【課題】
従来は、硬化剤をＢ−ステージ樹脂系に適用することが検討されていたが、フラックス作用を有する硬化剤がエポキシ樹脂との反応性が高く、Ｂ−ステージ状態を維持することが困難であった。本発明の課題は、Ｂ−ステージ化可能なエポキシ樹脂組成物により製造工程を大幅に改良でき、かつ封止層にボイドが無いバンプ付半導体装置及び組立工程を提供することにある。
【解決手段】
１分子あたりエポキシ基を２個以上含む２５℃で液状のエポキシ樹脂（Ａ）、１分子あたりエポキシ基を２個以上含み２５℃で固体であり且つエポキシ当量が２００以上のエポキシ樹脂（Ｂ）、芳香族カルボキシル基、芳香族水酸基をともに有し、且つ融点が１８０℃以上の硬化剤（Ｃ）を含むることを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】外装樹脂にクラックや剥離が生じることもなく、表面実装部品の導通不良を抑止することができる信頼性の優れた電子装置、及び該電子装置を容易に製造することができ、量産性に優れ、かつパッケージングの低背化が容易な電子装置の製造方法を実現する。
【解決手段】チップ型電子部品１ａ〜１ｃを回路基板３に表面実装した後（ａ）、電子部品１ａ〜１ｃの上面に、高粘性かつチキソトロピー性を有するシート状樹脂材料９を載置し（ｂ）、次いで、枠型熱板プレス１０で樹脂材料９の周縁部を加圧・加熱して樹脂材料９を変形させる。そして中空部６ａ〜６ｄが形成されるように該樹脂材料９を回路基板３に熱圧着し、その後硬化処理を施して被覆樹脂５を形成する（ｃ）。
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【課題】半導体素子を成形、封止等する際の樹脂の充填性を向上させることができる半導体封止用樹脂組成物を提供する。
【解決手段】下記の（Ａ）〜（Ｄ）成分を含有し、成形温度におけるゲル化時間が１５秒以上２７秒以下で、かつ、（Ｄ）成分の含有量が、半導体封止用樹脂組成物全体の８６〜９５重量％の範囲内に設定されている半導体封止用樹脂組成物である。
（Ａ）熱硬化性樹脂。
（Ｂ）硬化剤。
（Ｃ）硬化促進剤。
（Ｄ）無機質充填剤。 （もっと読む）

【課題】 環境面や、衛生面などに影響がない金属水酸化物を難燃剤として含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を用いて封止した場合において、耐薬品性試験における前記樹脂組成物の耐酸性を向上し、パッケージの白化を抑制する。
【解決手段】 エポキシ樹脂、硬化剤及び無機充填材を含有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物に、表面にアルミニウム化合物が被着した金属水酸化物を添加する。 （もっと読む）

【課題】 ハロゲン系難燃剤、アンチモン化合物を含まず、難燃性、高温保管特性、高温通電特性に優れた特性を有する半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】１５０℃を超える高温環境下での動作保証を要求される電子部品に使用される半導体装置を封止するために用いられるエポキシ樹脂組成物であって、（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）一般式（１）で示される水酸化アルミニウム及び（Ｆ）一般式（２）で示される金属水酸化物固溶体を必須成分とすることを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物。
Ａｌ₂Ｏ₃（Ｈ₂Ｏ）_n （１）
（ｎは２＜ｎ＜３の数）
Ｍｇ_(1-x)Ｍ²⁺_x（ＯＨ）₂ （２）
（式中Ｍ²⁺は、Ｍｎ²⁺、Ｆｅ²⁺、Ｃｏ²⁺、Ｎｉ²⁺、Ｃｕ²⁺及びＺｎ²⁺からなる群から選ばれた少なくとも１種の二価金属イオンを示し、ｘは０．０１≦ｘ≦０．５の数を示す。） （もっと読む）

【課題】流動性等の成形性、難燃性、耐熱性や耐冷熱サイクル性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）ヒドロキシナフタレン及びジヒドロキシナフタレンの少なくともいずれかの２量体をグリシジルエーテル化して得られるエポキシ樹脂を含むエポキシ樹脂、（Ｂ）下記一般式（Ｉ）で表される化合物を含む硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤を含有し、前記（Ｃ）成分は、平均粒径が１５μｍ以上及び比表面積が４.５ｍ²／ｇ以下の少なくとも一方である封止用エポキシ樹脂成形材料。

【化１】


（一般式（I）で、ｎは０、又は正の整数を表し、A及びB中のベンゼン環及びナフタレン環上の水素原子は炭化水素基で置換されていてもよい。） （もっと読む）

【課題】本発明の課題は、液状樹脂組成物を用いて半導体チップ、特に回路面にはんだ電極を有する半導体チップを封止する半導体装置及び表示素子の製造方法において、良好なはんだ接続性と高信頼性を同時に満足する半導体装置及び表示素子を得ることである。
【解決手段】 常温で液状であり、１分子中にエポキシ基を２個以上含むエポキシ樹脂（Ａ）、１分子中に少なくとも２個のフェノール性水酸基と少なくとも１個の芳香族カルボキシル基を有する硬化剤（Ｂ）、及びフェノール性水酸基を１分子あたり3個以上有する硬化剤（Ｃ）を含むことを特徴とするエポキシ樹脂組成物を用いる。 （もっと読む）

【課題】難燃性、耐熱性、耐冷熱サイクル性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）下記一般式（I）で表される硬化剤、及び（Ｃ）無機質充填剤、を含有し、（Ｃ）成分が、成形材料全体の７０重量％以上８８重量％以下で、かつ、その比表面積が３．０ｍ²/ｇ以下である封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】


（一般式（I）で、ｎは０又は正の整数を表す。ベンゼン環の水素は炭化水素基で置換されていても良い。） （もっと読む）

【課題】 優れた難燃性を有し、従来のリン系難燃剤を使用したエポキシ樹脂に比べ、耐熱性、吸水率等の諸物性に優れた硬化物が得られるノンハロゲンタイプの難燃性エポキシ樹脂を提供することである。
【解決手段】 重量平均分子量が８００〜１０，０００の範囲であって、リン原子含有量が１〜１０重量％である高分子リン系難燃剤（Ａ）と、エポキシ樹脂（Ｂ）、及び硬化剤（Ｃ）から構成されることを特徴とする難燃性エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 配線幅の狭い半導体装置においても漏れ電流が発生し難い高誘電率特性を有し、かつ成形性も良好な半導体封止用エポキシ樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、及び（Ｄ）１〜１０重量％の酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムを必須成分として含むことを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂組成物、好ましくは前記酸化ネオジムを含有するチタン酸バリウムの含有量が、エポキシ樹脂組成物全体に対して７５〜９５重量％である半導体封止用エポキシ樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 難燃性、耐熱性、耐冷熱サイクル性に優れた封止用エポキシ樹脂成形材料、及びこの封止用エポキシ樹脂成形材料で封止した素子を備えた電子部品装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）下記一般式（I）で表される化合物を含む硬化剤、（Ｃ）無機質充填剤を含有し、（Ｃ）成分が、成形材料全体の７０重量％以上８８重量％以下で、かつ、少なくとも１種成分の比表面積が２．０ｍ²／ｇ以下である封止用エポキシ樹脂成形材料。
【化１】


（一般式（I）で、ｎは０又は正の整数を表す。ベンゼン環の水素は炭化水素基で置換されていても良い。） （もっと読む）

エポキシ樹脂、エポキシ樹脂硬化剤、およびピッチを含有する封止用エポキシ樹脂成形材料、ならびに、この成形材料で封止された素子を備えた電子部品装置を開示する。この成形材料は、着色性が良好であるとともに、パッド間やワイヤー間距離が狭いパッケージに用いた場合でも、導電性物質であるカーボンブラックを含まないので、導電性物質に起因するショート不良を防止することができる。 （もっと読む）

アンダーフィル材料として使用するための溶媒改質樹脂組成物が提供される。この組成物は、１種以上のエポキシ樹脂、１種以上の溶剤、及び官能化コロイダルシリカのフィラーを有する。この溶媒改質樹脂組成物は、透明なＢステージ樹脂フィルムを調製するのに有用である。開示の諸実施形態は、ウェハレベルのアンダーフィル、及び電子チップのための封止材としての使用を含んでいる。 （もっと読む）

電子部品を製造する方法は、半導体デバイスをオーバーモールドするための液体射出成形方法を含む。液体射出成形方法は、ｉ）開いたモールド内に半導体デバイスを置くこと、ｉｉ）モールドを閉じて、モールドキャビティを形成すること、ｉｉｉ）モールドキャビティを加熱すること、ｉｖ）モールドキャビティ内に硬化性液体を射出成形して、基板上に半導体ダイをオーバーモールドすること、ｖ）モールドを開け、且つステップｉｖ）の製造物を取り除くこと、及び任意に、ｖｉ）ステップｖ）の製造物をポストキュアさせることを含む。半導体デバイスは、ダイ装着接着剤によって基板に装着される集積回路を有し得る。

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【課題】ハロゲン系難燃剤、及びアンチモン化合物を含まず、成形性、難燃性、高温保管特性、耐湿信頼性及び半田クラック性に半導体封止用エポキシ樹脂成形材料を提供すること。
【解決手段】（Ａ）エポキシ樹脂、（Ｂ）フェノール樹脂、（Ｃ）硬化促進剤、（Ｄ）無機充填材、（Ｅ）水酸化マグネシウム、水酸化アルミニウム、モリブデン酸亜鉛、金属水酸化物固溶体又はほう酸亜鉛から選ばれる１種以上を、チタネート系カップリング剤又はアルミニウム系カップリング剤により表面処理し、該カップリング剤表面処理物を前記エポキシ樹脂及び／又はフェノール樹脂の全部又は一部と予め溶融混練した後、前記残余の成分と混合して溶融混練することを特徴とする半導体封止用エポキシ樹脂成形材料の製造方法。 （もっと読む）

【課題】半田バンプなどの金属結合形成を必要とする半導体装置の製造において配線回路基板上に先塗布してフリップチップの搭載を可能にするフラックス活性を有する、熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】エポキシ樹脂、酸無水物系硬化剤を含有する２５℃で液状の熱硬化性樹脂組成物であって、下記一般式（１）：Ｒ¹ −（ＣＯＯ−ＣＨ（ＣＨ₃ ）−Ｏ−Ｒ² ）_n （１）
（式中、ｎは正の整数であり、Ｒ¹ は１価以上の有機基であり、Ｒ² は１価の有機基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい）または一般式（２）：−（ＯＣＯ−Ｒ³ −ＣＯＯ−ＣＨ（ＣＨ₃ ）−ＯＲ⁴ −Ｏ−ＣＨ（ＣＨ₃ ））_n − （２）
（式中、ｎは正の整数であり、Ｒ³ およびＲ⁴ は２価の有機基であり、互いに同じであっても異なっていてもよい）により表される化合物を含有することを特徴とする、熱硬化性樹脂組成物。 （もっと読む）

【課題】 難燃性、耐水性および熱伝導性が優れた半導体封止用樹脂組成物および成形品を提供する。
【解決手段】 合成樹脂１００重量部に対し、酸化マグネシウム粒子５０〜１５００重量部を配合した樹脂組成物であって、該酸化マグネシウム粒子は、下記（ｉ）〜（ｖ）の要件（ｉ）平均２次粒子径が０.１〜１３０μｍ（ii）ＢＥＴ法比表面積が０.１〜５ｍ²／ｇ（iii）Ｆｅ化合物およびＭｎ化合物の含有量の合計量が金属として０.０１重量％以下（iv）Ｎａ含有量が０.００１重量％以下かつ（ｖ）Ｃｌ含有量が０.００５重量％以下を満足することを特徴とする半導体封止用樹脂組成物並びにそれから形成された成形品。 （もっと読む）

【課題】 高融点半田浴浸漬後の耐湿性、半田耐熱性に優れ、封止樹脂と半導体チップあるいはリードフレームとの剥がれや内部樹脂クラックの発生がなく、長期信頼性を保証できるエポキシ樹脂組成物および半導体封止装置を提供する。
【解決手段】 （Ａ）軟化温度が６０〜９０℃、重量平均分子量が１０００以上で、メチロール基を有するフェノール樹脂であって、該フェノール樹脂単独で硬化させた成形品の抽出水電導度が１００μｓ／ｃｍ以下である高純度フェノール樹脂、（Ｂ）エポキシ樹脂、（Ｃ）硬化促進剤および（Ｄ）無機充填剤を必須成分とし、樹脂組成物全体に対して前記（Ｄ）無機質充填剤を２５〜９３重量％の割合で含有してなるエポキシ樹脂組成物であり、その樹脂組成物の硬化物によって半導体チップが封止された半導体封止装置である。 （もっと読む）