【課題】小型で、短時間で対物レンズの用途切替ができる走査電子顕微鏡及び走査電子顕微鏡の対物レンズの用途切替方法を提供することを課題とする。
【解決手段】対物レンズ５９の外側磁極片１０１に、第１ねじ部１２３を設けし、内壁面に第１ねじ部１２３と螺合可能な第２ねじ部１３９が設け、外壁面に、第２ねじ部１３９と同軸で、ねじ切り方向が逆方向の第３ねじ部１４１が形成され、外側磁極片１０１に着脱可能な補助外側磁極片１３３と、補助外側磁極片１３３の第３ねじ部１４１と螺合可能な第４ねじ部１１７を有し、第４ねじ部１１７の軸が試料ステージの回転中心と一致するように試料ステージ上に設けられ、補助外側磁極片１３３が着脱可能な着脱ホルダ１１１とを有する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、荷電粒子線の照射によって誘起される試料の電位変化を抑制しつつ、荷電粒子線を用いた試料表面の電位測定、或いは試料帯電によって変化する装置条件の変動の補償値を検出する方法、及び装置の提供にある。
【解決手段】上記目的を達成するために、荷電粒子線を試料に向けて照射している状態において、当該荷電粒子線が試料へ到達しない状態（以下ミラー状態と称することもある）となるように、試料に電圧を印加し、そのときに得られる信号を用いて、試料電位に関する情報を検出する方法、及び装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
デバイス等の不良原因となる数μｍ程度の有機微小異物をＳＥＭ中で高感度に分析できる質量分析手法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＳＥＭチャンバ内に、微小試料を加熱するための加熱機構、気化した試料を分析するための質量分析計を取り付ける。こうすることにより、ＳＥＭ中で観察した異物をＳＥＭの真空チャンバから取り出すことなく、そのまま微小有機異物の質量分析が可能となる。またＥＤＸとの併用で無機／有機異物ともに同定可能となり、異物分析を高スループットに行うことができる。 （もっと読む）

【課題】ラメラを作製するための方法およびシステムを開示する。
【解決手段】方法は、マスクおよび試料のアラインメントをマニピュレータによって実行するステップ、マスクと試料との間の空間的関係を変化させることなく、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置するステップ、試料の第１露出部分を、ラメラの第１側壁が露出するまでミリングするステップ、マスクが試料の第２マスキング部分を遮蔽するように、マスクおよび試料をイオンミリング装置の前に配置するステップ、ラメラの第２側壁が露出するまで試料の第２露出部分をイオンミリング装置によってミリングするステップ、ミリング装置によってラメラの両側から物質を除去するステップ；および試料からラメラを切り離すステップを含む。 （もっと読む）

【課題】直立カラムを用いて得られるトップダウン像と同程度の高分解能の傾斜像を得ることのできる傾斜カラム付の走査電子顕微鏡装置を提供する。
【解決手段】直立カラム１００と傾斜カラム２００を有し、傾斜カラム２００の対物レンズ２４の先端磁極２５を磁極本体から分離して電気的に絶縁し、試料１３に近づけて配置し、対物レンズ２４の先端磁極２５と試料１３とを同電位に保つことにより、直立カラム１００でリターディングをして高分解能トップダウン観察、傾斜カラム２００で短焦点動作による高分解能傾斜観察を可能とする。 （もっと読む）

【課題】試料表面を荷電粒子により調査及び／又は改変するのを容易且つ費用効率的に可能にし、表面電荷蓄積に関係する問題が克服されるような装置及び方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子により試料を調査及び／又は改変する装置、特には走査電子顕微鏡が提供される。この装置は、荷電粒子のビームと、該荷電粒子のビームが通過する開口３０を持つ遮蔽エレメント１０とを有し、該開口３０は充分に小さく、上記遮蔽エレメント１０は上記試料の表面２０に対して十分に接近して配置されて、上記荷電粒子のビームに対する該表面における電荷蓄積効果の影響を減少させる。 （もっと読む）

【課題】配線で可動範囲が制限されたりすることなく試料又はマスクの位置をより柔軟に調整することができる荷電粒子線装置、試料移動装置、マスク位置調整機構、試料位置調整方法及びマスク位置調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子線装置の試料ステージ００８に対する試料の位置を調整する試料移動装置０４０であって、ＳＥＭ制御ユニット０１５からの指令に応じて出力指示信号を生成する赤外線ランプ制御ユニット０１４と、赤外線ランプ制御ユニット０１４からの出力指示信号に応じて赤外線信号を照射する赤外線ランプ０１０と、試料ステージ００８上に固定された試料台ホルダー００７と、試料台ホルダー００７に対し変位可能に取り付けた試料台１０２と、赤外線ランプ０１０からの赤外線信号を受光する赤外線センサー１０８と、赤外線センサー１０８で受光した赤外線信号に応じて試料台１０２を駆動するモーター１１０とを備える。 （もっと読む）

【課題】
観察試料と対物レンズ等の試料室内の構造物の接触を未然に、かつ確実に防止することが可能な、使い勝手の良い走査電子顕微鏡を提供する。
【解決手段】
走査電子顕微鏡の試料室内壁近傍から非接触で観察試料の有無を検出する物体検出手段を設け、観察試料を試料室へ導入する際に、試料移動機構制御手段により試料移動機構を自動的に水平及び垂直方向に移動させつつ、物体検出手段による物体検出情報に基づいて観察試料の高さを自動的に算出し、手動操作入力手段から移動指示に応じて試料移動機構の移動する際には、先に算出した観察試料の高さの情報に基づいて試料移動機構の移動量に制限を加える。 （もっと読む）

【課題】試料の高さ方向のばらつきを検査する。
【解決手段】試料２９を保持するホルダ２１１と、ホルダ２１１に保持された試料２９帯電処理する帯電制御部２３と、ホルダ２１１に保持された試料２９に電圧を印加するリターディング電源２４と、リターディング電源２４により電圧が印加された試料２９に向けて電子線を照射して、試料２９の表面近傍で引き戻されたミラー電子を結像させる電子光学系２０と、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像を画像処理する画像処理部２７と、を有する。画像処理部２７は、ミラー電子を結像させることで得られたミラー画像と、予め用意された標準品のミラー画像との差に応じた情報を、試料２９の高さ方向のばらつきとして出力する。 （もっと読む）

【課題】 試料を大気中に取り出すことなく試料の断面加工と断面観察が行える荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】 イオン加工時、試料ホルダ２２の第２の被取付部３４がホルダ取付部１６に取付けられる。そして、遮蔽材４０のエッジ部４２から突出した試料部分４１がイオンビームによってエッチングされる。その後、試料ステージが電子光学系の光軸上に配置されて、イオンエッチングで現れた試料断面５０がＳＥＭ観察される。一方、試料表面４５をＳＥＭ観察する場合には、試料ホルダの第１の被取付部３１がホルダ取付部１６に取付けられる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、予備照射領域内に異なる複数の材質が含まれていたり、予備照射領域内のパターンの密集度が位置によって異なるような試料であっても、帯電の不均一さを抑制することが可能な荷電粒子ビーム照射方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、予備照射領域を複数の領域に分割し、当該複数の領域に対し、異なるビーム照射条件のビームを用いて、帯電を付着する荷電粒子ビーム照射方法、及び荷電粒子線装置を提案する。上記構成によれば、予備照射領域内で、各位置の帯電の差異を抑制し得るような照射条件に基づいて、予備照射領域に対する帯電の付着が可能となるため、荷電粒子ビームや試料から放出される電子に対する電界の影響を抑制することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ発生装置を備えていても、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置によるイオンビーム電流の測定に誤差が生じるのを抑制する。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、プラズマ発生装置２４と、その下流側に設けられたイオンビーム電流測定装置３０とを備えている。イオンビーム電流測定装置３０は、ビーム電流検出器３２、第１抑制電極３４および第２抑制電極３６を備えている。更に、負の第１抑制電圧Ｖ₁ を第１抑制電極３４に印加する第１抑制電源４０と、正の第２抑制電圧Ｖ₂ を出力する第２抑制電源４２と、プラズマ発生装置２４がオンのときは、第２抑制電極３６を第２抑制電源４２に接続し、プラズマ発生装置２４がオフのときは、第２抑制電極３６を第２抑制電源４２から切り離して第１抑制電源４０に接続する切り換え器４４とを備えている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、測定点や検査点が多数存在する場合であっても、帯電の影響に基づく、測定，検査精度の低下を抑制し得る光学条件の設定を可能とする荷電粒子線装置の光学条件設定方法、及び荷電粒子線装置の提供を目的とする。
【解決手段】上記目的を達成するために、電子線で試料表面を走査することによって試料から放出される電子の検出に基づいて、前記試料上のパターンを測定する走査電子顕微鏡、或いは光学条件設定方法であって、試料上の複数の測定点の測定値から、測定数に対する測定値の変化を求め、当該変化の傾斜がゼロ、或いはゼロに近くなるように、試料表面電界を制御する走査電子顕微鏡、或いは光学条件設定方法を提案する。 （もっと読む）

【課題】半導体製造工程におけるプロセスによっては、ウェハ全体に大きな電位をもった帯電分布を生じさせる場合がある。大きな帯電電位は電子結像に大きなコントラスト異常が生じる可能性がある。
【解決手段】予備チャンバ２０２から真空チャンバ２０１にウェハが搬送される際に、予備除帯電装置１２０１を用いて予め生じているウェハの帯電を消去、または検査時に行われる予備帯電で制御可能な電位まで減ずる。予備除帯電装置１２０１の設置位置は、予備チャンバ２０２と真空チャンバ２０１との間の開口部の真空チャンバ２０１側が望ましい。 （もっと読む）

【課題】
デバイス等の不良原因となる１μmほどの微小絶縁物試料等の分析前処理として、帯電の支障を少なくし、周辺の基材を混合することなく目的物のみをサンプリングすることを目的とする。
【解決手段】
試料の観察、サンプリング領域に電位制御が可能で導電性により形成された端子を接触させる機構を考案した。本機構は前記観察、サンプリング領域の周囲に接触する導電性の端子とこの端子の移動を精密に制御する動作機構と端子に電圧を印加するための電位制御機構と端子をアースおよび電位制御機構に接続する機構とから成り、前記端子を試料の近傍に接触させることにより観察、サンプリングの過程で生じる電荷をアース線を通して逃がすものである。 （もっと読む）

【課題】試料観察面の帯電を簡易な手段で防止でき、生体試料等において、乾燥後も収縮等の変形を抑制でき、さらに収縮痕へのイオン液体の部分的な残留により試料本来の像が妨げられることを抑制できる電子顕微鏡による試料観察用の液状媒体とそれを用いた試料観察方法を提供する。
【解決手段】水への溶解度が550g/100g water以上または10重量%水溶液での浸透圧が0.7 Osmol/kg以上のイオン液体、特に下記式（I）：


（式中、R¹〜R⁴は炭素数1〜5のアルキル基、または−R⁵−Aで示される水溶性官能基（R⁵は炭素数1〜5のアルキレン基、Aは水酸基等を示す。）を示し、その少なくとも１つは水溶性官能基である。X^-は、アルキルスルホン酸イオン等のアニオンを示す。）で表されるイオン液体を必須成分として含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ニュートラライザの寿命を向上させるとともに、被加工物の帯電を効果的に除去し、ビーム加工位置を長時間に亘って安定させて成果物の品質を向上させる。
【解決手段】ニュートラライザ１０２は、印加される電圧Ｖ_Ｎに応じた照射量の電子を被加工物に照射する。変位量算出部１２５は、被加工物の目標加工位置を基準とするビーム加工位置の変位量ΔＧを算出する。電圧値設定部１２６は、変位量算出部１２５で算出された変位量ΔＧが所定閾値を上回った場合、ニュートラライザ１０２に印加する電圧の電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、被加工物の中和に必要な荷電粒子の照射量となる第１電圧値に設定する。また、電圧値設定部１２６は、変位量ΔＧが所定閾値を下回った場合、電圧値Ｖ_Ｎ^＊を、第１電圧値よりも低い第２電圧値に設定する。電源部１１２ｂは、電圧値設定部１２６にて設定された電圧値Ｖ_Ｎ^＊に対応する電圧Ｖ_Ｎをニュートラライザ１０２に印加する。 （もっと読む）

【課題】電子顕微鏡等による各種観察やイオンビームによる加工に適するように、試料に付着させるイオン液体の形状及び膜厚を調整する機構を有する荷電粒子線装置を提供する。
【解決手段】開口部を有するイオン液体保持部材と、前記開口部にイオン液体を充填するためのイオン液体供給部と、前記イオン液体の付着状態を観察するための観察部と、荷電粒子線を照射するための荷電粒子線発生部とを含み、試料を前記イオン液体の内部又は前記イオン液体の表面に分散させることにより前記試料を前記イオン液体に浮かせた状態で観察するために前記開口部に充填する前記イオン液体の厚さを調整可能とした荷電粒子線装置を作製する。 （もっと読む）