【課題】 良好な信号対ノイズ比（ＳＮＲ）特性と良好な熱揺らぎ耐性を有する磁気記録媒体を用いて、高密度記録を行う。
【解決手段】 基板と、軟磁性層と、軟磁性層上に形成された多層下地層と、多層下地層上に形成された連続膜型磁気記録層とを含む磁気記録媒体。多層下地層は、銅からなり、（１００）面配向した面心立方格子構造をもつ結晶粒子を含有する第１の下地層、第１の下地層上に形成された銅及び窒素からなる第２の下地層、及び第２の下地層上に島状に形成された第３の下地層を含む。連続膜型磁気記録層は、Ｆｅ及びＣｏのうち少なくとも一種の元素、及びＰｔ及びＰｄのうち少なくとも一種の元素を含有し、Ｌ１_０構造を持ち、主として（００１）配向した磁性結晶粒子を含む。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度、非晶質性、結晶化温度および耐食性に優れた熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性合金およびそのスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ａ）群の各種元素の１種または２種以上を５〜２０％、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金。また、上記に加えて、ａｔ．％で、Ｆｅ：０〜７０％を含み、かつ下記（Ｂ）群元素の１種または２種以上を５〜３０％含有し、かつ（Ａ）群元素と（Ｂ）群元素との和を１０〜３５％とし、残部Ｃｏおよび不可避的不純物からなる磁気記録用軟磁性合金およびスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体。
（Ａ）Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ、（Ｂ）Ｃｒ，Ｍｏ，Ｗ （もっと読む）

【課題】 分離制御および傾斜異方性を有する垂直磁気記録媒体のシステム、方法および装置を提供する。
【解決手段】 高性能な垂直磁気記録媒体の構造は、接着層、第１の軟磁性下地層（ＳＵＬ）、結合層、第２のＳＵＬ、シード層、Ｒｕ層および、オンセット層を含む複数の順次層を有する基板と、当該オンセット層上にあり且つ媒体の上書き性能を向上させる傾斜異方性を示す組成を有する少なくとも１つの酸化物層と、少なくとも１つの酸化物層上の交換結合層（ＥＣＬ）と、キャップ層と、ＥＣＬ上でキャップ層内の横方向の交換結合を減らすためにＥＣＬとキャップ層との間に設けられた分離制御層と、キャップ層上の炭素保護膜とを含んでいる。 （もっと読む）

【課題】高記録密度化に対応した情報記録媒体用基板を提供する。
【解決手段】mol％表示にて、SiO₂とAl₂O₃を合計で70〜85％（ただし、SiO₂の含有量が50％以上）、Al₂O₃の含有量が3％以上、Li₂O、Na₂OおよびK₂Oを合計で10％以上、CaOとMgOを合計で1〜6％（ただし、CaOの含有量がMgOの含有量よりも多い）、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃およびTiO₂を合計で０％を超えて4％以下含み、SiO₂、Al₂O₃、ZrO₂、HfO₂、Nb₂O₅、Ta₂O₅、La₂O₃、Y₂O₃およびTiO₂の合計含有量に対するLi₂O、Na₂OおよびK₂Oの合計含有量のmol比が0.28以下、である、情報記録媒体用基板に供するためのガラスとする。 （もっと読む）

【課題】ライトマージンを上げることにより、記録密度を向上させることが可能な磁気ヘッド、およびこれを備えたディスク装置を提供する。
【解決手段】ディスク装置の磁気ヘッドは、記録媒体１２の記録層２３に対し垂直な記録磁界を印加する主磁極６６と、主磁極のトレーリング側にライトギャップを置いて対向し、主磁極とともに磁気回路を形成するリターン磁極６８と、主磁極およびリターン磁極が形成する磁気回路に磁束を励起するコイル６５と、それぞれ主磁極とリターン磁極との間に設けられ、磁気共鳴周波数の互いに異なる複数の磁性膜を有し、記録媒体に高周波磁界をそれぞれ印加する複数の高周波発振素子７０ａ、７０ｂと、高周波発振素子に通電するための電気回路８０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】高品位および高記録密度の記録層を形成する多重酸化物を含有するスパッタターゲット、およびハードディスクの記録材を提供する。
【解決手段】コバルト−白金（ＣｏＰｔ）、コバルト−クロム−白金（ＣｏＣｒＰｔ）または、コバルト−クロム−白金−ホウ素（ＣｏＣｒＰｔＢ）の合金を基本とし、スパッタリングプロセスの間に酸素欠損に対して酸素を提供する酸素供給剤として、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）およびＣｒ_２Ｏ_３を付加したスパッタターゲットで、シリカ酸化物（ＳｉＯ_２）の量は４からの８原子％の範囲であり、酸化クロム（Ｃｒ_２Ｏ_３）の量は０．８原子％から５原子％の範囲である。 （もっと読む）

【課題】事前にパターニングされた表面特徴およびしっかりと接着された平坦化充填材料を有する平坦化磁気記録ディスクならびにディスクを平坦化する方法を提供する。
【解決手段】磁気記録ディスクは、隆起したランド２２０および窪んだ溝２３０という表面特徴と、平坦化された上面とを有する。化学機械研磨（ＣＭＰ）停止層２１０が、ランド２２０上および溝２３０内に堆積される。シリコンのような接着膜２３５がＣＭＰ停止層２１０上に堆積され、酸化シリコン（ＳｉＯ_ｘ）を含む充填材料２４０が、接着膜２３５上に接着膜２３５に接して堆積される。接着膜２３５は、ＳｉＯ_ｘ充填材料２４０の接着性を向上させ、続く２段階のＣＭＰ平坦化プロセス中の剥離を防止する。 （もっと読む）

【課題】ＤＣスパッタ法を用いて、ＭｇＯ膜を有する磁気記録媒体を高い生産性で製造することができ、同時にＭｇＯ膜の酸素欠損を抑制して高い結晶性を有するＭｇＯ下地層を与える方法の提供。
【解決手段】酸素含有ガス中でＭｇおよびＭｇＯを含むターゲットを用いる反応性ＤＣスパッタ法によって、非磁性基体にＭｇＯからなる中間層を形成する工程と、中間層の上に、Ｌ１₀系規則合金を含む磁気記録層を形成する工程とを少なくとも含むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】使用する真空チャンバー数およびスパッタターゲット数を増加させることなく軟磁性裏打ち層の多層化を実現して、軟磁性裏打ち層起因のノイズを効果的に低減させることができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】非磁性基体１０、複合型軟磁性裏打ち層２０および磁気記録層５０を少なくとも含む垂直磁気記録媒体の製造方法であって、複合型軟磁性裏打ち層２０を形成する工程が、単一の真空チャンバー内に多極カソードを有する成膜装置において、ｎ層のアモルファス軟磁性材料層２２と（ｎ−１）層の非磁性結合層２４とを積層させることによって実施され、（ｎ−１）層の非磁性結合層のそれぞれは、２つのアモルファス軟磁性材料層の間に形成され、ｎは２以上の整数であることを特徴とする垂直磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】ＯＷ特性、ＳＮＲ、熱安定性を良好に維持しながら高トラック密度を可能とする垂直磁気記録媒体を実現すること。
【解決手段】非磁性基体上に磁気記録層を備えた垂直磁気記録媒体において、磁気記録層は、第１磁性層、第１交換結合制御層、第２磁性層、第３磁性層および第４磁性層をこの順に備えることを特徴とする。
前記第１磁性層、第２磁性層、第３磁性層および第４磁性層の垂直磁気異方性定数をそれぞれＫｕ₁、Ｋｕ₂、Ｋｕ₃およびＫｕ₄としたときに、Ｋｕ₄＞Ｋｕ₃＞Ｋｕ₂、かつＫｕ₁＞Ｋｕ₃＞Ｋｕ₂の関係を満たすことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】１平方センチあたり１テラビット以上の面記録密度を実現するのに十分な垂直磁気異方性エネルギーと結晶粒径を有し、量産性に優れた垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１上に基板温度制御層２、下地層３、磁気記録層４を順次形成する。磁気記録層は、基板を加熱チャンバで加熱する第１工程と、Ｃ，Ｓｉ酸化物からなる群から選ばれた少なくとも一種の非磁性材料を添加したＦｅＰｔを主とする合金からなる磁気記録層を製膜チャンバで製膜する第２工程とからなる磁性層積層工程をＮ回（Ｎ≧２）繰り返して形成する。 （もっと読む）

【課題】 低い保磁力を有する垂直磁気記録媒体用軟磁性合金およびこの合金の薄膜を作製するためのスパッタリングターゲット並びに磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 ａｔ．％で、Ｚｒ，Ｈｆの１種または２種を合計で６〜２０％、Ｂを１〜２０％含み、残部Ｃｏおよび不可避的不純物よりなり、かつ式（１）を満たすことを特徴とする磁気記録媒体用軟磁性合金。また、上記の磁気記録媒体用軟磁性合金を用いたスパッタリングターゲット材並びに磁気記録媒体。
６≦２×（Ｚｒ％＋Ｈｆ％）−Ｂ％≦１６ … （１） （もっと読む）

【課題】 本発明は、スパッタリングにより薄膜を形成するために用いられる化合物の生成を抑制したＣｒＴｉ系合金およびスパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 Ｔｉを３５〜６５原子％含み、残部Ｃｒおよび不可避的不純物かなるＣｒＴｉ系合金において、Ｃｒ（１１０）のＸ線回折強度［Ｉ（Ｃｒ）］とＣｒ₂ Ｔｉ（３１１）のＸ線回折強度［Ｉ（Ｃｒ₂ Ｔｉ）］の強度比が［Ｉ（Ｃｒ₂ Ｔｉ）／Ｉ（Ｃｒ）］が０．５０以下であるＣｒＴｉ系合金およびＣｒＴｉ系スパッタリング用ターゲット材並びにそれを使用した垂直磁気記録媒体の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 効率的に且つ十分に非記録部の磁性が失活した磁気記録媒体およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に磁気記録層を含む磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、記録部と非記録部とから成るパターンを有し、前記非記録部は、前記記録部が非磁性化した構造を有し、前記非記録部は、バナジウムおよびジルコニウムから成る群から選択される少なくとも１つの金属元素と、窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素とを含み、前記非記録部に含まれる窒素、炭素、ホウ素および酸素から成る群から選択される少なくとも１つの元素の含有量は、前記記録部に含まれる元素の含有量よりも多い磁気記録媒体。 （もっと読む）

【課題】磁気記録層へのデータの書込を容易にし、かつ記録層の熱的安定性を上げる。
【解決手段】装置は、第１の磁気層６２と、第１の磁気層上に形成される第１の交換ブレーク層６４と、第１の交換ブレーク層上に形成される第２の磁気層６６と、第２の磁気層上に形成される第２の交換ブレーク層と、第２の交換ブレーク層上に形成される第３の磁気層とを含み得る。第１の磁気層は第１の磁気異方性エネルギＨ_k1を有する。第２の磁気層は第２の磁気異方性エネルギＨ_k２を有する。第３の磁気層は第３の磁気異方性エネルギＨ_k３を有する。一部の実施の形態において、Ｈ_k1−Ｈ_k2はＨ_k2−Ｈ_k3よりも小さい。一部の実施の形態において、装置は垂直磁気記録媒体である。 （もっと読む）

【課題】 飽和磁束密度と透磁率を高いレベルで両立可能なアモルファス構造を有する磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜を提供する。
【解決手段】 Ｃｏ−Ｆｅ系合金でなる磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜であって、該軟磁性裏打ち層膜における原子％で表されたＣｏとＦｅの組成の比率が８８：１２〜９２：８の範囲内にあり、添加元素として３．０原子％以上のＺｒと、２．０原子％以上Ｂ、Ｙ、Ｎｂ、Ｈｆ、Ｔａの群から選ばれる１種または２種以上の元素と、をいずれも含有し、かつ、前記添加元素の含有量の合計が５．０〜９．０原子％の範囲内にある磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜である。また、上記と同組成の磁気記録媒体の軟磁性裏打ち層膜形成用スパッタリングターゲット材およびそのスパッタリングターゲット材を用いてスパッタリング法により形成される磁気記録媒体用の軟磁性裏打ち層膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気記録層の結晶粒の分離と結晶粒径の微細化を両立することで、高密度の情報の記録再生が可能な磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板上に、少なくとも軟磁性裏打ち層と下地層と中間層と垂直磁気記録層を有する垂直磁気記録媒体において、垂直磁気記録層を１層以上の磁性層から構成し、その内の少なくとも１層を、Ｃｏを主成分とする強磁性結晶粒と酸化物粒界から構成し、その酸化物をＣｅの酸化物と、Ｓｉ，Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｐｒ，Ｓｍ，Ｅｕ，Ｔｂ，Ｙｂ，Ｔａ，Ｗから選ばれる元素の酸化物を含む構成とする。また、Ｃｅの酸化物を含む磁性層の酸化物の総量を４モル％〜１５モル％の範囲内とする。 （もっと読む）

【課題】全波長成分のうねりを低減できる製造方法を提供し、磁気ヘッドの接触を低減して磁気ヘッドの浮上走行安定性の向上した媒体を提供すること。
【解決手段】本発明の製造方法は、Ｎｉ−Ｐ系合金からなる下地層を有する基板の該下地層に、有機酸または無機酸と、第１の研磨材とを含む第１のスラリー液を供給しながら、アルミナ、チタニア、シリカおよびジルコニアよりなる群から選択される研磨材を０．１ｗｔ％から２５ｗｔ％の濃度で含有する第１の多孔質材料を用いて前記基板を研磨する第１研磨工程と、前記第１研磨工程により加工された下地層の表面を、有機酸または無機酸と、第１の研磨材よりも小さい粒径を有する第２の研磨材とを含む第２のスラリー液を供給しながら第２の多孔質材料で研磨する第２研磨工程からなる。 （もっと読む）

【課題】結晶配向性の向上と結晶粒径の微細化とを両立でき、高記録密度化及び高ＳＮ比を達成できる垂直磁気記録媒体及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の垂直磁気記録媒体１００は、基板１００と、基板１００上に設けられた第一下地層１５０ａと、第一下地層１５０ａ上に設けられた第二下地層１５０ｂと、第二下地層１５０ｂ上に設けられ、グラニュラー構造を有する磁性材料を含有する主記録層１６０とを含む積層膜を有する垂直磁気記録媒体１００であって、主記録層１６０を構成する磁性材料がＣｏＣｒＰｔ合金を含有し、第二下地層１５０ｂを構成する材料がＲｕ−Ｃｏ酸化物合金を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】電気磁気変換特性を向上させ、よりいっそうの高記録密度化に対応可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】垂直磁気記録方式での情報記録に用いる垂直磁気記録媒体であって、基板上に、少なくとも軟磁性層と下地層と磁気記録層とを備える垂直磁気記録媒体の製造方法において、前記下地層は、スパッタリング成膜により形成され、成膜時のガス圧が低ガス圧にて成膜される低ガス圧成膜層と、成膜時のガス圧が高ガス圧にて成膜される高ガス圧成膜層からなる。そして、前記高ガス圧成膜層は、成膜レートを段階的に低下させた多層成膜により形成する。 （もっと読む）