【課題】画素部と同じ絶縁基板上において、大きな電流供給能力が得られるトランジスタで構成される電源線駆動回路を備えたＥＬ表示装置を提供する。
【解決手段】絶縁基板上に複数の画素と複数の信号線、複数の走査線、及び複数の電源線を有するアクティブマトリクス型表示装置において、前記絶縁基板上に電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上、好ましくは１２０ｃｍ^２／Ｖｓ以上を有する酸化物半導体のトランジスタを有し、トランジスタを１つの構成要素とする電源線駆動回路を有するＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜のコンタクトホールの内部にコンタクト用導電膜および埋め込み膜を設けた場合でも、コンタクトホールの外部で画素電極とコンタクト用導電膜とを確実に導通させることができる電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】電気光学装置１００を製造するにあたって、層間絶縁膜４５上にコンタクトホール４５ａの底部４５ｅおよび内壁４５ｆに重なるコンタクト用導電膜９０をＩＴＯ膜により形成した後、コンタクトホール４５ａの内部を埋める埋め込み膜４８をシリコン酸化膜により形成し、その後、埋め込み膜４８に対して反応性イオンエッチングを行い、コンタクト用導電膜９０を露出させる。また、コンタクトホール４５ａの内部には埋め込み膜４８を残す。その際、埋め込み膜４８とコンタクト用導電膜９０とのエッチング選択比を利用して埋め込み膜４８を選択的に除去してコンタクト用導電膜９０を露出させる。 （もっと読む）

【課題】信号線駆動回路が有するスイッチ回路を画素部と同じ基板上に配置する構成において、スイッチ回路を構成するトランジスタサイズを縮小し、データを供給することによる信号線の充放電を行う際の回路内の負荷を削減する
【解決手段】映像信号が入力される画素部と、映像信号の画素部への出力を制御するためのスイッチ回路部を有する信号線駆動回路を有し、スイッチ回路部は、絶縁基板上において、電界効果移動度が少なくとも８０ｃｍ^２／Ｖｓ以上であるトランジスタを有し、トランジスタは、酸化物半導体層を有する。 （もっと読む）

【課題】高い表示品位を有する表示装置用の薄膜トランジスタ基板およびこれらを生産効率よく実現することができる製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上の複数の部分に配設された半導体膜２と、半導体膜２上に、該半導体膜２と接し互いに離間して配設されたソース電極およびドレイン電極４と、半導体膜２、ソース電極３およびドレイン電極４を覆うゲート絶縁膜６と、ゲート絶縁膜６を介して、ソース電極３およびドレイン電極４の間に跨るように配設された、ゲート電極７とを有した薄膜トランジスタ２０１と、半導体膜２上に、該半導体膜と接して配設された補助容量電極１０と、下層に半導体膜２を有してソース電極から延在するソース配線３１と、ゲート電極７から延在するゲート配線７１と、ドレイン電極４に電気的に接続された画素電極９と、隣り合う画素の補助容量電極１０どうしを電気的に接続する、補助容量電極接続配線１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化す
ることを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体膜を有するボトムゲート構造のトランジスタの作製工程におい
て、熱処理による脱水化または脱水素化処理、及び酸素ドープ処理を行う。酸素ドープ処
理されたゲート絶縁膜、熱処理による脱水化または脱水素化処理された酸化物半導体膜を
有するトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験（ＢＴ試験）前後においてもトランジ
スタのしきい値電圧の変化量が低減できており、信頼性の高いトランジスタとすることが
できる。 （もっと読む）

【課題】接合材の厚さに制限されることなく、より確実にかつより強い強度で接合された接合体を製造する方法を提供する。
【解決手段】加熱光５の照射によって加熱溶融する接合材４を用いて第一および第二の部材２，３が接合された接合体１の製造方法に係る。第一の部材２の、第二の部材３と接合される接合面に第一の接合材料層４ａを形成する工程と、第一の接合材料層４ａの、第一の部材２と接触している面とは反対側の面、または第二の部材３の、第一の部材２と接合される接合面に、所定の波長を有する第一の加熱光５に対して第一の接合材料層４ａの吸光率よりも大きい吸光率を有する第二の接合材料層４ｂを形成する工程と、第一および第二の部材の間に第一および第二の接合材料層４ａ，４ｂを挟んだ状態で第一および第二の部材を配置する工程と、第一の加熱光５を、第一の接合材料層４ａの側から照射する第一加熱光照射工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】過剰なエッチングによる不良を減少させるための表示基板の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに交差する信号ラインによって定義された複数の単位画素Ｐを有する表示領域ＤＡと表示領域ＤＡを取り囲む周辺領域ＰＡを含む基板１１０上にフォトレジスト膜を塗布する段階と、フォトレジスト膜をパターニングして、表示領域ＤＡで信号ラインとオーバーラップされる第１パターン部Ｐ１と、周辺領域ＰＡで信号ラインと重畳されない領域に形成された複数のダミー開口部ＤＯを含む第２パターン部Ｐ２とを形成する段階と、第１パターン部Ｐ１及び第２パターン部Ｐ２が形成された基板１１０上に透明電極層１１７ａ、１１７ｂを形成する段階と、ストリップ溶液で第１パターン部Ｐ１、第２パターン部Ｐ２、及び第１及び第２パターン部上に形成された透明電極層１１７ａ、１１７ｂを除去して、単位画素Ｐに対応する画素電極ＰＥ及びダミー開口部ＤＯに対応するダミー電極ＤＭを形成する段階と、を含む。 （もっと読む）

【課題】機械式のシャッタが配置されたセルを満たすオイルを注入するときにシャッタに与えるダメージを減らすことを目的とする。
【解決手段】表示装置は、切れ目４６を有して空間を囲むシール材４４と、シール材４４の切れ目４６を塞いで封止空間を形成するエンドシール５０と、封止空間に満たされたオイル５２と、一対の光透過性基板１０，１２間の間隔を保持するスペーサ５４と、シャッタ１４と、シャッタ１４を機械的に駆動するための、オイル５２内に配置された駆動部３８と、一対の光透過性基板１０，１２の対向面の少なくとも一方上に形成された壁部６０と、を有する。壁部６０は、シール材４４の切れ目４６と表示領域４８との最短経路を遮る位置に配置された部分を有し、スペーサ５４、シャッタ１４及び駆動部３８を構成する材料から形成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、高信頼性化することを目的の一とする。
【解決手段】第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ソース電極およびドレイン電極、ならびに、ソース電極およびドレイン電極と電気的に接続する酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜に熱処理を行って、酸化物半導体膜中の水素原子を除去し、水素原子が除去された酸化物半導体膜に酸素ドープ処理を行って、酸化物半導体膜中に酸素原子を供給し、酸素原子が供給された酸化物半導体膜上に、第２の絶縁膜を形成し、第２の絶縁膜上の酸化物半導体膜と重畳する領域にゲート電極を形成する半導体装置の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供する。
【解決手段】化学量論的組成比を超える酸素を含む領域を有する非晶質酸化物半導体層と、該非晶質酸化物半導体層上に設けられた酸化アルミニウム膜とを含んで構成される半導体装置を提供する。該非晶質酸化物半導体層は、脱水又は脱水素化処理を行った結晶性又は非晶質酸化物半導体層に対して、酸素注入処理を行い、その後、酸化アルミニウム膜を設けた状態で４５０℃以下の熱処理を行うことで形成される。 （もっと読む）

【課題】外力が発生しても高い気密性を保持できる、信頼性の高い気密容器を製造する。
【解決手段】粘度が負の温度係数を有し、第１および第２のガラス基材１，２よりも軟化点が低い接合材４を、第２のガラス基材２の上に枠状に形成し、第１のガラス基材１を、接合材４と接触させるように、接合材４が形成された第２のガラス基材２に対向配置する。接合材４が延びる方向から見たとき、局所加熱光９の照射は、接合材４と、第２のガラス基材２の側端部６とが照射範囲に含まれるように行われるとともに、接合材４の両端部からそれぞれ、第２のガラス基材２の側端部６までの距離をＡ、第２のガラス基材２の側端部６と反対側の、照射範囲の境界までの距離をＢとすると、Ｂ≧Ａの関係を満たすように行われる。 （もっと読む）

【課題】鮮明な多階調カラー表示の可能なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供
することを課題とする。特に、選択的にパターン形成することが可能な作製方法を用いて
低コストで大型なアクティブマトリクス型のＥＬ表示装置を提供することを課題とする。
【解決手段】選択的にパターン形成することが可能な作製方法を用いて、画素部の電源供
給線をマトリクス状に配置する。また、選択的にパターン形成することが可能な作製方法
を用いて、隣接する配線間の距離を大きくして配線間容量を低減する。 （もっと読む）

【課題】ガスバリア性、柔軟性、耐熱性および透明性に優れ、かつ、寸法安定性、操作性および二次加工性に優れた表示素子用基板を提供すること。
【解決手段】本発明の表示素子用基板は、該無機ガラスの両側に配置された樹脂層とを備え、総厚が１５０μｍ以下であり、湾曲させた際の破断直径が３０ｍｍ以下である、表示素子用基板であって、該樹脂層の合計厚みｄ_ｒｓｕｍと該無機ガラスの厚みｄ_ｇとの比ｄ_ｒｓｕｍ／ｄ_ｇが、０．５〜２．１であり、該無機ガラスの厚みｄ_ｇが２５μｍ〜５０μｍである。 （もっと読む）

【課題】前記外部の装置の外部コネクタに勘合するコネクタ部の基板の厚みの自由度を高めるとともに、適用する外部コネクタの変更に合わせて簡易に設計を変更することが可能な表示装置を提供する。
【解決手段】フレキシブル基板と、当該フレキシブル基板に設定される回路配置領域に設けられる内部回路と、外部の装置から前記内部回路に供給される電気信号により駆動される表示体とを備える表示装置であって、前記フレキシブル基板は、回路配置領域から延在するはみ出し領域を有し、前記フレキシブル基板の前記はみ出し領域には、前記内部回路から当該はみ出し領域の端部にまで延在し、外部の装置に接続される接続用配線が形成され、はみ出し領域の端部には、前記外部の装置の外部コネクタに勘合するコネクタ部が設けられ、前記コネクタ部は、前記外部コネクタとの勘合に必要な厚みを補う補強板が、貼合されて構成される、表示装置。 （もっと読む）

【課題】既に形成されている有機デバイスの素子が、後工程での焼成によって劣化することを避ける。
【解決手段】第１のインクを配置し、第１の温度で焼成することによりＨＴＬ１０３を成膜する工程と、第２のインクを配置し、第１の温度以下の第２の温度で焼成することによりＥＭＬ１０４を成膜する工程と、欠陥のある画素Ａを検出し、画素ＡのＨＴＬ１０３とＥＭＬ１０４を除去する工程と、第３のインクを画素Ａに配置し、第２の温度以下の第３の温度で焼成することにより再生後ＨＴＬ１０７を成膜する工程と、第４のインクを再生後ＨＴＬ１０７上に配置し、第３の温度以下の第４の温度で焼成することにより再生後ＥＭＬ１０８を成膜する工程と、を備え、第３のインクの沸点は第２のインクの沸点以下であり、第４のインクの沸点は第３のインクの沸点以下である。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成によって、ガラス基板表面の傷の大小に関わらずガラス基板表面の傷が表示画像の質に悪影響を与えることを防止することが可能なフラットパネルディスプレイ用ガラス基板および同ガラス基板の製造方法を提供する。
【解決手段】 この発明に係るフラットパネルディスプレイ用ガラス基板１００は、素ガラス１０および透光性ポリマー膜１２を備える。素ガラス１０は、エッチングにより算術平均粗さＲａが例えば０．７ｎｍ〜７０ｎｍになるように粗面化処理された表面を有する。透光性ポリマー膜１２は、素ガラス１０における表面処理された表面に塗布される。この透光性ポリマー膜１２は、その厚みが例えば０．５μｍ以上である。 （もっと読む）

【課題】画素電極の電圧が保持され、画質が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基材１１０上で半導体層１５０と接触するように設けられ、互いに対向しチャネル領域を形成するソース電極１２０及びドレイン電極１３０と、前記チャネル領域を制御するゲート電極１４０と、前記ドレイン電極１３０と接続され液晶材料を駆動する画素電極１９０と、を複数有するアクティブマトリクス基板において、複数の前記画素電極１９０の間の空間に配された無機絶縁膜１９５と、前記画素電極１９０とは接触せずに、前記無機絶縁膜１９５と接触するようにして配された遮光膜２００と、を有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】製造プロセスを増やすことなく、オイルに対する耐性の高いバンプを形成することを目的とする。
【解決手段】第３上面６８を囲むように樹脂層５０を貫通する切れ目７６が形成されている。膜５２は、切れ目７６の内側では樹脂層５０の底面を除く全体を覆い、切れ目７６の外側では樹脂層５０の少なくとも一部が露出するように形成する。切れ目７６の内側では膜５２に全体的に覆われた樹脂層５０を残し、切れ目７６の外側では膜５２からの露出面から連続する樹脂層５０の全体を除去する。切れ目７６の内側に樹脂層５０及び膜５２からバンプ４８を形成し、切れ目７６の外側に第１基板１０から浮いた状態で膜５２からシャッタ１４と駆動部４０の少なくとも一部とを形成する。 （もっと読む）

【課題】平板表示装置用バックプレーン、これを備える平板表示装置、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に透明導電物を含む画素電極と、画素電極と同一層に形成されたキャパシタ第１電極；画素電極の上部エッジ及びキャパシタ第１電極を覆う第１保護層；第１保護層上に形成された薄膜トランジスタのゲート電極と、ゲート電極と同一層に形成されたキャパシタ第２電極；ゲート電極及びキャパシタ第２電極を覆う第１絶縁層；第１絶縁層上に形成され、かつ透明導電性酸化物を含む半導体層；半導体層を覆う第２絶縁層；第２絶縁層上に形成され、かつ第２絶縁層を貫通して半導体層に連結され、少なくとも一つは画素電極に連結される薄膜トランジスタのソース及びドレイン電極；及びソース及びドレイン電極を覆って画素電極を露出させる第３絶縁層；を含む平板表示装置用バックプレーン。 （もっと読む）

【課題】表示装置の作製工程で紫外線の照射を行っても、酸化物半導体層を用いた薄膜ト
ランジスタのしきい値電圧のシフトを低減させることができる、表示装置の作製方法を提
供することを課題の一つとする。
【解決手段】少なくとも一回以上の紫外線の照射を行い、且つ酸化物半導体層を有する薄
膜トランジスタをスイッチング素子として用いる、表示装置の作製方法において、全ての
紫外線照射工程を終えた後で、紫外線照射による該酸化物半導体層のダメージを回復させ
る熱処理を行う表示装置の作製方法である。 （もっと読む）