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【課題】パッケージ内部のボイドが極めて少なく、従来以上に流動性を向上させつつ、耐半田性、及び硬化性のバランスに優れた封止用樹脂組成物、ならびに、それを用いた信頼性に優れた半導体装置を経済的に提供すること。
【解決手段】エポキシ樹脂(A)と、一般式(1)で表されるフェノール樹脂系硬化剤(b1)及び一般式(2)で表されるフェノール樹脂系硬化剤(b2)とを含むフェノール樹脂系硬化剤(B)と、無機充填剤(C)と、硬化促進剤(D)と、を含むことを特徴とする封止用樹脂組成物、ならびに、その封止用樹脂組成物の硬化物で素子が封止されていることを特徴とする電子部品装置。 (もっと読む)


【課題】耐熱着色性、耐UV着色性、強度、たわみに優れ、シロキサン骨格を内部に有しながらも線膨張係数が低い熱硬化性樹脂組成物を提供する。
【解決手段】一般式(1)で表され、エポキシ当量(g/eq.)が200〜2000であるエポキシシシリコーン樹脂及びこれを含む熱硬化性樹脂組成物。


1はエポキシ基を有する1価の有機残基である。 (もっと読む)


【課題】反り温度依存性が低減され、パウダーブロッキング性に優れた半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の(A)〜(C)成分とともに、下記の(D)および(E)成分を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物であって、上記(D)成分の含有量が、エポキシ樹脂組成物全体の0.1〜1.5重量%である。(A)エポキシ樹脂。(B)フェノール樹脂。(C)無機質充填剤。(D)エチレングリコール骨格を有するオリゴマー(E)下記の(α)および(β)の少なくとも一方からなる離型剤。(α)数平均分子量が550〜800である直鎖飽和カルボン酸。(β)酸化ポリエチレンワックス。 (もっと読む)


【課題】硬化後、可視光から近紫外光の反射率が高い熱硬化性光反射用樹脂組成物、それを用いた光半導体搭載用基板及びその製造方法提供する。
【解決手段】(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒、(D)無機充填剤、(E)白色顔料、および(F)カップリング剤を含有する熱硬化性樹脂組成物において、熱硬化後の、波長800nm〜350nmにおける光反射率が80%以上であり、熱硬化前には室温(25℃)で加圧成型可能なことを特徴とする熱硬化性光反射用樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】部品点数を増加させることなく、半導体素子間の沿面放電の発生を効果的に抑制し、小型であって耐久性に優れたパワーモジュールを提供する。
【解決手段】基板2と、基板2の一側面2Aに所定の間隔を置いて載置固定された複数の半導体素子1a,1bと、基板2の一側面2A上の複数の半導体素子1a,1bの間に形成されたプライマー層40と、基板2の一側面2A上に複数の半導体素子1a,1bとプライマー層40を封止する封止樹脂体30と、を具備し、複数の半導体素子1a,1bの間に形成されたプライマー層40と封止樹脂体30との界面40Aは凹凸形状を呈している。 (もっと読む)


【課題】表面実装技術において、フラックスの洗浄工程を不要とし、製造コストの削減、生産性を向上させ、硬化後の塗布樹脂及びアンダーフィル樹脂等に気泡やボイド等が全く生じない活性樹脂組成物の提供。
【解決手段】プリント配線基板1表面の少なくとも一部に下記活性樹脂組成物3を塗布し、表面実装部品4をプリント配線基板1上に搭載し、リフロー半田付けを行い、アンダーフィル樹脂11を充填し、その後、塗布樹脂3及びアンダーフィル樹脂11を加熱硬化する表面実装技術であって、アンダーフィル樹脂11の充填前及び/又は後に、真空操作及び/又は塗布樹脂3とアンダーフィル樹脂11の何れの硬化温度よりも低い温度での加熱を行う。活性樹脂組成物3は、エポキシ樹脂100重量部に対し、ブロックカルボン酸化合物1〜50重量部カルボン酸化合物1〜10重量部、並びに硬化反応開始温度150℃以上の硬化剤1〜30重量部を含有する。 (もっと読む)


【課題】本発明は、リードフレーム表面に、樹脂との密着性を向上させるための凹部を形成する場合であっても、ダイシング時のカットストレスによるリードフレームの塑性変形を防止することが可能な、光半導体装置用リードフレーム、樹脂付き光半導体装置用リードフレーム、および光半導体装置を提供することを目的とするものである。
【解決手段】リードフレーム表面の前記連結部の近傍以外の領域に前記凹部を形成し、前記連結部の近傍領域には前記凹部を形成しないようにして、前記連結部の近傍領域のリードフレームの厚みを、前記凹部が形成された領域の厚みよりも厚く保つことにより、上記課題を解決する。 (もっと読む)


【課題】200℃程度の高温条件で回路部材同士の接続を行った場合でも、回路部材の反りを十分に抑制できる接着剤組成物及びこれを用いた回路接続材料を提供すること。
【解決手段】本発明の接着剤組成物は、回路部材同士を接着するとともにそれぞれの回路部材が有する回路電極同士を電気的に接続するために用いられるものであって、エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、及び、架橋反応性基を有し且つ重量平均分子量が30000〜80000であるアクリル系共重合体を含有する。当該接着剤組成物を温度200℃で1時間加熱して得られる硬化物は、−50℃における貯蔵弾性率が2.0〜3.0GPaであり且つ100℃における貯蔵弾性率が1.0〜2.0GPaであるとともに、−50〜100℃の範囲における貯蔵弾性率の最大値と最小値との差が2.0GPa以下である。 (もっと読む)


【課題】カメラによる突起状電極及び/又はアライメントマークのコントラスト像の認識を容易にし、高精度な接合を行うことのできる半導体チップ接合体の製造方法を提供する。
【解決手段】突起状電極、又は、突起状電極及びアライメントマークを有し、マトリックスとしての樹脂成分と樹脂成分に不溶な固体成分とを含有する封止樹脂層が前記突起状電極及び/又は前記アライメントマークを被覆するように設けられた半導体チップを準備する工程と、前記封止樹脂層に対して、600nm以上の波長を含む光を光軸が斜めになるように照射し、前記突起状電極及び/又は前記アライメントマークのコントラスト像をカメラにより認識させる工程と、被接合体としての基板又はその他の半導体チップに対して、前記半導体チップの位置調整を行う工程と、前記半導体チップの前記突起状電極と、前記基板又はその他の半導体チップの電極部とを接合するとともに、前記封止樹脂層を硬化させる工程とを有する半導体チップ接合体の製造方法。 (もっと読む)


【課題】インサート成形時の樹脂材料の圧力による半導体素子モジュールの不具合を防止することが可能な電装ユニットを提供する。
【解決手段】半導体スイッチング素子22を第1モールド樹脂部26で封止した半導体素子モジュール21を金型50内に配し、金型50に設けられた流入口54Aから第2樹脂材料を金型50内に流入させて行うインサート成形により第2モールド樹脂部33が第1モールド樹脂部26を包囲するように形成される電装ユニット10であって、半導体素子モジュール21は、半導体スイッチング素子22と電気的に接続される複数の端子23B,24B,25Bを備え、第1モールド樹脂部26は、端子の並び方向に沿った扁平な形状をなし、第1モールド樹脂部26のうち端子の並び方向における端部には、当該端部を先細とする先細部28Aが形成されており、この先細部28Aは、金型50における流入口54Aに対応する位置に設けられている。 (もっと読む)


【課題】エポキシ硬化剤として有用な新規なフェノール樹脂、該フェノール樹脂の製造方法、及び該フェノール樹脂の使用を提案すること。
【解決手段】一般式(1)で表されるフェノール樹脂、及び該フェノール樹脂をエポキシ樹脂硬化剤として含有するエポキシ樹脂組成物。


(式中、R1、R2、R3は、それぞれ独立して、水素原子、炭素数1〜10のアルキル基、アリール基又は水酸基のいずれかであり、n、qは、それぞれ独立して、0〜4の整数であり、pは、それぞれ独立して、0〜3の整数であり、Xは、置換基を有してよいアルキレン基であり、mは、0〜30の整数である) (もっと読む)


【課題】封止材のクラック及び剥離の発生を抑制し、高信頼性の半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ベース板10と、実装基板30と、半導体素子50と、ホルダ20と、ホルダ端子21と、ケース90と、第1封止層71と、第2封止層72とを備えた半導体装置110が提供される。実装基板30は、ベース板10の上に設けられる。半導体素子50は、実装基板30の上に設けられる。ホルダ20は、実装基板30の上方に設けられる。ホルダ端子21は、ホルダ20に保持され、半導体素子50と電気的に接続される。ケース90は、実装基板30を実装基板30の側面に沿って取り囲み、ホルダ20をホルダ20の側面に沿って取り囲む。第1封止層71は、ケース90で取り囲まれた空間内において実装基板30及び半導体素子50を覆う。 (もっと読む)


【課題】低粘度で取り扱いが容易であり、かつ硬化物が良好な長期耐熱性及び機械特性を有する樹脂組成物及びその半導体封止材料への利用方法を提供する。
【解決手段】(A)2以上12以下の−OCN基を有するシアン酸エステル化合物100重量部、(B)1以上11以下のフェノール性水酸基を有するフェノール化合物1〜200重量部、(C)無機充填剤1〜1000重量部を含有し、かつ無機充填剤を除いた樹脂成分にたいして(D)有機金属化合物の含有量が100ppm以下である、熱硬化性樹脂組成物。 (もっと読む)


【課題】エポキシ樹脂組成物にした際に溶解性が良好であり、かつ、エポキシ樹脂硬化物に高い耐熱性を付与できるエポキシ樹脂用硬化剤として用いることができる、新規なカリックスアレーン系化合物を提供する。
【解決手段】下記式(I−1)で示される特定構造を有するカリックスアレーン系化合物。
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【課題】半導体チップと基板との接合を高温条件で実施することが可能であり、高い生産性及び高い接続信頼性の両方を十分高水準に達成できる半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明は、ステージ及び圧着ヘッドを有する圧着装置によって半導体チップと基板との接合を行う半導体装置の製造方法において、半導体チップと、基板と、これらの間に配置された半導体封止用の接着剤層とを有する積層体に対し、圧着ヘッド及びステージによって当該積層体の厚さ方向に押圧力を加えるとともに、当該積層体を加熱する熱圧着工程を備え、接着剤層をなす接着剤組成物は、350℃における溶融粘度が350Pa・s以下であり、熱圧着工程において、圧着ヘッドの温度とステージの温度の差が300℃未満となるように設定し、半導体チップと基板との接合を行う、半導体装置の製造方を提供する。 (もっと読む)


【課題】封止剤のメニスカス制御を可能とする半導体発光デバイスのパッケージを提供する。
【解決手段】LEDチップ114を搭載するためのサブマウントは、基板110と、基板の上面上にLEDチップを受け入れるように構成されたダイ取り付け台と、ダイ取り付け台を取り囲み、基板の上面の第1の封止剤用領域を区画する、基板上の第1のメニスカス制御用部材116と、第1の封止剤用領域を取り囲み、基板の上面の第2の封止剤用領域を区画する、基板上の第2のメニスカス制御用部材118とを含む。第1および第2のメニスカス制御用部材はダイ取り付け台と実質的に共平面であってもよい。パッケージされたLEDは上記のサブマウントを含み、更に該ダイ取り付け台上のLEDチップと、第1の封止剤用領域内の、基板上の第1の封止剤130と、第2の封止剤用領域内の、第1の封止剤を覆う、基板上の第2の封止剤140とを含む。 (もっと読む)


【課題】硬化性に優れており、かつ硬化物の黄変が生じ難い半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、酸無水物硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材とを含む。上記酸化チタン及び上記充填材の内の少なくとも一方の成分は、該成分5gを純水100mLに加えた液を加熱し、5分間沸騰させた後、23℃に達するまで静置し、沸騰処理液を得、次に得られた沸騰処理液に、沸騰により蒸発した水量の水を加えて水量を100mLとした液のpHを測定したときに、pHが7を超え、11以下の値を示す成分を含有する。 (もっと読む)


【課題】低誘電率、低誘電正接、優れた耐熱性および難燃性を兼ね備え電子部品用途に好適な硬化物を与える活性エステル樹脂、熱硬化性樹脂組成物、及びそれからなる半導体封止材料、回路基板、ビルドアップフィルムを提供すること。
【解決手段】


(nは1以上の整数)と芳香族モノ及び/又はジカルボン酸のエステル樹脂(A)および、(A)を硬化剤とするエポキシ樹脂組成物、該組成物の硬化物、該硬化物からなる半導体封止材料、回路基板、およびビルドアップフィルム。 (もっと読む)


【課題】 トランスファー成形時の離型性が十分に高く連続成形性に優れ、光半導体素子搭載用基板に必要とされる光学特性に優れる硬化物を形成可能である光反射用熱硬化性樹脂組成物を用いたリフレクターの製造方法を提供すること。
【解決手段】 光反射用熱硬化性樹脂組成物をトランスファー成形により成形して、熱硬化性樹脂組成物の硬化物からなるリフレクターを形成する工程を備え、熱硬化性樹脂組成物が、(A)エポキシ樹脂、(B)硬化剤、(C)硬化触媒及び(D)白色顔料を含有し、(A)エポキシ樹脂及び(B)硬化剤の少なくとも一方が、オルガノシロキサン骨格を有する化合物を含む、リフレクターの製造方法。 (もっと読む)


【課題】加工性に優れた成形体を得ることができ、更にリードフレームに対する成形体の密着性を高めることができる光半導体装置用白色硬化性組成物を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置用白色硬化性組成物は、エポキシ化合物と、硬化剤と、酸化チタンと、酸化チタンとは異なる充填材と、硬化促進剤とを含む。熱硬化前の上記光半導体装置用白色硬化性組成物1gをアセトン5gと純水5gとを含む液10g中に入れ、80℃で1時間撹拌しながら加熱し、次に加熱後の液中の不溶成分をろ過によって除去して抽出液を得たときに、該抽出液のpHは3以上、6以下である。加熱により硬化された後の硬化物1gを用いて、上述の方法と同様にして抽出液を得たときに、該抽出液のpHは6以上、7以下である。 (もっと読む)


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