【課題】 アルミニウム材への初期密着強度に優れ、かつ冷熱サイクル負荷や１５０℃以上の高温下での環境負荷に対する耐久性に優れる電気電子部品封止用樹脂組成物、およびこれを用いた電気電子部品封止体を提供する。
【解決手段】 ポリカーボネート成分が共重合されている結晶性ポリエステル樹脂（Ａ）、 エポキシ樹脂（Ｂ）、 フッ素樹脂（Ｃ）、 を含有し、 水分率０．１％以下に乾燥して２２０℃に加熱し圧力１ＭＰａを付与し、孔径１．０ｍｍ、厚み１０ｍｍのダイより押し出したときの溶融粘度が５ｄＰａ・ｓ以上３０００ｄＰａ・ｓ以下である、電気電子部品封止用樹脂組成物。 （もっと読む）

【解決手段】１．６１より大きく１．７以下の屈折率を示し、かつ室温および大気圧で液体である硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体であり、面を有する半導体発光ダイオードダイを製造する方法。前記半導体発光ダイオードダイは前記面から光を放射するものである。さらに、半導体発光ダイオードダイを硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体と接触させ、並びに、硬化性液体ポリシロキサン／ＴｉＯ_２複合体を硬化させて、光学エレメントを形成する方法。
【効果】光学エレメントの少なくとも一部分が前記面に隣接することを含む、光学エレメントを有する発光ダイオード（ＬＥＤ）を製造する方法が提供される。 （もっと読む）

【課題】ボイドの発生を低減することができ、硬化後に低線膨張率となる信頼性の高い電子部品用接着剤を提供する。
【解決手段】脂肪族エポキシ化合物とベンゾオキサジン化合物とを硬化主剤として含有し、かつ、フェノール系硬化剤を含有する電子部品用接着剤。 （もっと読む）

【課題】半導体パッケージにおいて、半導体素子と、多層配線基板のギャップを液状アンダーフィルによって封止した後、この周囲をバックフィルで埋めるとき、多層配線基板上に搭載されている積層セラコンなどの受動部品が樹脂下に埋没することがある。このような半導体パッケージをＰＷＢなどに２次実装する際、突起電極接合時の熱履歴によって、埋没した積層セラコン下ではんだフラッシュと呼ばれる短絡が発生することがある。
【解決手段】アンダーフィル封止後の半導体パッケージに塗布するバックフィルを、連続気泡多孔体材料とすることで、熱履歴時の樹脂と突起電極膨張から発生する内部圧力の緩和と放熱を行い、樹脂と受動部品間の剥離を防ぐ。これにより半導体パッケージをＰＷＢに２次実装する際に起こりやすいはんだフラッシュを防止する。 （もっと読む）

【課題】液状封止樹脂組成物で封止した半導体モジュール部品において、実装時の反りが少ない、より薄い半導体モジュール部品を提供すること。
【解決手段】コア材を含むコア基板から構成されるモジュール用回路基板に半導体チップ及び／又は受動素子を搭載し、樹脂組成物で封止してなる半導体モジュール部品において、前記樹脂組成物が（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）無機充填材、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）二級アミノ基または三級アミノ基を有するシラン化合物を必須成分とする液状樹脂組成物であり、前記液状樹脂組成物の硬化物の２５０℃での弾性率が１〜１５ＧＰａであり、２５℃から２６０℃までの熱膨張率が２５００〜４５００ｐｐｍであり、前記半導体モジュール部品の高さが１．６ｍｍ以下である半導体モジュール部品。 （もっと読む）

【課題】パッケージを用いることなく、半導体集積回路の耐湿性も含めた信頼性が確保されて実装できるようにする。
【解決手段】化合物半導体からなる第１基板１０１の主表面に形成された集積回路を備える集積回路層１０２と、集積回路層１０２を覆って第１基板１０１の上に形成された絶縁膜１０３と、絶縁膜１０３の上に貼り付けられた第２基板１０４とを備える。絶縁膜１０３は、例えば、窒化シリコンなど耐湿性に優れた絶縁材料から構成するとよく、膜厚は０．２〜０．３μｍ程度に形成されていればよい。また、第２基板１０４は、例えば、シリコン基板であればよい。シリコン化合物からなる絶縁膜１０３と、シリコン基板からなる第２基板１０４であれば、例えば、１０^-5Ｐａ程度の高真空状態で、適宜に加圧することで、直接接合により貼り合わせることができる。 （もっと読む）

【課題】長期耐熱性を有し、かつ高い接着性を有する樹脂組成物及びそれを用いた半導体封止材料を提供する。
【解決手段】（Ａ）一分子中に平均して２個以上のシアナト基を有するシアン酸エステル化合物１００重量部、（Ｂ）フェノール化合物１０〜５００重量部、（Ｃ）トリアリルイソシアヌレート１〜５００重量部、（Ｄ）無機充填剤１〜１０００重量部を含有し、さらに（Ａ）成分と（Ｂ）成分と（Ｃ）成分の合計量１００重量部にたいして（Ｅ）エポキシ樹脂０〜２０重量部を含有する熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】ポリイミド回路基板において好適に使用できるポリイミド系のアンダーフィル材であり、高周波領域において発生しやすいノイズを抑制し、消費電力を抑えることができる、低誘電性アンダーフィル用樹脂組成物およびその硬化膜を提供する。
【解決手段】ポリイミドまたはその前駆体であるポリアミド酸（Ａ）と、平均粒子径が１００μｍ以下のポリオレフィン粒子（Ｂ）、溶媒（Ｃ）とを混合して得られるアンダーフィル用樹脂組成物であって、前記樹脂組成物を加熱乾燥して得られる硬化膜は、ポリイミドの連続相と、前記ポリオレフィン粒子（Ｂ）から得られる分散相とを有し、硬化膜の比誘電率は、前記ポリイミドの比誘電率よりも低いアンダーフィル用樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】配線の設計自由度を向上させた半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、前記絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、前記絶縁基材の前記上面から前記下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、前記回路基板の前記上面側に搭載された半導体素子と、前記半導体素子を封止し、前記回路基板の前記上面に設けられた封止樹脂層と、を備える。さらに、半導体装置は、前記封止樹脂層の上面と、前記封止樹脂層の側面の一部と、を覆う導電性シールド層と、前記封止樹脂層の前記側面の一部を覆う前記導電性シールド層と、前記第１配線層を構成する複数の配線の少なくとも１つと、を電気的に接続する導電部材と、を備える。 （もっと読む）

【課題】電磁ノイズを外部に放射しない点より信頼性の高い半導体装置を提供することである。
【解決手段】実施形態の半導体装置は、絶縁基材と、絶縁基材の上面側に設けられた第１配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の下面側に設けられた第２配線層を構成する複数の配線と、絶縁基材の上面から下面にまで貫通する複数のビアと、を有する回路基板と、回路基板の上面側に搭載された半導体素子と、半導体素子および導電部材を封止し、回路基板の上面に設けられた封止樹脂層と、封止樹脂層と、回路基板の端部の一部と、を覆う導電性シールド層と、を備える。複数のビアのいずれかと、導電性シールド層と、は、電気的に接続され、第２配線層を構成する複数の配線のいずれかは、グランド電位になることが可能であり、グランド電位になることが可能な第２配線層のそれぞれは、複数のビアのいずれかに電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】半導体チップと外部基板を接合する接合樹脂による接合応力を均一化し、半導体チップのトランジスタ特性変動が生じない半導体装置を提供する。
【解決手段】フリップチップ組立において、半導体チップ１と外部基板１３の間に接合樹脂１７を注入して接合させる際、本接合樹脂を２種類にわけ、半導体チップ１の中心部分には低応力接合樹脂２３、周辺部分には高応力接合樹脂２１を注入したり、半導体チップ１の中心部分にはＳｉＮ等をはじめとした第１層表面保護膜とポリイミドやＰＢＯ等をはじめとした第２層表面保護膜の２層構造、周辺部分にはＳｉＮ等をはじめとした第１層表面保護膜の１層構造とすることにより、半導体チップ１内のトランジスタ特性変動を抑制する。 （もっと読む）

【課題】微粒子やポリマーを配合することなく、強靭化されたエポキシ樹脂組成物を提供する。
【解決手段】（ａ）エポキシ樹脂、（ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤、（ｃ）分子内に少なくとも一つ以上のアクリル基を有する改質剤を含むエポキシ樹脂組成物であって、前記エポキシ樹脂組成物の硬化物が、（ａ）エポキシ樹脂と（ｂ）エポキシ樹脂の硬化剤を含む樹脂組成物の硬化物よりも強靭化されている、エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】封止樹脂の耐光性、およびプライマー層のガス遮断性の機能を保ちながら、材料構成を変更せず、封止樹脂の接着性を向上させる発光部品およびその製造方法を提供する。
【解決手段】発光素子とガス遮断性の高いプライマー層とを、耐光性が優れる封止樹脂で封止すると共に、上記プライマー層をガス遮断層と、封止樹脂の接着性を向上させる密着層からなる多層構造とすることで、封止樹脂の接着性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】高いガラス転移温度を有し長期耐熱性に優れ、デバイスとしての信頼性を向上させることができる高耐熱性を備えた熱硬化性樹脂組成物硬化体の製法を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｃ）成分を含有する熱硬化性樹脂組成物を１００〜２００℃の温度にて１〜６０分間加熱した後、さらに２２０〜３５０℃の温度で１０〜６０００分間加熱することにより上記熱硬化性樹脂組成物を硬化させ硬化物を作製する。
（Ａ）アリル化ナフトール樹脂。
（Ｂ）エポキシ樹脂。
（Ｃ）硬化促進剤。 （もっと読む）

【課題】硬化性、透過率及び加熱クラック耐性に優れ、かつ泡の発生（泡不良）がない硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キットの提供。
【解決手段】シラノール基及びアルコキシシリル基の少なくともいずれかを有するポリオルガノシロキサンと、アルキルシリケートとを少なくとも含むＡ液と、０．２５ｍｏｌ／ｋｇ以上のジルコニウム錯体化合物及びアルミニウム錯体化合物の少なくともいずれかと、溶媒とを少なくとも含むＢ液とを混合することを特徴とする硬化物の製造方法、半導体発光デバイスの製造方法、硬化物製造用キット、及び半導体発光デバイス封止物の製造用キット。 （もっと読む）

【課題】効果的に部分放電を抑止できる絶縁膜を被覆することで、動作信頼性を向上させるとともに、小型化が可能になるパワーモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】パワーモジュールは絶縁基板１と、絶縁基板１上に形成された導体パターン２と、導体パターン２と接合部材により接続された半導体チップより構成される。半導体チップ上面には電極５が形成されており、パワーモジュールは電極５と、前記半導体チップ外周端面と、前記半導体チップ外周端面と連続する前記接合部材と、導体パターン２と、絶縁基板１の表面とを被覆し、無機材料からなる絶縁膜６とを備える。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄型化並びに小型化を実現しつつ、基板と樹脂封止体との密着性を向上し、エレクトロマイグレーションに起因する導電体間の短絡を防止することができ、電気的信頼性を向上することができる電子回路装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】電子回路装置において、絶縁基材１１１〜１１３に導電体１１５〜１１８が配設された基板１１と、基板１１上に配設された電子部品と、基板１１及び電子部品を覆う樹脂封止体１７と、基板１１の端面１１Ｃと樹脂封止体１７との間に配設され、基板１１と樹脂封止体１７との密着性に比べて高い密着性を有する樹脂被膜３７とを備える。 （もっと読む）

【課題】外からの衝撃に対する強度を保ちながらも、ケーブル（シース）とモールド樹脂部との界面の高気密化に寄与することが可能なケーブル付樹脂モールド構造の提供を目的とする。
【解決手段】少なくとも、導体１８と、導体１８の外周を覆うシース１７と、を有するケーブル１６と、ケーブル１６のシース１７の外周を部分的に樹脂モールドする第一樹脂部１２と、第一樹脂部１２と同一の樹脂１４からなり、シース１７の外周と第一樹脂部１２とを部分的に樹脂モールドする第二樹脂部１３と、を有するケーブル付樹脂モールド構造において、第一樹脂部１２には、繊維状ガラスフィラ１５が含まれておらず、第二樹脂部１３には、繊維状ガラスフィラ１５が含まれていることを特徴とするケーブル付樹脂モールド構造１１である。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐半田性に優れたエポキシ樹脂組成物及び半導体装置を提供することにある。
【解決手段】本発明のエポキシ樹脂組成物は、半導体封止に用いるエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂と、（Ｂ）硬化剤と、（Ｃ）無機充填材と、（Ｄ）テトラ置換ホスホニウム塩（ｄ１）、ホスホベタイン化合物（ｄ２）、及びホスフィン化合物とキノン化合物との付加物（ｄ３）から選ばれる１種、又は２種以上のテトラ置換有機リン化合物と、（Ｅ）水と、を用いることを特徴とする。また、本発明の半導体装置は上記に記載のエポキシ樹脂組成物の硬化物で、半導体素子が封止されていることを特徴とする。 （もっと読む）