【課題】エミッタンス測定およびリボンビームの強度分布均一化を簡易な手段で実施できるようにする。
【解決手段】イオンビームＩＢの軌道上に設けられて、そのビーム強度分布を測定するビームプロファイルモニタと、イオンビームＩＢを挟んでｘ方向に対向配置され、互いの間でイオンビームＩＢを通過させる開口を形成する一対のビーム遮蔽部材６とを利用する。そして、ビーム遮蔽部材６の少なくとも一方を、ｙ方向には隙間なく、かつ、ｘ方向には独立して進退可能に設けられた複数の可動遮蔽板６１からなるものとしたうえで、可動遮蔽板６１の位置を調整して、対向するビーム遮蔽部材６との間に微小開口Ｐを形成し、微小開口Ｐを通過したイオンビームＩＢについての強度分布測定結果から、イオンビームＩＢのエミッタンスを算出するように構成した。 （もっと読む）

【課題】イオン注入装置において、帯状イオンビームの一部分を帯状イオンビームの面内で小さく曲げて電流密度分布を精度よく調整する。
【解決手段】イオン注入装置は、イオンビームの電流密度分布を調整するために、帯状イオンビームのビーム幅方向に沿って複数の単位レンズ要素を並べ、各単位レンズ要素が作る磁場又は電場を調整するレンズ要素４０と、計測した電流密度分布に応じてレンズ要素４０にて調整する単位レンズ要素の作る磁場又は電場の強度を設定する制御部８０と、を有する。レンズ要素４０の複数の単位レンズ要素のうち、調整しようとする位置に対応する単位レンズ要素が作る磁場又は電場の調整強度を、計測された電流密度分布から求めるとともに、前記単位レンズ要素に隣接する単位レンズ要素が作る磁場又は電場に対して、求められた調整強度に一定の比率を乗算して得られる値を磁場又は電場の調整強度として求める。 （もっと読む）

【課題】 イオン源から引き出されたイオンビームの実際の進行方向を基板表面に投影した方向と実質的に等しい方向を、複雑な算出工程を用いずに測定する。
【解決手段】 上孔３３を有する上板３２および下孔３５を有する下板３４を備えていて少なくとも下孔３５がスリット状をしている治具３０と、治具３０の上孔および下孔の両方を通過したイオンビーム１２を受けてそのビーム電流を測定するビーム電流測定器６０とを用いて、治具３０およびビーム電流測定器６０を、上孔３３にイオン源１０から引き出されたイオンビーム１２が入射する場所に位置させた状態で、少なくとも下板３４を軸３８を中心に回転させて、イオン源１０から引き出されたイオンビーム１２を上孔３３および下孔３５の両方を通過させて、ビーム電流測定器６０で測定するビーム電流が最大となるときの下孔の長さ方向５１を測定する。 （もっと読む）

【課題】 イオン源の引出し電極系を構成する電極に印加する電圧について、イオンビームの偏差角度および発散角度の両方を小さくするのに適した電圧を、短時間でかつ容易に決定することができる方法を提供する。
【解決手段】 第１〜第３電極１１〜１３に印加する電圧をＶ₁ 〜Ｖ₃ 、Ｖ₁ −Ｖ₂ を差電圧Ｖ₁₂、Ｖ₂ −Ｖ₃ を差電圧Ｖ₂₃とすると、電圧Ｖ₁ を所要の電圧に設定する。差電圧Ｖ₁₂を変化させて、イオン源２から引き出されるイオンビーム２０のビーム電流を測定して、そのピーク値およびその時の差電圧Ｖ₁₂を求める動作を、差電圧Ｖ₂₃を所定の範囲内で所定の電圧刻みで変えて行う。上記ピーク値の比較を行って、ピーク値が最大となる時の差電圧Ｖ₁₂を求めてそれをＶ_12P とする。０＜Ｖ₁₂≦Ｖ_12P を満たす範囲内で、電圧Ｖ₁ は変えずに、電圧Ｖ₂ と電圧Ｖ₃ の組み合わせを変化させて、イオンビーム２０の偏差角度を測定する。そして、偏差角度が最小となる電圧Ｖ₂ と電圧Ｖ₃ の組み合わせを決定する。 （もっと読む）

【課題】イオン照射対象物品のイオン照射対象部分に全体的に均一に、効率よくイオン照射処理を施すことができる寿命の長いイオン照射装置を提供する。
【解決手段】電子源20A を物品Ｗのイオン照射対象部分の全体に臨むように設け、電子源20A におけるフィラメント2a、2a’、2a”は、電子源20A の全体にわたり不連続に複数段に分散並列配置する。フィラメントは、互いに逆向きの電流が流れるように平行又は略平行に接近する対部分をフィラメントの各端部寄りに含むように屈曲配置し、或いは、少なくとも一組の互いに隣り合うフィラメントについて、互いに逆向きの電流が流れるように相互に平行又は略平行に接近して対向する部分からなる対部分をフィラメントの両端部寄りに含ませる。かかる電子源から放出させた電子をチャンバ１内へ導入したガスに衝突させてプラズマを生成し、該プラズマ中のイオンを物品Ｗに照射する。 （もっと読む）

【課題】 プラズマ生成容器内のＹ方向におけるプラズマ密度分布の制御が容易であり、しかもプラズマ生成容器内に発生させる磁界によってイオンビームの軌道が曲げられるのを防止することができるイオン源を提供する。
【解決手段】 このイオン源１０は、Ｙ方向に長いリボン状イオンビーム２をＺ方向に引き出すものであり、プラズマ生成容器１２と、プラズマ生成容器１２のＺ方向端付近に設けられていてＹ方向に伸びたイオン引出し口２６を有するプラズマ電極２４と、プラズマ生成容器１２内へ電子を放出してプラズマ２２を生成するためのものであってＹ方向に沿って複数段に配置された複数の陰極４０と、プラズマ生成容器１２内に、しかも複数の陰極４０を含む領域に、Ｚ方向に沿う磁界５６を発生させる磁気コイル５０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】
本発明の目的は、ガス電界電離イオン源の安定性向上に関する。
【解決手段】
本発明は、ＧＦＩＳにおいて、引き出し電極の孔の孔径を少なくとも２種類の値に可変にすること、あるいは、該エミッタ先端から該引き出し電極までの距離を少なくとも２種類の値に可変とすることに関する。また、本発明は、ＧＦＩＳにおいて、固体窒素を利用して冷却することに関する。本発明によると、引き出し電極の孔に対する大角度放出イオンの通過と差動排気の観点からの孔の小径化が両立できる。また、冷却手段の機械振動が低減できる。その結果、高安定なＧＦＩＳとこれを搭載した走査荷電粒子顕微鏡を提供できる。 （もっと読む）

【課題】自動チップ形成を備える帯電粒子源を提供する。
【解決手段】帯電粒子デバイスは、エミッタチップ１３を含むエミッタユニットと、エミッタチップに安定な引出電界を生成するための定電圧を供給するように構成された電圧供給ユニット２２２と、安定引出電界に加えてパルス引出電界を生成するためのパルス電圧を供給するように構成されたパルス電圧供給部品２２４と、エミッタ特性を測定するための測定ユニット１４２、１４２’、１４２”と、測定ユニットから信号を受け取るように構成され、かつパルス電圧供給部品を制御するように構成された制御ユニット１３０とを含む。 （もっと読む）

【課題】アパーチャーの開口の大きさの変動量に依存しない正確な測定を行えるビーム量測定装置及び半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】大きさの異なる少なくとも２つの開口を有するアパーチャーと、各開口を通過したビームの量をそれぞれ測定可能な測定子と、測定子の測定値と、開口の大きさの初期値とに基づいて、開口の大きさの変動量に依存しないビーム量、開口の大きさの変動量を算出する演算装置とを備えている。 （もっと読む）

【課題】大面積イオンビームにより大型の基板にイオン注入を行うことができ、イオンビームの均一性を制御可能であり、かつイオンビームによるスパッタの発生がなく、スパッタによる悪影響を防止することができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】内部にイオン源となるプラズマ１を発生させるプラズマ室１０と、プラズマ室に近接しプラズマからイオンビーム２を引き出す引出電極２０と、プラズマ室内に引出電極に対向して位置し引出電極によって引き出されたイオンビームのビーム軸と直交する断面形状を可変制御する可変スリット装置３０とを備える。 （もっと読む）

【課題】自動制御により短時間でイオンビームのビーム電流を均一化する。
【解決手段】複数のビーム電流計測器１６を、複数のグループに分ける。各フィラメント３に流す電流を任意量変化させ、そのときの各グループの電流値の変化量をそれぞれ求め、その各変化量に基づいて、各グループの電流値が設定値に近づくように各フィラメント３に流す電流を制御する。 （もっと読む）

【課題】 インジェクタフラグファラデーカップによりその周辺部材が悪影響を受けることが無いイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 ビームスキャナ３６への入射前のビームライン上に、イオンビームの全ビーム量を計測してビーム電流を検出するインジェクタフラグファラデーカップ３２が入れ出し可能に配置される。インジェクタフラグファラデーカップ３２をビームラインに挿入してイオンビームを遮断すると、イオンビームがインジェクタフラグファラデーカップ３２に設けられたグラファイト３２ａに当たる。このとき、イオンビームでグラファイト３２ａがスパッタされても、インジェクタフラグファラデーカップ３２がビームスキャナ３６の上流側に配置されており、インジェクタフラグファラデーカップ３２でイオンビームが遮断されているので、スパッタされたグラファイト粒子がインジェクタフラグファラデーカップ３２の周辺部材に付着することはない。 （もっと読む）

【課題】クレーン等の重機を用いることなく容易かつ短時間に性能を回復することができ、かつその際に水分が真空チャンバー内に侵入する可能性が少ないビームプロファイルモニターを提供する。
【解決手段】イオンビーム源に対向する照射面１０ａを有し照射面におけるイオンビームの強度分布を計測するビームプロファイルモニター１０。イオンビームを遮ることなく照射面を囲む枠体１２と、枠体に固定されイオンビーム３が通過可能な複数のスリット孔１４ａを有する水冷された平板状の冷却支持板１４と、冷却支持板のイオンビーム源の背面側に位置し複数のスリット孔を通過したイオンビーム３の強度をそれぞれ独立に計測する複数のファラデーカップ１８とを備える。ファラデーカップ１８は、枠体１２の背面側から着脱可能に枠体に取付けられている。 （もっと読む）

イオン源および制御可能なイオン電流密度分布を有するイオンビームを発生させるためにイオン源の電磁石を動作させる方法。イオン源（１０）は、放電チャンバ（１６）および放電チャンバ（１６）の内側でプラズマ密度分布を変化させるために磁界（７５）を発生させるようになっている電磁石（４２；４２ａ−ｄ）を含む。方法は、放電空間（２４）内でプラズマ（１７）を発生させること、電流を電磁石（４２；４２ａ−ｄ）に印加することによって、プラズマ密度分布を規定するのに有効である磁界（７５）を放電空間（２４）内に発生し形作ること、プラズマ（１７）からイオンビーム（１５）を抽出すること、イオンビーム密度について分布プロファイルを測定すること、および、イオンビーム密度について実際の分布プロファイルを所望の分布プロファイルと比較することを含んでもよい。
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【課題】 ビームモニタの各ビーム検出器に流入するビーム電流の波形を、少ない数の電流測定器を用いて短時間で精度良く測定する。
【解決手段】 ビームモニタ３０の各ビーム検出器３２を、スイッチＳをそれぞれ介して一つの電流測定器４０に接続しておく。そして、各ビーム検出器３２のビーム入射孔のＸ方向の幅をＷｆ、隣り合うビーム入射孔間のＸ方向の間隔をＷｓ、イオンビーム４のＸ方向のビーム幅をＷｂ、ビーム検出器３２の総数をｐとし、ｎを０≦ｎ≦（ｐ−２）の整数とすると、次式を満たすｎ個ずつ飛ばして複数のスイッチＳを同時にオン状態にしている状態で、ビームモニタ３０によってイオンビーム４を受けて電流測定器４０に流入するビーム電流の波形を測定する測定工程と、同時にオン状態にしているスイッチＳを前記条件の下で切り換える切換工程とを繰り返す。
Ｗｂ＜｛ｎ・Ｗｆ＋（ｎ＋１）Ｗｓ｝ （もっと読む）

【課題】イオンビーム加工装置では、イオンビームの異常状態を、試料に照射する電流でしか検知できなかったため、原因探索による補正ができず、安定な加工が実現できていなかった。
【解決手段】
第１、第２のブランカ１２８、１３４とファラデーカップ１３０、１３４を用い、第１、第２のブランカ１２８、１３４のオンオフを切り替えて、投射マスク１１５の上下２箇所でビーム電流をモニタする。これにより、投射マスク１１５の損傷を抑えながら、イオンビームの異常情報を取得し、異常原因の切り分け、異常の補正が可能となる。このため、イオンビームによる安定加工を実現することができ、イオンビーム加工装置を安定的に使用することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 リボン状のイオンビームのＸ方向における進行角を、Ｙ方向（長手方向）における複数位置において簡単な方法で測定する測定方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム測定方法は、イオンビーム２の進行方向Ｚの上流側および下流側にそれぞれ設けられていて複数のビーム検出器１２、２２をＸ方向にそれぞれ有していてＹ方向に可動の二つのビームモニタ１０、２０を用いて、互いにＹ方向における実質的に同じ位置において、イオンビーム２のＸ方向における中心位置ｘ₁ 、ｘ₂ をそれぞれ測定し、測定した中心位置間のＸ方向における距離Ｌ₂ および二つのビームモニタ１０、２０間のＺ方向における距離Ｌ₁ に基づいてイオンビーム２のＸ方向における進行角θを測定し、しかも両ビームモニタ１０、２０をＹ方向に移動させて進行角θの測定をＹ方向における複数の位置において行うものである。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム電流の計測誤差を小さくして計測精度を高めることができるイオンビーム計測装置を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム計測装置２０は、イオンビーム２を受け入れる入口２４を有するファラデーカップ２２と、ファラデーカップ２２の入口２４の上流側近傍に設けられていて接地電位を基準にして正のバイアス電圧が印加される抑制電極２６と、ファラデーカップ２２の外側に設けられていてファラデーカップ２２内にイオンビーム２の入射方向と交差する方向の磁界Ｂを作る磁石３０とを備えている。 （もっと読む）

【課題】 基板に対する注入位置での長手方向（Ｙ方向）のイオンビーム電流密度分布の均一性を向上させることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、イオンビーム５０を発生するイオン源１００と、イオン源１００内でＹ方向に走査される電子ビームを放出する電子ビーム源Ｇｎと、それ用の電源１１４と、注入位置近傍におけるイオンビーム５０のＹ方向のビーム電流密度分布を測定するイオンビームモニタ８０と、制御装置９０とを備えている。制御装置９０は、モニタ８０からの測定データに基づいて電源１１４を制御することによって、モニタ８０で測定したビーム電流密度が大きいモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を大きくし、測定したビーム電流密度が小さいモニタ点に対応する位置での電子ビームの走査速度を小さくして、モニタ８０で測定されるＹ方向のビーム電流密度分布を均一化する機能を有している。 （もっと読む）

本発明は、イオンビームの特性、例えば、イオンビーム(34)の電流プロフィール又はイオンビーム(34)のエミッタンスを測定する方法に係る。イオンビーム電流センサ(58)のアレイを含むファラディアレイ(54)が使用される。このアレイは、アレイの平面におけるイオンビーム電流プロフィールを与えることができる。また、ファラディアレイは、閉塞素子(56)に関連して使用され、この閉塞素子は、ファラディアレイの上流でイオンビームを通して移動され、ファラディアレイからイオンビームの異なる部分を覆い隠す。ファラディからの信号を適当に操作することで、閉塞素子の平面に対してイオンビーム電流プロフィールを決定すると共に、閉塞素子の平面におけるイオンビームのエミッタンスを決定することができる。 （もっと読む）