【課題】電極間の位置ずれを抑制できる接続構造体の製造方法を提供する。
【解決手段】接続構造体１の製造方法は、電極２ｂを上面２ａに有する第１の接続対象部材２上に、ディスペンサーを移動させながら、異方性導電ペーストをディスペンサーから塗布して、異方性導電ペースト層を形成する工程と、異方性導電ペースト層の少なくとも一部の領域を、除去装置により除去する工程と、異方性導電ペースト層上に、電極４ｂを下面４ａに有する第２の接続対象部材４を積層する工程と、異方性導電ペースト層を加熱して本硬化させて、硬化物層３を形成する工程とを備える。除去装置により除去する前の異方性導電ペースト層３Ａにおいて、第１の領域を除去装置１４により除去するか、又は塗布量が多い第２の領域を除去装置により除去する。 （もっと読む）

【課題】特定温度以上の加熱により優れたリペア性を発現し、通常のヒートサイクルの熱衝撃に対しては、優れた電気的動作を維持することができる、液状エポキシ樹脂組成物及びこれを用いた半導体装置を提供する。
【解決手段】常温で液状のエポキシ樹脂、硬化剤、及び発泡剤を含む液状エポキシ樹脂組成物であって、発泡剤が熱分解型発泡剤であることとする。 （もっと読む）

【課題】
低粘度化による液状性と反応性を保持しつつ硬化物の低弾性率化と高靭性化をはかることができる、液状エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】
常温で液状であるエポキシ樹脂組成物であって、組成成分として、
ａ）常温で液状であるエポキシ樹脂、
ｂ）ポリビニルアセタール系改質材、
ｃ）硬化剤及び硬化促進剤、
ｄ）フィラー
を含有し、前記したポリビニルアセタール系改質材の配合割合は、常温で液状であるエポキシ樹脂１００質量部に対して、０．５〜２０質量部の範囲内であり、かつ、液状エポキシ樹脂組成物の全体量に対して、０．５〜７質量％の範囲内である。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、（Ｅ）アミノ基を含有するシランカップリング剤と、を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 アンダーフィルにより樹脂封止された半導体チップを、樹脂残渣少なく且つ基板表面を傷つけることなく配線基板から取り外すことができるようにする。
【解決手段】 配線基板10上にはんだバンプ8を介して半導体チップ1が搭載され、封止樹脂9により封止されている半導体装置において、封止樹脂9にはシロキサン骨格を有する多層構造の粒子が添加されている。半導体チップ1をリペアする際には、加熱して封止樹脂9の密着強度を低下させた状態で剥離用プレート12を、配線基板10と半導体チップ1との隙間に挿入して〔（ｂ）図〕、封止樹脂９を配線基板10から剥離し、半導体チップ1を取り除く〔（ｃ）図〕。 （もっと読む）

【課題】半導体素子・配線回路基板間の熱膨張率差による接続不良を改善するとともに、半導体素子・配線回路基板の端子間での無機質充填剤の噛みこみを、より確実に抑え、接続信頼性を向上させた、封止用樹脂シートおよびそれを用いた半導体装置、並びにその半導体装置の製法を提供する。
【解決手段】配線回路基板と半導体素子との間の空隙を樹脂封止するための封止用樹脂シート１であって、上記封止用樹脂シート１が、無機質充填剤含有層３と無機質充填剤不含層２との二層構造のエポキシ樹脂組成物シートであり、無機質充填剤含有層３の溶融粘度が１．０×１０²〜２．０×１０⁴Ｐａ・ｓ、無機質充填剤不含層２の溶融粘度が１．０×１０³〜２．０×１０⁵Ｐａ・ｓ、両層の粘度差が１．５×１０⁴Ｐａ・ｓ以上であり、無機質充填剤不含層２の厚みが、半導体素子に設けられた接続用電極部の高さの１／３〜４／５である。 （もっと読む）

【課題】高熱伝導率と低誘電率、高隙間流入性とを兼備した液状封止樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】半導体素子と基板とをバンプ接続した後、半導体素子と基板との隙間を封止する際に用いる液状封止樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）無機充填材を含有し、（Ｃ）無機充填材が球状アルミナと球状シリカとの混合物を含み、且つ（Ｄ）塩基性化合物を含有することを特徴とする液状封止樹脂組成物であり、好ましくはｐＨ値が７以上である液状封止樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】スピンコート法により半導体ウェハー表面に塗布した場合において、厚みが均一な塗布膜を形成可能な、ウェハレベルアンダーフィル工法に用いられるプリアプライド用封止樹脂組成物を提供する。
【解決手段】本発明のプリアプライド用封止樹脂組成物は、半導体チップと基板との間隙を封止する封止樹脂層を得るために用いられる。当該封止樹脂層は、半田バンプを備えた半導体ウェハーの該半田バンプを備えた表面上にスピンコート法により塗布しＢ−ステージ化し、当該半導体ウェハーを個片化することにより得られる塗布膜付き半導体チップを、半田バンプを介して基板にフリップチップ実装することにより該塗布膜から形成される。当該プリアプライド用封止樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填剤と、（Ｄ）溶剤と、を含んでなり、粘度ａ／粘度ｂで表されるチキソ比が１．５以下である。
粘度ａ：ブルックフィールド型粘度計を用い、０．５ｒｐｍ、２５℃で測定。
粘度ｂ：ブルックフィールド型粘度計を用い、２．５ｒｐｍ、２５℃で測定。 （もっと読む）

【課題】内蔵する電子部品を所定の厚みで埋没できる電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シート、電子部品内蔵モジュール及び電子部品内蔵モジュールの製造方法を提供する。
【解決手段】電子部品内蔵モジュール用層間絶縁シートは、常温以上樹脂粘度上昇開始温度以下の温度範囲内で電子部品の周囲を埋没させ、かつ電子部品内蔵モジュール内の層間絶縁をする工程に使用される樹脂シートであって、樹脂シートは、未硬化の熱硬化性樹脂からなり、常温にて固形で、電子部品を埋没する温度にて粘度が３００Ｐａ・ｓ以上１０００Ｐａ・ｓ以下、電子部品を埋没する温度から熱硬化性樹脂が粘度上昇を開始する樹脂粘度上昇開始温度までの粘度変化率が２０％以下、である。 （もっと読む）

【課題】硬化物における難燃性、耐熱性に優れる硬化性樹脂組成物、その硬化物、及び、該硬化性樹脂組成物を用いたプリント配線基板用樹脂組成物、プリント配線基板、フレキシブル配線基板用樹脂組成物、半導体封止材料用樹脂組成物、及びビルドアップ基板用層間絶縁材料用樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂（Ａ）、硬化剤（Ｂ）、及び、下記構造式（１）
【化１】


（式中、Ｘ^１及びＸ^２は、それぞれ独立的に水素原子又は水酸基であり、Ａは水素原子、又は水酸基である。但し、Ｘ^１及びＸ^２の少なくとも一方は水酸基である。）で表されるリン原子含有化合物（Ｃ）を必須成分とする。 （もっと読む）

【課題】 室温での長期保存性に優れ、硬化性や流動性が良好な樹脂成形体の製造方法を提供すること。
【解決手段】
エポキシ樹脂、硬化剤及び無機質充填材を含み、かつ硬化促進剤の一部分（Ａ１）を含む第１組成分を混合、加熱溶融、混練、破砕して第１粉体を得る混練・破砕工程と、硬化促進剤の残りの部分（Ａ２）を含む第２組成分を粉砕して第２粉体を得る粉砕工程と、第１粉体と第２粉体とを、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以下の温度で分散混合して樹脂組成物を得る混合工程と、樹脂組成物を、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以上の温度にならないように加圧して樹脂成形体を成形する成形工程とを有し、硬化促進剤の残りの部分（Ａ２）と、エポキシ樹脂及び硬化剤とを含む混合物を、エポキシ樹脂、硬化剤及び硬化促進剤の融点又は軟化点以上に加熱する工程を経ずに成形体を得る樹脂成形体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】流動性、離型性、連続成形性等に優れ、さらに耐半田リフロー性等の硬化物特性にも優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物、および当該組成物で半導体素子を封止してなる半導体装置を提供する。
【解決手段】本発明の半導体封止用エポキシ樹脂組成物は、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機質充填材、（Ｅ）離型剤、（Ｆ）シランカップリング剤及び（Ｇ）芳香環を構成する２個以上の隣接する炭素原子にそれぞれ水酸基が結合した化合物を必須成分とする。前記離型剤（Ｅ）が、酸化ポリエチレンワックス（Ｅ１）、グリセリントリ脂肪酸エステル（Ｅ２）及び酸化パラフィンワックス（Ｅ３）よりなる群から１種以上選択される化合物であり、全エポキシ樹脂組成物中に、成分（Ｅ）を０．０１重量％以上、１重量％以下、成分（Ｇ）を０．０１重量％以上、１重量％以下含む。 （もっと読む）

【課題】高温・高圧による実装においても絶縁性の著しい低下が起こることのない半導体接着用絶縁性フィルムを得ることを課題とする。
【解決手段】
（Ａ）マイクロカプセル型硬化剤、（Ｂ）エポキシ樹脂および（Ｃ）有機溶剤可溶性ポリイミドを含有する半導体用絶縁性接着剤であって、半導体用絶縁性接着剤のＤＳＣにより測定した反応ピーク温度が１７０〜２００℃であり、（Ａ）マイクロカプセル型硬化剤のマイクロカプセル内部にアミン系硬化剤の粒子を有することを特徴とする半導体用絶縁性接着剤。 （もっと読む）

【課題】注入性に優れ、フィレットクラックおよびボイドの発生が抑制され、ガラス転移温度の低下が抑制された半導体樹脂封止材の提供。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）アミン系硬化剤、（Ｃ）フィラー、（Ｄ）コアシェルゴム、および、（Ｅ）反応性希釈剤よりなり、前記（Ｅ）反応性希釈剤が、１分子中に２以上のグリシジル基を含む化合物からなり、前記（Ｂ）アミン系硬化剤の含有量が、前記（Ａ）エポキシ樹脂および前記（Ｅ）反応性希釈剤のエポキシ当量に対して、０．５〜１．５当量であることを特徴とする半導体樹脂封止材。 （もっと読む）

【課題】長期耐熱性を有し、かつ高い接着性を有する樹脂組成物及びそれを用いた半導体封止材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１０〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜１０００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部にたいして（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】放熱性に優れ、かつ成形が容易な封止材を備えた半導体パッケージを提供する。
【解決手段】半導体パッケージの封止材４が、熱硬化性樹脂組成物に、該熱硬化性樹脂組成物に対して容量比で７０：３０〜５：９５の範囲にある無機酸化物フィラーが分散されてなる熱伝導性樹脂組成物であって、該無機酸化物フィラーが、容量比で５：９５〜４０：６０の範囲にある酸化マグネシウム粉末と二酸化ケイ素粉末とを含むことを特徴とする熱伝導性樹脂組成物から形成されている。 （もっと読む）

【課題】絶縁樹脂の表面がシールド層で被覆された電子回路モジュール部品を電子機器に実装する際に、リフロー工程において前記電子回路モジュール部品に発生する不具合を低減すること。
【解決手段】電子回路モジュール部品１は、電子部品２と、電子部品２が実装された基板３と、空隙を有し、電子部品２の少なくとも一部と接する第１樹脂４と、第１樹脂４を覆い、かつ第１樹脂４よりも空隙率の低い第２樹脂９と、少なくとも第２樹脂９を被覆し、かつ基板３のグランド８と電気的に接続された金属層５と、金属層５に設けられ、かつ少なくとも第１樹脂４の一部を金属層５の外部に露出させる開口部５Ｈと、電子部品２の側面２Ｓと接する第１樹脂４と、電子部品２の側面２Ｓと対向する位置に設けられる金属層５との間に、第２樹脂９を介在させた封止部１０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】保存安定性に優れ、かつ、先供給方式によりフリップチップ接続を行う場合でも充分な接続信頼性を得ることが可能な樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂、酸無水物、硬化促進剤及びフラックス剤を含み、硬化促進剤がイミダゾール類の有機酸付加体である、半導体封止充てん用エポキシ樹脂組成物。前記有機酸が、イソシアヌル酸、芳香族カルボン酸及びルイス酸からなる群より選ばれる少なくとも１種の有機酸である、上記に記載の半導体封止充填用エポキシ樹脂素組成物６である。 （もっと読む）

【課題】優れた絶縁信頼性及び流動性を示し、非ハロゲン系において優れた難燃性が発揮され、半導体封止材、成形材料、積層材料、粉体塗料及び接着材料等に有用なエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】エポキシ樹脂、フェノール系硬化剤、無機充填剤及び金属水酸化物系難燃剤を含有するエポキシ樹脂組成物において、エポキシ樹脂成分として、ホルムアルデヒドとフェノール類との縮合物に、スチレン類を付加させることによって得られた多価ヒドロキシ化合物に、グリシジル基を導入することにより得られるエポキシ樹脂を使用したエポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】電子部品同士を半田接合し、半田接合部の空隙を熱硬化性樹脂を含有する樹脂層で充填させ、半田接合部を補強する電子部品の製造方法において、空洞（エアギャップ）の発生を抑制することができ、さらに、ボイド（気泡）の発生をも抑制することができる、電子部品の製造方法および電子部品を提供する。
【解決手段】第１電子部品１または第２電子部品３の少なくとも一方に、熱硬化性樹脂を含有する樹脂層５を形成する第１の工程と、第１接続用金属電極２と第２接続用金属電極４を当接させる第２の工程と、両接続用金属電極を半田接合させる第３の工程と、を有する電子部品の製造方法において、第３の工程において、板状体を有する加圧装置で加圧を維持しながら前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度に加熱し、さらに、前記半田接合に用いる半田の融点以上の温度で加圧を開放する。 （もっと読む）