【課題】本発明の技術的課題は、異種結晶（超伝導特性を示さない結晶）の析出量が少なく、短時間の処理でＢｉ系超伝導結晶を析出させ得る超伝導材料の製造方法を創案することである。
【解決手段】本発明の超伝導材料の製造方法は、組成として、モル％表記で、Ｂｉ_２Ｏ_３ １０〜４０％、ＣａＯ １０〜４０％、ＣｕＯ ２５〜６５％を含有する非晶質材料を、Ｓｒ含有化合物を含む融液に接触させる工程を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 超電導単一磁束量子集積回路装置に関し、バイアス電流の戻り電流およびバイアス電流自身がチップ内のＳＦＱ論理回路に与える影響をなくす。
【解決手段】 チップ内の超電導単一磁束量子集積回路に直流バイアス電流を供給するバイアス電源線と、チップの外部に前記直流バイアス電流を回収するためのバイアス引き抜き電源線とを設け、バイアス引き抜き電源線の終端は前記チップ内にレイアウトされた超電導単一磁束量子集積回路周辺で複数の０．１ミリオーム乃至１オームの抵抗値を有する薄膜抵抗からなる抵抗体を介してチップのグランド面に接続し、グランド面との接続点から直流バイアス電流を引き抜く。 （もっと読む）

【課題】量子ビットの量子状態に基づいて、量子ビットの量子状態を制御できるようにする。
【解決手段】まず、ステップＳ１０１で量子ビットに相互作用する状態で結合した量子状態検出器を動作させる読み出しパルスの量子状態検出器への照射を開始し、ステップＳ１０２で、読み出しパルスの照射により量子ビットが量子ビットのいずれかの状態に安定した後で量子ビットの量子状態を９０度回転させるパルス幅の第１制御パルスを量子ビットに照射し、ステップＳ１０３で、第１制御パルスが照射されてからπ／（２Δω）の後の量子ビットの量子状態を所望の角度回転させる所望のパルス幅の第２制御パルスの照射、および、第１制御パルスが照射されてからπ／Δωの後の量子ビットの量子状態を所望の角度回転させる所望のパルス幅の第３制御パルスの照射の少なくとも１つの照射を行う。 （もっと読む）

【課題】配向性の良好な超伝導結晶を連続的に形成できるＢｉ系ガラス材料及び及び超伝導材料の製造方法を提案する。
【解決手段】Ｂｉ系ガラスのガラス組成として、下記酸化物基準のモル％で、Ｂｉ_２Ｏ_３１０〜５０％、ＳｒＯ３０〜６０％、ＣａＯ５〜３０％、ＣｕＯ０〜１０％を含有することを特徴とする。また、超伝導材料の製造方法は、銅又は銅合金の表面に、上記のＢｉ系ガラスを接触させた状態で熱処理し、超伝導結晶を析出させることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】鉄ヒ素系超伝導体における固有ジョセフソン接合効果の発現を可能とする固有ジョセフソン接合素子を提供する。
【解決手段】超伝導層２及び絶縁層３がｃ軸方向に積層された結晶構造を有する鉄ヒ素系超伝導体の単結晶からなり、ｃ軸方向に直交するａｂ面に沿った任意の方向に離間して配置される第一電極部１０及び第二電極部２０と、これら第一電極部１０と第二電極部２０とを接続するブリッジ部３０とから固有ジョセフソン接合素子１を構成する。ブリッジ部３０には、第一スリット３１と第二スリット３２とによってｃ軸方向に直交するａｂ面に沿った方向両側から挟まれたジョセフソン電流流通部３３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 磁束トランス及び同軸立体型グラジオメータに関し、渦電流の発生を抑制して、磁場の検出感度を向上する。
【解決手段】 非磁性金属基材と、前記非磁性金属基材上に形成された短軸方向の中心軸に対して面対称の形状の酸化物超電導体からなる超電導ループとを備えた磁束トランスの前記超電導ループ内に前記非磁性金属基材の裏面に達する切断部を設ける。 （もっと読む）

本発明は、低雑音冷却装置を提供する。この冷却装置は、外部容器及び内部容器を含み、外部容器と内部容器との間は、真空状態の断熱層を形成し、内部容器は、液体冷媒を含むデュア、内部容器の内部に配置され、液体冷媒に浸る事前磁化コイル、液体冷媒に浸るピックアップコイル、及びピックアップコイルに電気的に連結され、液体冷媒に浸るＳＱＵＩＤを含む。事前磁化コイルは、超伝導体で形成される。
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【課題】磁束揺らぎに対して敏感な超伝導回路に使用される超伝導配線では、磁束雑音を抑制することが必要であり、超伝導磁気センサの測定雑音限界の改善や超伝導量子ビット回路における磁束雑音を抑制し、超伝導量子ビット回路の量子コヒーレンス向上に寄与する超伝導配線、磁束雑音の抑制方法、磁束センサ及び超伝導量子ビット回路を提供する。
【解決手段】超伝導配線の超伝導体層１０１の上下表面及び端面を磁気秩序層として機能する反強磁性絶縁体層１０２または強磁性絶縁体層で被覆した。 （もっと読む）

各層が酸素アニオンによって取り囲まれたカチオンのネットワークを含む積層された第１の層および第２の層を含む材料を含む超伝導体。本発明によれば、この材料は、イルメナイト結晶構造およびＡＢＸ_３型の基本組成を有し、式中、ＡおよびＢは、この第１の層および第２の層のカチオン部位を主に占める元素であり、これに対応して、元素ＡおよびＢのうちの少なくとも１つは遷移金属であり、Ｘは、アニオン部位を主に占めるアニオン元素である。 （もっと読む）

【課題】集束イオンビームによりエッチングする際に精度良くエッチング深さを制御する。
【解決手段】ステージ１２に電気的に導通させて固定した試料２を集束イオンビームによりエッチングする際に、グランドとステージ１２の間に設置した微小電流計１３によりエッチング電流を測定する。これにより、測定した電流の大きさ、変化に基づいて試料２の層毎の違いを検出できる。その結果、任意の深さでエッチングを止めて、エッチング深さを制御することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】プログラマブルジョセフソン電圧標準に基づく交流電圧標準は、階段状の波形により近似された擬似正弦形になってしまう問題があるので、１Ｖ以上の高い振幅を持つ理想的な正弦波に代表される交流波形を発生することを目的とする。
【解決手段】ジョセフソン素子を用いた交流電圧発生回路であって、ジョセフソン素子を所定数個直列接続してなるセグメントを複数個備え、各セグメントに印加するバイアス電流を制御することにより、階段状の交流電圧を発生するプログラマブルジョセフソン電圧標準回路と、高速単一磁束量子方式電圧標準又はパルス駆動方式電圧標準からなる第２の回路とを、直列に接続して出力電圧の和を得て、理想的な交流波形を出力する。 （もっと読む）

様々な技法および装置が、例えば量子コンピュータで有用となることがある超伝導回路および構造、例えばジョセフソン接合の製造を可能にする。例えば、超伝導することができる２つの要素または層の間に誘電体構造または層が挿間された、低い磁束ノイズの三層構造を製造することができる。超伝導バイアが、ジョセフソン接合の上に直接位置することがある。平坦化された誘電体層上に構造、例えばジョセフソン接合を担持することができる。構造から熱を除去するためにフィンを採用することができる。超伝導することができるバイアは、約１マイクロメートル未満の幅を有することができる。構造は、例えばバイアおよび／またはストラップコネクタによって抵抗器に結合することができる。
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【課題】常伝導材料と接する信号の入出力を行なう電極とＹＢＣＯとの密着性を高くし、かつ接触抵抗を少なくすること。
【解決手段】誘電体基板と、該誘電体基板の両面に高温超伝導体であるＹＢＣＯ膜により形成された電気回路とを有する超伝導回路は、ＹＢＣＯ膜により形成された前記電気回路の信号線路上に形成され、前記電気回路の電気信号の入出力に用いられる電極を有する。電極は、信号線路上に密着させて形成されたアルミニウム膜と、該アルミニウム膜上に形成された該アルミニウムより低抵抗である金属膜とを有する。 （もっと読む）

検出を行ういくつかの双安定吸収体素子（２）に結合された一次元導波路（１）に基づく光子検出／計数装置の設計であって、前記装置はマイクロ波放射（３）の検出および特性化に応用される。前記検出は、誘起された放射から生じる吸収された光子の通過時に、その状態が不可逆的に変化されるキュービットを用いて行われる。
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一実施形態では、本開示は、量子ビットを磁束量子論理ゲートに連結することにより、量子ビットを共鳴させたりそれを止めさせたりすることによって、量子ビットのエネルギー状態を制御するための方法および装置に関する。量子ビットは、ポンプ信号と、別の量子ビットと、または何らかの量子論理ゲートと共鳴状態になり得る。別の実施形態では、本開示は、ＲＳＦＱ論理で、またはＲＳＦＱと量子ビットとの間のインターフェースを通して、量子ビットを制御するための方法に関する。
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【課題】ＳＳＰＤをアレー化した場合のＳＳＰＤピクセルの信号処理による熱負荷増大に対して適切に対応できる信号処理回路およびインターフェイス回路を提供する。
【解決手段】本発明の信号処理回路２０Ａにおいては、複数の超伝導ナノワイヤ型単一光子検出器１００Ａから出力される信号の処理に用いられ、単一磁束素子により構成された論理回路（２１、２２）が組み込まれている。 （もっと読む）

【課題】低損失かつ多極間の伝播を高速切り替え可能なマイクロ波分岐スイッチ回路を提供する。
【解決手段】マイクロ波スイッチ回路の、３つあるいはそれ以上の入出力ポート１０１，１０２，１０３間に、個々のポートとキャパシタ１０８，１０９，１１０を介して結合した可変共振器１０５，１０６，１０７とを配置し、それぞれの共振器１０５，１０６，１０７がキャパシタ１０８，１０９，１１０を介して相互作用するように配置し、超伝導量子磁束干渉計１１６，１１７，１１８に制御電流線１２１を介して制御回路１２４，１２５，１２６からの制御電流によりインダクタンスを変化させて、共振周波数を変えてスイッチ動作する。 （もっと読む）

【課題】従来のHTS-SQUID２次元アレー作製方法では素子を構成するジョセフソン接合に
おける特性の不均一性に問題があった。
【構成】（１）Bi系高温超伝導単結晶を劈開し、清浄面を出す工程、（２）還元処理によ
り、該単結晶全体を絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体にする工程、（３）酸化処理に
より、該絶縁体、常伝導体もしくは弱超伝導体の表面のみ超伝導を復活させ超伝導体層に
する工程、（４）フォトリソグラフィー加工で、（３）で作製した超伝導層のab面におけ
る全面積の40〜60%を、c軸方向に超伝導層が2〜40nm残るように直角に削り取り露出面を
形成する工程、（５）等方的な還元処理により、（４）で作製した超伝導層の露出面のみ
を絶縁体にし、絶縁体層を形成する工程、（６）方向性のある酸化処理により、（５）で
作製した絶縁体層のみを超伝導体層にする工程、からなることを特徴とする面内型ジョセ
フソン接合の形成法。 （もっと読む）

ＳＱＵＩＤ型システム用超電導性感知コイルの形状が記述され、そのような超電導性感知コイルの形状は扁平座金形状を有し、その内側の直径は、外側の直径の展開長さよりも短い展開長さを有している。更に、そのようなコイルを有する２次勾配計及び超電導性感知コイル構造が記述され、それらは１つ或いは複数の超電導性コイル・ループをカプセル封入する外側の低融点金属ループを備えている。同時に、外側の鉛−スズ合金で囲まれた内側の銅芯を備えた、勾配計のための混成型超電導性感知導線が記述されている。
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少なくとも１つのくびれを有する少なくとも１つの超伝導ループと少なくとも１つの磁気抵抗素子６とを含む磁気抵抗複合センサ１における、低周波ノイズの除去のための方法は、複合センサ１の通常の動作を伴って行われる少なくとも１つの測定ステップと、複合センサ１の少なくとも１つの超伝導ループにおける少なくとも１つのくびれへ、くびれの臨界超電流に至るまで、付加的な超電流が一時的に注入される間に行われる、少なくとももう１つの測定ステップと、を含み、少なくとももう１つの測定ステップの結果が前記少なくとも１つの磁気抵抗素子６のレファレンスレベルとして用いられる。 （もっと読む）