【課題】良好な磁場安定性と長期間に亘る通電安定性とを得る。
【解決手段】銅マトリックス１３の内部にＮｂ−Ｔｉ合金からなる多数本の超電導フィラメント１１が内蔵された永久電流用の超電導線材において、超電導フィラメントの周囲に動作環境下で超電導性を有さないＮｂ−Ｔａ合金１２ａが被覆されている。前記Ｎｂ−Ｔａ合金は、Ｔａを１０質量％以上５０質量％以下含有し、温度４．２Ｋにおける動作磁場の環境下で超電導性を有さない。また、前記Ｎｂ−Ｔａ合金は、ビッカース硬さが前記超電導フィラメントの１．０倍以上１．５倍以下である。 （もっと読む）

【課題】Ｓ／Ｎ転移型限流器に於いて通常運転時の超電導時において常伝導電極と超電導体との接続部分の電力損失を減少させ、よって系統正常時・待機状態での電力損失を減少させる。
【解決手段】常時は超電導状態に保持されて電力系統間に接続され、事故発生時は超電導状態から常伝導状態への転移に基づく抵抗増大によって電力系統間に流れる故障電流の増加を抑制可能な超電導限流素子１を備えるＳ／Ｎ転移型限流器において、少なくとも超電導状態において超電導体３との接続面１４に６０度〜１２０度の方向から電流を流入させる流入電極４と、超電導体３との接続面１４から６０度〜１２０度の方向に電流を流出させる流出電極５を備えている。 （もっと読む）

【課題】超電導電流リードにおける超電導体が変位することによる臨界電流値の低下又は破損を防止するとともに、低温側に侵入する侵入熱量を低減することができる超電導電流リードを提供する。
【解決手段】超電導電流リード１０において、一端に設けられた高温側電極端子１３と、他端に設けられた低温側電極端子１４と、高温側電極端子１３と低温側電極端子１４とを接続するように設けられ、高温側電極端子１３から低温側電極端子１４に向かって延在する超電導体１２と、超電導体１２が延在する方向と直交する方向への超電導体１２の変位を規制するように設けられた変位規制部材１５とを有する。 （もっと読む）

【課題】はんだ付け作業に伴う熱的干渉を防いで、はんだ接合部の再溶融，剥離のトラブルなしにユニット導体と支持部材を個別にはんだ付け接合して組み立て可能に筒型支持部材の構造を改良した高信頼性の超電導電流リードを提供する。
【解決手段】筒型支持部材７の周上に電流経路となるテープ状の酸化物超電導線材からなる複数のユニット導体６を分散配列し、かつ該ユニット導体６はその超電導線材のテープ面が円筒座標系の周方向と平行になるような向きに配置し、ユニット導体６をはんだ付け接合した構成になる超電導電流リードにおいて、筒型支持部材７を断面形状が台形になる複数のセグメント７ｂに分割し、かつ各セグメント７ｂに形成した凹溝８に金属薄膜８を成膜した上で、このセグメント７ｂにユニット導体６を個別にはんだ付けし、しかる後にセグメント７ｂを周方向に組み合わせて超電導電流リード４を組立てたものとする。 （もっと読む）

故障電流を抵抗によりまたは誘導により制限するように構成された超電導素子と、超電導素子に並列に電気的に結合されている１つまたは複数の可変インピーダンス分路とを有する超電導限流器が提供される。可変インピーダンス分路（複数可）は、超電導素子の超電導状態中は第１のインピーダンスを示し、超電導素子の標準抵抗状態中は第２のインピーダンスを示すように構成されている。超電導素子は、故障電流に応じて超電導状態から標準抵抗状態に遷移し、それに応じて、可変インピーダンス分路（複数可）は、第１のインピーダンスから第２のインピーダンスに遷移する。可変インピーダンス分路（複数可）の第２のインピーダンスは、第１のインピーダンスより低いインピーダンスであり、それにより、超電導素子の標準抵抗状態から超電導状態への回復遷移中に、可変インピーダンス分路（複数可）を通る電流の流れが促進され、したがって負荷下の超電導素子の回復が促進される。
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【課題】超電導導体層の超電導薄膜と常電導導体部との接続箇所の抵抗を低減できる超電導ケーブルの端末構造を提供する。
【解決手段】この端末構造は、超電導ケーブルの超電導導体層113と、この超電導導体層と接続されて常温側の機器と電力を授受するための常電導導体部353とを備える。超電導導体層113は、基板22上に形成された超電導薄膜26を有する超電導線材2を、超電導薄膜26が内周側、基板22が外周側となるように螺旋状に巻回して構成される。この端末構造は、超電導薄膜26に隣り合う接合面42を有する常電導接続部材4と、超電導薄膜26と接合面42に跨るように対面する超電導層56を備える接続用超電導シート5と、超電導薄膜26及び接合面42の双方と超電導層56とを接合する導電接合材6とを備える。常電導接続部材4は、その外周面から接合面42に導電接合材6を導入する貫通孔44を備える。 （もっと読む）

【課題】通電方向に対して垂直方向に縞状を形成する超電導限流素子を提供する。
【解決手段】絶縁性基板４と、絶縁性基板４の少なくとも一側面に形成された超電導膜３と、超電導膜３の一側面に、第１抵抗部１と第２抵抗部２とが通電方向に交互に配置され縞状に形成された常電導抵抗膜５と、を含む超電導限流素子１０。とする。 （もっと読む）

【課題】電流リードのクエンチを容易に未然に防ぐことによって超電導体を用いた電流リードの信頼性を向上することができる電流リードシステムおよび電流リードの保護方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る電流リードシステム１０は、高温側電極１１と、低温側電極１２と、高温側電極１１と低温側電極１２とを電気的に接続する電流リード群１３と、電流リード群１３の近傍に配設される第１のコイル２１および第２のコイル２２と、第１のコイル２１に接続された導線２３、電源２４および他の電源２５と、第２のコイル２２に接続された電流計２６と、切替部群３０とを有する。電流リード群１３の経験磁場が時間変化する場合、切替部群３０のうち第１の切替部３１のみが短絡されていると、第１のコイル２１から生じる誘導磁場により、電流リード群１３の経験磁場の時間変化が低減される。 （もっと読む）

本発明は、超伝導体の前駆体を構成する金属要素からなる組立体(1、35、71)に関するものである。組立体は、完成した超伝導体において超伝導フィラメントとなる少なくとも１つの導体要素(5、41、73)と、導体要素をドーピングするためのドーピング源を提供する少なくとも１つのドーピング要素(7、43、75)とを含む。また本発明は、超伝導体の製造に適した方法に関するものである。 （もっと読む）

【課題】ノン・インダクティブ構造にした２つのコイルを用いた限流器において、Ｙ系テープ線材などの高温超電導体の線材を用い、局部的発熱による破断を防止しながら、装置寸法の大型化や高いコストを招かない、超電導限流器の提供が課題である。
【解決手段】電気抵抗の低い材料で構成された一のコイルと、この一のコイル材料よりも高い電気抵抗の材料で構成された他のコイルのそれぞれ表面に、超電導体を密接した２つの超電導コイル１１、１２をノン・インダクティブ構造とすると共に、両コイルを互いに半周毎に電気的に接続し、さらにこれら両コイルと磁気的に結合された制御コイル１３を設け、高い電気抵抗の材料で構成された超電導体が半周毎に低い電気抵抗の材料に接続されることで、一定間隔毎に低い抵抗の分流抵抗を並列接続したのと等価として超電導体の局部加熱を防止し、制御コイル１３への通電で限流動作点を自由に調節できるようにした。 （もっと読む）

【課題】超電導線の一部が常電導転移してクエンチが発生する問題が解決された超電導素子を提案する。
【解決手段】図１に示す永久電流スイッチ（ＰＣＳ）１０において、その超電導線１１は硬化した有機高分子１３を含むが、当該有機高分子は未硬化時における２５℃での粘度が２００ｍPａ・Ｓ以下の硬化性有機高分子を含浸させて後、それを６０℃以下で硬化してものであって、２５℃における曲げ弾性率が３GＰａ以下で、且つ２５℃から７７Ｋに急冷する熱衝撃によってもクラック発生がないものである。 （もっと読む）

【課題】本発明は、外部応力や熱サイクルによる膨張、収縮に対して耐性があり、臨界電流密度を増すことができ、端子を接続するとき高温超伝導体を損傷することが少ない高温超伝導電流リードと、高温超伝導電流リードの臨界電流密度増加方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、基材面に高温超伝導材料の薄膜が形成され、金属皮膜が被覆された可撓性でテープ状の高温超伝導体８ａと、１対の電極端子１１と、電極端子１１に固定され高温超伝導体８ａを補強する支持部材１４とを備えた高温超伝導電流リード８であって、高温超伝導材料の結晶のｃ軸が基材面に対して所定の角度で配向されていることを特徴とする。また、臨界電流密度増加方法は、高温超伝導材料の結晶のｃ軸を基材表面の法線に対して所定の角度だけ配向させた薄膜を有する高温超伝導リードを形成し、磁場の磁束を結晶のｃ軸に垂直または基材に垂直な角度で交差する方向に印加する。 （もっと読む）

【課題】高温超伝導体コンポーネントの表面全体を分路で覆う必要がなく、ホットスポット形成から保護された、複数の用途に適した大きな高温超伝導体コンポーネントを提供する。
【解決手段】本発明による高温超伝導体（１）は、予め定めた弱い箇所を形成するために、表面に少なくとも一つの減少した壁厚を有する領域を備え、前記減少した壁厚を有する領域に電気的分路（６）を備えたことを特徴とする。一実施形態によれば、前記少なくとも一つの減少した壁厚を有する領域は、前記高温超伝導体コンポーネントの表面における凹部である。 （もっと読む）

【課題】サーマルサイクルによる破損がなく且つ外部接続用ケーブルを半田付けできる平面型ＳＱＵＩＤセンサを提供する。
【解決手段】外部接続半田付け用銅端子（２）、検出コイルパッド用銅端子（３）およびヒータ抵抗半田付け用銅端子（２ａ）を積層したポリイミド基板（１）の表面にＮｂ薄膜検出コイル（４）をスパッタリングにより形成し、ＳＱＵＩＤチップ（５）をマウントし、超伝導ボンディング（６）およびＡｌボンディング（７）により接続する。
【効果】スパッタリングのプロセスに耐えられる。サーマルサイクルによる破損がない。モールド材とポリイミド基板（１）の熱膨張の違いによって割れることもない。外部接続用ケーブルを半田付けで接続することが出来る。ヒータ抵抗を半田付けでマウントできる。 （もっと読む）

【課題】超電導限流装置を収納するクライオスタットを極力小型化すると共に、メンテナンスを容易にする超電導限流装置を提供する。
【解決手段】複数相の各電路にそれぞれ超電導限流素子が介挿される超電導限流装置であって、各超電導限流素子はそれぞれ無誘導巻コイルで構成され、かつ同軸同心状あるいは同軸上に配置されているので、超電導限流装置を収納するクライオスタットを極力小型化し、キュービクル内の空間を確保することによってメンテナンスを容易にするとともに、クライオスタット内部の圧力上昇を低減することができる。 （もっと読む）

名目厚さｔ_n1 を持つ第１の超伝導性セグメント、名目厚さｔ_n2 を持つ第２の超伝導性セグメント、および前記第１の超伝導性セグメントと前記第２の超伝導性セグメントとを互いに接続するスプライスよりなる接合領域を含む。前記スプライスは、前記第１及び第２の超伝導性セグメントの前記接合領域に沿う部分の上に横たわるものであり、該接合領域は、1.8ｔ_n1と1.8ｔ_n2 の少なくとも１つより大きくない厚みｔ_jr を持つ。
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【課題】マグネシウムの酸化を引き起こしにくい緩衝膜を用いてより超伝導性のよいホウ化マグネシウムの薄膜が形成できるようにする。
【解決手段】サファイア（酸化アルミニウム）からなり主表面がＣ面とされた基板１０１の上に例えば窒化ガリウム（ＧａＮ）などのガリウムと窒素とから構成された緩衝層１０２が形成され、緩衝層１０２の上に接してホウ化マグネシウムからなる超伝導体層１０３が形成されている。緩衝層１０２は、膜厚２５０ｎｍ程度に形成され、超伝導体層１０３は、膜厚１００〜１２０ｎｍ程度に形成されている。 （もっと読む）

【課題】磁界発生アセンブリを含む使用空間を冷却するクライオスタットアセンブリを提供する。
【解決手段】クライオスタットアセンブリは、使用空間の外側に配置された第１の熱シールド（１）；及び第１の熱シールド（１）の外側に配置された第２の熱シールド（４）を含む。第１のクライオクーラー（６）は、Ｈｅ⁴で作動する少なくとも二つの冷却段を有し、第１のクライオクーラー（６）の第１の冷却段（８）が第２の熱シールド（４）に熱が伝わるように結合され、第１のクライオクーラー（６）の第２の冷却段（９）が第１の熱シールド（１）に熱が伝わるように結合される。第２のクライオクーラー（１０）は、Ｈｅ³で作動し且つ少なくとも一つの冷却段（１２）を有し、第２のクライオクーラーの冷却段よりも高温の第２のクライオクーラーの一部分が、第１のクライオクーラー（６）の第２の冷却段（９）に熱が伝わるように結合される。 （もっと読む）

本発明の目的は、叙上の従来の問題を解消し、優れた性能を示す酸化物超伝導体を低い基板温度で成膜した酸化物超伝導体薄膜素子を提供することである。本発明は、少なくとも基板と酸化物超伝導体薄膜から構成され、該酸化物超伝導体薄膜が、Ｙｂ_１−ｘＮｄ_ｘＢａ_２Ｃｕ_３Ｏ_７−ｙであって、ｘが０．０１〜０．３０、ｙが０．００〜０．２０である組成を有し、結晶粒のｃ軸が基板に垂直に配向された酸化物超伝導体薄膜素子に関する。
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【課題】 本発明は、光や電磁波等の検出を行う検出器を冷凍機により冷却する冷却装置に関し、冷凍機から発生した振動が真空容器を介して、被冷却物に伝わることを抑制できると共に、冷却部と冷却ステージとの間の熱的な接続を十分に確保することのできる冷却装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 ＧＭ冷凍機７０を支持する冷凍機支持体８０と、冷凍機支持体８０と振動的に分離され、真空容器４１を支持する真空容器支持体１００と、真空容器４１と冷凍機支持体８０との間を接続する真空ベローズ８８と、第１の冷却部７３と第１の冷却ステージ４７との間を熱的に接続する複数の可撓性高熱伝導部材７７と、第２の冷却部７８と第２の冷却ステージ５０との間を熱的に接続する複数の可撓性高熱伝導部材８４とを設けた構成とした。 （もっと読む）