層である。 （もっと読む）

【課題】本発明は、金属半導体電界効果トランジスタ（ＭＥＳＦＥＴ）を提供する。
【解決手段】このＭＥＳＦＥＴは、ソース（１３）とドレイン（１７）とゲート（２４）とを備えている。このゲート（２４）を、ソース（１３）とドレイン（１７）の間及びｎ導電型チャネル層（１８）上に設ける。ドレイン（１７）に向かって延びている端部を備えるｐ導電型領域（１４）をソースの下に設ける。このｐ導電型領域（１４）をｎ導電型チャネル領域（１８）から隔ててソース（１３）に電気的に結合させる。 （もっと読む）

【課題】更なるスイッチング動作の高速化を図ることが可能な構造の横型ＩＧＢＴを提供する。
【解決手段】コレクタ電極１２がｐ⁺型領域４ａに対してオーミック接触させられ、かつ、ｐ型領域４ｂに対してショットキー接触させられるようにする。具体的には、コレクタ電極１２とｐ型領域４ｂとの接触部位が確実にショットキー接触となるように、ｐ型領域４ｂの表面上にバリア金属１２ａを配置する。これにより、コレクタ側からのホールの注入を抑制して低注入効率となるようにでき、ライフタイム制御を行わなくてもスイッチング動作を更に高速化することが可能な構造の横型ＩＧＢＴとすることができる。 （もっと読む）

【課題】電極領域の抵抗を従来よりも一段と低減させることができる半導体デバイス、その製造方法及び集積回路を提供する。
【解決手段】III−Ｖ族化合物半導体層４上にニッケル層17を形成し、RTA処理により加熱することで、ニッケルIII−Ｖ族合金（Ni-In_xGa_1-xAs_yP_1-y合金）からなるソース領域５及びドレイン領域６が形成される。これにより、MOSFET１では、III−Ｖ族化合物半導体層４に対して単に不純物をインプラテーションで注入して形成された従来のソース領域及びドレイン領域の寄生抵抗に比べて、ソース領域５及びドレイン領域６の寄生抵抗を一段と低減させることができる。 （もっと読む）

【課題】窒化物ベースの半導体チャネル層上に窒化物ベースの半導体バリア層を形成すること、および窒化物ベースの半導体バリア層のゲート領域上に保護層を形成することによって、トランジスタが製作される。
【解決手段】パターニングされたオーム性接触金属領域が、バリア層上に形成され、第１および第２のオーム性接触を形成するためにアニールされる。アニールは、保護層をゲート領域上に載せたままで実施される。バリア層のゲート領域上に、ゲート接点も形成される。ゲート領域内に保護層を有するトランジスタも形成され、バリア層の成長させたままのシート抵抗と実質的に同じシート抵抗をもつバリア層を有するトランジスタも同様である。 （もっと読む）

【課題】窒化物半導体装置において、オン抵抗が小さく、オン電圧が小さく、逆方向リーク電流が小さい窒化物半導体ダイオードを提供する。
【解決手段】窒化物半導体１，２上に形成されたカソード電極３、アノード電極４，５を有する窒化物半導体ダイオードにおいて、アノード電極４，５の周辺部に窒化物半導体を掘り込んだリセス構造６を有し、リセス構造内部には、アノード電極５が埋め込まれている。 （もっと読む）

【課題】Ｇｅをチャネル材料に用いても、素子特性の劣化を抑制することを可能にする。
【解決手段】Ｇｅを含むｐ型半導体領域上にゲート絶縁膜を形成する工程と、前記ゲート絶縁膜上にゲート電極を形成する工程と、前記半導体領域の、前記ゲート電極の両側に位置する第１および第２領域に、有機金属錯体および酸化剤を交互に供給して金属酸化物を堆積する工程と、前記金属酸化物の上に金属膜を堆積する工程と、熱処理を行うことにより、前記半導体領域および前記金属酸化物と、前記金属膜とを反応させて前記第１および第２領域に金属半導体化合物層を形成するとともに前記金属半導体化合物層と前記半導体領域との界面に金属偏析層を形成する工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】ノーマリーオフ動作型の半導体素子を複雑な工程を経ることなく作製する方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の作製方法が、下地基板の上に、少なくともＧａを含む、Ｉｎ_x1Ａｌ_y1Ｇａ_z1Ｎ（ｘ１＋ｙ１＋ｚ１＝１）なる組成の第１のIII族窒化物からなるチャネル層を形成する工程と、チャネル層の上に、少なくともＡｌを含む、Ｉｎ_x2Ａｌ_y2Ｇａ_z2Ｎ（ｘ２＋ｙ２＋ｚ２＝１）なる組成の第２のIII族窒化物からなる障壁層を形成する工程と、障壁層の表面の、ソース電極およびドレイン電極の形成予定個所に対し、ソース電極およびドレイン電極を形成する工程と、障壁層の表面の、ゲート電極の形成予定個所に対し、アルゴンプラズマ処理または酸素プラズマ処理を施す工程と、プラズマ処理工程を経たゲート電極の形成予定個所にゲート電極を形成する工程と、を備えるようにする。 （もっと読む）

【課題】窒化ガリウム系半導体素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性放熱基板（すなわち、熱伝導性基板）、放熱基板上に備わったＧａＮ系多重層及びＧａＮ系多重層上に備わったショットキー電極を含む窒化ガリウム系半導体素子である。該ＧａＮ系多重層は、放熱基板側に備わったＡｌＧａＮ層及びショットキー電極側に備わったＧａＮ層を含むことができる。かような窒化ガリウム系半導体素子の製造時、ウェーハボンディング（またはメッキ）及びレーザ・リフトオフ工程を利用することができる。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、低消費電力で動作する論理回路に応用できる電界効果トランジスタを提供することを目的とするものである。
【解決手段】 ソース電極とソース電極が接する半導体の伝導帯又は価電子帯との間に障壁を有しており、ソース電極から障壁を通して流れ込む電子又はホールをゲート電圧により調整できる構成を有することを特徴とするｎチャンネル又はｐチャンネルの電界効果トランジスタ。 （もっと読む）

【課題】窒化物化合物半導体装置において、ゲートリーク電流を抑制する。
【解決手段】化合物半導体装置２０は、基板２１と、前記基板上方に形成された窒化物半導体よりなるキャリア走行層２２を含む半導体積層構造と、前記半導体積層構造上方に形成されたゲート電極２６、ソース電極２７Ａ、ドレイン電極２７Ｂと、前記半導体積層構造上方であって、ゲート電極とソース電極の間、及び、ゲート電極とドレイン電極との間に形成された絶縁膜２８と、前記絶縁膜のうち、ゲート電極とソース電極の間、及びゲート電極とドレイン電極の間に形成された開口と、前記開口に埋め込まれたアルミナ膜２９と、を備える。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜と導電性高分子膜を積層してショットキー接合素子を形成する際に、従来よりもコストを抑え、且つ、所望の特性を有するショットキー接合素子を提供する。
【解決手段】少なくともタングステンをドープしたインジウムを含み、予めキャリア濃度が制御された金属酸化物膜と、導電性高分子膜との積層により構成される。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、堆積可能なアッド‐オン層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】堆積可能なアッド‐オン層形成方法であって、第一半導体基板の取り外し層の形成、取り外し層の上の第一半導体基板に多くのドーピング領域の形成、ここで多くのドーピング層の形成は、第一電導型を有するように、ドーピングされ、取り外し層の上の第一半導体基板の第一ドーピング層の形成、第一電導型に対する第二電導型を有するようにドーピングされ、第一ドーピング層の上の第一半導体基板に最低中間ドーピング層の形成、及び中間ドーピング層上の第一半導体基板に最低第三ドーピング層の形成からなり、第三ドーピング層上に第一の電導性ブランケット層の形成、第一電導ブランケット層上に第二の電導性ブランケット層の形成、及び第二電導性ブランケット層が第二半導体基板の対応する電導性上部層と接触するように、第一半導体基板を第二半導体基板への取り付け、からなる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＳ型デバイスのゲート絶縁膜の破壊を防止すると共に、信頼性を向上させ、かつ、チップサイズの増加を抑制した、窒化物系半導体装置を提供することができる、窒化物系半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】ショットキー電極３０が、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する領域の、ソース電極２４とドレイン電極２６とが対向する方向と略直交する方向にゲート電極２８と並んで形成されている。ショットキー電極３０は、ＡｌＧａＮ層２０とショットキー接合されており、ソース電極２４に電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は上述の問題点を解決するためのもので、本発明の目的は、ソースとドレインに低い電子障壁を誘導するためにショットキー接触を有するＩＴＯ透明電極を蒸着する窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法を提供することにある。
【解決手段】 窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴ及びその製造方法が提供される。本窒化物半導体ＭＯＳＦＥＴの製造方法は、単結晶シリコン基板上に有機金属化学蒸着器（ＭＯＣＶＤ）を用いて緩衝層を蒸着し、緩衝層の上に窒化物半導体薄膜を形成し、窒化物半導体薄膜に硫化アンモニウムを処理し、硫化アンモニウムを処理した後、窒化物半導体薄膜の上にＩＴＯを用いて電極を形成し、電極を覆い、前記窒化物半導体薄膜の上にゲート誘電体を形成し、ゲート誘電体の上にＩＴＯを蒸着してゲート電極を形成する。これにより、窒化物半導体がエンハンスメントモードで動作することにより、漏れ電流及び出力消耗を減少させることができ、センサと集積化を簡単に実現することができる。 （もっと読む）

【課題】十分なサージ電流耐性を有し、かつ、信頼性の向上するワイドバンドギャップ半導体を用いた半導体整流装置を提供する。
【解決手段】第１導電型の第１のワイドバンドギャップ半導体領域１６と、第１の半導体領域に挟まれて形成される第２導電型の第２のワイドバンドギャップ半導体領域１８とを備えている。また、少なくとも一部が第２の半導体領域に接続され、第１の半導体領域に挟まれて形成され、第２の半導体領域より幅の狭い、複数の第２導電型の第３のワイドバンドギャップ半導体領域３２を備えている。ここで、第３の半導体領域の長手方向を第１導電型の半導体層の表面に投影した方向が、第１導電型の半導体層の表面から裏面に向かう方向に対し、９０±３０度の角度を有している。また、第３の半導体領域の間隔が、第１導電型のワイドバンドギャップ半導体層の厚さをｄとする場合に２ｄ×ｔａｎ１８°以上である。 （もっと読む）

【課題】イオン注入ダメージにより生ずる損失が抑制された低損失な半導体装置を提供する。
【解決手段】実施の形態の半導体装置は、第１導電型の半導体基板と、半導体基板の上面に形成され、半導体基板よりも低不純物濃度の第１導電型の第１の半導体層と、第１の半導体層上にエピタキシャル成長により形成される第２導電型の第２の半導体層と、第２の半導体層上にエピタキシャル成長により形成され、第２の半導体層よりも高不純物濃度の第２導電型の第３の半導体層と、を備えている。さらに、第３の半導体層に形成され、少なくとも側面と底面との角部が第２の半導体層内にある凹部を備えている。また、第３の半導体層に接する第１の電極と、凹部の底面において、第２の半導体層と接し、第１の電極と接続される第２の電極と、半導体基板の下面に接する第３の電極と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電界効果型トランジスタ部のオン抵抗を下げ、かつショットキーバリアダイオード部のリーク電流を抑制する。
【解決手段】半導体装置は、第１の半導体層と、第２の半導体層と、第３の半導体層と、第３の半導体層の表面から、第２の半導体層を貫通し、第１の半導体層に至る第１のトレンチ内に、第１の絶縁膜を介して設けられた埋め込み電極と、埋め込み電極の上に、第２の絶縁膜を介して設けられた制御電極と、第３の半導体層の表面から、第２の半導体層を貫通し、第１の半導体層に至る第２のトレンチの下端に接続され、第１の半導体層内に選択的に設けられた第４の半導体層と、第１の半導体層に接続された第１の主電極と、第２のトレンチ内に設けられた第２の主電極と、を備える。第２のトレンチの側壁において、第２の主電極と、第１の半導体層と、によるショットキー接合が形成されている。 （もっと読む）

【課題】容量増加による高周波特性の劣化及び裏面電極に起因する絶縁破壊を抑止し、チップ面積を増加させることなく、インパクトイオン化により生成したホールを容易且つ確実に引き抜いて排出することを可能として、高耐圧性及び高信頼性を実現する化合物半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性又は半絶縁性の基板１の表面に電子走行層３、電子供給層４が形成され、電子供給層４内には局所的なｐ型領域７が形成されており、基板１の裏面にｐ型領域７の一部を露出させる開口１ａが形成され、開口１ａを導電材料で埋め込みｐ型領域７とオーミック接続された裏面電極８を備え、ＡｌＧａＮ／ＧａＮ・ＨＥＭＴが構成される。 （もっと読む）

【課題】低温の熱処理で形成することができ、所望の特性を得ることができるＳｉＣショットキーバリアダイオードとその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の導電型のシリコンカーバイド層３表面にショットキー電極５を備え、ショットキー電極５の周囲に一部が重畳するように形成されたガードリング層４を備えたシリコンカーバイドショットキーバリアダイオードであって、Ｎ型のシリコンカーバイド層３のガードリング層形成予定領域に、Ｐ型の不純物イオンを注入し、その後、イオン注入領域を再結晶化すると共に、注入された不純物イオンの一部を活性化する温度範囲で熱処理してガードリング層４を形成する。 （もっと読む）