【課題】圧縮成形時におけるワイヤーの変形を低減できる封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明の粉粒状の封止用エポキシ樹脂組成物は、平坦な底面を有するアルミ箔容器の前記底面の全面を覆うようにエポキシ樹脂組成物をアルミ箔容器に収容し、大気圧下１７５℃の雰囲気下で３分間加熱することにより前記エポキシ樹脂組成物を硬化させたとき、硬化した前記エポキシ樹脂組成物の前記底面に接する面において形成された空隙の面積が、硬化した前記エポキシ樹脂組成物の前記底面に接する面の総面積に対して４０％以下である。 （もっと読む）

【課題】難燃性、電気特性や耐吸水性に優れたリン含有硬化性樹脂組成物及びその樹脂硬化物を提供する。
【解決手段】１種以上の式（１）で示される環状エーテル基を有するジアリールホスフィンオキシド化合物、１種以上のエポキシ化合物、１種以上のカルボン酸無水物及び硬化促進剤を含むリン含有硬化性樹脂組成物。


［式（１）中、Ｒ^１〜Ｒ^１１は、特定の置換基を示し、ｐ、ｑ、ｒ及びｓは、０〜４の整数であり、Ｘ^１、Ｘ^２、Ｙ^１及びＹ^２、単結合又はＦ原子で置換していてもよい炭素数１〜１２のアルキレン基を示し、Ｚ^１及びＺ^２は、前記と同じアルキレン基を示す。］ （もっと読む）

【課題】半導体チップの一部を露出させつつ樹脂で封止してなる半導体パッケージにおいて、外部の異物等による露出部への影響を極力抑える。
【解決手段】半導体チップ１０と、半導体チップ１０を封止する樹脂２０と、を備え、半導体チップ１０の一面１０ａの一部が露出部１１として樹脂２０より露出している半導体パッケージにおいて、半導体チップ１０の一面１０ａ側にて、露出部１１の周囲に位置する樹脂２０は、露出部１１側が広く露出部１１から離れるにつれて狭まり且つ頂部が外部に開口する穴２２とされた錐体形状をなす空間部２１を形成しており、露出部１１は空間部２１に位置し、穴２２を介して樹脂２０の外部に露出している。 （もっと読む）

【課題】高い屈折率を有し、なおかつ低透湿性に優れた硬化物（樹脂硬化物）を形成でき、硬化収縮が小さい樹脂組成物（硬化性樹脂組成物）を提供する。
【解決手段】下記式（１）で表される化合物（Ａ）と、フェノール類とアルデヒドの縮合物、芳香族炭化水素とアルデヒドの縮合物、石油樹脂、スチレン化フェノール、及びロジンからなる群より選択された少なくとも１種の化合物（Ｂ）と、重合開始剤（Ｃ）とを含むことを特徴とする樹脂組成物。
【化１】
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【課題】窒化物半導体を用いたＦＥＴを樹脂封止パッケージに搭載した半導体装置の耐湿性を向上させること。
【解決手段】本発明は、窒化物半導体を用いたＦＥＴが形成されたチップ３０と、前記チップがＡｇペースト２２を用い搭載されたベース１２と、前記チップ３０を封止するガラス転移温度が１９０℃以上の樹脂２０と、を具備する半導体装置である。 （もっと読む）

【課題】絶縁信頼性及び流動性を示し、非ハロゲン系で優れた難燃性が発揮さるエポキシ樹脂組成物を提供。
【解決手段】二官能結晶性エポキシ樹脂、多価ヒドロキシ樹脂、及び無機充填材を含有するエポキシ樹脂組成物において、多価ヒドロキシ樹脂成分が下記一般式（１）で示される多価ヒドロキシ樹脂であるエポキシ樹脂組成物。
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【課題】耐熱性の高さの指標であるガラス転移温度が高く、且つ高密着性及び低吸湿性を実現するポリマーナノコンポジット樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性樹脂３と、硬化剤４と、シルセスキオキサン誘導体２により表面改質処理された無機ナノフィラー１とを含んでなるポリマーナノコンポジット樹脂組成物、かかる組成物を硬化してなるポリマーナノコンポジット樹脂硬化物、かかる組成物の製造方法、かかる組成物により封止してなる半導体モジュール、ならびに半導体モジュールの製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】ガラス転移温度の高い成形品を得ることができ、成形時の流動性に優れ、保存安定性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物とその製造方法および半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、４級ホスホニウム化合物、および無機充填剤を含有し、フェノール樹脂硬化剤として結晶性フェノール化合物を含有することを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】 ３００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイドの発生を抑制でき、配線間の十分な絶縁信頼性と、半導体チップと基板との間の十分な導通性とが得られる半導体封止用フィルム状接着剤を提供する。
【解決手段】 （ａ）ポリイミド樹脂と、（ｂ）エポキシ樹脂と、（ｃ）フェノール樹脂と、（ｄ）硬化促進剤と、を含有する半導体封止用フィルム状接着剤であって、（ｄ）硬化促進剤がイミダゾール類とイソシアヌル酸の付加物であり、３５０℃での溶融粘度が２０００Ｐａ・ｓ以下であり、且つ、３５０℃で１０秒間加熱した後の硬化反応率が５０％以上であり、バンプを有する半導体チップと金属配線を有する基板とを３００℃以上の温度で接続するために用いられる、半導体封止用フィルム状接着剤。 （もっと読む）

【課題】成形の工程の簡略化を可能にする熱硬化性樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及びその製造方法、並びに、光半導体装置を提供すること。
【解決手段】底面及び内周側面から構成される凹部を有するとともに該内周側面を形成する樹脂成形品を有し、該底面が光半導体素子搭載領域である光半導体素子搭載用基板であって、前記樹脂成形品は、エポキシ樹脂及び硬化剤を含有する熱硬化性樹脂組成物から形成することができ、当該熱硬化性樹脂組成物を金型温度１８０℃、硬化時間９０秒の条件でトランスファー成形して得られる硬化物の硬化度が、１５０℃、３時間の加熱によって更にアフターキュアされた後の当該硬化物と実質的に同等である、光半導体素子搭載用基板。 （もっと読む）

【課題】 ２００℃以上の高温で半導体チップと基板とを接続する場合のボイド発生を抑制し、且つ、基板配線上にメッキされたスズの酸化による導電性物質の生成を抑制する効果を付与することで、高絶縁信頼性を発揮する半導体用接着剤組成物を提供すること。
【解決手段】 （ａ）エポキシ樹脂と、（ｂ）硬化剤と、（ｃ）酸化防止剤と、を含有する、半導体用接着剤組成物であり、前記（ｃ）酸化防止剤がヒンダードフェノール類を含む、半導体用接着剤組成物。 （もっと読む）

【課題】硬化反応性に優れ、かつ、硬化物が優れた耐リフロークラック性を有する電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂とエピスルフィド変性エポキシ樹脂とを含む硬化性化合物と、硬化剤及び任意に硬化促進剤とを含有し、硬化剤及び硬化促進剤の活性水素のモル数Ｈと、エポキシ樹脂及びエピスルフィド変性エポキシ樹脂のエポキシ基とエピスルフィド基との合計モル数Ｅとの比率Ｈ／Ｅが０．０４〜０．２である電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および第１の無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、第２の無機充填材の粉末材料に対し、表面処理を行う表面処理工程と、粉砕後の前記原材料と、表面処理された前記第２の無機充填材とを混合する混合工程と、前記混合工程で混合された混合物を混練する混練工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】半導体素子を封止する際の流動性および硬化性に優れた樹脂組成物を得ることができる樹脂組成物の製造方法、樹脂組成物および半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の樹脂組成物の製造方法は、回路基板１１０上に設置された半導体チップ１２０を封止する樹脂組成物であって、その封止の際に、回路基板１１０と半導体チップ１２０との間の隙間にも充填される樹脂組成物を製造する製造方法であって、硬化性樹脂の粉末材料および２４μｍを超える粒子の含有率が１質量％以下である無機充填材の粉末材料を含む原材料を粉砕する粉砕工程と、粉砕後の前記原材料を混練する混練工程とを有し、前記混練工程において、粉砕後の前記原材料１ｋｇあたりに与える混練エネルギーを０．０１〜０．５ｋＷｈ／ｋｇとする。 （もっと読む）

【課題】光半導体装置用白色硬化性組成物を成形した成形体を備える光半導体装置において金属部にマイグレーションが発生し難い光半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る光半導体装置１は、リードフレーム２と、リードフレーム２上に搭載された光半導体素子３と、リードフレーム２上に配置された成形体４とを備える。成形体４が、白色の光半導体装置用白色硬化性組成物を硬化させることにより得られている。上記光半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤と、酸化防止剤とを含む。該酸化防止剤の分子量は６００以上、２０００未満である。上記酸化防止剤を構成する原子は、炭素原子、酸素原子及び水素原子の３種のみである。 （もっと読む）

【課題】取り扱い性、成形時の金型への充填性及び連続成形性に優れている半導体装置用白色硬化性材料を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性材料は、白色の硬化性組成物であるか、又は該白色の硬化性組成物を熱処理した熱処理物である。上記白色の硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。本発明に係る光半導体装置用白色硬化性材料では、軟化点が６０℃以上、１２０℃未満であり、１７０℃における粘度が１２０Ｐａ・ｓを超え、３００Ｐａ・ｓ以下であり、１７０℃におけるゲルタイムが３０秒以上、１００秒以下であり、成形温度１７０℃及び成形時間１００秒の条件で金型によりトランスファー成形した後、金型から成形体を取り出したときに、金型から取り出されてから５秒後の成形体の硬さがショアＤで７０以上である。 （もっと読む）

【課題】
耐湿信頼性が高く、高温接続条件においてボイド抑制が可能であり、かつフラックス成分を添加することなく、良好なはんだ接合部の形成が可能となる先供給方式に対応した半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤を必須成分としており、酸無水物が下記一般式（１）で表されるコハク酸無水物誘導体である半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物、並びに該半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物を用いた半導体装置の製造方法及び半導体装置。



［式（１）中、Ｒは炭素数３以上のアルケニル基を表す。］ （もっと読む）

【課題】
ＤＭＡ法により測定した０℃での貯蔵弾性率が０〜１５０ＭＰａの範囲である硬化物を与える硬化性樹脂組成物は、特に光学特性、ヒートサイクル耐性が必要な材料、例えば、光半導体用（ＬＥＤ製品など）の封止材としてきわめて有用な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】
（１）
硬化物の、ＤＭＡ法により測定したガラス転移温度（Ｔｇ）が−１０〜１０℃の範囲であり、ＤＭＡ法により測定した０℃での貯蔵弾性率が０〜１５０ＭＰａの範囲である光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
（２）
エポキシ樹脂（Ａ）及びエポキシ樹脂硬化剤を含有する、（１）に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
（３）
エポキシ樹脂（Ａ）が、シリコーン骨格エポキシ樹脂である、（２）に記載の光半導体素子封止用硬化性樹脂組成物。
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【課題】トリフェニルメタン型エポキシ樹脂を用いた場合にも離型性を向上することができる半導体封止用エポキシ樹脂組成物とそれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール樹脂硬化剤、無機充填剤、および離型剤を必須成分として含有し半導体封止のための成形材料として用いられる半導体封止用エポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂として、トリフェニルメタン型エポキシ樹脂をエポキシ樹脂全量に対して３０〜７０質量％含有し、離型剤として、酸化ポリエチレン、天然カルナバワックス、および１２−ヒドロキシステアリン酸アミドの溶融混合物を含有し、この溶融混合物における酸化ポリエチレンの含有量が溶融混合物全量に対して１〜５０質量％であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】狭ギャップでの流動性が良好であり、電子部品構成部材との接着性、低応力性に優れた電子部品用液状樹脂組成物、及びこれにより封止された信頼性（耐湿性、耐熱衝撃性）の高い電子部品装置を提供する。
【解決手段】電子部品の封止に用いられる電子部品用液状樹脂組成物であって、（Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）液状芳香族アミンを含む硬化剤、（Ｃ）シリコーン重合体粒子、（Ｄ）無機充填剤を含有する電子部品用液状樹脂組成物。 （もっと読む）