【課題】 液晶表示装置の薄膜トランジスタパネルにおいて、比較的簡単な方法により、ゲート配線の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制する。
【解決手段】 ゲート電極２およびゲート配線３を、Ａｌを主成分としてＮｉを含有するＡｌ合金によって形成し、それらの上面に変色用処理液を用いて変色層２ａ、３ａを形成すると、変色層２ａ、３ａの反射率がＡｌ合金の反射率よりも低くなるので、ゲート配線３の上面による外光反射に起因するコントラスト低下を抑制することができる。 （もっと読む）

【課題】露光マスク数を削減することでフォトリソグラフィ工程を簡略化し、信頼性のある表示装置を低コストで生産性よく作製することを課題の一とする。
【解決手段】チャネルエッチ構造の逆スタガ型薄膜トランジスタを有する表示装置の作製方法において、透過した光が複数の強度となる露光マスクである多階調マスクによって形成されたマスク層を用いてエッチング工程を行う。さらに、基板上にゲート配線層とソース配線層を同工程で形成し、ゲート配線層とソース配線層の交差部においてはソース配線層を分断（切断）した形状とする。分断されたソース配線層は開口（コンタクトホール）を介してゲート絶縁層上にソース電極層及びドレイン電極層と同工程で形成された導電層を介して電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】有機スイッチングデバイスまたは部分有機スイッチングデバイスを形成する方法である。
【解決手段】前記方法は、少なくとも１つのパターニング層を含む電気デバイスを基板上に形成する方法であって、前記基板上の第１の材料層を光ビームに露光して、前記第１の層の物理的特性を改変するように、前記第１の層のパターニングを行う工程を含み、前記光ビームの一部は、前記基板上の事前堆積されたパターンによってブロックまたは減衰され、これにより、前記光がブロックまたは減衰されない領域においてのみ前記基板上の第１の層を改変する、方法である。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス型の液晶表示装置に代表される電気光学装置において、逆スタガ型の薄膜トランジスタを有する画素部及び端子部を作製する工程数を削減して、具体的にはフォトリソグラフィー工程で使用するフォトマスクの枚数を削減して、電気光学装置の生産性、歩留まりを向上させ、製造コストの低減を実現することを課題とする。
【解決手段】上記課題を鑑み、透光性基板に透過部と光強度を低減する機能を有する中間透過部と遮光部が設けられたフォトマスク（多階調フォトマスク）を採用する。さらには、画素部のソース電極及びドレイン電極と端子部に延在するソース配線のパターニングにエッチング工程を必要としないリフトオフ方法を採用する。 （もっと読む）

【課題】表示品位を改善することが可能な表示装置及びこの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】複数の画素によって構成されたアクティブエリアを備えた表示装置であって、記アクティブエリアにおいて各画素に配置された画素電極８と、互いに絶縁層を介して交差するように配置されたゲート線Ｇ及びソース線Ｓと、画素電極８に印加する信号を選択するスイッチング素子７と、を備え、スイッチング素子７のドレイン電極７Ｄは、ゲート電極７Ｇ上においてソース電極７Ｓと対向するとともに矩形状のエッジを有する対向部７ＤＡと、電極部にコンタクトするとともに曲線状のエッジを有するコンタクト部７ＤＢとを有する。 （もっと読む）

【課題】ゲート配線部及びソース配線部の配線厚みはスイッチング素子部の性能劣化が生じない範囲内でしか厚くすることができない。よって、配線部の電気抵抗値を十分に小さくすることができないため、液晶表示装置の消費電力が大きいという課題がある。
【解決手段】スイッチング素子部３０に形成されたゲート電極部４１の電極厚みｄ３に比べ、Ａｌ膜１４で厚膜化されたゲート配線部４０の配線厚みｄ４が厚い。また、ソース電極部４３及びドレイン電極部４４の電極厚みｄ５に比べ、Ａｌ膜１７で厚膜化されたソース配線部４２の配線厚みｄ６が厚い。配線厚みｄ４，ｄ６が厚いことにより、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の断面面積が大きくなる。このことから、ゲート配線部４０及びソース配線部４２の電気抵抗値を小さくすることができる。よって、液晶表示装置１００の低消費電力化ができる。 （もっと読む）

【課題】Ａｌ合金中の合金元素を少なくしても、透明酸化物導電膜との接触抵抗を低くすることのできる低接触電気抵抗型電極、およびこうした電極を製造するための有用な方法、並びにこうした電極を備えた表示装置を提供する。
【解決手段】本発明の低接触電気抵抗型電極は、酸化物透明導電膜と直接接触するＡｌ合金薄膜からなる低接触電気抵抗型電極において、前記Ａｌ合金は、Ａｌよりもイオン化傾向が小さい金属元素を０．１〜１．０原子％の割合で含有し、且つＡｌ合金薄膜の酸化物透明電極と直接接触するＡｌ合金薄膜表面は、最大高さ粗さＲｚで５ｎｍ以上の凹凸が形成されたものである。 （もっと読む）

本発明は、自己整合型有機薄膜トランジスタ及びその製造方法に関するものである。本発明によれば、基板上にパターニングされた第１導電膜としてゲート電極を形成し、ゲート電極を覆うように基板上にゲート絶縁膜を形成した後、ゲート絶縁膜上に第２導電膜を形成する。次いで、基板の下部側でゲート電極をマスクとして用いて、第２導電膜に紫外線を照射する紫外線背面露光を遂行した後、第２導電膜を現像することで、ゲート電極と自己整合され、ゲート電極と重畳しないソース／ドレイン電極を形成する。次いで、ソース／ドレイン電極の間及び上部に有機半導体膜を形成する。本発明は、リール・トゥ・リール工程を用いて、有機薄膜トランジスタを製造することができ、製造工程が単純になる。
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半導体構造（１０）の形成方法は、第１および第２ウェル領域（１６、１８）を含む半導体層上にチャネル領域層（４０）を形成すること、チャネル領域層上に保護層（８０）を形成すること、第１ウェル領域上に第１ゲート誘電体層（２６）を形成すること、第１ゲート誘電体上に第１メタルゲート電極層（２８）を形成すること、保護層を除去すること、チャネル領域層上に第２ゲート誘電体層（４２）を形成すること、第２ゲート誘電体層上に第２メタルゲート電極層を形成すること、第１ウェル領域上に、第１ゲート誘電体層と第１メタルゲート電極層の各々の一部を含む第１ゲートスタック（５８）を形成し、チャネル領域層上に、第２ゲート誘電体層と第２メタルゲート電極層の各々の一部を含む第２ゲートスタック（６６）を形成することを含む。
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【課題】薄型軽量画像表示装置やフレキシブル電子装置を構成する相補型ＴＦＴ回路の高性能化、低消費電力化、及び製造コスト低減を可能にし、更に製造工程数を削減して印刷による大量生産や大型化を容易にする薄膜トランジスタ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ｎ型、ｐ型のＴＦＴを形成する電極と有機半導体を、双方のＴＦＴで同一材料を用いて塗布印刷技術により形成し、ゲート絶縁膜と半導体の界面に第１の分極性薄膜７と、ソース及びドレイン電極５と半導体膜９の界面に第２の分極性薄膜８を設け、ｎ型ＴＦＴ又はｐ型ＴＦＴのどちらかの領域を選択的に露光することで、その領域の第１及び第２の分極性薄膜から分極の機能を除去し、相補型薄膜トランジスタ装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】改良されたフィン電界効果トランジスタ（ＦｉｎＦＥＴ）デバイスと、その製造方法とを提供する。
【解決手段】１つの側面において、電界効果トランジスタ・デバイスを製造する方法は次のステップを含む。その上にシリコン層を有する基板が準備される。そのシリコン層においてフィン・リソグラフィー・ハードマスクがパターニングされる。フィン・リソグラフィー・ハードマスクの中央部分の上にダミー・ゲート構造が置かれる。ダミー・ゲート構造の周りにフィラー層が堆積させられる。フィン・リソグラフィー・ハードマスクの中央部分の上を中心として、フィラー層にトレンチを形成するためにダミー・ゲート構造が除去され、それはデバイスのフィン領域をデバイスのソース領域およびドレイン領域から区別する。フィン領域内のフィン・リソグラフィー・ハードマスクは、シリコン層に複数のフィンをエッチングするために使用される。フィンの上にゲート・スタックを形成するためにトレンチはゲート材料で満たされる。デバイスのソース領域およびドレイン領域を形成するためにフィラー層が除去され、ソース領域およびドレイン領域は無傷であってゲート・スタックと自己整合させられている。 （もっと読む）

【課題】 印刷法では位置ずれが生じるため、絶縁膜を介して下部電極と上部電極が良く位置合せされた電極基板を形成できにくい。位置合わせのためにフォトマスクを使用して、飛躍的にコスト低減することである。
【解決手段】 開示した技術は、感光性を有し、感光前は撥液性を示し、感光後は親液性を示す自己組織化単分子膜（感光性SAM膜）を基板上に成膜し、
その基板の前記成膜した面を液体中に漬けた状態とするか、もしくは感光面を下にして液体に接触させた状態とした上で、前記基板に対して露光を行うものであり、
露光光は紫外光であるか可視光であるか又は露光光の波長が350nm以上800nm以下であり、
前記液体は芳香環を含む有機溶剤、アルコール類、エーテル類又はケトン類の有機溶剤の少なくとも一つであることを特徴とする感光性SAM膜の露光方法である。 （もっと読む）

【課題】優れた耐熱性および接着性を有するフォトレジスト組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のフォトレジスト組成物は、第１のバインダー樹脂、第２のバインダー樹脂、光酸発生剤、架橋剤、および溶媒を含む。該フォトレジスト組成物は、フォトレジストパターンの耐熱性および接着性に優れるので、薄膜トランジスタ基板の開口率が増大し、表示品質を改善することができる。よって、該フォトレジスト組成物は、薄膜トランジスタ基板を製造するための４マスク工程に好適に用いられうる。 （もっと読む）

【課題】容易に微小化、高密度化することが可能な薄膜トランジスタの製造方法、画素アレイの製造方法を提供する。
【解決手段】フォトリソグラフィ法および塗布法を用いた薄膜トランジスタの製造方法であって、下地部材の上に成膜された電極材料をフォトリソグラフィ法により所定のパターン形状に加工する際に用いた感光性樹脂膜の残留部分を除去せず残留させ、該残留部分を後工程で液体材料を塗布法により所定の領域に塗布するためのバンクとして用いる。 （もっと読む）

【課題】リソグラフィープロセスを工夫することにより、フォトマスクにおけるマスクパターンの寸法誤差を容易且つ確実に補正し、所望のレジストパターンを正確に形成する。
【解決手段】先ず、レジストパターンの厚肉化により変化する寸法と、厚肉化の工程における熱処理の温度との関係を予め求めておく。続いて、マスクパターンの寸法を計測し、その計測結果を上記の関係に適用して、レジストパターンを所望の寸法に厚肉化するための最適な熱処理温度を決定する。 （もっと読む）

【課題】複数のレジスト膜を重ね合わせてマスクを形成し、被加工膜を加工する技術において、被加工膜の加工寸法の精度の向上を図る。
【解決手段】マトリクス配置されたグリッド点に対して、一部のグリッド点上にコンタクトホールが配置された設計パターンデータを用意する（ステップＳＴ１１）。全ての前記グリッド点上に第１の開口パターンが配置された第１のマスクパターンデータを用意する（ステップＳＴ１２）。前記設計パターンデータにおいて、前記コンタクトホールが配置されている前記グリッド点上に第１の開口パターンを含むように配置された第２の開口パターンと、単位格子を構成する四つの前記グリッド点の内、対角上の一対の前記グリッド点上のみにコンタクトホールが配置された一対の前記グリッド点上に配置された第２の開口パターンとが重ね合わされた第２のマスクパターンデータを設計する（ステップＳＴ１３〜ステップＳＴ１５）。 （もっと読む）

【課題】高スループットで高連続処理性を有し、さらには離型性が極めて良好であって、モールドの破損が生じにくく、低コストで加工が可能な微細形状転写を可能にする。
【解決手段】所定のパターン形状で凹部１ａと凸部１ｂとが形成されたモールド１の前記凸部１ｂと、加工対象膜２を有する基板３とを密着させ、モールド１側からレーザ光４を照射してモールド１の前記凹部１ａにおける加工対象膜２を昇華させて除去し、モールド１を基板３から離す。この状態でモールド１の凹部１ａに対応した加工対象膜２ａは除去され、また除去された加工対象膜２の残骸物５はモールド１の凹部１ａに一部が堆積する。一方、モールド１の凸部１ｂに対応した加工対象膜２ｂは残る。これにより所定のモールドパターンを加工対象膜２に転写することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタにリーク電流が発生するのを回避させた表示装置の提供。
【解決手段】基板上に、順次積層された、ゲート信号線、絶縁膜、半導体層、および導電体層を有し、
前記導電体層は、少なくとも、ドレイン信号線と接続される薄膜トランジスタのドレイン電極および画素電極と接続される前記薄膜トランジスタのソース電極を構成し、
前記半導体層は、平面的に観た場合、その側壁面が少なくとも前記ドレイン電極の端部において該端部の側壁面よりも内側に位置づけられたパターンを有して形成されている。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の形成および半導体装置の電気的接点形成について安価な方法を提供する。
【解決手段】インクジェット印刷による印刷マスク２１２を用いてビアおよびピラーを形成する。印刷マスクは懸濁金属ナノ粒子を含む液滴２０８により形成される。マスク形成およびその後の導電性構造の形成の両方において同じ金属ナノ粒子を利用することにより製造プロセスが簡素化される。また金属ナノ粒子を用いることにより、印刷液滴の大きさよりかなり小さい構造を形成できる。 （もっと読む）

【課題】エッチングプロセスのゆらぎによるばらつきを抑制することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の材料膜を介して第２の材料膜を形成する膜形成工程と、前記第２の材料膜を所定のパターンにするパターン化工程と、所定のパターンにされた前記第２の材料膜の幅をエッチングにより細めるスリミング工程と、前記第１の材料膜をエッチングして、幅を細めた前記第２の材料膜のパターンを前記第１の材料膜に転写する第１の材料膜エッチング工程と、エッチングされた前記第１の材料膜の幅を測定する測定工程と、測定した前記第１の材料膜の幅に基づき、前記第１の材料膜の幅を所定の幅にする寸法調整工程と、を含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 （もっと読む）