加工物の表面に対するイオンビーム(110)の２つの入射角度を特定するためのシステム、装置、及び方法が提供される。第１センサ(202)及び第２センサ(204)を有する測定装置(104)は、移動機構(140)に結合されており、第１センサは移動方向に直交する第１方向に延在し、第２センサは第１センサに対して傾斜角を有して延在する。第１及び第２センサは、それぞれ対応する第１時刻及び第２時刻においてイオンビームを通過するときに、イオンビームの１つ又は複数の特性を検知する。コントローラ(106)は、第１時刻及び第２時刻に第１センサ及び第２センサにより検知されたイオンビームの１つ又は複数の特性に少なくとも部分的に基いて、イオンビームの入射に関する第１ビーム角度及び第２ビーム角度を特定するように動作可能である。
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【課題】 電子ビームの軌道の調整作業を容易化して調整精度を向上させると共に，装置の稼動中における電子ビームのずれを容易に検出すること。
【解決手段】 加速器Ｙ１から出射されたイオンビームＬのビーム電流を測定する分割電極１０或いはファラデーカップ２０等のビーム電流測定手段を試料分析装置の測定室７３ａに設け，このビーム電流測定手段によるビーム電流の測定値に基づいてイオンビームＬの軌道位置を検出する。これにより，測定されたビーム電流を電流計測器等でモニタリングしながらイオンビームＬの軌道調整を行うことが可能となる。 （もっと読む）

本発明は、複合静電抑制ファラデー・エネルギー汚染モニタ、および、その使用のための関連方法を提供する。本発明の装置は、例えば、減速されるイオンビームにおける電流およびエネルギー汚染を含む、イオンビームの２つの特性を選択的に測定することができる。本発明の第１の態様は、イオンビームを受ける一の開口と、該開口に隣接して配置される一の負にバイアスされる電極と、該負にバイアスされる電極に隣接して配置される一の正にバイアスされる電極と、該正にバイアスされる電極に隣接して配置される一の選択的にバイアスされる電極と、一のコレクタとを含むイオンビーム測定装置を提供し、選択的にバイアスされる電極は、負または正に選択的にバイアスされてよい。 （もっと読む）

【課題】 構造が簡単であり、基材に照射されるイオンビームの照射強度と極めて相関関係の高い検出器における照射強度を正確に測定でき、しかも基材に照射されるイオンビームの照射強度が略目標照射強度となるようにすること。
【解決手段】 真空チャンバ内で蒸発材料を蒸発させて基板及びモニタガラス２５に蒸着させ、基板及びモニタガラス２５にイオンビーム１０を照射して蒸発材料の薄膜を基板及びモニタガラス２５に形成するイオンアシスト蒸着装置において、モニタガラス２５に設けられイオンビーム１０の照射強度を検出する検出器２３と、検出器２３に照射されるイオンビーム１０の照射強度が略目標照射強度となるように、検出器２３が検出する照射強度に基づいてイオンガンに制御信号を出力するイオン電流密度制御部とを備えるイオンビームの照射強度測定装置６であり、その制御信号に基づいてイオンビーム１０をイオンガンが出射する。 （もっと読む）

【課題】 本発明はＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置に関し、試料の位置決めとＦＩＢ加工を速やかに行なうことができるＦＩＢ自動加工時のドリフト補正方法及び装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 試料上へのＦＩＢ加工時において、試料上に大小１つずつの参照画像をもつ少なくとも１つの参照画像領域を設定する参照画像設定手段と、ＦＩＢ加工時に前記参照画像領域の画像を読み込む画像読み込み手段２０と、ＦＩＢ加工時に、前記読み込んだ画像からイオンビーム照射前と照射後の画像のずれの方向と量を求める演算制御手段３０と、該演算制御手段３０の出力を受けて画像のずれの方向と量とに基づいて画像のずれを補正してビーム偏向系の補正を行なうビーム偏向系調整手段とを具備して構成される。 （もっと読む）

耐雑音性が高く、高感度のビーム電流測定を実現することのできる測定装置および測定方法を提供する。
外部磁場遮蔽用の磁気遮蔽部（８）と、前記磁気遮蔽部によって生成された遮蔽空間に配された磁場センサ（２）とを備え、測定すべきビーム電流が生成する磁場を前記磁場センサで測定するビーム電流測定装置であって、前記磁場センサの磁束−帰還電流変換係数を８×１０^−１５ＷＢ／Ａ以上とする。
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【課題】ビーム断面形状が一方向に長い、幅広形状のイオンビームをターゲット基板に照射して、ターゲット基板にイオンを均一に注入するイオン注入装置であって、イオンビームのビーム幅をターゲット基板のサイズに応じて自在に調整する。
【解決手段】イオン注入装置１は、イオン源１０、イオン分析器１２及び多極子レンズ１４を介して拡がり角度を有するイオンビームＸを生成するとともに、生成されたイオンビームＸの幅方向の拡がりを４重極子デバイス１６により抑制することにより、イオンビームＸを略平行ビームにして幅広形状のイオンビームとする。４重極子デバイス１６は、イオンビームの経路に沿って上流側又は下流側方向に移動して位置決めされて固定される。この後、イオンビームＸの幅方向の拡がりを抑制するようにイオンビームの収束強度が調整される。 （もっと読む）

イオンビームのプロファイルを測定する方法と装置が提供される。この装置は、各々がイオンビームの入射されたイオンに応答して検知信号を生成するビーム電流検出器のアレイと、イオンビームに関する移動経路に沿ってビーム電流検出器のアレイが移動するように構成される移動機構と、移動経路に沿って複数の位置でビーム電流検出器によって生成される検知信号を取得し、取得した検知信号がイオンビームの二次元プロファイルを表わすように構成されるコントローラとを具える。
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【課題】 イオンビームの水平、垂直方向の外径を調整し、低エネルギー、大電流でも比較的小さなスポットサイズのイオンビームを安定して得ることができるイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオンＢを生成するイオン源１１０からイオンＢを引き出し、質量分離器１２０により所望のイオン種を選定し、この質量分離器１２０の下流側に配置された質量分離スリット１３０を透過したイオン種を加減速管１４０により所望のエネルギーに加速又は減速し、加減速管１４０の下流側に配置された四重極レンズによりイオンＢを収束させて、基板の注入面に所望のイオンＢを注入するイオン注入装置１０において、質量分離スリット１３０と加減速管１４０との間に、イオンビームＢの外径を調整する調整用静電四重極レンズ２０を配置した。 （もっと読む）

帯電粒子ビームの角状変位を判断し、高い側壁角度均一性の側壁を含むテストオブジェクトの複数の測定値に基づく帯電粒子ビームシステムを較正する為のシステムおよび方法を提供する。帯電粒子ビームの経路は、複数のビーム制御パラメータにより制御される。方法は、角状変位を実質的に減少させるパラメータを判断し、これらを適用して帯電粒子ビームシステムを較正する。
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【課題】 低コストのイオンビーム分布測定装置を備えると共に、イオン注入のスループットを向上したイオン注入装置を提供する。
【解決手段】 イオンを生成するイオン源から所望のイオン種を引き出し、所望のエネルギーに加速又は減速し、イオンを走査器により基板の注入面にイオンを走査して注入するイオン注入装置において、基板の下流側に配置され、イオンビームの電流値を計測するファラデーカップ２０と、基板とファラデーカップ２０との間に配置され、イオンビームＢの走査方向と同一方向に移動可能で、かつ、単一のスリット３２を有する遮蔽板３０とを具備したイオンビーム分布測定装置１０を備えた構成とした。 （もっと読む）

【課題】 イオンビーム照射による圧電素子の周波数調整装置において、遮蔽マスク等の消耗を抑制する。
【解決手段】 内部に放電部を有するプラズマ生成手段、及びプラズマ生成手段で生成されたプラズマからイオンを引き出してイオンビームを出射するグリッドからなるイオンガンにおいて、イオンビームの断面における電流密度分布を制御する制御手段を備える構成とした。 （もっと読む）

本発明は、スキャンされるビームの平面に直交するイオンビームの入射角度値及び発散を得ることによって半導体素子の製造を容易にする。発散検出器は、マスク（310）とプロファイラー／センサ（314）を含み、入来イオンビーム（308）からビームレット（312）を得るために使用され、多数の垂直位置（316,318）でのビーム電流を測定する。これらのビーム電流測定値は、垂直入射角度値を与えるために使用され、かつイオンビームを特徴づけるために役立つ垂直方向の発散プロファイルを与える。これらの値は、イオンビーム発生機構によって使用され、これらの値が所望の値からすれている場合に、加工物の位置または発生したイオンビームに関する調整が実行される。
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【課題】 素子特性の劣化を防止できるイオン注入装置を提供すること。
【解決手段】 イオン注入装置は、主面を有する試料２１が設置される試料台２２と、複数のイオンを生成するためのイオン生成手段１１であって、イオン源ガスが導入される容器、および、前記容器内に設けられ、熱電子を放出するフィラメントを含むイオン生成手段１１と、前記複数のイオンを含むイオンビームを、試料２１の主面中に注入するための注入手段１３−１９と、前記イオンビームの重心の偏心方向と前記主面の法線方向とが一致するように、試料２１の位置を制御するための制御手段２３−２５とを備えている。 （もっと読む）

【課題】リボン状連続イオンビームの電流密度の均一性を調整可能とする組立体で操作が簡単で、単純な構造の電力消費量を削減できるイオン注入装置が望ましい。
【解決手段】連続イオンビームに加えられる連続磁場を生成するための電磁制御体が記載される。制御体は、強磁性材からなる支持棒と支持棒上に独立し、かつ隣接して設けられたコイルで構成される直線状の多極アレイと多極アレィと所定距離はなれ平行に設けられた強磁性境界板とからなり、リボン状の移動する連続ビームの均一性を制御するために構築され、電流の均一性を高めるためのパラメータとして磁場の磁場勾配を直接調整することを可能にする。 （もっと読む）

ガスクラスタイオンビーム処理のためのシステム（３５０）と方法は改良ビームと対象物中和機器（１２２）を利用することで達成される。大きなＧＣＩＢ電流運搬はＧＣＩＢの空間荷電の低エネルギー電子中和によって提供される。電流が大きくなるほどＧＣＩＢのガス量は増大する。高ガス運搬量にも拘わらず通気型ファラデーカップビーム測定システム（３０２）はビーム量測定精度を維持する。
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