【課題】ＧａＮ系の材料により形成されるＨＥＭＴの信頼性を高める。
【解決手段】基板１０の上方に形成された窒化物半導体からなる半導体層２１〜２４と、半導体層２１〜２４の上方に、金を含む材料により形成された電極４１と、電極４１の上方に形成されたバリア膜６１と、半導体層２１〜２４の上方に、シリコンの酸化膜、窒化膜、酸窒化物のいずれかを含む材料により形成された保護膜５０と、を有する。 （もっと読む）

【課題】信頼性を向上させることができる半導体装置，半導体装置を用いた回転電機または車両を提供する。
【解決手段】ショットキ接合と、ｐｎ接合を備える半導体装置であって、ｐｎ接合は高濃度Ｐ型拡散層５とＮ型拡散層４で形成され、低濃度Ｐ型拡散層６と金属電極７により、ショットキ接合が形成され整流領域のｐｎ接合部の降伏電圧を、前記ショットキ接合及びガードリング部Ｚ２のｐｎ接合より低くすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】従来の高耐圧半導体装置の場合よりも耐圧の低下を抑制することが可能な高耐圧半導体装置を提供する。
【解決手段】炭化珪素からなるｎ型の半導体層１１０と、バリアメタル層１２８と、第２電極層１３０と、ｐ型のリサーフ層１１６と、ｐ^＋型のエッジターミネーション層１２０と、リサーフ層１１６の内部における、エッジターミネーション層１２０の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ^＋型の第１ガードリング層１２２と、半導体層１１０の表面における、リサーフ層１１６の周囲を離間して囲む位置に形成されたｐ型の第２ガードリング層１１８とを備え、最内周の第１ガードリング層１２２とエッジターミネーション層１２０との間隔が３μｍ〜５μｍの範囲内にある高耐圧半導体装置１００。 （もっと読む）

【課題】ＳｉＣやＧａＮなどの半導体材料を主要な半導体基板として用いた場合に、大電流を低オン電圧で流すことができ、高信頼性の逆耐圧特性を備えるワイドバンドギャップ逆阻止ＭＯＳ型半導体装置を提供すること。
【解決手段】ＳｉＣのｎ^-型のドリフト層１の一方の主面側に、ｐ⁺型基板１００と、該ｐ⁺型基板１００を貫通して前記ｎ型のＳｉＣのｎ^-型のドリフト層１に達する複数の裏面トレンチ１０１と、該複数の裏面トレンチ１０１底部に前記ｎ型のＳｉＣのｎ^-型のドリフト層１とショットキー接合を形成するチタン電極１０２とを備え、該ショットキー接合領域に対向する他方の主面側領域に、ＭＯＳゲート構造を含む活性領域２００と、該活性領域２００の外周を取り巻く耐圧構造領域２０３と、該耐圧構造領域２０３を取り巻き前記他方の主面から前記ｐ⁺型基板１００に達するとともに内部に絶縁膜２１が充填されるトレンチ分離層２０とを備える構造とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、フィールドプレート構造を絶縁膜の開口中心に対してばらつきなく形成できる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本願の発明にかかる半導体装置の製造方法は、半導体層の表面に絶縁膜を形成する工程と、該絶縁膜の表面に開口を有するレジストを形成する工程と、該レジストと架橋反応するパターンシュリンク剤を該レジストに付着させ、該レジストの内周に硬化層を形成する工程と、該レジスト及び該硬化層をマスクとして該絶縁膜をエッチングする工程と、該硬化層を除去する工程と、該半導体層、該絶縁膜、及び該レジストの表面に金属層を形成する工程と、リフトオフ法により該レジスト及び該レジストの表面の該金属層を除去する工程と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】工程を簡素化して歩留まりを向上すると共に、安定した形状の電極を再現性よく得ることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】第１のレジスト膜１１と、第１のレジスト膜１１の開口よりも小さな開口を有する第２のレジスト膜１２とを用いて、ＳｉＯ_２絶縁膜１０を異方性ドライエッチングによってエッチングして、ＳｉＯ_２絶縁膜１０にテーパ状の開口部１０１を形成する。このため、ＧａＮ層１を斜めに設置し直してＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングする必要がなく、ＧａＮ層１を水平に設置したままＳｉＯ_２絶縁膜１０をエッチングすることができ、工程を簡素化できる。 （もっと読む）

【課題】ダイオードを含む半導体装置において、ダイオードの逆回復挙動とオン状態特性とのトレードオフを改善する。
【解決手段】半導体装置２００は陰極２１６と陽極２１８を含む。陽極は第１のｐ型半導体陽極領域２０４と第２のｐ型半導体陽極領域２０６を含む。第１のｐ型半導体陽極領域２０４は陽極接触領域２１８に電気的に接続される。第２のｐ型半導体陽極領域２０６は、第２のｐ型陽極領域と陽極接触領域２１８間を電気的に接続または切断するように構成された、ＭＯＳＦＥＴ２２８等のスイッチを介し陽極接触領域２１８に電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】深いレベルのドーパントがほとんど存在しない半絶縁性のＳｉＣ基板上にＭＥＳＦＥＴを形成することにより、バックゲート効果が減少された、ＳｉＣのＭＥＳＦＥＴを提供する。
【解決手段】半絶縁性の基板上１０に選択的にドープされたＰ型の炭化珪素の層１３、及びＮ型のエピタキシャル層１４を積層し、背面ゲート効果を減少させる。また２つの凹部を有するゲート構造体も備える。これにより、出力コンダクタンスを１／３に減少することができ、また電力のゲインを３ｄｂ増加することができる。クロム４２をショットキーゲート接点として利用することもでき、酸化物−窒化物−酸化物（ＯＮＯ）の保護層６０を利用して、ＭＥＳＦＥＴ内の表面効果を減少させる。また、ソース及びドレインのオーム接点をｎ型チャネル層上に直接形成して、これにより、ｎ⁺領域を製造する必要がなくなる。 （もっと読む）

【課題】ソフトリカバリ特性を維持する逆回復電荷を低減した高速リカバリダイオードを提供する。
【解決手段】整流装置１００は、第１の極性の基板と、基板に結合された第１の極性の低濃度ドープ層１８０と、低濃度ドープ層と共に配置された金属層１４０とを備える。超高速リカバリダイオードは、互いに離間され、低濃度ドープ層内に形成され、第２の極性のドーピングを備える複数のウェル１５０を含む。複数のウェルは金属層１３０に接続する。超高速リカバリダイオードは、複数のウェルのウェル間に位置し、低濃度ドープ層より高濃度に第１の極性がドープされた複数の領域１６０をさらに含む。 （もっと読む）

【課題】埋込み部を形成する際のエッチングにより埋込みゲートが損傷をきたし、ゲート領域劣化が生じ得る。
【解決手段】ショットキーコンタクトなどのゲートコンタクトを形成する前にゲート埋込み部のアニーリングを行うことにより、ゲートリークが低減され、かつ／またはトランジスタなどの半導体デバイス内に高品質のゲートコンタクトを提供することができる。アニーリング中に封入層を使用することで、トランジスタのゲート埋込み部内の半導体への損傷がさらに低減される。アニーリングを、例えばデバイスのオーミックコンタクトのアニーリングによって提供することができる。 （もっと読む）

【課題】電流電圧特性を維持しつつ、アノード電極６の剥離に対する機械的強度を向上させる。
【解決手段】異種材料接合型ダイオードは、半導体基体１と、半導体基体１の上に形成された第１導電型のドリフト領域２と、ドリフト領域２の主表面に接合された、ドリフト領域２とは異なる種類の材料からなるアノード電極６と、半導体基体１に接続されたカソード電極７とを備える。ドリフト領域２とアノード電極６との接合によりダイオードが形成されている。アノード電極６の主表面のうち、ドリフト領域２に接している側の主表面に、嵌合構造（３、Ｇ１）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】電流コラプスの発生を抑制できるIII族窒化物半導体トランジスタおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＴ１では、第１窒化物半導体層１０３の上に第２窒化物半導体層１０４が設けられ、少なくとも一部が第２窒化物半導体層１０４に接するようにソース電極１０６およびドレイン電極１０７が設けられている。第２窒化物半導体層１０４の上面においてソース電極１０６とドレイン電極１０７との間に位置するように凹部１１０ａが形成されており、ゲート電極１０８が凹部１１０ａの開口を覆うように凹部１１０ａの上方に設けられている。 （もっと読む）

【課題】小数キャリアの注入量により少数キャリアを引き抜くための時間を適宜設定可能な構成とし、重金属拡散等の技術を利用することなく、低ＶＦ特性と、短Ｔｒｒ、低Ｑｒｒを、デバイスの使用目的及び態様等に応じて最適化する。
【解決手段】半導体基板３１の上に形成された低不純物濃度の第１導電型である第１半導体層３２と、第２導電型であるガードリング３３と、第２導電型である複数の島状の第３半導体層３５と、第１半導体層３２の上面の一部の領域に形成された第１のバリアメタル４５と、第１半導体層３２及び複数の第３半導体層３５の上に形成された第１のバリアメタル４２の第１のバリアハイト４１より高い第２バリアメタル４３、４５を備えている。 （もっと読む）

【課題】化合物半導体層の表面におけるダングリングボンドを確実に低減させて閾値電圧の変動を抑えて安定化させ、高いトランジスタ特性を得ることができる信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】電極溝２Ｃの内壁面を含む化合物半導体層２の表面は、電極溝２Ｃを形成する際のドライエッチングによるエッチング残渣物１２ａ及び変質物１２ｂが除去されて、化合物半導体がフッ素（Ｆ）で終端されており、この電極溝２Ｃをゲート絶縁膜６を介してゲートメタルで埋め込み、或いは電極溝２Ｃを直接的にゲートメタルで埋め込んで、ゲート電極７が形成される。 （もっと読む）

【課題】ゲート電極から染み出した金属がドレイン電極に到達することを抑制して、ドレイン−ゲート間の絶縁破壊を抑制する窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ゲート電極５の直下に位置するＡｌＧａＮ層２２と、このＡｌＧａＮ層２２の直上に位置する絶縁膜３０との間の界面Ｓに、ゲート電極５とドレイン電極１との間に位置するように、溝５０を設けている。ゲート電極５から界面Ｓを伝ってドレイン電極１側へ染み出した金属を、溝５０によって、堰き止めることができる。 （もっと読む）

【課題】ファインゲート構造を採用してゲート電極の微細化を図るも、ゲート電極の周辺における電界集中によるデバイス特性の変動・劣化を防止する、信頼性の高い化合物半導体装置を実現する。
【解決手段】ゲート電極８は、ファインゲート構造の幹状の下方部分８ａと、下方部分８ａの上端から当該上端よりも幅広に傘状（オーバーハング形状）に拡がる上方部分８ｂとが一体形成されており、下方部分８ａは、下端を含む第１の部分８ａａと、第１の部分８ａａ上の第２の部分８ａｂとを有し、保護壁７は、第１の部分８ａａの両側面のみを覆うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】被保護素子に接続されることにより、被保護素子の破壊を未然に防止できる保護素子を提供すること。
【解決手段】アノード電極１５とカソード電極１６との間に主たる電流を流す被保護素子に対して、電気的に並列に接続される保護素子１であって、ＧａＮ層１３よりもバンドギャップの大きなＡｌＧａＮ層１４が形成され、ＡｌＧａＮ層１４の表面に離間してアノード電極１５とカソード電極１６とが形成され、アノード電極１５とカソード電極と１６の間の２次元電子ガス層１３Ａを流れる電流のオンオフを制御する制御電極１９を備えたオンオフ可能領域２１を備え、制御電極１９が所定の抵抗体２０を介してアノード電極１５に接続されてなり、アノード電極１５が被保護素子のアノード電極１５と接続され、カソード電極１６が被保護素子のカソード電極１６と接続され、被保護素子より耐圧が低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】低いバリアハイトのバリアメタルを用いても伝導度変調を起させるように、別に第２のバリアメタル７を設けた構成とすることにより、ドリフト抵抗を低減し、ショットキーバリアダイオードの順方向電圧降下の低減を実現する。
【解決手段】ショットキーバリアダイオード１は、Ｎ⁻エピタキシャル層３と接合する第１のバリアメタル６はバリアハイトの低いメタルを用いるとともに、Ｎ⁻エピタキシャル及びＰ^＋ガードリング４にわたって上面にバリアハイトの高い第２のバリアメタル７を設ける構成としたので、微小電流領域は低ＶＦ特性のカーブとし、高電流領域ではＰ^＋ガードリング４からの小数キャリアの注入を積極的にさせて低ＶＦ特性のカーブとし、順方向電圧降下の低減する。 （もっと読む）

【課題】高周波数動作が可能で、ゲートリーク電流や電流コラプスを抑制できる窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極上に絶縁膜９を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極とドレイン電極との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。 （もっと読む）

【課題】制御性の良い製造方法のみで形成することができる高周波数動作が可能なノーマリオフ型の窒化物半導体装置を提供する。
【解決手段】ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層４上に、電子供給層４とショットキー接触する浮遊電極８を配置し、この浮遊電極８上に絶縁膜を介してゲート電極７を配置する。さらに、ソース電極５とドレイン電極６との間の電子供給層表面を珪素膜１１で被覆する。そして、ゲート電極７に正バイアス印加し、浮遊電極８に電子を蓄積される。 （もっと読む）