【課題】真空成膜技術を用いずに、簡単な製造工程で作製することができる導電性素子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】導電性素子の製造方法は、導電性高分子および溶媒を含む導電性組成物を、複数の微細構造体が形成されたモールドの成形面に塗布または印刷する工程と、モールドの成形面に塗布または印刷された導電性組成物に含まれる溶媒を除去し、導電層を形成する工程と、導電層に基体を貼り合わせる工程と、基体が貼り合わされた導電層をモールドの成形面から剥離する工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】しきい値電圧の制御が困難な酸化物半導体を活性層に用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】一対の第１の領域、一対の第２の領域及び第３の領域を有する酸化物半導体膜と、酸化物半導体膜と接して設けられる一対の電極と、酸化物半導体膜上のゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜を介し、一対の電極の間に設けられたゲート電極と、を有し、一対の第１の領域は一対の電極と重畳し、第３の領域はゲート電極と重畳し、一対の第２の領域は一対の第１の領域及び第３の領域の間に形成され、一対の第２の領域及び第３の領域には窒素、リン、または砒素のいずれかの元素が含まれており、該元素の濃度は、第３の領域より一対の第２の領域のほうが高い構成とする。 （もっと読む）

【課題】電極間が低い接続抵抗で確実にかつ安定して接続されたアクティブマトリクス型表示装置を提供する。
【解決手段】第１基板と、第１基板の一方の主面に形成された薄膜トランジスタと、第２基板と、第２基板の一方の主面に形成された表示素子とを有し、第１基板と第２基板とは、第１基板の主面と、第２基板の主面とが対向して貼り合わされており、薄膜トランジスタのソース電極及びドレイン電極の内の一方の第１電極と、表示素子のアノード電極及びカソード電極の一方の下部電極とを接続しかつ第１基板と第２基板との間に間隔を保持するコンタクトスペーサーを第１基板と第２基板の一方が有し、他方がコンタクトスペーサーに対向するコンタクトホールを有し、コンタクトスペーサーの先端部がコンタクトホール内で固定される。 （もっと読む）

【課題】スピンエッチング等を確実に行うことのできる基板、および当該基板を用いた電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置用基板１０ｓは、第１基板面１０ｔ側に第１面取り面１０ｅ、第１円弧面１０ｆを備え、第２基板面１０ｕ側に、第２面取り面１０ｉ、および第２円弧面１０ｈを有している。第１円弧面１０ｆの曲率半径Ｒaは第２円弧面１０ｈの曲率半径Ｒbより大であり、第１基板面１０ｔと第１面取り面１０ｅとが成す第１面取り角度θaは、第２基板面１０ｕと第２面取り面１０ｉとが成す第２面取り角度θbより大きい。平面視における第１面取り面１０ｅの幅寸法と平面視における第１円弧面１０ｆの幅寸法との和ｄaは、平面視における第２面取り面１０ｉの幅寸法と平面視における第２円弧面１０ｈの幅寸法との和ｄbより大である。 （もっと読む）

【課題】マスキングを減少させた微小電子機械システム(MEMS)デバイスを製作する方法と、その方法によって形成されたMEMSデバイスを提供する。
【解決手段】アレイ領域と周辺領域とを有する前面基板１０００であって、アレイ領域内に複数の下側領域をその間に定める複数の支持体１０１１ａ−１０１１ｄ，１０１３ａ−１０１３ｃを有し、周辺領域内にランドをさらに有し、ランドの少なくとも一部が、アレイ領域内の支持体と実質的に同じ高さを有する、前面基板と、周辺領域内のランド上に重ねて形成された複数の導体であって、導体が互いに電気的に絶縁される、複数の導体と、前面基板の下側領域上に形成された導電層とを有する。 （もっと読む）

【課題】アドレス可能な光変調素子のアレイを含む表示デバイスを提供する。
【解決手段】空間光変調器４０は、一体化された受動的光学補正構造物４１、又は、透明基板４２に関して光変調素子４４の反対側に配置された受動的光学補正構造物４１、を具備する。個々にアドレス可能な光変調素子４４は、透明基板４２内を透過された光又は透明基板４２から反射された光を変調するように構成される。空間光変調器４０を製造する方法は、受動的光学補正構造物４１を基板上方に製造することと、複数の個々にアドレス可能な光変調素子４４を受動的光学補正構造物４１上方に製造すること、とを含む。受動的光学補正構造物４１は、補足的フロント照明源、ディフューザ、ブラックマスク、回折光学素子、カラーフィルタ、反射防止層、光を散乱させる構造物、マイクロレンズアレイ、及びホログラフィー膜のうちの１つ以上を含むことができる。 （もっと読む）

【課題】充電容量の増大したキャパシタを備えた有機発光表示装置を提供する。
【解決手段】有機発光表示装置は、互いに対向する第１電極層２１，２２および第２電極層２６と、当該第１電極層と第２電極層との間に単一層として介された第１絶縁層２５とを含むキャパシタを有する。 （もっと読む）

【課題】スキャナ内のトランジスタの特性の差に起因するスジの発生を抑止することが可能な表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】アクティブマトリクス型有機ＥＬ表示装置のＥＬＡ結晶化工程においてエキシマレーザのスキャン方向と、垂直スキャナ内のバッファを形成するトランジスタ（ＴＦＴ）２１０のＬ長方向（電流が流れる方向）が直交する方向になるようにし、かつ、スキャナの画素配列に対応する各段バッファ群の各トランジスタが、チャネル長方向と同方向である駆動信号の出力線の配線方向と直交する方向において、列をなすように形成され、列をなすように形成された各段バッファ群の各トランジスタは、チャネル幅方向において大きい部分と小さい部分とが混在し、かつ、チャネル幅方向における同様の領域において粒径の大きい部分と小さい部分とが存在する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、透過型液晶表示装置、ボトムエミッション型有機ＥＬ表示装置などの、ＴＦＴ基板側が受光面または発光面となるフレキシブルディスプレイに用いることができるＴＦＴ基板を提供することを主目的とする。
【解決手段】本発明は、光透過性および絶縁性を有し、樹脂を含有する平坦化層と、上記平坦化層の一方の面にパターン状に形成され、フレキシブル性を有する金属層と、上記平坦化層の上記金属層側とは反対側の面に形成されたＴＦＴ素子および画素電極とを有し、上記画素電極が形成されている画素電極形成領域の少なくとも一部と、上記金属層が形成されていない金属層非形成領域の少なくとも一部とが重なるように配置されていることを特徴とするＴＦＴ基板を提供することにより、上記目的を達成する。 （もっと読む）

【課題】マスクの枚数を増やすことなく、ストレージキャパシタの電極間から半導体パターンを除去して高画質化を実現させる表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明によるＴＦＴパネルの製造では、半導体パターンとＴＦＴのドレイン電極とを、同じマスクを利用したエッチングで同時にパターニングする。一方、画素電極の直下に形成される絶縁膜のパターニングには別のマスクを利用する。ドレイン電極を覆う絶縁膜の領域では、中央部の全体を感光させ、周辺部を半分の厚みまで感光させる。ストレージ電極の上方を覆う絶縁膜の領域は薄い一部を残して感光させる。ドレイン電極を覆う誘電膜をエッチングしてドレイン電極を露出させるとき、絶縁膜のその薄い一部がその下地の誘電膜を保護する。その後、絶縁膜のその薄い一部を画素電極の一部に置換し、保護された誘電膜を隔ててストレージ電極と対向させる。 （もっと読む）

【課題】高精細な画素の配置を実現可能な電気光学装置、電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の液晶装置１００は、第１導電層としての第１容量電極１６ａおよび第２導電層としての画素電極１５と、第１容量電極１６ａと画素電極１５との間に設けられ、第１容量電極１６ａと画素電極１５とを電気的に接続させるコンタクトホールＣＮＴ４を有する絶縁膜と、を備え、コンタクトホールＣＮＴ４は、絶縁膜を貫通して形成され底部で第１容量電極１６ａと画素電極１５とが接する第１開口部としての開口部１４ａと、開口部１４ａに連続し且つ底部で第１容量電極１６ａが露出しないように開口部１４ａよりも浅く形成された第２開口部としての開口部１４ｂとを有し、平面視におけるコンタクトホールＣＮＴ４の周縁は、開口部１４ａの周縁の一部と開口部１４ｂの周縁の一部とを含む。 （もっと読む）

【課題】好適な電気光学表示装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学表示装置の製造に有益な前面ラミネート６００であって、順に、光透過型導電層１４、導電層と電気的に接続している電気光学媒体層１６、接着層２６および剥離シート２８を備える。この前面ラミネート６００は、連続するウェブとして用意でき、ある大きさに切断して、剥離シート２８を除去して、ラミネート６００をバックプレーンに積層して、表示装置を製造する。 （もっと読む）

【課題】絶縁膜を間に挟む導電層同士の導通部分の構造を改良することにより、導電層のレイアウト面での自由度を高めることのできる電気光学装置、投射型表示装置、および電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置１００において、ドレイン電極６ｂと画素電極９ａとの間には第３層間絶縁膜４４が形成されており、第３層間絶縁膜４４のコンタクトホール７ｄの底部７ｄ0でドレイン電極６ｂと画素電極９ａの第１方向Ｙの一方側Ｙ１の端部９ａ0とが導通している。画素電極９ａの端部９ａ0において、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する先端縁９ａ1は、コンタクトホール７ｄの開口縁のうち、第１方向Ｙの一方側Ｙ１に位置する開口縁部分７ｄyより、第１方向Ｙの一方側Ｙ１とは反対側の他方側Ｙ２に位置しており、コンタクトホール７ｄより一方側Ｙ１に張り出していない。 （もっと読む）

【課題】
アルミニウム配線の上側に有機保護膜を配置した場合でも、当該配線の耐腐食性に優れた画像表示装置を提供すること。
【解決手段】
基板（ＳＵＢ）上に画素部と外部接続端子部が設けられ、該画素部と該外部接続端子部とをアルミニウム配線（ＬＮ）で接続する画像表示装置において、該外部接続端子部のコンタクト孔（ＣＨ）及び画素部の一部を除いて、該アルミニウム配線を直接被覆する有機保護膜（ＯＰＡＳ）と、該外部接続端子部を含み該画素部までの該アルミニウム配線を覆うように、該有機保護膜の上側に設けられたＩＴＯ膜（ＩＴＯ）とを有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ＳＧＺＯ系酸化物半導体薄膜において、低温アニールによる低抵抗化が起こらず、成膜時の抵抗値と低温アニール後の抵抗値が同等となる組成を明らかとし、再現性が高く、大面積デバイス、特にフレキシブルデバイス作製に適した製造方法を提供する。
【解決手段】構成元素の組成比をＳｎ:Ｇａ:Ｚｎ＝ａ:ｂ:ｃとした場合、組成比が、ａ＋ｂ＝２、且つ１≦ａ≦２、且つ１≦ｃ≦１１／２、且つｃ≧−７ｂ／４＋１１／４を満たす酸化物半導体薄膜を基板上に成膜する成膜工程と、成膜工程後、酸化性雰囲気中で１００℃以上３００℃未満の熱処理を施す熱処理工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】発光装置を製造するときに生じ得る静電気に起因した素子の損傷を低減することのできる発光装置の製造方法について提供することを課題とする。また、静電気に起因した素子の損傷による不良が低減された発光装置を提供することを課題とする。
【解決手段】本発明の発光装置の製造方法は、発光素子を駆動するためのプレーナ型のトランジスタを作製する工程を有する。そして、トランジスタを作製する工程において、活性層として機能する半導体層を形成するときに、行方向及び列方向に延びた格子状の第１の半導体層を基板上に形成すると共に、前記第１の半導体層の間に、島状に分離した第２の半導体層を複数形成することを特徴としている。ここで、第２の半導体層は、トランジスタの活性層として機能する層である。 （もっと読む）

【課題】可撓性表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】可撓性表示装置の製造方法は、キャリア基板上に抵抗を有する導電物質を含む発熱部を形成する段階と、発熱部上に可撓性基板を形成する段階と、可撓性基板上に薄膜トランジスタを含む駆動回路部を形成する段階と、駆動回路部上に発光素子および封止部材を形成する段階と、発熱部に電圧を印加してジュール熱を発生させることによって可撓性基板に直接熱を加えて発熱部から可撓性基板を分離する段階とを含む。 （もっと読む）

【課題】遮光層の遮光性能を低下させずに、素子基板に対する加熱処理を行うことのできる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】液晶装置の製造工程において、素子基板用の基板本体１０ｗの一方面１０ｓに走査線３ａ（遮光層）、絶縁膜１２を形成した後、半導体層１ａを形成する半導体層形成工程、および半導体層１ａに導入した不純物を拡散させる不純物拡散工程では、レーザーアニール装置やランプアニール装置等の加熱装置９２０によって、一方面１０ｓ側を他方面１０ｔ側より温度を高くした状態で加熱する。このため、走査線３ａは高い温度に加熱されないので、走査線３ａに用いたアルミニウム膜やタングステンシリサイド膜に溶融や再結晶化等が発生しない。 （もっと読む）

【課題】環境負荷の大きい酸化ヒ素や酸化アンチモンの使用量が少なく、しかも残泡の少ないガラス組成物を提供する。
【解決手段】このガラス組成物は、質量％で表示して、ＳｉＯ₂：４０〜７０％，Ｂ₂Ｏ₃：５〜２０％，Ａｌ₂Ｏ₃：１０〜２５％，ＭｇＯ：０〜１０％，ＣａＯ：０〜２０％，ＳｒＯ：０〜２０％，ＢａＯ：０〜１０％，Ｌｉ₂Ｏ：０〜０．５％，Ｎａ₂Ｏ：０〜０．５％，Ｋ₂Ｏ：０〜０．５％，Ｃｌ：０％を超え１．５％以下，を含み、Ｌｉ₂Ｏ＋Ｎａ₂Ｏ＋Ｋ₂Ｏが０．０６％を超える範囲にある。このガラス組成物は、例えば、ガラス原料の一部として塩化物を用いることにより好適に製造できる。 （もっと読む）

【課題】簡略化された構成を有するトランジスタアレイを、簡易的に製造することが可能なトランジスタアレイの製造方法を提供することを主目的とする。
【解決手段】金属基板を用い、上記金属基板上に、絶縁性材料からなり、貫通孔を有する絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、上記絶縁層上に、ドレイン電極が上記絶縁層に形成された貫通孔を介して上記金属基板に接続されるように薄膜トランジスタを形成する、薄膜トランジスタ形成工程と、上記金属基板をパターニングすることにより、上記金属基板を画素電極とする画素電極形成工程と、を有することを特徴とする、トランジスタアレイの製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）