説明

Fターム[5C030AB05]の内容

電子源、イオン源 (2,387) | 用途 (236) | イオンビーム装置 (76)

Fターム[5C030AB05]に分類される特許

41 - 60 / 76


【課題】短時間で容易に、かつ、精度良くアパーチャの中心軸の位置調整が可能な荷電粒子ビーム装置、及び、アパーチャの軸調整方法を提供する。
【解決手段】荷電粒子ビーム装置1は、荷電粒子源9と、アパーチャ18と、対物レンズ12と、観察手段32と、アパーチャ駆動部19と、制御部30とを備える。制御部30は、荷電粒子ビームIを照射することで、試料Nの表面N1に複数のスポットパターンを形成させるスポットパターン形成手段33と、スポットパターンのスポット中心の位置、及びハローの幾何学的な中心位置を算出する解析手段34と、各スポットパターンにおけるスポット中心の位置とハローの中心位置とを結んだ線同士が交差する位置に基づいて調整位置を算出する調整位置決定手段35とを有し、調整位置にアパーチャ18の中心軸を移動させることでアパーチャ18の位置を調整する。 (もっと読む)


【課題】 注入位置でのリボン状イオンビームのY方向におけるビーム電流密度分布の均一性を高めることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 このイオン注入装置は、リボン状のイオンビーム4を発生させるイオン源2内に原料ガス34を導入するものであってY方向に配列された複数のガス導入部38と、それから導入する原料ガス34の流量を調節する複数の流量調節器36とを備えている。更に、イオンビーム4のY方向におけるビーム電流密度分布を測定するビーム測定器46と、それによる測定情報に基づいて各流量調節器36を制御して、注入位置でのイオンビーム4のY方向におけるビーム電流密度分布を均一化する制御装置50とを備えている。 (もっと読む)


【課題】
アパーチャの寿命を長くでき、カラムバルブを閉じた際にも、コンタミの増加を防止し、また、再起動も短時間で行える集束イオンビーム装置を提供することにある。
【解決手段】
高圧電源制御器181は、カラムバルブ14の閉動作時に、引出電極17に印加する引出電圧を下げ、または、制御電極16に印加する制御電圧を下げて、エミッションを0μAにする。また、カラムバルブ14の開動作時に、引出電極17に印加する引出電圧を元に戻し、または、制御電極16に印加する制御電圧を元の電圧に戻す。 (もっと読む)


【課題】 開口が形成されたシリコン板とライン・スペースパターンが形成されたシリコン板とを用いた、イオンビーム装置における荷電粒子の入射角モニタ素子を提供する。
【解決手段】
荷電粒子を通過させるための開口を有する部材と、寸法を計測するためにパターン構造を形成した荷電粒子を照射させる面を持つ部材とから構成され、それらを空隙を介して配設したことを特徴とする荷電粒子の入射角モニタ素子。 (もっと読む)


本発明は、粒子線によって対象物(5)の画像を生成するための方法および装置(1)に関する。この方法または装置(1)では粒子線が対象物(5)上にラスタ走査される。本発明は、粒子線によって対象物(5)の画像を生成するための方法および装置(1)において、良好な画像が常に保証されているように冷陰極電界エミッタ(2)と共に使用可能であるものを提案することを課題としている。この課題は、本発明による方法において、ビームのパラメータが変化した場合に、補正されたパラメータにより対象物(5)のラスタ走査を繰り返すことにより解決される。本発明による装置(1)は、このために対応する手段(4,6,7)を有している。
(もっと読む)


イオンビーム電流の均一性を監視するモニタ、イオン注入装置及び関連の方法を開示する。一実施形態では、イオンビーム電流均一性モニタ(15)は、複数のロケーションにおけるイオンビーム(12)の電流を測定する複数の測定デバイス(17)を有するイオンビーム電流測定器と、イオンビーム電流測定器によるイオンビームの電流の測定値に基づいてイオンビーム電流の均一性を維持する制御器(18)とを備える。 (もっと読む)


【課題】本発明はイオンビーム発生装置のイオンビーム位置検出板に関し、蛍光材を用いることなく、且つ真空度を低下させることのない、イオンのビーム照射位置を特定することができるイオンビーム発生装置のイオンビーム検出板を提供することを目的としている。
【解決手段】イオンビーム1を発生させて試料2を加工する装置において、イオンビーム1を照射してイオンビーム1の照射点を検出するための板であって、イオンビーム1の照射点と周囲の部位との区別がつくような材料であって、且つイオンビーム照射によりガス放出がない材料を用いて構成される。 (もっと読む)


【課題】 複雑な演算処理を要することなく、多孔電極を有するイオン源のイオン引出し孔から出射される際のイオンビームが持つ特性を測定することができる装置および方法を提供する。
【解決手段】 このイオンビーム測定装置40aは、イオン源2の多孔電極6から引き出されたイオンビーム10の一部を通過させる開口14を有する遮蔽板12と、開口14を通過したイオンビーム10のビーム電流を検出する検出器18と、それをx方向に移動させる検出器駆動装置24とを備えている。かつ、多孔電極6と検出器18間の距離をL、遮蔽板12と検出器18間の距離をd、x方向に関して、多孔電極6の各イオン引出し孔8の寸法をa、その間隔をp、開口14の寸法をb、検出器18の寸法をwとすると、次式の関係を満たしている。
{w(L−d)+bL}/d<(p−a) (もっと読む)


本発明の一形態は、帯状のイオンビームのイオンフラックスを調整するための調整方法に関する。この方法は、帯状イオンビームを形成するために、或るイオンビームが或る走査速度にて走査され、複数のダイナミックビームプロファイルがイオンビームが走査されるにつれて測定される。修正された走査速度は、走査されたイオンビームの測定された複数のダイナミックビームプロファイルに基づいて算出される。イオンビームは、修正された走査速度にて走査され、修正された帯状イオンビームを得ることができる。また、他の方法及びシステムについても説明している。
(もっと読む)


【課題】イオンの質量分離に際し、高い質量分離分解能を維持しつつ電流ロスを低減できるイオン注入装置を提供する。イオンビームの電流密度分布のムラを低減し均一化を図ることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】質量分離電磁石17からのイオンビーム1を受けて所望のイオンを選別して通過させる分離スリット20を備えたイオン注入装置10において、分離スリット20は、イオンビーム1を通過させる隙間形状が可変に構成されている。また、引出し電極系15と質量分離電磁石17との間に配置され、イオンビーム1が通過する隙間を形成するものであって、イオン源12から引き出されたイオンビーム1の一部を遮蔽するように隙間形状が可変に構成された可変スリット30を備える。 (もっと読む)


【課題】 イオンビームの平行度や発散角に悪影響を与えることなく、イオンビームのy方向(長手方向)のビーム電流密度分布の均一性を向上させる。
【解決手段】 このイオンビーム照射装置は、ターゲット8近傍におけるイオンビーム4のy方向のビーム電流密度分布を測定するビームプロファイルモニタ14と、ターゲット位置よりも上流側におけるイオンビーム経路を挟んで相対向するようにy方向に並べて配置されていて互いに独立してx方向に可動の複数の可動遮蔽板16をそれぞれ有する可動遮蔽板群18a、18bと、それらを構成する各可動遮蔽板16を互いに独立してx方向に往復駆動する遮蔽板駆動装置22a、22bと、モニタ14による測定情報に基づいて遮蔽板駆動装置22a、22bを制御して、測定したy方向のビーム電流密度が相対的に大きい位置に対応する前記相対向する可動遮蔽板16によるイオンビーム4の遮蔽量を相対的に多くして、y方向のビーム電流密度分布の均一性を向上させる遮蔽板制御装置24とを備えている。 (もっと読む)


【課題】荷電粒子ビームの軌道の調整作業を容易化して調整精度を向上させることができる軌道位置ずれ検出装置,組成分析装置及び荷電粒子ビームの軌道調整方法を提供すること。また,エネルギー分解能や散乱粒子の取得効率を容易に変更することができる組成分析装置を提供すること。
【解決手段】絞り部31と超音波モータ32と駆動軸33とを備えて構成された開口状態変更装置30により,基準ビーム軸上の所定の位置に配置され荷電粒子ビームを通過させる開口部31aの開口径(開口状態)を変更可能とする。
また,上記開口部31aを通過した或いは該開口部31aから外れた上記荷電粒子ビームの強度を測定し,該荷電粒子ビームの強度に基づいて上記荷電粒子ビームの軌道と上記基準ビーム軸との位置ずれの有無を検出する。 (もっと読む)


【課題】基板へ不純物イオンを注入する際に不純物濃度の均一性を向上させることができるオン注入装置を提供する。
【解決手段】チャンバー内に設け主面にイオンを注入すべき基板10を搭載した円板と、この円板を主面に平行な方向に移動させる移動手段と、円板に取り付けてある基板10にイオンを注入するイオンビーム発生部2とを備えたイオン注入装置1であって、イオンビーム発生部2から出射するイオンビームが基板10に到達するまでの間の進行路上に設置し、イオンビーム径の形状を少なくとも一方向に拡大させるビーム成形手段5を備えている。 (もっと読む)


【課題】イオンビームのプロファイルを決定するためのシステム、方法及び装置が提供される。
【解決手段】装置は、イオンビーム110の経路に沿って配置される測定装置140、駆動機構175、及び駆動機構に回転可能に連結された第1プレート165を含む。駆動機構は、イオンビームの経路中、第1軸の周囲に第1プレートが回転するように操作可能であり、測定装置に達するイオンビームを選択的に阻止する。装置は、さらに、駆動機構に回転可能に連結された第2プレート193を含み、駆動機構は、第1プレートの回転から独立してイオンビームの経路中、第1軸の周囲で第2プレートが回転するように操作可能であり、さらに、測定装置に達するイオンビームを選択的に阻止する。駆動機構は、さらにイオンビーム中、第1プレート及び/あるいは第2プレートを、直線上、平行移動させることが可能である。 (もっと読む)


【課題】
イオンビーム測定子の移動を行うに際して、手間取らずに簡便に行うことのできるイオンミリング装置を提供する。
【解決手段】
イオンビーム測定子が真空チャンバの内部に設けられ、該イオンビーム測定子に連結され、真空排気によって駆動される駆動部を有する他の真空排気系が真空チャンバに連通する真空排気系に連通して設けられ、かつ各真空排気系に一方が開のときに閉、閉のときに開となる弁がそれぞれ設けられる。 (もっと読む)


【課題】 イオンビームのy方向の角度偏差、発散角及びビーム寸法の内の少なくとも一つを簡単な構成によって計測する。
【解決手段】 前段シャッター駆動装置36によって前段ビーム制限シャッター32をy方向に駆動しつつ、シャッター32の一辺34の外側を通過して前段多点ファラデー24に入射するイオンビーム4のビーム電流の変化を計測して、シャッター32の位置でのイオンビーム4のy方向のビーム電流密度分布を計測する。後段シャッター駆動装置46によって後段ビーム制限シャッター42をy方向に駆動しつつ、シャッター42の一辺44の外側を通過して後段多点ファラデー28に入射するイオンビーム4のビーム電流の変化を計測して、シャッター42の位置でのイオンビーム4のy方向のビーム電流密度分布を計測する。これらの計測結果を用いて、イオンビーム4のy方向の角度偏差、発散角及びビーム寸法の内の少なくとも一つを計測する。 (もっと読む)


イオン注入システムの汚染を軽減するためのシステム及び方法を提供する。本システムは、イオン源、イオン源のフィラメント及びミラー電極にパワーを供給するように動作可能な電源、加工物操作システム、及びコントローラーを含み、イオン源は、コントローラーによって、イオンビームの形成を迅速に制御するように選択的に調整可能である。コントローラーは、イオン源に供給されるパワーを選択的に高速制御するように動作可能であり、加工物の位置に関連する信号に少なくとも部分的に基づいて、イオンビームの出力を注入出力と最小出力との間で約20マイクロ秒以内に変調する。このようにイオン源を制御することによって、イオンビームが注入電流である時間を最小限に留めることにより、イオン注入システム内の微粒子汚染が軽減される。
(もっと読む)


本発明のイオンビーム均一性検出器は、平行な平面上に配置されかつ選択された距離によって分離された、多数の水平ロッドと多数の垂直ロッドと含む。クロスオーバー測定点は、水平ロッド及び垂直ロッドの交点によって形成される。垂直ロッドに選択的にかつ順次パルスを加えると同時に水平ロッドにバイアスを加えることによって、クロスオーバー測定点に対する測定値を得ることができる。この測定値は、クロスオーバー測定点でのイオンビームの形状及びビーム強度を決定するのに用いられる。これらの測定値に基づいて、続くイオン注入処理の調整を行うことができ、その結果、所望のビーム形状を与えるとともに、ビーム強度に関する均一性を高める。さらに、種々のクロスオーバー点での二次元の入射角度を示す測定値を得るために、複数対の垂直ロッド及び水平ロッドを用いることができる。
(もっと読む)


【課題】ターゲットでの実質的に均一な投与分布を得るために、均一なビームを得ること。
【解決手段】本発明はイオンビーム208全体(例 リボン状ビームのより広い部分)にわたって、種々の位置で入射角およびビーム電流の均一性を検出することによって、半導体装置の製造を容易にする。多くの要素からなる1以上の均一性検出器が、イオン注入システム内(単一のウエハ及び/あるいは複数のウエハに基づくシステム)で使用される。各要素は、入射するイオンビームの関数として、ビーム電流を測定する一対のセンサ202、204と、入射するイオンビームからビームレット210を選択的に得るマスク206の開口214とを含む。特定の要素に対する入射角は、センサ対による測定されたビーム電流から少なくとも部分的に決定される。結果としてイオンビームの生成は均一性が改善され、イオン注入は、改善された均一性と、厳しいプロセス制御の下で実行される。
(もっと読む)


【課題】イオンビームの照射位置を正確に求め、イオンビームによる加工時の加工精度、試料の分析の精度等を向上させる。
【解決手段】イオンビームをワークに照射するイオンビーム照射方法において、ワークに固定された基準部5,5’の位置を基準位置として、ワーク4の形状を測定する形状測定工程と、ワークを、イオンビームを照射するイオン銃1に対してワークを移動させるためのステージ7上に載置する載置工程と、ステージ上に配置された検出器3により、イオンビームの照射位置を検出する照射位置検出工程と、検出器3と基準部5,5’の相対位置を測定する相対位置測定工程と、基準位置に対するワークの形状の測定結果と、イオンビームの照射位置の検出結果と、検出器と基準部の相対位置の測定結果とに基づいて、イオンビームの照射位置をワークの所望の位置に位置合せする位置合せ工程とを具備する。 (もっと読む)


41 - 60 / 76