【課題】Ａｌ合金膜とＴＦＴの半導体層との間のバリアメタル層を省略可能な新規のＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。詳細には、Ａｌ合金膜をＴＦＴの半導体層と直接接続しても、ＡｌとＳｉの相互拡散を防止でき、良好なＴＦＴ特性が得られると共に、ＴＦＴの製造工程でＡｌ合金膜に約１００〜３００℃の熱履歴が加わった場合でも、低い電気抵抗と優れた耐熱性が得られる新規なＳｉダイレクトコンタクト技術を提供する。
【解決手段】本発明の表示装置用Ａｌ合金膜は、表示装置の基板上で、薄膜トランジスタの半導体層と直接接続されるＡｌ合金膜であって、上記Ａｌ合金膜は、Ｇｅを０．１〜４原子％；Ｌａ、ＧｄおよびＮｄよりなる群から選ばれる少なくとも１種を０．１〜１原子％；並びにＴａ、Ｎｂ、Ｒｅ、ＺｒおよびＴｉよりなる群から選ばれる少なくとも１種を含有する。 （もっと読む）

【課題】ＩＴＯなどの透明電極層と直接接合が可能なＡｌ系合金配線材料であって、現像液への耐食性に優れ、コンタクトホール形成時における耐食性にも優れ、大面積のガラス基板において素子を形成した場合においても、そのガラス基板面内に形成された素子の接合抵抗値をより均一にすることができるＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料を提供する。
【解決手段】アルミニウムにニッケルを含有したＡｌ−Ｎｉ系合金配線材料において、セリウムとボロンとを含有し、各濃度は、ニッケル含有量をニッケルの原子百分率Ｘａｔ％とし、セリウム含有量をセリウムの原子百分率Ｙａｔ％とし、ボロン含有量をボロンの原子百分率Ｚａｔ％とした場合、式０．５≦Ｘ≦５．０、０．０１≦Ｙ≦１．０、０．０１≦Ｚ≦１．０の各式を満足する領域の範囲内にある。 （もっと読む）

【課題】表示装置（ＬＣＤ）におけるパネルのＴＡＢ部引き出し電極の断線を防止することができ、かつ、バリアメタル層を介在させずにＡｌ合金膜を透明画素電極と直接接続することのできるＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置に用いられるＡｌ合金膜であって、ＮｉおよびＣｏよりなる群から選択される少なくとも１種の元素（Ｘ元素）を０．１〜２．０原子％含み、長径０．０１μｍ超であってＮｉ量とＣｏ量の合計が１０原子％以上である化合物が、１００μｍ²あたり３個超析出していると共に、Ａｌ結晶粒内の固溶Ｎｉ量と固溶Ｃｏ量の合計が０．１〜０．５原子％であり、かつ、Ａｌ合金膜の硬度が１．５ＧＰａ以上３．０ＧＰａ以下であるところに特徴を有する表示装置用Ａｌ合金膜。 （もっと読む）

【課題】逆テーパー形状を有する黒色樹脂隔壁の側面と基板とがなす角度が容易に制御される黒色樹脂隔壁付基板の製造方法、黒色樹脂隔壁付基板及び反射型表示装置を提供する。
【解決手段】基板１１と、該基板１１上に形成された逆テーパー形状を有する黒色樹脂隔壁１４とを有する黒色樹脂隔壁付基板を製造する方法であって、黒色感光性樹脂組成物を基板１１上に塗布することによって、黒色感光性樹脂組成物からなるＯＤ値が０．３〜３．５である黒色感光性樹脂層を基板１１上に形成する塗布工程と、黒色感光性樹脂層を活性光で露光する露光工程と、最小現像時間の１．１〜１０倍の現像時間で黒色感光性樹脂層の未硬化部分を現像除去する現像工程とを含む黒色樹脂隔壁付基板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】実質的にＰｂＯを含有せず、かつＰ_２Ｏ_５系ガラスの問題点である耐湿性を向上させ、さらに高温で処理した場合でも結晶化せず安定な無鉛低融点ガラスが求められている。
【解決手段】実質的にＰｂＯを含有せず、モル％で表して、Ｐ_２Ｏ_５が４０〜８０、Ｆｅ_２Ｏ_３が３〜５０、Ａｌ_２Ｏ_３が０〜１５、ＴｉＯ_２が０〜２０、ＺｒＯ_２が０〜１０、Ｒ_２Ｏ（Ｌｉ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏ、Ｋ_２Ｏから選択される１種以上）が０〜４０、ＭｇＯが０〜６０、ＣａＯが０〜６０、ＳｒＯが０〜６０、ＢａＯが０〜６０、ＺｎＯが０〜６０であり、原子モル比で、（Ｆｅ＋Ａｌ＋Ｔｉ＋Ｚｒ＋Ｌｉ＋Ｎａ＋Ｋ＋Ｍｇ＋Ｃａ＋Ｓｒ＋Ｂａ＋Ｚｎ）／Ｐが１．０未満であることを特徴とする封着用無鉛着色ガラスである。３０から３００℃の線膨張係数が（５０〜２００）×１０^−７／℃、軟化点が４００℃以上７５０℃未満である特徴を有す。 （もっと読む）

【課題】工程を増加させることなく、多結晶シリコンＴＦＴにおけるリーク電流を低減すること。
【解決手段】携帯電話機の液晶表示パネル１５のガラス基板２１上に形成されて回路領域Ｃと画素領域Ｐのそれぞれに搭載される薄膜トランジスタ２０の活性層２２のソース／ドレイン領域は、ボロンの不純物濃度が２．５×１０^１８／ｃｍ^３から５．５×１０^１８／ｃｍ^３までの範囲内で、該不純物の活性化率が１％から７％までの範囲内に形成されている。 （もっと読む）

【課題】アルミを主成分とした散乱形状を有する反射層の反射率を簡便に高めることが可能な製造方法を提供すること。
【解決手段】浸漬工程において、アルミを主成分とした金属からなる反射層７を２０〜６０ｗｔ％の範囲内の燐酸を含むエッチング溶液中に浸漬することにより、微細な凹凸を有する反射層７の表面を溶かして滑らかにすることができる。また、燐酸の濃度が２０〜６０ｗｔ％の範囲内であるため、浸漬条件を出し易く、表面の凹凸面のみを安定的に滑らかにすることができる。従って、アルミを主成分とした金属からなる反射層の反射率を簡便に高めることが可能な反射層の製造方法を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】工程数を増加させることなく、信頼性の向上が可能な機能性素子を提供する。
【解決手段】無機物で形成された基板上に、下地有機膜、下部電極、機能性薄膜及び上部電極が上記基板側からこの順に積層された機能性素子であって、上記下部電極は、断面視したときに、上記基板側に向かって幅がより広くなるテーパ形状を有し、上記下部電極の材料は、球状の結晶粒で構成された多結晶インジウム錫酸化物であり、上記機能性薄膜は、上記下部電極の端部を直接覆う機能性素子である。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの製造工程を削減して、飛躍的に生産性を向上し得るカラーフィルタ及びそれを用いてなる有機ＥＬ表示装置を提供すること。
【解決手段】３色発光層を有する有機ＥＬ表示装置用カラーフィルタであって、赤色、緑色及び青色から選ばれる１色（Ａ）からなる着色層と、黄色、マゼンタ及びシアンから選ばれる１色（Ｂ）からなる着色層とが形成されており、且つ色（Ａ）と色（Ｂ）とが互いに補色関係にあることを特徴とするカラーフィルタ及びそれを用いてなる有機ＥＬ表示装置である。 （もっと読む）

デバイスのための気密シールが基板１０及びカバー５０を含む。基板上の第１のストリップ３０が第１の表面濡れ性を有し、基板上の第２のストリップ３２が第１の表面濡れ性とは異なる第２の表面濡れ性を有し、第１の基板ストリップと接触している。そのシールはさらに、第１の表面濡れ性を有し、第１の基板ストリップ３０から離隔して配置される、カバー上の第１のカバーストリップ８０と、第２の表面濡れ性を有し、第２の基板ストリップ３２から離隔して配置され、第１のカバーストリップと接触している、カバー上の第２のカバーストリップ８２とを含む。封止部材４０は濡れて、第１の基板ストリップ及び第１のカバーストリップに接着するが、第２の基板ストリップ及び第２のカバーストリップには接着しない。
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【課題】隔壁の耐溶剤性を損なうことなく、インクジェット法によるインク注入時のインク同士の混色が防止可能であり、画素内のインクに対する良好な濡れ性を確保することで均一なインク層が形成可能であって、かつ、得られる光学素子に十分な耐熱性を保持させることが可能であり、さらに簡素化され経済的に有利な工程で行うことが可能な光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】支持基板上に、表面に撥インク性を有する樹脂組成物からなる隔壁を形成させ、インクジェットにて該隔壁間にインクを注入して光学素子を製造する方法であって、隔壁形成後、インクジェットにてインクを注入する前と後に、それぞれインクジェット前には加熱温度１８０℃〜２１５℃で、インクジェット後には加熱温度２２０℃〜２５０℃で加熱処理を施すことにより隔壁を構成する樹脂組成物を硬化物とする光学素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ガラス基板に対して薄膜で密着強度が高く、抵抗値が低く、高精細なパターンを形成可能な、安価なアルミニウム含有感光性組成物を提供すること。
【解決手段】アルミニウム粉末およびアルミニウム合金粉末から選択される少なくとも１種の金属粉末（Ａ）、アルカリ可溶性樹脂（Ｃ）、多官能（メタ）アクリレート（Ｄ）、光重合開始剤（Ｅ）、ならびにジヒドロターピネオールおよびテキサノールから選択される少なくとも１種の溶剤（Ｆ）を含有し、該金属粉末（Ａ）の平均粒径Ｄ５０が１〜２０μｍであることを特徴とするアルミニウム含有感光性組成物。 （もっと読む）

【課題】高融点バリアメタル層を形成すること無く、Ｓｉ膜又はＳｉを主成分とする膜と良好なコンタクト特性を実現するＡｌ合金膜を提供する。
【解決手段】半導体デバイス（ＴＦＴ）は、チャネル部１１を形成する様にＳｉ半導体膜７上に配設された被酸化のオーミック低抵抗Ｓｉ膜８と、オーミック低抵抗Ｓｉ膜８と直接に接続し、且つ、接続界面近傍に、少なくともＮｉ原子、Ｎ原子及びＯ原子を含むアルミニウム合金膜から成る、ソース電極９及びドレイン電極１０とを有する。 （もっと読む）

【課題】色再現性を維持しつつ、高輝度を達成しうる表示装置、さらに、有機ＥＬ素子を用いた場合においても観察方向依存性の小さい表示装置を提供する。
【解決手段】Ｒ、Ｇ、Ｂに発光する発光素子からそれぞれなる３色の画素と、カラーフィルタと、をこの順に備え、該カラーフィルタが波長４７５〜５２５ｎｍの範囲に光学濃度の極大値を有し、該光学濃度の極大値に対する、波長４５０ｎｍにおける光学濃度の比率が１５％以下であり、且つ、該光学濃度の極大値に対する、波長５５０ｎｍにおける光学濃度の比率が１０％以下である表示装置。 （もっと読む）

【課題】コントラストを向上させることができる画像表示装置を提供すること。
【解決手段】発光素子１０と、発光素子１０の一端に電気的に接続されるドライバ素子１２と、ドライバ素子１２に接続される静電容量１５と、を有する画素を複数備え、１画素の面積Ｓ_１に対する１画素あたりに占めるドライバ素子１２の面積Ｓ_２の割合（Ｓ_２／Ｓ_１）、および／または１画素の面積Ｓ_１に対する１画素あたりに占める容量素子の面積Ｓ_３の割合（Ｓ_３／Ｓ_１）が０．０５以上とする。 （もっと読む）

【課題】バリアメタル層を省略して透明画素電極と直接接続させた場合にも、低いコンタクト抵抗と電気抵抗を示し、好ましくは耐熱性や耐食性にも優れた表示装置用Ａｌ合金膜を提供する。
【解決手段】表示装置の基板上で、透明導電膜と直接接続されるＡｌ合金膜であって、Ａｌ合金膜は、Ｎｉ及び／又はＣｏを０．１〜６原子％、Ｇｅを０．１〜２原子％含有すると共に、アルミマトリックス結晶粒界Ｇｅ濃度が、前記Ａｌ合金膜のＧｅ濃度の１．８倍超を満足するＡｌ合金膜である。 （もっと読む）

【課題】印刷法のような低コストかつ材料使用効率の高い方法が適用でき、簡便に微細なパターンの形成が可能で、かつ、パターン形成以外に高付加価値機能を有する積層構造体を提供する。
【解決手段】積層構造体１は、臨界表面張力が大きい高表面エネルギー部３と臨界表面張力が小さい低表面エネルギー部４を有する濡れ性変化層２と、高表面エネルギー部３に形成されている導電層５と、低表面エネルギー部４に形成されている半導体層６と、を有し、濡れ性変化層２は、エネルギーの付与により臨界表面張力が変化する、側鎖に疎水性基を有する高分子材料を含み、高分子材料は、ポリイミドを含む。 （もっと読む）

【課題】一対の対向する電極間に挟持された電解質組成物を備え、電気化学的な酸化還元反応を利用する表示素子であって、優れた駆動安定性と改善された応答速度及び電荷効率を有する表示素子とその製造方法を提供する。
【解決手段】透明電極と対向電極との間に、電気化学的な還元又は酸化によって着色と消色をする材料及び白色散乱粒子を含有する電解質組成物が配置された表示素子であって、当該電解質組成物が、その分散工程において、溶存酸素濃度が０．５ｍｇ／Ｌ以下となるまで不活性ガス存在下で脱気されたことを特徴とする表示素子。 （もっと読む）

【課題】有機電界発光表示装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】画素領域と非画素領域を備える基板と、前記基板上に位置するバッファ層と、前記バッファ層上に位置し、チャネル領域及びソース／ドレイン領域を備える半導体層と、前記半導体層のチャネル領域に対応するように位置するゲート電極と、前記半導体層と前記ゲート電極とを絶縁させるゲート絶縁膜と、前記半導体層のソース／ドレイン領域に電気的に接続するソース／ドレイン電極と、前記ゲート電極と前記ソース／ドレイン電極とを絶縁させる層間絶縁膜とを含み、前記バッファ層、ゲート絶縁膜、及び層間絶縁膜は、非画素領域上の一部が除去された形態で位置し、前記除去された面積はパネル面積の８〜４０％であることを特徴とする有機電界発光表示装置の製造方法に関する。 （もっと読む）

【課題】 既存のＳｉＮｘパッシベーション膜／アクリル系感光性有機絶縁膜の二重構造を一つの層に形成することにより、工程を単純化し、生産費を節減することができ、感度、解像度、工程マージン、透明性、耐熱変色性などの性能が優れると共に、特に低誘電率絶縁膜を可能にすることによって消費電力を低くすることができ、残像及びクロストーク、及びしきい電圧のシフト現象を防止することができ、また、優れた耐熱性による低アウトガスを可能にすることによって優れたパネル信頼性を確保することができ、これによって多様なディスプレイにおいてパッシベーション絶縁膜、ゲート絶縁膜だけでなく、平坦化膜などとしても有用に適用することができるポジティブ型感光性有機・無機ハイブリッド絶縁膜組成物を提供する。
【解決手段】 本発明によるポジティブ型感光性有機・無機ハイブリッド絶縁膜組成物は、ｉ）下記の化学式１で示される１〜３個のフェニル基を含む反応性シラン、（ii）下記の化学式２で示される４官能反応性シランのシラン単量体を触媒の存在下で加水分解及び縮合重合して得られたポリスチレン換算質量平均分子量（Ｍｗ）が１，０００〜２０，０００であるシロキサンオリゴマー化合物；（ｂ）１，２−キノンジアジド化合物；及び（ｃ）溶媒を含むことを特徴とする。
【化１】


（式中、Ｒ₁はフェニル基であり、Ｒ₂はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルコキシ基、フェノキシ基、またはアセトキシ基であり、ｎは１〜３の整数である。）
【化２】


（式中、Ｒ₃はそれぞれ独立して炭素数１〜４のアルコキシ基、フェノキシ基、またはアセトキシ基である。）。 （もっと読む）