【課題】製造が容易で特性が安定し動作効率の良い有機薄膜トランジスタの製造方法及びこの製造方法で製造された有機薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】基板の上に少なくともソース電極とゲート電極とドレイン電極と絶縁層と有機半導体層とを有する有機薄膜トランジスタの製造方法であって、基板の上にソース電極及びドレイン電極の少なくとも一つとゲート電極とを同時に形成するための電極形成工程を含む。 （もっと読む）

【課題】レーザ照射パターンを切り替えながら、所望の位置に高速にレーザ照射を行う方法を提案する。
【解決手段】レーザ発振器から射出したレーザビームを偏向器に入射し、前記偏向器を通過したレーザビームを回折光学素子に入射して複数に分岐させる。そして、前記複数に分岐されたレーザビームを絶縁膜上に形成されたフォトレジストに照射し、前記レーザビームが照射されたフォトレジストを現像して前記絶縁膜を選択的にエッチングする。 （もっと読む）

【課題】保護用絶縁膜により長期間にわたり安定に作動させ、かつ、クロストークを防止することができるとともに、製造工程の工程数を削減することによって、製造コストを大幅に低減する。
【解決手段】反射型ＴＦＴ基板１は、基板１０と、ゲート電極２３及びゲート配線２４と、ゲート絶縁膜３０と、ｎ型酸化物半導体層４０と、チャンネル部４１によって隔てられて形成された金属層６０と、画素電極６７，ドレイン配線パッド６８及びゲート配線パッド２５が露出した状態で、ガラス基板１０の上方を覆う保護用絶縁膜８０とを具備し、金属層６０が、ソース配線６５，ドレイン配線６６，ソース電極６３，ドレイン電極６４及び画素電極６７を兼ねる。 （もっと読む）

【課題】露光装備の解像限界を超えてコンタクトホールを形成する際に、ウェハ上の位置に関係なくコンタクトホールの大きさが均一になるパターン形成方法を提供する。
【解決手段】半導体素子の微細コンタクトホールを形成する際に、１）半導体基板に形成された被食刻層の上部に化学増幅型のフォトレジスト膜を形成したあと、フォトリソグラフィ工程により第１フォトレジストパターンを形成する段階と、２）前記第１フォトレジストパターンを露光マスクが取り除かれた状態で全面露光したあとベークする段階と、３）前記第１フォトレジストパターンにレジストをフロー工程に適用し、第２フォトレジストパターンを得る。 （もっと読む）

【課題】段差部に近接した領域に導電体パターン（例えばゲート電極）が形成される場合に、導電体パターンの寸法精度を高くすることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体装置の製造方法は、素子分離膜２上、絶縁膜１２上、及びゲート絶縁膜３ｂ〜３ｄ上に導電膜４を形成する工程と、絶縁膜１２とゲート絶縁膜３ｂの間に位置する導電膜４に開口部４ｅを形成する工程と、導電膜４上及び開口部４ｅ内にフォトレジスト膜５１を形成し、その後露光及び現像することにより、ゲート絶縁膜３ｂから３ｄそれぞれの上方に位置するレジストパターン５１ｂ〜５１ｄ、及び絶縁膜１２の上方に位置するレジストパターン５１ａを形成する工程と、レジストパターン５１ａ〜５１ｄをマスクとして導電膜４をエッチングすることにより、ゲート電極４ｂ〜４ｄ及び上部導電膜４ａを形成する工程とを具備する。 （もっと読む）

【課題】下地層を高精度にパターニングすることができ、下地層にスクラッチおよび腐食が生じるのを防ぐことができる半導体装置の製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】第１のフォト工程にて、下地段差４ａを有するポリシリコン４上にポジレジストを塗布した後、このポジレジストに対して露光および現像を行って、ポジレジスト５を形成する。第２のフォト工程にて、ポジレジスト５の周囲にネガレジストを塗布した後、このネガレジストに対して露光および現像を行って、ネガレジスト２９を形成する。ネガレジスト２９は、第１のフォト工程で下地段差４ａからの反射光によりポジレジスト５に形成されたくびれ部５ａを補う。 （もっと読む）

【課題】レジスト膜のパターン形状が、例えばＴトップ形状やラウンド形状といった形状不良になる場合に、レジスト膜自体の変更や製造装置の改良をすることなく、容易にレジスト膜のパターン形状を改良できる技術を提供する。
【解決手段】まず、半導体基板に形成された被加工膜上にレジスト膜を塗布した後（Ｓ１０１）、加熱処理を行なう（プリベーク処理）（Ｓ１０２）。そして、レジスト膜の感光を行なう（Ｓ１０３）。続いて、レジスト膜の表面における酸と反応する薬液に半導体基板を浸漬し、その後、半導体基板を乾燥させる（Ｓ１０４）。次に、露光後加熱処理（ＰＥＢ処理）を施した後（Ｓ１０５）、現像処理を行なう（Ｓ１０６）。 （もっと読む）

【課題】 抵抗が低減されたｆｉｎＦＥＴ及びその製造方法を提供する
【解決手段】 （１）基板を準備するステップと、（２）基板上にｆｉｎＦＥＴの少なくとも１つのソース／ドレイン拡散領域を形成するステップとを含む、ｆｉｎＦＥＴの製造方法を提供する。各々のソース／ドレイン拡散領域は、（ａ）非シリサイド化シリコンの内部領域と、（ｂ）非シリサイド化シリコン領域の上面及び側壁の上に形成されたシリサイドとを含む。 （もっと読む）

【課題】純アルミニウムまたはアルミニウム合金からなる単層の配線膜を形成するに際し、側壁のテーパ角度が規定範囲内のテーパ状に良好にエッチングすることのできる配線膜の形成方法を提供する。
【解決手段】ポストベーク後に、硝酸、リン酸、酢酸および水を含むエッチング液を用いて側壁のテーパ角度が１０〜７０°のテーパ状に純アルミニウム膜またはアルミニウム合金膜をエッチングするにあたり、上記ポストベーク温度：ｘ（℃）を１１０℃以下にすると共に、該ポストベーク温度と上記エッチング液の硝酸濃度：ｙ（質量％）が下記式（１）を満たすようにすることを特徴とする配線膜の形成方法。
１０≦［（２／３）ｘ−５ｙ］≦７０…（１） （もっと読む）

【課題】ＴＦＴ基板に形成する薄膜トランジスタのゲート絶縁膜を高誘電率材料を用いた厚膜とし、かつ十分なイオンをドーピングする。
【解決手段】膜厚が厚い高誘電率材料からなるゲート絶縁膜３にコンタクトホール７ａを形成した後でイオンドーピングしてｎ⁺領域７を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の生産性および製品の歩留まりが向上する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によれば、フォトマスクとして、マスクパターンを分割して得られる第１矩形パターン１０４ａを有する第１フォトマスク１０６、および前記マスクパターンを分割して得られる第２矩形パターン１０４ｂを有する第２フォトマスク１０８を用いて半導体装置を製造する。半導体装置を製造する際には、第１フォトマスク１０６を用いて、半導体基板上の犠牲膜を第１矩形パターン１０４ａに加工する第１の工程、第２フォトマスク１０８を用いて、前記犠牲膜を第２矩形パターン１０４ｂに加工する第２の工程、および第１の矩形パターン１０４ａおよび第２の矩形パターン１０４ｂに加工された前記犠牲膜をマスクとして、半導体基板上に形成された膜をエッチングする第３の工程、を含む。 （もっと読む）

【課題】高精度なパターン形成を行なうことが可能となる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１の主表面上に絶縁膜７を形成する。絶縁膜７上に導電膜８を形成し、該導電膜８上に下層レジスト膜９、中間層１０、反射防止膜１１および上層レジスト膜を形成する。この上層レジスト膜の高さを検出することで露光時の焦点位置を検出する。露光時の焦点位置を検出するに際し、焦点検出光を上層レジスト膜に照射する。焦点位置を検出した後、上層レジスト膜を露光、現像し、レジストパターン１２ａを形成する。レジストパターン１２ａをマスクとして中間層１０と反射防止膜１１をパターニングし、下層レジスト膜９を現像する。これらのパターンをマスクとして導電膜８をエッチングし、ゲート電極を形成する。 （もっと読む）

【課題】大画面あるいはフレキシブル基板上においても十分な解像度を有するデバイスを提供する。
【解決手段】絶縁体の第１の層を基板上に形成すること、印刷技法を用いて絶縁体上に第１の膜を形成すること、および、写真露光技法またはエッチング技法を用いて、第１の膜をマスクと使用して絶縁体の所定の部分を除去することを含む。 （もっと読む）

【課題】パターン寸法をリソグラフィーの限界よりも小さくするとともにパターン間の間隔を可及的に小さくすることを可能にする。
【解決手段】基板１上に被加工膜９を形成する工程と、被加工膜上にレジスト層１５を形成する工程と、レジスト層にパターン転写されたときに最小加工スペース幅よりも狭い幅のパターンとなるスペースを有する転写パターンを備えたレチクルを用いて、レジスト層に転写パターンを転写する工程と、転写された転写パターンを有するレジスト層をスリミング処理する工程と、スリミング処理されたレジスト層をマスクとして被加工膜をパターニングする工程と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】 エッチング工程時で生じる加工変換差を小さくことができる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】 半導体装置の製造方法は、被加工膜１上にパターンを含むレジストパターン２Ｐを形成する工程と、前記パターンのサイズを変更する工程と、前記パターンのサイズを変更した前記レジストパターン２Ｐをマスクにして前記被加工膜１をエッチングする工程とを含み、前記パターンのサイズを変更する工程は、前記被加工膜１をエッチングする工程により形成される、前記パターンに対応した前記被加工膜１からなるパターンが、所望の寸法を有するように、前記パターンのサイズの変更量を決める。 （もっと読む）

【課題】 フォトレジストにおいて、より簡便な方法によって、断面が順テーパー形状である露光領域を形成する方法を提供する。
【解決手段】 光源１０から出射される光がフォーカス合致点を結ぶように、光集束手段１１によって、当該光を集束させる。また、基板２をアウトフォーカス領域に載置することによって、フォトレジスト１における露光領域の断面形状が順テーパー形状となる。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法に関し、透明基板に遮光性を持たせてウェハ検出を容易にするとともに、微細なリソグラフを可能にする。
【解決手段】 透明基板１或いは透明半導体層２の表面及び裏面の少なくとも一方に、少なくとも一辺の長さが１μｍ以下の微細加工領域４を除いた領域に可視光を遮光する遮光膜３を設けて、プロセス装置におけるセンサによるウェハ検知が可能になるとともに、露光時に透明基板１の裏面から露光光６の反射が軽減され、開口の広がりを最小限にとどめる。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、被エッチング膜のサイドエッチングを抑制すること。
【解決手段】 基板構造体２０において、エッチング予定領域１８に存在する保護膜１０をＩＣＰ−ＲＩＥにより除去して、基板１２の主面１２ａが露出した露出領域２２を形成する。すなわち、基板構造体は、基板と、基板を覆う保護膜と、保護膜を覆うフォトレジスト１４と、フォトレジストに形成された孔部１６とを備えている。孔部は、フォトレジスト表面に形成された開口部１６ｂと、開口部にフォトレジストの厚み方向に連続し、保護膜に至る中空部１６ｃを備えている。ここで、ＩＣＰ−ＲＩＥは、（１）ＩＣＰパワーを２０〜１００Ｗとし、（２）ＲＩＥパワーを５〜５０Ｗとし、および、（３）エッチング室の気圧を１〜１００ｍＴｏｒｒとする条件で行われる。 （もっと読む）

【課題】より微細なパターンを容易に形成することが可能なパターン形成方法およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に第１レジスト膜１２Ａと第２レジスト膜１２Ｂを形成し、第１パターン２１を有する第１ホトマスク２０を用いて第２レジスト膜１２Ｂを露光して、第１パターン２１を第２レジスト膜１２Ｂに転写し、パターン１２ａを形成する。次に第２パターン３１を有する第２ホトマスク３０を用い、第２パターン３１の一部が第２レジスト膜１２Ｂに転写されたパターン１２ａと重畳するように、第２パターン３１を第２レジスト膜１２Ｂと第１パターン２１により露出された第１レジスト膜１２Ａとに転写し、第１パターン２１と第２パターン３１とが重畳する領域４６に第１および第２レジスト膜１２Ｂ、１２Ａを貫通する開口パターン１１を形成する。 （もっと読む）

【課題】サイズが縮小され、自己整合されたチャネルおよびゲートを有した、薄膜トランジスタ等を得ることである。
【解決手段】第１金属層上にディジタル・リソグラフィによって第１エッチング・マスクを形成し、該マスクを用いて金属層をエッチングしてソース電極およびドレイン電極を形成する。該電極上に半導体層、絶縁層および感光層を堆積し、透明基板越しに感光層を露光し現像する。露光時、上記両電極が露光マスクとして働く。絶縁層上および残存した感光材層上に第２金属層を堆積する。外金属層上にディジタル・リソグラフィによって第２エッチング・マスクを形成する。該マスクを用いて第２金属層等をエッチングする。第２金属層のうちで残存した感光層の直上の部分が第２金属層の残りの部分から物理的に分離するように、残存した感光層を除去する。 （もっと読む）