【課題】電子放出の指向性が優れ、ゲート電位による制御性の良好なカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法を提供する。
【解決手段】基板１８上に配置されたカソード電極１０と、カソード電極１０上に配置された第１絶縁膜１２と、第１絶縁膜１２上に配置されたゲート電極１４と、ゲート電極１４上に配置された第２絶縁膜２０と、第２絶縁膜２０およびゲート電極１４の開口部に、第１絶縁膜１２中にカソード電極１０表面まで到達して形成されたホール１１と、ホール１１の底面およびゲート電極１４の側面に形成された触媒微結晶核２９と、カソード電極１０上の触媒微結晶核２９上に形成されたエミッタカーボンファイバー４と、ゲート電極の側面上の触媒微結晶核２９上に形成されたゲートカーボンファイバー３とを備えるカーボンファイバー電子放出源、ＦＥＤ装置およびカーボンファイバー製造法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高寿命な電子放出素子を形成するための非酸素雰囲気下で熱分解性の良い感光性樹脂を用いた電子放出源用ペーストおよびそれを用いた電子放出素子を提供することを課題とする。
【解決手段】針状炭素、無機粉末および感光性樹脂を含む電子放出源用ペーストであって、感光性樹脂が、（メタ）アクリル酸エステルと重合性不飽和モノマーとの共重合体にエチレン性不飽和二重結合を有する化合物を付加させた感光性樹脂であり、さらに、（１）感光性樹脂の酸価が２５ｍｇＫＯＨ／ｇ未満であること、および（２）（メタ）アクリル酸エステルがイソブチルメタクリレート、ｎ−ブチルメタクリレート、２−エチルヘキシルメタクリレートおよびアクロレインからなる群より選ばれる少なくとも１種以上を含むことを特徴とする電子放出源用ペースト。 （もっと読む）

【課題】触媒薄膜にダメージを与えることのない製造プロセスで容易に製造可能で、従来よりも径の細い炭素系微細繊維を備えた冷陰極素子を提供すること。
【解決手段】冷陰極素子１０は、ガラス基板１１と、ガラス基板１１上に形成されたカソード電極層１２と、カソード電極層１２上に順次形成されたグラニュラー触媒薄膜１３、第１保護層１４及び第２保護層１５と、カソード電極層１２上に形成された絶縁層１６と、絶縁層１６上に形成されたゲート電極層１７と、電界に応じて電子を放出する炭素系微細繊維１９とを備え、第１保護層１４をアルカリ性のエッチング液で溶解することができる材料で形成し、グラニュラー触媒薄膜１３にダメージを与えることのない製造プロセスで、従来よりも径の細い炭素系微細繊維１９を成長させる構成を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な分散状態または溶解状態を確保することができ、印刷特性に優れ、しかも、焼成後には、焼成体に良好な表面状態を付与することのできるペースト組成物、そのペースト組成物を焼成することにより得られる焼成体およびフラットパネルディスプレイ用部品を提供すること。
【解決手段】炭素数が２〜３のアルキレン基を１〜８５モル％および炭素数が４〜６のアルキレン基を１５〜９９モル％含むポリオキシアルキレングリコールと、ジイソシアネートとの反応により得られるポリウレタン樹脂と、溶剤と、粉末とを配合してペースト組成物を調製する。これを焼成することにより、誘電体層、封止体、隔壁、蛍光体および電子エミッタなどのフラットパネルディスプレイ用部品を製造する。 （もっと読む）

【課題】ナノ炭素材料を主成分とし、高分散性を持ち、組成が均一なナノ炭素材料複合体ペーストと、これを用いたパターン形成方法を提供する。
【解決手段】ナノ炭素材料複合体ペーストは、粒子に直接または金属若しくは金属化合物を介してナノ炭素材料が形成されてなるナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と、溶剤と、を混合してなる。さらに詳しくは、ペースト組成として、バインダー材料と溶剤の重量比は、１：４〜１：９の範囲で、かつ、ナノ炭素材料複合体と、バインダー材料と溶剤の総量の重量比は、１：１．５〜１：４の範囲である。 （もっと読む）

【課題】実用材料として好適な、粒子状突起構造を有するナノ炭素材料複合体およびその製造方法並びにナノ炭素材料複合体を用いた電子放出素子を提供する。
【解決手段】基体２と基体２上に成長した粒子状突起構造を有し、粒子状突起構造の直径は５０ｎｍ〜５００ｎｍであるナノ炭素材料３から成ることを特徴とするナノ炭素材料複合体１を提供する。パラジウムまたはその化合物から選ばれる薄膜を基体２上に形成する第１工程と、金属薄膜担持基体をオクタノール中で５５０℃以上６５０℃以下の範囲で加熱する第２工程とにより、ナノ炭素材料複合体を製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 放出電子の集束性が向上し、製造プロセスの簡易化が可能となる電子放出装置及び電子放出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明による電子放出装置は、基板２と、基板２上に配置された第１電極３と、第１電極３上に第１絶縁層４を介して配置され、第１電極３を選択的に覆うとともに、第１電極３を露出させるように複数の第１開口部１３が配置された第２電極６と、第２電極６上に配置された保護層７と、保護層７上に第２絶縁層８を介して配置され、第１開口部１３と連通するように第２開口部１４が配置された第３電極９と、第１電極３上の第１開口部１３領域に配置された電子放出部５とを備える。 （もっと読む）

【課題】大型であっても電界放出物質が均一に分散された電極を、容易に安価に製造することができ、省エネルギーで大型の電界放出型ランプの製造方法を提供する。
【解決手段】Ｌｉ、Ｎａ、Ｋ、Ｒｂ、Ｃｓ、Ｆｒ、Ｇｄ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｅｒ、Ｈｏ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｍｎ、Ｆｅ、Ｎｉ、Ｃｏ、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇ、Ａｕ、Ｓｎ、Ｂｉ、Ｚｎ、Ｐｔ、Ｐｄから選ばれる１種又は２種以上を含む金属物質と、電界放出物質と、有機バインダーとを含有する混合物を基板上に膜状に形成し、焼成し、塊状金属物質と電界放出物質とを含有する電界放出型冷陰極を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、該絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットと、を含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、前記電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が一つの電子放出先端を含む。また、本発明は、前記電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、絶縁基板と、前記絶縁基板に設置された複数のグリッド電極及び陰極電極と、複数の電子放出ユニットとを含む。前記複数のグリッド電極及び前記複数陰極電極が交叉して、複数の格子が形成され、各々の前記格子に一つの前記電子放出ユニットが設置され、各々の前記電子放出ユニットが、少なくとも一つの電子放出体を含み、該電子放出体の両端がそれぞれ、前記グリッド電極及び前記陰極電極に電気的に接続され、前記電子放出体に隙間があり、該電子放出体が前記隙間に対向した二つの先端を有し、各々の前記先端が複数の電子放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】基板表面に集合配置した複数のカーボンナノチューブ等のカーボンファイバの先端部を電子放出性能に優れた活性化処理することを可能にする。
【解決手段】基板表面に集合配置した複数のカーボンファイバの各先端部とアノード電極との間隙に酸素を含むガスを導入すると共にアノード電極と該アノード電極に最近の先端部との間隙を最小最適間隙に制御することでその最近先端部に電界集中による通電電流を流してジュール熱を発生させ、このジュール熱で当該最近先端部を損耗させる操作を行うことで全体の先端部とアノード電極との間隙を均等制御し、また、上記間隙にアルゴンガス等を導入すると共に導入したガスをイオン化し、発生したガスイオンを先端部に加速衝突させて各先端部をスパッタリングや起毛処理することで活性化して各先端部の電界放射閾値電界を下げる。 （もっと読む）

本発明は電界放射ディスプレイの製造方法に関し、排気された室中に電子放射体を構成し、電子放射体付近に波長変換材料を配置し、排気された室中に電子放射源を設けるステップを含んでおり、電子放射源は電子を電子放射体へ放射し、電子放射源は、基板を有し、複数のＺｎＯナノ構造を基板上に形成して形成され、ＺｎＯナノ構造は第１の端部と第２の端部を有し、第１の端部は前記基板に接続され、ＺｎＯナノ構造を相互に電気的に絶縁するために電気絶縁体を設け、導電部材をＺｎＯナノ構造の第２の端部に接続し、支持構造を導電部材上に設け、基板を除去してＺｎＯナノ構造の第１の端部を露出して形成される。本発明の利点は高さが整列されていないナノ構造の小さいセクションの存在による電界放射ディスプレイの寿命の増加を含んでいる。さらに高価な従来技術のエッチング、研磨等のステップを使用して、ナノ構造の「高さを整列」する必要をなくすことにより廉価な最終製品を実現できる。 （もっと読む）

本発明は、デバイス構造および厚膜ペーストに前から存在するスルーホールに堆積したフォトレジストを用いて電気および電子デバイスを製造する方法、ならびにかかる方法により作製されたデバイスに関する。この方法によって、ホールの隅部に厚膜ペーストが堆積する。本発明はまた、ホールの残渣フォトレジスト堆積物から作製された拡散層を用いてパターニングされた厚膜ペーストにより作製されたデバイスにも関する。
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電子電界エミッタの放出を改善する新しい光画像形成型組成物が開示される。この組成物は、カーボンナノチューブおよび金属レジネートを含む。
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【課題】ホール形成層のホールの底面の略全域に金属触媒層を形成することができる炭素繊維装置及び炭素繊維装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＦＥＤ（炭素繊維装置）１は、カソード基板２と、カソード基板２上に形成されたカソード電極３と、カソード電極３上に形成された金属触媒層４と、金属触媒層４の一部を覆うとともに、金属触媒層４を露出させるホール１７が形成され、絶縁層１６を含むホール形成層６と、ホール形成層６から露出した金属触媒層４から延びる炭素繊維５とを備えている。ＦＥＤ１の製造方法では、金属触媒層４を形成した後、ホール形成層６が形成される。 （もっと読む）

【課題】 電界放出効率が高く均一である電界放出型冷陰極を簡便に製造するための製造方法を提供する。
【解決手段】 陰極板と陽極板とを対向させ、かつ、陰極板直近の陽極板側にフィルターを配設したセルを作製し、直径が１〜２００ｎｍの範囲である帯電性の微細棒状体とめっき液を上記のセル内に充填し、陰極板を直流電源の陰極に接続し、陽極板を直流電源の陽極に接続してセル内のめっき液に電圧を印加するとともに、磁力線が陰極板に対して垂直となるようにセル内に磁場をかけることにより、陰極板上に金属層を形成し、この金属層に一部を埋めるように帯電性の微細棒状体がその軸方向を陰極板に対して９０°±１０°の範囲となるように立設される。 （もっと読む）

ＵＶ遮蔽絶縁誘電体層を有する電界放出カソード組立体。
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【課題】本発明は、電界放出型電子源及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明の電界放出型電子源は、導電性基板と電子放出部とを含む。前記電子放出部は少なくとも一本のカーボンナノチューブワイヤを含み、該カーボンナノチューブワイヤは第一端及び該第一端と相対する第二端を含み、該第一端は前記導電性基板に電気的に接続され、該第二端は前記導電性基板から外に延び、複数の電界放出先端を含む。また、本発明は、電界放出型電子源の製造方法も提供する。 （もっと読む）

【課題】ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物、それを利用して製造された電子放出源、該電子放出源を含む電子放出素子、該電子放出素子を適用したバックライト装置及び電子放出ディスプレイ装置を提供する。
【解決手段】ボロンナイトライドナノチューブ１００重量部と、ガラスフリット２５０ないし１０００重量部と、フィラー５００ないし１０００重量部と、有機溶媒１０００ないし２０００重量部と、バインダーポリマー２０００ないし３０００重量部と、を含むことを特徴とするボロンナイトライドナノチューブペースト組成物である。該ボロンナイトライドナノチューブペースト組成物を使用して形成された電子放出源を含む電子放出素子は、長寿命を具現し、画素間の均一度が向上する効果を有する。 （もっと読む）

【課題】電子放出密度を比較的均一化させることが可能な電界放出型電極の製造方法を提供する。
【解決手段】電子放出膜が形成された電界放出型電極に加湿処理を施した上で、電界放出型電極と対向する電極との間にパルス電圧を印加する。パルス電圧に対応して電子放出膜上に付着した水分子が吸着、離脱を繰り返す。これにより、電子の放出強度が弱い領域、電子が放出されない領域からも電子が放出されるようになり、電界放出型電極の電子放出密度のムラを比較的均一化させることが可能となる。 （もっと読む）