【課題】この発明は、段差などを設けて勘合部保護を行い、気密封止性能が得られるセンサー素子を提供するものである。
【解決手段】主面上にダイヤフラムが構成される第１の基材と、前記第１の基材の反ダイヤフラム面側に配設される第２の基材と、前記第１の基材の前記ダイヤフラム直下に設けられるキャビティと、前記キャビティを気密封止するため前記第１の基材と前記第２の基材との接合位置に設けられる勘合部と、前記勘合部に設けられ、前記第１の基材と前記第２の基材との勘合状態を保護する段差部とを備えたものである。 （もっと読む）

【課題】 金属結合部の接合界面に作用する応力の均一性を向上させるＭＥＭＳセンサを提供することを目的としている。
【解決手段】 機能層１０には、動作領域１５と外部領域１６とを区画する枠体１４とが形成される。前記枠体１４と支持基板１間は第１の絶縁層３ａを介して接合される。枠体１４と配線基板２間は、金属結合部３０ａを介して接合されている。金属結合部３０ａでは、配線基板２の表面に第１の金属層３１ａが形成され、枠体１４の表面に第２の金属層３２ａが形成され、第１の金属層３１ａと第２の金属層３２ａとが加熱され加圧されて互いに接合されている。第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃは、枠体１４の外周側面１４ａよりも前記動作領域の方向に後退している。第１の金属層と前記第２の金属層との接合界面Ａの外周端部Ｂは、前記第１の絶縁層３ａの外周側面３ｃよりも前記動作領域から離れる方向である外側に位置している。 （もっと読む）

【課題】枠体に支持された錘部に作用する複数の変位を許容できるバネ構造体、物理量センサー、電子機器を提供することを目的としている。
【解決手段】本発明のバネ構造体１０は、接続部１２と、前記接続部１２を中心に直交する軸を第１軸および第２軸としたときに、前記接続部から第１軸の方向に延出し、第１折曲部２４で折り返され、端部に第１支持部２６を有する第１バネ２０と、前記接続部１２から前記第２軸の方向に延出し、第２折曲部３４で折り返され、端部に第２支持部３６を有する第２バネ３０と、前記第１軸および前記第２軸に平面視で交差する方向であり且つ前記第１及び第２バネ２０，３０から離間する斜め方向に、前記接続部１２からビームが延出し、前記ビームは前記斜め方向に交差する方向に分岐され、一方のビームは第３折曲部４４で折り曲げられ第３支持部４５を端部に有し、他方のビームは第４折曲部４６で折り曲げられ第４支持部４７を端部に有する第３バネ４０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】エアーダンピングを抑制することで慣性質量体が基板側に変位する場合と慣性質量体が基板と反対側に変位する場合との感度差を抑制することによって高精度の加速度センサを提供する。
【解決手段】加速度センサは、基板１と、検出電極２と、ねじれ梁３と、検出プレート４と、リンク梁５と、一方面６ａと他方面６ｂとが対向する方向に変位可能にリンク梁５に支持された慣性質量体６とを備えている。慣性質量体６は、該方向に慣性質量体６を貫通するように設けられた複数の第１の貫通孔Ｈ１を含んでいる。検出プレート４は、該方向に検出プレート４を貫通するように設けられた複数の第２の貫通孔Ｈ２を含んでいる。第１の貫通孔Ｈ１は、第２の貫通孔Ｈ２より大きい開口面積を有している。 （もっと読む）

【課題】製造効率の低下を抑制した機能素子、機能素子の製造方法、電子機器を提供する。
【解決手段】主面１６を有する基板１２と、前記主面１２上に配置された溝部（第１の溝部２４、第２の溝部２６）と、前記基板１２上の前記溝部を跨いで配置された固定素子部（第１の固定電極指７８、第２の固定電極指８０）と、を有し、前記溝部の内部には、前記固定素子部に平面視で重複する位置に前記基板および前記固定素子部の少なくとも一方を用いて形成された凸部５４、５６が設けられ、前記凸部５４、５６は接合面（端面８２）を有し、該接合面側に配線（第１の配線３０、第２の配線３６）が配置され、前記配線を介して前記基板１２と前記固定素子部とが接続されたことを特徴とする機能素子。 （もっと読む）

【課題】同一面に極性等の信号の異なるパッド電極を配置した場合であっても、パッド電極間の短絡を防止することを可能とする圧電デバイス、圧電モジュール、電子機器、電子システム及び圧電デバイスの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】圧力センサー１の感圧素子層１００は、一辺を二分するように切り欠くスリット１２６が設けられ、スリット１２６により一対の接続部が分離して配置される。一対の接続部は少なくとも一部がダイアフラム層２００よりも外側へ露出している。感圧素子層１００は、一対の接続部の一方の主面側に夫々設けられた互いに信号の異なる第１パッド電極３４、第２パッド電極３６と、スリット１２６の隣り合う側面とは反対側の側面のうち一方の側面に設けられ、他方の主面に設けられた第１引出し電極１０９と、第１引出し電極１０９と信号が同じ第１電極パッド３４とを電気的に接続する側面電極１３４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 テーパー面を備えた膜支持部を有する微小機械音響トランスデューサを提供する。
【解決手段】 微小機械音響トランスデューサの製造方法は、基板構成の第１主面上に、第１のエッチング速度およびこれより低い第２のエッチング速度をそれぞれ有する第１および第２の膜支持材料の連続的な層を堆積させるステップを含んでいる。次いで膜材料層が堆積される。キャビティが、膜支持材料および膜材料の反対側にある基板構成の側から、少なくとも当該キャビティが第１の膜支持材料層へ延長するまで、基板構成内に形成される。第１および第２の膜支持材料層は、同様に第１の領域を囲む第２の領域にあるキャビティの延長部分に位置する少なくとも１個の第１の領域のキャビティを通してエッチング剤を適用することによりエッチングされる。エッチングにより、第２の領域内の第２の膜支持材料層の上にテーパー面が形成される。エッチングは、少なくとも第２の膜支持材料層が第１の領域内で除去されて膜材料層が露出するまで続く。 （もっと読む）

【課題】スパークによる接合強度の低下を抑制するとともに、ゲル部材の変形による応力がダイアフラムに作用するのを効果的に抑制することのできる圧力センサを提供する。
【解決手段】圧力伝達路（３３，４３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、センサチップ搭載面（３１）側の端部で最小、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分で端部の開口面積よりも大きく且つ最大とされ、任意位置の開口面積が、該任意位置よりもダイアフラム（２３）に近い位置の開口面積以上とされている。支持部材（１２）は、第１圧力伝達路（３３）を備え、接着材（５０）を介してセンサチップ搭載面（３１）にセンサチップ（１１）が固定された第１支持部材（３０）を有する。第１圧力伝達路（３３）におけるゲル部材との接触部分の開口面積は、ダイアフラム（２３）から最も離れた部分のほうが、センサチップ搭載面（３１）側の端部よりも大きくされている。 （もっと読む）

【課題】高精度にかつ安価に製造することができる振動式トランスデューサを実現する。
【解決手段】真空室３３内に設けられ基板３１に対して引張の応力が付与され基板面に平行方向より垂直方向の断面厚さが長い断面形状を有し基板に平行に且つ互いに平行に設けられた第１，第２のシリコン単結晶の振動梁３２ａ、３２ｂと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の一端に接続される板状の第１の電極板３４ａと、基板面に平行に設けられ第１，第２の振動梁の間に設けられた第２の電極板３４ｂと、第１，第２の振動梁の両側に第１，第２の振動梁を挟んで且つ第１，第２の振動梁と第１，第２の電極板と共に基板面に平行な一平面状をなす板状の第３，第４の電極板３４ｃ、３４ｄと、振動梁と第２、第３，第４の電極板との対向する側壁部面に設けられ相互の付着を防止する凸凹部３７とを具備した。 （もっと読む）

【課題】可動電極と固定電極が同一層に形成され、可動部の変位が支持基板の厚さ方向に対して生じるセンサの場合、可動部の変位の大きさを検出することができても、変位の方向を検出することができない。
【解決手段】半導体物理量検出センサに、(1) 可動電極と、前記可動電極と共通の第一の導電層に形成された第一の固定電極とで形成される第一の静電容量と、(2) 可動電極と、前記可動電極とは基板面上からの高さが異なる第二の導電層に形成された第二の固定電極とで形成される第二の静電容量と、(3) 物理量が印加されたときに生じる第一及び第二の静電容量の変化に基づいて物理量を算出する演算回路とを設ける。ここで、第一の静電容量からの電気信号と第二の静電容量からの電気信号が、それぞれ演算回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】絶縁体層において基板の一方の面と同じ側の面に電極層を形成した際に基板と電極層との間（絶縁体層）で発生する寄生容量を従来よりも低減できるセンサ用構造体、該センサ構造体を用いたセンサ及びアクチュエータを得る。
【解決手段】基板１は、ケイ素などの半導体からなるものであり、一方の面に形成された矩形状の凹部１ａと、他方の面において、絶縁体層２における基板１の一方の面と同じ側の面と反対側の面が露出するように形成された開口部１ｂと、を有したものである。絶縁体層２は、二酸化ケイ素などの絶縁体からなる層であり、基板１の凹部１ａの内部に形成されているものである。また、絶縁体層２の厚さは、２μｍより大きい寸法を有したものである。このような構成のセンサ構造体は、センサ及びアクチュエータに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】犠牲層の改質度をさらに上げて、犠牲層のエッチングレートを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】犠牲層領域１７に対応する支持基板１１にレーザ光の焦点５４ａを合わせ、半導体層１３側からレーザ光を照射する。これにより、レーザ光の焦点５４ａからレーザ光の入射側に伝達する熱応力によって犠牲層領域１７に位置する犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成する。この後、半導体層１３の開口部１５からエッチング媒体を導入し、マイクロクラック１２ａが形成された犠牲層１２をエッチングして除去することにより、支持基板１１に対して構造体２２〜２４を浮遊させる。このように、犠牲層１２にマイクロクラック１２ａを形成して改質度を向上させているので、犠牲層１２の深部にエッチング媒体が入り込みやすくなり、犠牲層１２のエッチングレートがさらに向上する。 （もっと読む）

【課題】直線加速度の影響及び検出軸以外の他軸の角速度の影響の少なくとも一方を受けることがない物理量センサーを提供する。
【解決手段】物理量センサー１０は、基板と、基板上の空間平面に配置され、回転軸２２，３２を有した第１変位部及び第２変位部２１，３１と、基板の第１変位部及び第２変位部２１，３１の各々に対向する位置に設けられた固定電極部と、第１変位部及び第２変位部の各々の回転軸を支持する支持部４０と、バネ部６０を介して支持部４０を支持する固定部５０と、支持部４０を振動方向に振動させる駆動部７０と、を備え、第１変位部及び第２変位部は、回転軸を軸として空間平面に対して垂直方向に変位可能であり、回転軸の各々は、第１変位部又は第２変位部の重心からずれて設けられ、第１変位部２１の回転軸２２と第２変位部３１の回転軸３２とは、重心からのずれの方向が互いに反対である。 （もっと読む）

【課題】溶融接合により作製される静電容量型電気機械変換装置において、接合面積などの境界条件が異なる箇所で生じる振動膜の初期変位のバラツキを低減して性能を高めることができる構成を有する装置を提供する。
【解決手段】静電容量型電気機械変換装置は、シリコン基板１と、振動膜７と、シリコン基板１の一方の表面と振動膜７との間に間隙３が形成されるように振動膜７を支持する振動膜支持部１７と、で形成されるセル構造１０２を、少なくとも一つ以上含む素子１０１を有する。素子１０１の周囲に、振動膜支持部１７と共通の層２に形成された溝１０３が配されている。 （もっと読む）

【課題】電位差によって生じる静電力の影響を抑え、Ｓ／Ｎ比の低下やセンサ感度の変動を防止できる複合センサを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る複合センサは、第１可動部および第２可動部と、これらの周辺に配置されている第１ダミー部および第２ダミー部を、積層基板の層内に形成して備えている。第１ダミー部と第２ダミー部は電気的に分離されており、第１可動部と第１ダミー部には第１電位が印加され、第２可動部と第２ダミー部には第２電位が印加される。 （もっと読む）

【課題】小型化が可能な加速度センサーを提供する。
【解決手段】基板と、基板上に位置する第１の電極層と、第１の電極層の第１の面と対向して位置する第２の電極層と、第２の電極層を基板に支持する支持部と、を含み、第２の電極層は、上記第１の面に沿った方向に動くことができ、支持部は、第２の電極層が上記第１の面に沿った方向に動くことができるように第２の電極層を基板に支持する。これにより、感度と精度を確保しつつ、基板の面に垂直な方向における加速度センサーの厚みを低減し、加速度センサーを小型化することができる。 （もっと読む）

【課題】第１収容空間に異物が導入されることを抑制することができる加速度角速度センサ装置の製造方法を提供する。
【解決手段】
加速度検出部１および角速度検出部２が形成されたセンサ部１０と蓋部２０とを用意する準備工程と、センサ部１０と蓋部２０とを減圧空間で接合し、加速度検出部１および加熱されることによりガスを放出するガス放出材２４ａ、５０を第１収容空間３に収容すると共に、角速度検出部２を第２収容空間４に収容する接合工程と、ガス放出材２４ａ、５０からガスを放出させることにより、第１収容空間３の圧力を第２収容空間４の圧力より高くする内圧変動工程とを行う。 （もっと読む）

【課題】高感度でありながら小型であり、かつ、製造コストも削減できる静電容量型ＭＥＭＳセンサを提供すること。
【解決手段】静電容量型ＭＥＭＳセンサの一例としての静電容量型マイクロフォン１は、互いに対向する第１電極部Ｘおよび第２電極部Ｙを有している。静電容量型マイクロフォン１は、第１電極部Ｘとしての側壁１２を有する凹所９が厚さ方向に掘り込まれた半導体基板２と、凹所９の深さ方向に沿う姿勢で第１電極部Ｘに対向するように凹所９内に配置され、凹所９の底面から離隔した底面２０Ｃを有し、半導体基板２の材料からなる第２電極部Ｙとしての膜２０と、膜２０を半導体基板２に結合する絶縁膜２１とを含む。 （もっと読む）

【課題】デバイス特性に影響を与えてしまうのを抑制することのできる静電容量式デバイスの製造方法および静電容量式デバイスを得る。
【解決手段】固定側基板２ａの両面に露出するようにシリコンを貫通させて形成した貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂを固定電極２０ａ、２０ｂ、２１ａ、２１ｂとし、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面に金属膜２５を成膜するとともに、固定側基板２ａの表面における貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂの外側露出面以外の部位に金属膜２５と離間するように金属膜２６を成膜する。そして、可動体基板１と固定側基板２ａとを陽極接合する際に、金属膜２５，２６を用いて、固定側基板２ａと可動体基板１との間に電位差を設ける一方、貫通シリコン２３ａ、２３ｂ、２４ａ、２４ｂと可動体基板１とが同電位となるようにした。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法でありながら狭間隔へもガラスが埋め込まれやすくなるガラス埋込シリコン基板およびその製造方法を提供する。
【解決手段】ガラス埋込シリコン基板の製造方法は、シリコン基板１０に凹部１１を形成する工程と、凹部１１に粉末状、ペースト状または前駆体溶液であるガラス材料２０ａを充填する工程と、ガラス材料２０ａを加熱して軟化させる工程と、軟化させたガラス材料２０ａを焼結させる工程と、凹部１１にガラス材料２０ａが充填されたシリコン基板１０の表裏面においてガラス材料２０ａとシリコン基板１０とを露出させる工程とを備える。 （もっと読む）