【課題】酸化物半導体を用いるトランジスタにおいて、電気特性の良好なトランジスタ及びその作製方法を提供する。
【解決手段】下地絶縁膜上に形成される酸化物半導体膜と、当該酸化物半導体膜とゲート絶縁膜を介して重畳するゲート電極と、酸化物半導体膜に接し、ソース電極及びドレイン電極として機能する一対の電極とを備えるトランジスタであり、下地絶縁膜は、酸化物半導体膜と一部接する第１の酸化絶縁膜と、当該第１の酸化絶縁膜の周囲に設けられる第２の酸化絶縁膜とを有し、トランジスタのチャネル幅方向と交差する酸化物半導体膜の端部は、第２の酸化絶縁膜上に位置するものである。 （もっと読む）

【課題】折り曲げ耐性が向上したコプレナ型の酸化物半導体を提供し、また、コンタクトホールを精巧に形成するコプレナ型の酸化物半導体の製造方法を提供する。
【解決手段】絶縁性を有する基板と、前記基板上に配置され、チャネル領域及び電極接続領域を有する酸化物半導体層と、前記酸化物半導体層上に配置され、コンタクトホールを有するゲート絶縁層と、前記ゲート絶縁層上に配置されたソース電極、ドレイン電極、及びゲート電極と、を有するコプレナ型の酸化物半導体素子であって、前記ゲート絶縁層は、架橋ポリマーで形成されていることを特徴とするコプレナ型の酸化物半導体素子とその製造方法。 （もっと読む）

【課題】支持基材、電極および反射層としての機能を兼ね備え、かつ、フレキシブル、軽量、薄型の有機太陽電池等の電子デバイスに有用な電極箔を提供する。
【解決手段】金属箔と、金属箔上に直接設けられるグラフェン層とを備える電極箔が提供される。 （もっと読む）

【課題】Ｃｕめっきを用いることなくＰＶＤのみでトレンチまたはホールＣｕを埋め込んでＣｕ配線を形成すること。
【解決手段】ウエハＷに形成されたトレンチ２０３を有する層間絶縁膜２０２の全面にバリア膜２０４を形成する工程と、バリア膜２０４の上にＲｕ膜２０５を形成する工程と、Ｒｕ膜２０５の上にＰＶＤによりＣｕがマイグレーションする条件でトレンチ２０３内に第１のＣｕ膜２０６を形成する工程と、第１のＣｕ膜２０６の上に、第１のＣｕ膜２０６よりも大きな成膜速度でＰＶＤにより第２のＣｕ膜２０７を形成する工程と、ＣＭＰにより全面を研磨する工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物中の酸素欠損を低減し、電気的特性の安定した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】ゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に設けられた第１の金属酸化物膜と、第１の金属酸化物膜に接して設けられたソース電極及びドレイン電極と、ソース電極及びドレイン電極上に設けられたパッシベーション膜と、を有し、パッシベーション膜は、第１の絶縁膜と、第２の金属酸化物膜と、第２の絶縁膜とが順に積層された半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性を向上する。
【解決手段】基板上に、スパッタ法によりバリアメタル膜としてＴｉ膜又はＴａ膜を形成し、このバリアメタル膜上にスパッタ法により窒化物膜を形成し、この窒化物膜の上にＣＶＤ法によりＣｕ膜を形成した後、１００〜４００℃でアニール処理を行う。このようにＣｕ膜を形成することにより、バリアメタル膜とＣｕ膜との密着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化する。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、酸化シリコン膜上に、酸化物半導体が結晶状態における化学量論的組成比に対し、酸素の含有量が過剰な領域が含まれている非晶質酸化物半導体層を形成し、該非晶質酸化物半導体層上に酸化アルミニウム膜を形成した後、加熱処理を行い該非晶質酸化物半導体層の少なくとも一部を結晶化させて、表面に概略垂直なｃ軸を有している結晶を含む酸化物半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】隔壁形成プロセスを省き、かつ、塗布法により半導体溶液を所望の場所に形成し、トランジスタ素子分離を行うことのできる薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板上に形成された梯子状の凸部を有するゲートバス電極と、ゲートバス電極の表面形状に沿うように当該ゲートバス電極上および基板上に形成されたゲート電極と、ゲート電極の凹凸に沿うようにゲート電極上および基板上に形成されたゲート絶縁体層と、ゲート絶縁体層の凹部内に形成された半導体層と、半導体層の中央に形成された保護膜と、半導体層の両端部で接続されたソース電極とドレイン電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】大電流かつ高耐圧な窒化物系半導体デバイスを提供する。
【解決手段】基板１０と、基板１０の上方に形成された電子走行層３０と、電子走行層３０上に形成された、電子走行層３０とバンドギャップエネルギーの異なる電子供給層４０と、電子供給層４０上に形成されたドレイン電極８０と、ドレイン電極８０に流れる電流を制御するゲート電極７０と、ゲート電極７０をはさんでドレイン電極８０の反対側に形成されたソース電極９０とを備え、ゲート電極７０とドレイン電極８０との間の電子走行層３０の表面には、２次元電子ガスの濃度が他の領域より低い複数の低濃度領域３２が、互いに離れて形成されている、窒化物系半導体デバイス１００。 （もっと読む）

【課題】本実施形態は、ゲートパターン加工時のアスペクト比を低減することができる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本実施形態の半導体装置の製造方法は、基板上に、ゲート絶縁膜と下部ゲート電極と電極間絶縁膜と上部ゲート電極とハードマスクとを順次形成し、選択トランジスタの形成予定領域に、ハードマスクと上部ゲート電極と電極間絶縁膜とを貫き、下部ゲート電極まで達する溝を形成し、溝の中に選択的に下部ゲート電極の結晶構造から影響を受けつつ結晶成長させることにより、特定の結晶配向を優先的に持つ結晶構造を有し、且つ、下部ゲート電極と上部ゲート電極とを電気的に接続する接続層を形成する。 （もっと読む）

【課題】製造工程の増大を抑制し、コンタクト抵抗および界面抵抗の増大を防止する。
【解決手段】実施形態において、シリコン層は、ゲートラストスキームを用いた機能的ゲート電極の製造後に、形成される。初期的な半導体構造物は、半導体基板上に形成された少なくとも一つの不純物領域、不純物領域の上に形成された犠牲膜、犠牲膜の上に形成された絶縁層、絶縁層の上に形成された絶縁層を備える。ビアは、初期の半導体構造物の絶縁層へ、および、コンタクト開口部が絶縁層に形成されるように絶縁層の厚さを通り抜けて、パターン化される。次に、絶縁層の下にある犠牲膜は、絶縁層の下に空隙を残して除去される。次に、金属シリサイド前駆体は、空隙スペースに配置され、金属シリサイド前駆体は、アニールプロセスを通じてシリサイド層に変換される。 （もっと読む）

【課題】本発明の実施形態は、トレンチ構造におけるゲート・ソース間容量を低減できる半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】実施形態に係る半導体装置は、第１導電形の半導体層と、前記半導体層の第１の主面側に設けられた第１主電極と、前記半導体層の第２の主面側に設けられた第２主電極と、前記半導体層の前記第１の主面側から前記第２の主面の方向に形成されたトレンチの内部に設けられ、前記第１主電極と前記第２主電極との間に流れる電流を制御する２つの第１制御電極と、前記トレンチの内部において、前記２つの第１制御電極と、前記第２の主面側の底面と、の間に設けられた第２制御電極と、を備える。前記２つの第１制御電極は、前記第１の主面に平行な方向に離間して設けられ、それぞれ第１の絶縁膜を介して前記トレンチの内面に対向し、前記第２制御電極は、第２の絶縁膜を介して前記トレンチの内面と対向する。 （もっと読む）

【課題】被処理基板上のニッケル膜の凝集を抑制するための処理（例えばキャップ膜成膜）を行う際に，その凝集抑制処理後のみならず，その処理過程（例えば昇温工程）においても，ニッケル膜の凝集を抑制するニッケル膜の熱による凝集を抑制する。
【解決手段】処理室内に配置したウエハ３００上にニッケル膜を成膜した後，処理室内にＨ_２ガスを導入しながら水素雰囲気中でウエハを所定の温度（例えば３００℃以上）まで加熱した上で（昇温工程），ＷＦ_６ガスを導入してニッケル膜の表面を覆うキャップ膜として例えばタングステン膜を成膜する（Ｗ成膜工程）。 （もっと読む）

【課題】ホットウォールチャンバからの熱によってシール部材が加熱されても，高い真空度を保持したいチャンバ内への大気の侵入を防止し，そのチャンバ内の真空圧力を保持できるようにする。
【解決手段】ホットウォールチャンバであるプロセスチャンバ２００Ｂと，それより高い真空度を保持することが要求されるトランスファチャンバ３００との間のゲートバルブ装置は，トランスファチャンバの側壁と筐体の側壁との間は，そのトランスファチャンバとの基板搬出入口を第１シール部材３３０Ａとその外側の第２シール部材３３０Ｂにより囲んで２重シール構造とし，これらシール部材間の隙間を筐体の内部空間に連通する少なくとも１つの連通孔４０８を筐体の側壁に設け，トランスファチャンバとの基板搬出入口を，筐体内を昇降自在な弁体４１０によって開閉するようにした。 （もっと読む）

【課題】下地膜のエッチングを防止することができる窒化チタン膜の形成方法、窒化チタン膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】窒化チタン膜の形成方法では、まず、半導体ウエハＷを収容した反応管２内を、昇温用ヒータ７により２００℃〜３５０℃に加熱する。続いて、反応管２内にチタン原料を含む成膜用ガスを供給して半導体ウエハＷに窒化チタン膜を形成する。このチタン原料には、塩素原子を含まず、チタンを含むメチルシクロペンタジエニルトリス（ジメチルアミノ）チタニウムを用いる。 （もっと読む）

【課題】金属窒化膜に隣接する他の膜の特性を劣化させない温度範囲において、金属窒化膜中の塩素原子や酸素原子の残留量を低減し、金属窒化膜の耐酸化性を改善する。
【解決手段】自然酸化膜が形成され、塩素原子を含む窒化チタニウム膜が形成された基板を処理室内に搬入して基板支持部により支持する工程と、基板を基板支持部により加熱する工程と、窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスをガス供給部により処理室内に供給しつつ、処理室内をガス排気部により排気する工程と、処理室内に供給された窒素原子含有ガス及び水素原子含有ガスをプラズマ生成部により励起する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】ウエットエッチングによる加工性に優れた特性を有する新規な配線用膜を提供する。
【解決手段】表示装置またはタッチパネルセンサーの配線用膜であって、合金成分としてＸ群元素（Ｘは、希土類元素、Ｇｅ、Ｓｉ、Ｓｎ、Ｈｆ、Ｚｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ、Ａｌ、Ｚｎ、Ｍｎ、Ｃｏ、Ｆｅ、及びＮｉよりなる群から選択される少なくとも一種の元素）を３〜５０原子％、および／または酸素を０．２〜３．０質量％含有し、残部Ｔｉおよび不可避不純物からなるＴｉ合金層と、純ＣｕまたはＣｕ合金からなる層とを含む２層以上の積層構造を有することに要旨を有する配線用膜。 （もっと読む）

【課題】高耐圧な半導体素子を提供することを目的とする。
【解決手段】 実施形態の半導体装置は、第一と第二の主面を有する炭化珪素基板と、炭化珪素基板の第一の主面に設けられた第一導電型の第一の炭化珪素層と、第一の炭化珪素層の表面に形成された第二導電型の第一の炭化珪素領域と、第一の炭化珪素領域の表面に形成された第一導電型の第二の炭化珪素領域と、第一の炭化珪素領域の表面に形成された第二導電型の第三の炭化珪素領域と、第一の炭化珪素層、第一の炭化珪素領域および第三の炭化珪素領域の表面に連続的に形成されたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された炭化珪素からなる第一の電極と、第一の電極上に形成された第二の電極と、第一と第二の電極を被覆する層間絶縁膜と、第二の炭化珪素領域と第三の炭化珪素領域と電気的に接続される第三の電極と、炭化珪素基板の第二の主面に形成された第４の電極と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】しきい値を電気的に調整可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１０では、チャネル領域１４は対向する第１、第２の面１４ａ、１４ｂを有している。第１、第２不純物領域１５、１６が、チャネル領域１４の両側に配設されている。第１ゲート電極１８は、第１ゲート絶縁膜１９を介して第１の面１４ａに、第１ゲート電圧Ｖｇ１が印加されると生じる第１反転層２３の一側が第１不純物領域１５に接触し、他側が第２不純物領域１６から離間するように配設されている。第２ゲート電極２０は、第２ゲート絶縁膜２１を介して第２の面１４ｂに、第２ゲート電圧Ｖｇ２が印加されると生じる第２反転層２４の一側が第２不純物領域１６に接触し、他側が第１不純物領域１５から離間するように配設されている。第１、第２ゲート電圧Ｖｇ１、Ｖｇ２に応じて、第１、第２反転層２３、２４が接触し、第１、第２不純物領域１５、１６間が導通する。 （もっと読む）

【課題】低不純物で、段差被覆性がよく、高真空を使わない金属薄膜の製膜方法を提供する。
【解決手段】有機金属化合物原料を真空チャンバー内に載置された製膜対象物上に搬送する原料搬送工程と、反応性ガスを、加熱された金属触媒体に接触させた後に、前記真空チャンバー内に載置された前記製膜対象物上に搬送する反応性ガス搬送工程と、を有することを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。また、有機金属化合物原料または／および反応性ガスが、炭素原子、窒素原子、水素原子、ケイ素原子、リン原子、ホウ素原子および金属原子から選択される１または２以上の原子のみからなることを特徴とする金属薄膜の製膜方法を提供する。 （もっと読む）