【課題】挟持する力（挟持力）を容易且つ高精度に検出することができると共に、小型化を図ること。
【解決手段】電子顕微鏡観察用の試料を挟持可能なピンセットであって、所定間隔離間して隣接配置され、それぞれ対向する側の先端に試料を挟持する挟持面７１ａ、７２ａを有する一対の棒状挟持部材７１、７２を備え、一対の棒状挟持部材が、挟持面の基端側に挟持面と電気的に独立した状態で互いに対向して配された導電部７３、７４と、これら導電部間の静電容量を測定する静電容量センサ７５とを備えていることを特徴とするピンセット７０を提供する。 （もっと読む）

【課題】試料の種類に関係なく、ステージを作動させる前に予め試料との干渉を予測して該干渉を未然に防ぐことができ、オペレータにかかる負担を極力軽減すること。
【解決手段】試料２に対して荷電粒子ビーム（ＦＩＢ／ＥＢ）を照射する照射機構と、荷電粒子ビームの照射によって発生した二次荷電粒子を検出する検出機構と、照射機構及び検出機構の三次元データをそれぞれステージ座標系Ｗに関連付けた状態で予め記憶する記憶部と、試料の三次元データをステージ座標系に変換する変換部と、試料の特定位置を測定ポイントに位置させる際に、変換部によって変換されたデータと記憶部に記憶されたデータとに基づいて、試料と照射機構と検出機構との位置関係をシミュレーションして、予め試料が干渉するか否かを判断すると共に判断結果を報知する判断部とを備えている荷電粒子ビーム装置を提供する。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、集束イオンビーム加工法などにより加工した試料をさらに他の前処理法で薄膜加工し、そのまま電子顕微鏡により観察および分析することにある。
【解決手段】
上記目的は、ＦＩＢ加工装置試料ホールダ用試料台においてＦＩＢ加工後の試料を材料の特性に合わせた方法で追加工し、ＦＩＢ加工によって生じた汚染や損傷の不具合を完全に除去し、材料の本質を保存した試料を観察目的に最適な形状、厚さに加工することが可能な試料台を備えることで達成される。 （もっと読む）

【課題】ウエハが搭載されたウエハホルダの位置を変化させてしまうことなく、正確に位置決めして搬送することが可能なウエハ搬送機構、及び、正確に位置決めして保持することが可能なウエハ保持機構、並びに、試料作製装置を提供する。
【解決手段】ウエハ搬送機構５１は、上面にウエハＷを載置可能なホルダ本体、及び、ホルダ本体にウエハＷを位置決めするガイド部を有するウエハホルダ３０と、ウエハホルダＷのホルダ本体の下面に当接するアームを有し、アームを移動させることでウエハホルダ３０上のウエハＷを搬送する搬送ロボット１８と、ウエハホルダ３０のホルダ本体の下面に形成された複数の凹部４１ａ、４１ｂ、及び、搬送ロボット１８のアームに形成されてアームがホルダ本体の下面に当接した際に凹部４１ａ、４１ｂに嵌合可能な複数の凸部４３ａ、４３ｂで構成された位置決め手段５１ａとを備える。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置表面に付着している微小異物を採取し、精度の良い観察、分析を行うことができる試料作製装置および試料作製方法を提供する。
【解決手段】 埋包試料３０は、無機固体物１２中に微小異物１０を埋め込ませて採取したものである。無機固体物１２が試料ホルダ１４ａ、１４ｂの左右方向に退けられ、微小異物１０が上下の試料ホルダ１４ａと１４ｂの対向面にそれぞれ直接接触するに至るまで埋包試料３０を圧縮する。微小異物と上下の試料ホルダとの接触部分を結ぶ経路は、微小異物１０以外の第３物質である無機固体物１０によって阻害されることがない測定経路となる。 （もっと読む）

集積支持フィーチャを有する試料支持構造体ならびに補強された膜を作製する方法およびそれを使用する方法。試料支持構造体は、電子顕微鏡法、光学顕微鏡法、Ｘ線顕微鏡法、ＵＶ−ＶＩＳ分光法および核磁気共鳴（ＮＭＲ）技術などの顕微鏡技術を使用する分析のための試料を支持するために有用である。
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【課題】
本発明の目的は、接触精度やプローブ操作性を向上させることに関する。
【解決手段】
本発明は、試料ステージ移動制御とプローブ移動制御を、観察画像上において同一の座標系を用いて制御することにより、試料ステージの停止誤差をプローブ制御移動量として位置決め可能とする。また、観察画像を利用してプローブの先端位置を把握し、画像上の基準位置におけるプローブ座標を記憶する。本発明により、マイクロメートルオーダの試
料位置への正確なプローブ接触操作が容易となる。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加工領域を変更する度毎に試料を試料ステージ機構に付け直す手間が不要のイオンミリング装置、及びイオンミリング方法を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明は、試料に照射するイオンビームを発生させるイオン銃と、前記イオンビームによる照射加工が行なわれる前記試料を内置する試料室と、前記試料室の真空を保つために排気を行なう排気装置と、イオン生成のためのガスを注入するガス注入機構と、前記試料を設置して回動する試料ステージ機構を備えたイオンミリング装置において、前記試料ステージ機構は、前記試料を載せて回転する回転テーブルと、前記回転テーブルを駆動する回転機構と、前記回転テーブルの回転中心軸線と前記イオンビームの中心線との位置関係を偏心調整できる偏心機構と、前記試料ステージに設置した試料の中心線と前記回転テーブルの回転中心軸線との位置関係を偏心調整できる試料位置調整機構を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術
を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハから取り出された試料を薄くするプロセスを自動化する。
【解決手段】試料キャリアは、外側境界(6)を有する隆線形状部(5)及び外側境界を超えて延びる支持膜(4)を有する。その隆線形状部(5)はCuで作製され、その支持膜(4)は炭素で作製される。試料を支持膜上に設け、位置合わせをして、その試料は、IBIDを用いて剛性構造体に取り付けられる。試料を剛性構造体に取り付けた後、イオンビームを用いてその試料を薄くする。試料を薄くする間、支持膜も同様に局所的に除去される。本発明は、試料と試料キャリアとの良好な位置合わせを実現する。また本発明は、たとえば帯電したガラス針(2)による、ウエハから試料キャリアへの試料の移動に係る自由度を増大させる。その自由度の増大により、試料を試料キャリアへ移動させるのに通常必要となる取り付け/切断工程が不要となる。 （もっと読む）

本発明は、高圧荷電粒子ビーム・システム内でサンプルを処理する、すなわちサンプルを改変し、画像化する方法および装置を含む。本発明の実施形態は、高圧荷電粒子ビーム処理の間、サンプルがその中に配置される小室を含む。この小室は、処理に必要なガスの量を減らし、それにより迅速な導入、排気、ガス間の切替えおよび処理モードと画像化モードとの間の切替えを可能にする。小室内に処理ガスを保持することは、サンプルチャンバおよびカラムがガスと接触することを防ぐ。いくつかの実施形態では、小室壁およびサンプルの温度を制御することができる。
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【課題】
試料となるウェーハを割ることなしにウェーハ断面を水平から垂直迄の方向からの断面
観察や分析を高分解能，高精度かつ高スループットで行える微小試料加工観察装置および
微小試料加工観察方法を実現することを目的とする。
【解決手段】
上記課題を解決するために本発明装置では、同一真空装置に集束イオンビーム光学系と
電子光学系を備え、試料の所望の領域を含む微小試料を荷電粒子線成型加工により分離し
、分離した該微小試料を摘出するプローブを備えた。 （もっと読む）

【課題】半導体ウエハやデバイスチップから所望の特定領域を含む試料片のみをサンプリング（摘出）して、分析／計測装置の試料ステ−ジに、経験や熟練や時間のかかる手作業の試料作り工程を経ることなく、マウント（搭載）する試料作製方法およびその装置を提供すること。
【解決手段】FIB加工と、摘出試料の移送、さらには摘出試料の試料ホルダへの固定技術を用いる。
【効果】分析や計測用の試料作製に経験や熟練技能工程を排除し、サンプリング箇所の決定から各種装置への装填までの時間が短縮でき、総合的に分析や計測の効率が向上する。 （もっと読む）

【課題】反応性ガスによる汚れを効率良く除去することができる荷電ビーム装置、及びそのクリーニング方法を提供する。
【解決手段】試料４が載置され適宜移動可能な試料ホルダー３上に、試料４上の荷電ビーム照射部分に反応性ガス１８を供給するガス銃１１を挿入するためのガス供給部挿入口１７、及び荷電ビーム６を導入するための荷電ビーム導入口１６を有するクリーニング室８を設け、ガスノズル１２に付着した付着物１４を除去する。 （もっと読む）

【課題】電子線装置における電子ビームの集束条件の設定の際に電子ビームを試料に照射する機会や時間を低減することを目的とする。
【解決手段】走査電子顕微鏡１の電子ビームＢの集束状態を検出するために電子ビーム照射面１３ａを使用する。電子ビーム照射面１３ａは、電子ビームＢの光軸方向である高さ方向の位置がその面内位置により異なり、また電子ビームＢを照射されることにより反射電子及び二次電子のうちの少なくとも一方を発生する。 （もっと読む）

【課題】焦点および収差補正を可能にする電子線装置用試料台を提供する。
【解決手段】電子線が入射する面に、種々の寸法の複数の収差補正用穴を設け、好適には、前記収差補正用の穴は約１０ｎｍ乃至約１００ｎｍの種々のサイズの直径とし、観察試料から約１００μｍ以内の範囲に分布させる。収差補正用穴の収差補正用パターンの代わりに、収差補正用薄膜を電子線装置用試料台に設けてもよい。収差補正用薄膜は、非晶質膜上にアイランド状の結晶粒子が分布しているものである。できるだけ観察試料の近くになるように配置することが望ましく、例えば、観察試料から１００μｍ以内になるようにする。さらに、収差補正用穴の収差補正用パターンの代わりに、直径約１０ｎｍ〜約１００ｎｍサイズの蒸着された複数の金属微粒子を設けてもよい。観察試料から約１００μｍの範囲内に配置する。 （もっと読む）

【課題】荷電粒子線装置を用いて、ガス雰囲気下における試料を観察する方法として、微量のガスを使い、例えば試料を加熱して反応中の変化を観察しようとすると、ガスの流れる方向によって試料ドリフトや振動の影響を受け、原子レベルでの観察が不可能であるという問題があった。また、大気中に暴露せずにかつ、試料の付け替え無しに試料を搬送する場合、真空装置を備えた大掛かりな装置が必要であった。
本発明の目的は、従来法では観察が困難であった試料のガス雰囲気での状態観察を原子レベルで観察可能な荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料保持装置を提供することにある。
【解決手段】観察する試料に局所的にガスを噴射する機構を備えた荷電粒子線装置および荷電粒子線装置用試料保持装置において、観察する試料に近接し、試料に対し対向した微小ガス噴出部を設けたことにより達成される。 （もっと読む）

Ｓ／ＴＥＭ分析のためにサンプルを抽出および取り扱うための改善された方法および装置。本発明の好適な実施形態は、マイクロマニピュレータと、真空圧を用いてマイクロプローブ先端をサンプルに付着させる中空マイクロプローブとを使用する。小さな真空圧をマイクロプローブ先端を通してラメラに印加することによって、ラメラをより確実に保持することができ、静電力だけを用いるよりも、ラメラの配置をより正確に制御することができる。勾配の付いた先端を有し、その長手軸線周囲に回転させることも可能なプローブを用いることによって、抽出されたサンプルをサンプル・ホルダ上に平坦に置くことができる。これによってサンプルの配置および配向を正確に制御することが可能になるので、分析の予測可能性および処理能力が大幅に増大される。
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【課題】試料全体にわたりチャージアップのない状態で試料表面の観察及び評価を可能にした荷電粒子線装置及び該装置を使用した半導体デバイス製造方法を提供すること。
【解決手段】荷電粒子線装置は、一次荷電粒子線を試料１９に向けて照射する手段１、２、３と、一次荷電粒子線の試料１９へ向けた照射によって試料１９の表面の情報を得た二次荷電粒子線を検出器Ｄへ導く手段と、検出器Ｄに導かれた二次荷電粒子線を画像として合成する手段と１４を備える。この荷電粒子線装置は、試料１９の表面の帯電電荷量を計測する計測手段２４と、計測手段２４によって計測された帯電電荷量に基づいて、試料１９の表面における帯電電荷量を低減又は消滅させる帯電解消手段６、１７とを具備することを特徴とする。 （もっと読む）