【課題】接続部材の耐久性が損なわれることが抑制された半導体装置、及び、その製造方法を提供する。
【解決手段】チップ（１０）と台座（３０）とが接続部材（５０）を介して機械的に接続された半導体装置であって、チップ（１０）と台座（３０）との間に接続部材（５０）が介在され、チップ（１０）の上面（１０ｃ）の全面、及び、側面（１０ｂ）の全面の少なくとも一方に、応力緩和部材（７０）が機械的に接続されており、台座（３０）は、接続部材（５０）よりも線膨張係数が高く、台座（３０）、接続部材（５０）、及び、応力緩和部材（７０）は、チップ（１０）よりも線膨張係数が高い。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は一つのチャネルを有し、該チャネルは前記ソース電極及び前記ドレイン電極の間に位置する。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記ソース電極、前記ドレイン電極及び前記半導体層と絶縁状態で設置される。前記絶縁層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子材料からなる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、薄膜トランジスタ及びそれを利用した圧力センサーに関する。
ものである。
【解決手段】本発明の薄膜トランジスタは、ソース電極と、ドレイン電極と、半導体層と、ゲート電極と、絶縁層と、を含む。前記ソース電極は、前記ドレイン電極と間隔をあけて設置される。前記半導体層は、前記ソース電極及び前記ドレイン電極にそれぞれ電気的に接続される。前記半導体層は、弾性率が０．１ＭＰａ〜１０ＭＰａである高分子複合材料層である。前記高分子複合材料層は、高分子基材及び該高分子基材に分散された複数のカーボンナノチューブからなる。前記ゲート電極は、前記絶縁層により、前記半導体層、前記ソース電極及び前記ドレイン電極と絶縁状態で設置される。 （もっと読む）

【課題】ＭＥＭＳ技術をベースとして加速度センサを製造する場合、複雑構成の加速度センサを得ることができるものの、ＭＥＭＳ特有の製造プロセスを経る必要があり、通常の半導体製造プロセスとの親和性は低い。
【解決手段】半導体装置１００は、凹状のガス流路２２が設けられた積層体１０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出するヒータ４０と、積層体１０に対して設けられると共に、ガス流路２２の底面にて露出し、かつガス流路２２の延在方向においてヒータ４０を挟み込むように配置された複数の熱センサ３０、５０と、を有する。通常の半導体製造プロセスに対して親和性が高い加速度センサを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】従来技術を改善する装置および方法を提供することである。
【解決手段】半導体本体（８０）の上側の面で垂直ベクトル方向に、プラスチック部材（３０）が開口部（２０）の外の領域では壁（１１０）よりも大きな高さを有し、壁（１１０）の基面と半導体本体（８０）の上側との間に固定層（１０５）が形成されており、壁（１１０）は開口部（２０）内に形成されたセンサ面から離間している。 （もっと読む）

【課題】ウェハ貫通ビア（ＴＷＶ）を使用した相互接続において、ダイ区域の消費を低減し、ダイ区域を利用可能とする、バッチ製作された３Ｄ相互接続を提供する。
【解決手段】１つまたは複数の垂直相互接続を製作する。ウェハ積層体を形成するために複数のウェハをパターニングおよび積層するステップを含む。ウェハ積層体の１つまたは複数の切断刃の通り道内でウェハ積層体に複数の開口を形成し、導電性材料を複数の開口の側壁に堆積させる。ウェハ積層体は、側壁の導電性材料が、結果として得られる積層ダイの縁部部分に露出されるように、１つまたは複数の切断刃の通り道に沿い、複数の開口を通ってダイシングする。 （もっと読む）

【課題】検出精度が被装着面の面形状の影響を受けにくい抵抗変化型センサを提供することを課題とする。
【解決手段】抵抗変化型センサ１は、樹脂またはエラストマーからなる母材と、母材中に充填される導電性フィラーと、を有し、曲がると電気抵抗が変化する複数の検出部２ａ〜２ｍと、複数の検出部２ａ〜２ｍに接続され、電気抵抗に関連する電気量を出力する複数の電極部３ａ〜３ｊ、３Ａ、３Ｂと、を備え、被装着面９０に装着される。被装着面９０は、曲面領域９００、９０１、９０２を有し、複数の検出部２ａ〜２ｍのうち、曲面領域９００、９０１、９０２に対応する検出部２ａ〜２ｍの曲率は、曲面領域９００、９０１、９０２の曲率よりも、小さい。 （もっと読む）

【課題】良好な真空封入を維持しかつできるだけ変らない外側のチップ寸法を維持して、ボンディングされた表面マイクロメカニック構成部分の安定性を高める。
【解決手段】マイクロメカニック式のキャップ構造はサブストレート１０を有し、サブストレート１０には空洞Ｋが設けられている。空洞Ｋは方形の基面と互いに向き合った平行な側壁区分から成る２つの側壁区分対とを有する。空洞Ｋの基面に相応するダイヤフラムの局部的な補強は安定化ビームＳＫ１，ＳＫ２を有する安定化クロスによって達成される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、半導体センサに係り、複数のセンサ基板を精度良く位置決めしつつセンサ基板全体の面積をできるだけ抑制することにある。
【解決手段】センサ面に溝又は突部が形成された第１のセンサ基板と、センサ面に溝又は突部が形成された第２のセンサ基板と、一方の面に第１のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第１の突部又は溝が形成され、かつ、他方の面に第２のセンサ基板の溝又は突部に嵌合可能な第２の突部又は溝が形成されたキャップ基板を備え、第１のセンサ基板を、溝又は突部が第１の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の一方の面側に接合し、かつ、第２のセンサ基板を、溝又は突部が第２の突部又は溝に嵌合した状態でキャップ基板の他方の面側に接合する。 （もっと読む）

【課題】トランスデューサーの製造コストを低減する。
【解決手段】ナノシートトランスデューサ（１）は、溝（１００ａ）と前記溝によって互いに隔てられた電極支持部（１０１）と厚さ１μｍ未満のシート状の可撓電極（１０４）とが形成されたシリコンからなる基板（１００）と、前記電極支持部上に形成された導電膜からなる固定電極（１０３）と、前記固定電極と前記電極支持部との間に形成された絶縁層（１０２）と、を備え、前記可撓電極は前記基板の主面に対して垂直である。 （もっと読む）

【課題】導線とリード線等との電気的接続強度を確実に維持できると共に、導線やリード線等の接続作業性を向上させることができる接触センサを提供する。
【解決手段】弾性変形可能な外側電極と、この外側電極の軸線上に配置された内側電極と、これら外側電極と内側電極との間に螺旋状に配索されたスペーサとを有し、外側電極の弾性変形に基づいてこの外側電極に異物が接触したことを検出する接触センサであって、外側電極の端末部に配置される端末処理装置５を備え、この端末処理装置５は、外部電極の外側導線や内部電極の内側導線が接続される導線接続部８と、外側電極内に挿入される挿入部７とを有し、挿入部７の外周面７ｂに、外部電極とスペーサとの相互位置関係を維持可能な螺旋溝部１０を形成した。 （もっと読む）

【課題】開口、該開口を開閉する開閉部材のうちの一方に設けられ、導電性を有する外部電極と、該外部電極と離間し、前記外部電極に沿って設けられ、前記外部電極と電気的に絶縁された内部電極とを有したセンサに関し、省スペースのセンサを提供することを課題とする。
【解決手段】内部電極２０７とセンサ本体（外部電極）２０１との間が、熱可塑性を有し、液体状態での流し込みにより形成される電気抵抗を有する導電性樹脂部２５１によって、電気的に接続される。 （もっと読む）

【課題】更に多機能化した非単結晶トランジスタ集積回路を提供する。
【解決手段】非単結晶トランジスタ集積回路は、第１の高分子フィルム１１と、高分子フィルム１１に設けられた共通電極１２と、共通電極１２に設けられた誘電体１３と、誘電体１３に設けられた第２の高分子フィルム１４と、第２の高分子フィルム１４に設けられ、圧力が加えられた際に、誘電体１３の厚さの変化量を容量の変化として読み出す圧力センサ１５と、第２の高分子フィルム１４に設けられ、圧力センサ１５を読み出すための非単結晶トランジスタ１６とを具えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】臨床における圧力センサによる接触圧力分布の測定を生体組織に対して低侵襲的に行うことができ、内視鏡視下手術において生体組織内の接触圧力分布を直接測定することができる接触圧力測定システムを提供する。
【解決手段】接触圧力測定システムは、体組織内の接触圧力を測定する圧力センサ１０と圧力センサ１０が装着された取り回し部２０と取り回し部２０を体組織内へ導入する導入部と測定システムとを有する。導入部は中空の筒内に細い棒を挿入した構造であり、細い棒の一端に保持部２２が装着され、展開部２１を保持部２２にロール状に巻き取ることにより全体として取り回し部２０が保持部２２を介して細い棒に巻き付けられている。展開部２１は操作部の回転により保持部２２から巻き出されスリットを通して測定対象へ展開される。展開部２１は操作部の逆の回転により保持部２２へ巻き取られて格納される。 （もっと読む）

【課題】気密性の高い貫通電極及びこれを用いた微小構造体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域１１を貫通トレンチ２０で囲み、周囲から絶縁分離した貫通電極１００において、
前記貫通トレンチ内の深さ方向における所定部分を塞ぐように充填された第１の成長膜４０と、
前記貫通トレンチの両側面の間を横断する横断部５５を含み、該横断部の底面部が前記第１の成長膜の内側に接触するように充填された第２の成長膜５０と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基台が有する凹部の表面を被覆することのできるセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係るセンサの例によるフローセンサは、一方の面にキャビティ２５を有する基台２０と、基台２０の一方の面の上に設けられるセンサ薄膜３０と、を備える。センサ薄膜３０は、キャビティ２５に通ずるスリット３６を有している。キャビティ２５の断面形状は、例えば舟形凹状であり、キャビティ２５の表面Ａは、原子層堆積法により形成された膜Ｘで被覆されている。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）

【課題】短時間で製造することができ、十分な気密性を有するとともに、基板の反りを低減させることができる貫通電極、微小構造体及びそれらの製造方法を提供する。
【解決手段】導電性を有する基板１０の所定領域を貫通トレンチ２１で囲み、貫通トレンチ２１内に絶縁膜５０を形成して周囲から絶縁分離した貫通電極６０において、絶縁膜５０は、貫通トレンチ２１の側面から化学気相成長させたシリコン膜４０を熱酸化したシリコン熱酸化膜５０である。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板上に導電膜によりセンサ板を設ける構造において、寄生容量の影響を無くし、人体の接触を確実に検知可能とする。
【解決手段】センサ本体部１０１は、拡散層３が形成されたシリコン基板２に絶縁膜４が積層形成され、その上にセンサ板５が配設されて樹脂パッケージ６により覆われた構成とされ、センサ板５には、第１の抵抗器２１を介して正弦波発振回路１４の出力が印加され、拡散層３には、正弦波発振回路１４の出力が直接印加され、樹脂パッケージ６へ対する人体の接触により生ずる第１の抵抗器２１の電位差が計装アンプ１０２により増幅され、比較器１５において所定の基準電圧を超えた場合に、人体の接触が生じたとする論理値Ｈｉｇｈに相当する電圧ＶＯＵＴが出力されるようになっている。 （もっと読む）

【課題】微小電気機械装置の特性向上および製造工程の簡略化を図る。
【解決手段】微小電気機械装置を、半導体層(1)と、前記半導体層中のチャネル領域の両側に形成されたソース、ドレイン領域(13)と、前記半導体層上に形成されたゲート絶縁膜(19)と、前記ゲート絶縁膜上に形成された空洞(15a)と、前記空洞上に形成されたゲート電極(17)と、を有し、前記ゲート電極は、前記ゲート絶縁膜と接触するよう可動に構成され、前記ゲート電極上に加わる力を、前記ゲート電極と前記ゲート絶縁膜との接触面積により検出するように構成する。このように、上記接触面積によりゲート電極上に加わる力を検出することができる。また、一時的なＦＥＴ構造を利用することにより、装置および製造工程の簡略化を図ることができる。 （もっと読む）