【課題】 作業性、ハンドリングの容易性、狭ピッチ化対応のため、液状であり、短時間での硬化が可能で、短時間で半導体チップ−基板間のボイドを抑制することができる先供給型封止材樹脂組成物を提供することを目的とする。
【解決手段】 （Ａ）液状エポキシ樹脂、（Ｂ）特定構造のエポキシ樹脂、（Ｃ）液状酸無水物硬化剤、および（Ｄ）マイクロカプセル型硬化促進剤を含むことを特徴とする、先供給型液状半導体封止樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】ハロゲン系難燃剤及びアンチモン化合物の使用なしで優れた難燃性を備えることができ、しかも耐湿信頼性、成形性も良好な封止用樹脂組成物、及びそのような組成物を用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂硬化剤、（Ｃ）多価アルコール型非イオン性分散剤、（Ｄ）水酸化アルミニウム、及び（Ｅ）水酸化アルミニウム以外の無機充填剤を必須成分とし、ハロゲン系及びアンチモン系難燃剤を含有しない封止用樹脂組成物、また、そのような組成物の硬化物によって半導体素子を封止してなる半導体装置。 （もっと読む）

【課題】可視光から近紫外光領域において高い反射率を有する高放熱性の光反射用熱硬化性樹脂組成物及びその樹脂組成物を用いた光半導体搭載用基板及び光半導体搭載用基板の製造方法を提供する。
【解決手段】光反射用熱硬化性樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）硬化触媒、（Ｄ）充填剤（Ｅ）カップリング剤を含有する樹脂組成物であって、熱硬化後の、波長８００ｎｍ〜３５０ｎｍにおける光反射率が８０％以上であり、かつ熱伝導率が１〜１０Ｗ／ｍＫの範囲であり、熱硬化前には室温において加圧成形可能である、ことを特徴とする光反射用熱硬化性樹脂組成物を提供することにより高光反射率、高放熱性の光半導体搭載用基板を作製することが可能となった。 （もっと読む）

【課題】
本発明は２次実装アンダーフィル用封止材に関し、リペア及びリワーク性に優れ、かつ熱衝撃信頼性に優れた半導体装置を与える２次実装アンダーフィル用封止材を提供することを目的とする。
【解決手段】
（Ａ）液状エポキシ樹脂
（Ｂ）アミン系硬化剤
（Ｃ）無機充填剤 （Ａ）成分と（Ｂ）成分の合計１００質量部に対し３０〜５００質量部
を含有し、無機充填剤成分中２５質量％〜１００質量％がクリストバライトである事を特徴とする２次実装アンダーフィル用封止材、及び該封止材の硬化物を備える半導体装置。 （もっと読む）

【課題】硬化性樹脂に添加して半導体用封止材とした際に流動性の低下やボイドの発生を確実に抑制でき、製造ロットに拘らず好適に半導体用封止材に用いることができる非晶質シリカ粒子を提供する。
【解決手段】本発明の非晶質シリカ粒子は、半導体用封止材に用いる非晶質シリカ粒子であって、粒子表面のシラノール基濃度（ｍｍｏｌ／ｇ）を、ＢＥＴ法により測定される粒子の比表面積（ｍ^２／ｇ）で除することで求められる単位表面積あたりのシラノール基量が、０．０１０ｍｍｏｌ／ｍ^２以上、０．０６５ｍｍｏｌ／ｍ^２以下であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板と封止樹脂体の接続強度が極めて高く、耐衝撃性、耐久性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】基板２の素子搭載面の上にはんだ層３を介して半導体素子１が接合され、基板２と半導体素子１がエポキシ樹脂からなる封止樹脂体４で封止されてなるケースレス構造の半導体装置１０であって、基板２の素子搭載面のうち、半導体素子１が搭載されていない領域における半導体素子１の端部位置（もしくははんだ層の端部位置）から素子搭載面の端部までの長さをＬとした際に、０．４Ｌ〜０．９Ｌの長さの１つの凹溝２ａが素子搭載面の前記領域に設けられ、該凹溝２ａ内に封止樹脂体４の一部が入り込んでいる。 （もっと読む）

【課題】エポキシ樹脂組成物およびエポキシ樹脂硬化剤、ならびにそれらを用いた各製品を提供する。
【解決手段】
エポキシ樹脂とエポキシ樹脂硬化剤とを含むエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂硬化剤が、アミノ基を有するリグニン、または、アミノ基を有するリグノフェノールであることを特徴とする、エポキシ樹脂組成物を用いることにより、エポキシ樹脂組成物およびエポキシ樹脂硬化剤、ならびにそれらを用いた各製品を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、硬化後の、可視光から近紫外光の反射率が高く、耐熱劣化性やタブレット成型性に優れ、なおかつトランスファー成型時にバリが生じ難い熱硬化性光反射用樹脂組成物及びその製造方法、並びに当該樹脂組成物を用いた光半導体素子搭載用基板及び光半導体装置を提供することを目的とする。
【解決手段】熱硬化性成分と白色顔料とを含む熱硬化性光反射用樹脂組成物であって、成型温度１００℃〜２００℃、成型圧力２０ＭＰａ以下、成型時間６０〜１２０秒の条件下でトランスファー成型した時に生じるバリ長さが５ｍｍ以下であり、かつ熱硬化後の、波長３５０ｎｍ〜８００ｎｍにおける光反射率が８０％以上であることを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物を調製し、そのような樹脂組成物を使用して光半導体素子搭載用基板および光半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上記の課題に鑑みてなされたものであって、硬化物が２００℃以上の大気雰囲気下において劣化がほとんど観測されず、かつ粘度が低い熱硬化性樹脂組成物を提供する事を目的とする。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜８００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部に対して（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有し、２０〜８０℃における最低粘度が５Ｐａ・ｓ以下であることを特徴とする熱硬化性樹脂組成物により達成できる。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂から放熱面を露出させるために封止樹脂および放熱面の研削や切削を不要とすることができる構造を提供する。
【解決手段】第２ヒートシンク４０に凹部４３を設け、この凹部４３内に第１封止樹脂５０を設ける。このように、凹部４３に第１封止樹脂５０が配置されることにより、凹部４３の底面４４とは反対側に位置する第２放熱面４１が第１封止樹脂５０に埋没されることはない。また、第１封止樹脂５０の最上面５１を第１放熱面１１よりも第１端面１２側に位置させる。これにより、第１放熱面１１が第１封止樹脂５０に被覆・埋没されることはない。したがって、第１封止樹脂５０から各放熱面１１、４１を露出させるために第１封止樹脂５０および各放熱面１１、４１を研削もしくは切削する必要がない。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、基材の上に熱分解性の樹脂層を形成する工程と、熱分解性の樹脂層上に、主面から裏面まで貫通する貫通プラグが設けられた複数の基板を配置し、熱分解性の樹脂層を介して、基板と基材とを固定する工程と、基板の裏面上に、貫通プラグに電気的に接続するように第１の半導体素子を設けて、基板および第１の半導体素子を含む構造体を形成する工程と、半導体封止用樹脂組成物を用いて、熱分解性の樹脂層上の複数の前記構造体を封止する封止材層を形成する工程と、加熱処理により熱分解性の樹脂層を分解して、封止材層から基材を分離することにより、構造体の基板の主面を露出させる工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率と高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が平均径０．５μｍ以上１．０μｍ未満の球状アルミナ（１）と平均径１．０μｍ以上３．０μｍ未満の球状アルミナ（２）との混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７を超えるものである液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 接着性と流動性を両立し、信頼性にも優れる電子部品用樹脂組成物及びこれを用いた液状封止材、これにより封止された電子部品装置を提供する。
【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤、硬化促進剤及び可とう剤を含む電子部品用樹脂組成物であって、可とう剤が少なくとも３つの重合鎖が放射状に伸びる星型構造を有する共重合体である電子部品用樹脂組成物。エポキシ樹脂の含有量が２５〜６０質量％であり、少なくとも３つの重合鎖が放射状に伸びる星型構造を有する共重合体の含有量が、１〜１０質量％であると好ましい。 （もっと読む）

【課題】 絶縁性能及び冷却性能を低下させることなく、パワーモジュールに冷却器を半田接合して構成される半導体装置を得る。
【解決手段】 ベース板２と、ベース板２の一方の主面上に設けられたパワー半導体素子３と、ベース板２の他方の主面にその一方の主面が固着された絶縁樹脂層４ａと、絶縁樹脂層４ａの他方の主面にその一方の主面が固着された金属層４ｂと、金属層４ｂの他方の主面が露出するようにベース板２、パワー半導体素子３及び絶縁樹脂層４ａを被覆して筐体を形成する樹脂筐体５とを有するパワーモジュール１と、一主面に少なくとも１つの凸状段差部７ｂが形成され、凸状段差部７ｂの少なくとも上面において金属層４ｂの露出面に半田により接合される冷却器７とを備えた半導体装置であって、凸状段差部７ｂの上面の面積が金属層４ｂの他方の主面の面積より小さいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】十分なリペア性を有するとともに、高い接続信頼性を有する異方性導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】本発明の異方性導電性ペーストは、電子部品および配線基板を接続する異方性導電性ペーストである。そして、前記異方性導電性ペーストは、２４０℃以下の融点を有する鉛フリーはんだ粉末１０質量％以上５０質量％以下と、熱硬化性樹脂および有機酸を含有する熱硬化性樹脂組成物５０質量％以上９０質量％以下とを含有し、前記熱硬化性樹脂組成物の酸価は、１５ｍｇＫＯＨ／ｇ以上５５ｍｇＫＯＨ／ｇであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低温においても優れた反応性を有し、なおかつ長期保存安定性に優れ、ＦＯ-ＷＬＰ用半導体装置の封止に適した、圧縮成形用固形封止樹脂組成物及び半導体装置を提供する。
【解決手段】圧縮成形用固形封止樹脂組成物をエポキシ樹脂と、硬化剤と、ホスフィン化合物及びキノン化合物の付加反応物と含んで構成する。前記圧縮成形用固形封止樹脂組成物は、示差走査熱量測定において、１３０℃におけるエポキシ樹脂と硬化剤との反応率が４０％以上になる時間が４００秒以内、又は１２０℃におけるエポキシ樹脂と硬化剤との反応率が４０％以上になる時間が６００秒以内であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体デバイス層が形成されたシリコン基板等の半導体基板の積層体において、高い熱伝導率を有する層間充填材組成物により充填された三次元集積回路積層体を提供する。
【解決手段】半導体デバイス層が形成された半導体基板を少なくとも２層以上積層した半導体基板積層体を有し、該半導体基板間に、樹脂（Ａ）及び平均粒径０．１μｍ以上５μｍ以下、且つ、最大粒径１０μｍ以下であり、熱伝導率が２Ｗ／（ｍ・Ｋ）以上の無機フィラー（Ｂ）を含有する第１の層間充填材層を有する三次元集積回路積層体。 （もっと読む）

【課題】製造コストの上昇を抑制できるとともに、光半導体層の発光効率の低下を防止しながら、均一な白色光を発光して、光の取出効率を向上させることができる発光ダイオード装置の製造方法、および、その製造方法に得られる発光ダイオード装置を提供すること。
【解決手段】ベース基板１６を用意し、電極部４が上に設けられた光半導体層３とベース基板１６とを厚み方向に対向配置させ、電極部４と端子１５とを電気的に接続して、光半導体層３をベース基板１６にフリップチップ実装し、ベース基板１６の上に、光半導体層３および電極部４を被覆するように、光反射成分を含有する封止樹脂層１４を形成し、封止樹脂層１４の上側部を、光半導体層３が露出されるように除去し、シート状に形成された蛍光体層１７を、光半導体層３の上面と接触するように形成して、蛍光体層１７、光半導体層３および電極部４を備える発光ダイオード素子２０を形成する。 （もっと読む）

【課題】回路規模またはメモリ容量を確保しつつも、外力、特に押圧に対する信頼性を高めることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】有機化合物または無機化合物の繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数層、特に３層以上積層したものに有機樹脂１０４を含浸した一対の構造体１０１，１０２と、一対の構造体１０１，１０２の間に設けられた素子層１０３とを有する。素子層１０３と構造体１０１，１０２とは、加熱圧着により固着させることができる。または素子層１０３と構造体１０１，１０２とを固着させるための層を設けても良い。或いは、素子層１０３に繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃを複数重ねた後、繊維体１０１ａ〜１０１ｃ，１０２ａ〜１０２ｃに有機樹脂１０４を含浸させることで、素子層１０３に固着した構造体１０１，１０２を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】光半導体用途において、耐熱黄変性、耐光性、ガスバリア性及び密着性に優れた、透明な硬化物を形成することが可能な熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】式（１）


［Ｒ¹は置換若しくは非置換の炭素数１〜１０のアルキル基、炭素数３〜１０のシクロアルキル基、アリール基又はアラルキル基、Ｒ^２はアクリロキシ基又はメタアクリロキシ基、Ｘは炭素数３〜１０の二価の炭化水素基、ａは１以上の整数、ｂは０以上の整数、ａ＋ｂは３〜２０の整数）で表される環状オルガノポリシロキサンを含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）