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Fターム[5C094GB10]の内容

要素組合せによる可変情報用表示装置 (81,180) | 製造 (2,770) | その他の製造 (2,719)

Fターム[5C094GB10]に分類される特許

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【課題】印刷により、ストライプ状の従来より幅の広いライン電極を形状精度及び寸法精度良く形成することができるオフセット印刷による電極形成方法を提供する。
【解決手段】版に導電性インクを充填後、ドクターナイフによって余剰な導電性インクを掻き取るドクタリング工程を含むオフセット印刷により、印刷用基材上にストライプ状のライン電極を形成する電極形成方法において、オフセット印刷に用いる版として、形成するライン電極に対応し、版の導電性インクを充填する凹形状のパターン内に、各々が凹形状の複数の彫刻部11を有し、形成するライン電極の面積に対する彫刻部の合計面積の比率TS(%)が、70%≦TS<100%で、かつ、個々の彫刻部の面積S(μm)が、0<S≦80000μmを満足する版、を用いる。 (もっと読む)


【課題】向上した発光効率を有する、低電力のディスプレイを提供する。
【解決手段】前部および後部反射面の両方を有する光キャビティを利用する、空間光変調のための改良された装置および方法が開示される。光を空間変調するために、前部反射面内に、光透過領域が形成される。意図される見る人に面した前面と、光源に面した後面とを有する基板と、基板の前面の上に配置された誘電体材料層と、複数のアパーチャを含む、誘電体材料層の上に配置された金属層と、金属層の上に配置された複数の光変調シャッタ組立体102とを備え、複数のアパーチャは、複数の光変調シャッタ組立体102による変調のために、金属層を光源からの光が通過するのを許可する、ディスプレイデバイス。 (もっと読む)


【課題】有機溶媒を用いることなく、安全性に優れ、発光特性が低下することを防止することができるとともに、構成材料の種類を少なくすることができる発光表示装置を提供する。
【解決手段】本発明による発光表示装置1は、各々の互いに対向する面に電極4が形成された一対の基板3と、一対の基板3間に挟持された発光層5とを備えている。このうち発光層5は、イオン液体6と、このイオン液体6中に溶解された発光物質7とを有している。 (もっと読む)


【課題】電極からの反射がなく、表示画像が悪化することがないアクティブマトリックス基板を提供する。
【解決手段】本発明のアクティブマトリクス基板は、基板110側と反対側に反射防止層130が形成された反射防止層130が形成された電極(図14のAに相当するソースドレイン電極層)と、基板110側と反対側に反射防止膜が形成されていない反射防止膜除去電極(図14のBに相当するソースドレイン電極層)と、基板110上に設けられた親液性領域Rと、反射防止膜除去電極とに接するように形成された半導体層150と、を有している。 (もっと読む)


【課題】3層以上の配線を接続する際に、最も効率的にかつ最小面積で接続を行えるコンタクト構造を実現可能な半導体装置およびその製造方法、並びに表示装置を提供する。
【解決手段】基板201上に3層以上のn層の導電層202〜204が積層して形成され、n層の導電層がコンタクトパターンを介して接続され、コンタクトパターンが形成される一つの主コンタクト領域には、(n−1)個の導電層202,203を接続する(n−1)個の接続領域211,212を有し、(n−1)個の導電層のうち基板201に対する積層方向(基板201の主面に対する法線方向)において第1層より上層の導電層は、その終端部がコンタクトパターンCPTNの縁の一部に臨むように形成され、(n−1)個の導電層は、第n層の導電層により電気的に接続されている。第n層の導電層は、コンタクトパターンCPTNであるコンタクト孔を埋めつくよう形成されている。 (もっと読む)


【課題】低温プロセスを実現する半導体装置の作製方法、及び半導体装置を提供する。
【解決手段】結晶構造を有する半導体層の一部にp型を付与する不純物元素及び水素を同時に添加することによって、一部の上層部分を非晶質化するとともに、一部の下層部分に結晶質を残存させ、加熱処理を行うことによって、一部の中の水素を拡散させる。 (もっと読む)


【課題】レンズを形成する際に、レンズの剥離や亀裂が発生を抑制することを目的とする。
【解決手段】基板上に、複数の有機EL素子と、前記複数の有機EL素子の発光領域の外にある光吸収層107を形成し、前記複数の有機EL素子の発光領域の上にあるレンズ部109を形成する前に、前記光吸収層と前記レンズ部との間に、前記レンズ部がある領域を覆って、かつ、前記光吸収層と前記レンズ部とに接しているように下地層108を形成する。 (もっと読む)


【課題】電気特性が良好で信頼性の高いトランジスタ及び当該トランジスタを用いた表示
装置を提供する。
【解決手段】チャネル領域に酸化物半導体を用いたボトムゲート型のトランジスタであっ
て、加熱処理により脱水化または脱水素化された酸化物半導体層を活性層に用い、該活性
層は、微結晶化した表層部の第1の領域と、その他の部分の第2の領域で形成されている
。この様な構成をした酸化物半導体層を用いることにより、表層部からの水分の再侵入や
酸素の脱離によるn型化や寄生チャネル発生の抑制、及びソース電極及びドレイン電極と
の接触抵抗を下げることができる。 (もっと読む)


【課題】カラー電気光学ディスプレイの提供。
【解決手段】電気光学材料の層(12)、接着層または保護層の一つの表面上に複数の着色された領域(22R、22G、22B)をインクジェットプリントすることによって、電気光学ディスプレイ内にカラーフィルターアレイが提供される。代替案として、上記インクジェットプリントすることは、電気光学ディスプレイを生産するために使われる多様なサブアセンブリー内の同一の層上で行われ得る。本発明は、また、その上にカラーフィルターアレイ(22R、22G、22B)を有する電気光学材料の層(12)を調製する方法も提供する。 (もっと読む)


【課題】層数を低減し、製造コストを抑え、かつ点灯異常を抑制して製造歩留まりの向上を図ることのできる液晶表示装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素部(a)と周辺部(c)とを有する基板を用いた液晶表示装置の製造方法において、ゲート絶縁膜3上に半導体層4と画素電極5を形成した後、基板上に導電膜を平面ベタに形成し、ホトレジストパターンをマスクとして、画素部(a)の半導体層4と画素電極5とを電気的に接続するドレイン電極を形成すると共に、画素部(a)と周辺部(c)における半導体層4を露出させ、周辺部の半導体層4をエッチング量の指標として用いて画素領域(a)の半導体層4をエッチングする。 (もっと読む)


【課題】簡易な工程で製造歩留まりを向上させることが可能なデバイスの製造方法および表示装置の製造方法等を提供する。
【解決手段】基板11上にデバイス(TFT層12)を形成する工程は、薄膜を形成する工程(工程S11)と、薄膜上にフォトレジスト膜を形成する工程(工程S12)と、露光マスクM1を用いてフォトレジスト膜に対して露光を行う露光工程(工程S13)と、露光がなされたフォトレジスト膜をエッチングする工程(工程S15)とを含んでいる。露光工程では、フォトレジスト膜に対する露光を複数回連続して行う(工程S131,S132)。これにより、製造工程の増加を抑えつつ、異物の混入等に起因した薄膜パターンにおけるエッチング不良を低減することができる。 (もっと読む)


【課題】ソース電極およびドレイン電極からのオーミックコンタクト膜の延在部分の表面を介したリーク電流、およびオーミックコンタクト膜と半導体能動膜との接合側面部での欠陥を介したリーク電流を増大させないことが可能な薄膜トランジスタを提供することにある。
【解決手段】オーソミックコンタクト層8の一方は、電極9,10の一方に接触して覆われた接触部分81と、接触部分81よりも厚さ方向D2において薄く、厚さ方向D2から見て電極9,10の一方からはみ出して電極9,10の他方へと延在して半導体能動膜7の少なくとも一部71を避けて覆う延在部分82とを有する。 (もっと読む)


【課題】電気泳動表示装置における表示体内部の水分量をより高い精度で調整可能とすること。
【解決手段】第1の基板の一方の面および第2の基板の一方の面の少なくとも一方に、電気泳動粒子および分散媒を含む分散液を収容する第1の収容部を有する第1の層を形成する第1の層形成工程と、第1の基板の一方の面および第2の基板の一方の面の少なくとも一方に、第1の収容部内の分散液よりも水分の多い液体を収容する複数の第2の収容部を有する第2の層を形成する第2の層形成工程と、第1の基板と第2の基板とを、第1の基板の一方の面と第2の基板の一方の面とが対向するように貼り合わせる封止工程と、複数の第2の収容部の少なくとも1つを破損させる破損工程と、を含むことを特徴とする電気泳動表示装置の製造方法とした。 (もっと読む)


【課題】酸化物半導体を用いた半導体装置に安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】酸化物半導体層を含むトランジスタの作製工程において、ゲート電極を形成後、インライン装置にて、酸化アルミニウム膜と酸化シリコン膜と酸化物半導体膜を大気暴露することなく連続的に形成し、さらに同インライン装置にて加熱および酸素添加処理を行い、他の酸化アルミニウム膜でトランジスタを覆った後、熱処理を行うことで、水素原子を含む不純物が除去され、且つ、化学量論比を超える酸素を含む領域を有する酸化物半導体膜を形成する。該酸化物半導体膜を用いたトランジスタは、バイアス−熱ストレス試験(BT)試験前後においてもトランジスタのしきい値電圧の変化量が低減されており、信頼性の高いトランジスタとすることができる。 (もっと読む)


【課題】大掛かりな製造装置を必要とすることなく、簡素、簡易な方法にて薄膜素子能動部を製造することができる薄膜素子の製造方法を提供する。
【解決手段】薄膜素子の製造方法は、支持基板20上に樹脂材料から成る第1基材21を塗布法にて形成した後、第1基材21上に、熱によって又はエネルギー線の照射によって硬化する樹脂から成る第2基材22を形成し、次いで、第2基材上に薄膜素子能動部30を形成し、その後、支持基板20を第1基材21から剥離する各工程を備えており、第1基材21を構成する樹脂材料のガラス転移温度は180゜C以上である。 (もっと読む)


【課題】有機ELパネルの取り出し用電極と第二電極とを低抵抗なコンタクト特性とすることで、高効率、長寿命、高輝度な有機ELパネルを簡便で安価に提供すること。
【解決手段】有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルの取り出し用基板配線はキャリア注入層及び第二電極が積層されるコンタクトエリアを有し、コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面には複数の凸状パターンが形成され、キャリア注入層は少なくとも、発光媒体層と、コンタクトエリアの取り出し用基板配線表面と、隔壁と、を覆うように形成され、第二電極はキャリア注入層上に形成されていることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンスディスプレイパネルとしたもの。 (もっと読む)


【課題】所望の保持容量を有すると共に、画素電極の表面における凹凸に起因する表示ムラが低減された電気光学装置、これを備えた電子機器、電気光学装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本適用例の電気光学装置としての液晶装置は、素子基板10上に、トランジスターと、トランジスターに対応して設けられた画素電極15と、素子基板10と画素電極15との間に、画素電極15と一部が対向するように設けられ、画素電極15と誘電体層14を介して保持容量を構成する容量配線3bと、を備え、容量配線3bは、素子基板10と画素電極15との間に設けられた絶縁膜13に埋め込まれるように形成されており、絶縁膜13と共に画素電極15側の面が平坦化されてなる。 (もっと読む)


【課題】管理コストを低減し、さらに、製造工程を削減して製造原価のコストダウンを図ることの可能な半導体デバイス及び薄膜トランジスタ、並びに、それらの製造方法の提案を目的とする。
【解決手段】所定の材料からなり、活性層41となる半導体と、所定の材料と同じ組成の材料からなり、ソース電極51、ドレイン電極53及び画素電極55の少なくとも一つとなる導電体とを備えた薄膜トランジスタ2の製造方法であって、非晶質の所定の材料からなる被処理体及び導電体(ソース電極51、ソース配線52、ドレイン電極53、ドレイン配線54及び画素電極55)を一括成膜し、さらに一括形成する工程と、形成された被処理体を結晶化させて活性層41とする工程とを有する方法としてある。 (もっと読む)


【課題】電子ペーパー、太陽電池、有機ELなどの電子材料の基板として用いた際に、優れた透明性および水蒸気バリア性を発揮し、長期使用時のデバイスの経時的信頼性を高めることができる積層体を提供する。
【解決手段】積層体10は、第1の透明プラスチックフィルム1の片面に、無機物からなる無機薄膜層3を積層した積層フィルムの無機薄膜層3側の面に、第2の透明プラスチックフィルム5を粘着剤層4を介して積層した積層体10であって、前記第1の透明プラスチックフィルム1の屈折率n、前記粘着剤層4の屈折率nおよび前記無機薄膜層3の屈折率nが下記(i)および(ii)の関係を満たすことを特徴とする。|n−n|≦0.2(i)|n−n|≦0.2(ii) (もっと読む)


【課題】酸化物半導体膜を用いたトランジスタに安定した電気的特性を付与し、信頼性の高い半導体装置を作製する。
【解決手段】酸化物半導体膜を用いた半導体装置であるトランジスタにおいて、酸化物半導体膜から水素を捕縛する膜(水素捕縛膜)、および水素を拡散する膜(水素透過膜)を有し、加熱処理によって酸化物半導体膜から水素透過膜を介して水素捕縛膜へ水素を移動させる。具体的には、酸化物半導体膜を用いたトランジスタのゲート絶縁膜を、水素捕縛膜と水素透過膜との積層構造とする。このとき、水素透過膜を酸化物半導体膜と接する側に、水素捕縛膜をゲート電極と接する側に、それぞれ形成する。その後、加熱処理を行うことで酸化物半導体膜から脱離した水素を、水素透過膜を介して水素捕縛膜へ移動させることができる。 (もっと読む)


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