【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】平坦化の間に磁気ビットを保護する方法および装置を提供する。
【解決手段】実施形態は、炭素領域平面化の間に磁気ビットを保護するための方法を開示し、パターン化スタック上の磁気ビットおよび磁気薄膜に停止層を堆積させるステップと、停止層上に炭素充填層を堆積させるステップと、炭素領域の平面化およびエッチバックの間に停止層を用いて、炭素領域平面化の間にパターン化スタックの磁気ビットを保護するステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】凹凸形状が形成された基板を作製する。
【解決手段】高周波電源２１から、基板１６及び基板ホルダ１２の少なくとも一方に対して高周波電圧を印加する。供給材料膜１５から基板１６へ供給材料を供給し、基板表面の下地材料上に供給材料による凸部を形成する。供給材料膜１５は、基板１６の表面へ供給材料を直接入射させることができない位置に配置されている。基板１６の表面の下地材料の常温における表面エネルギーγ_ｓｕｂと、供給材料の融点における表面エネルギーγ_ｓｐとは、γ_ｓｕｂ−γ_ｓｐ＞０の関係にある。 （もっと読む）

【課題】高いＳＮＲを確保しつつ摺動耐久性を向上させることで、信頼性の向上および更なる高記録密度化の達成を図る。
【解決手段】本発明にかかる垂直磁気記録媒体の製造方法の構成は、基板上に少なくとも、ＣｏＣｒＰｔ合金を主成分とする磁性粒子と酸化物を主成分とする非磁性の粒界部とからなる主記録層を成膜する主記録層成膜工程と、主記録層上にＲｕ合金またはＣｏ合金を主成分とする分断層を成膜する分断層成膜工程と、分断層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第１加熱工程と、第１加熱工程の後にＣｏＣｒＰｔを主成分とする材料からなる補助記録層を成膜する補助記録層成膜工程と、補助記録層成膜工程の後に基板に加熱処理を施す第２加熱工程と、第２加熱工程の後にＣＶＤ法によりカーボンを主成分とする保護層を成膜する保護層成膜工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダへの電圧印加効率の向上を図り、長期に渡って安定的に使用できる電圧印加装置を提供する。
【解決手段】電圧印加装置は、真空処理チャンバーと、真空処理チャンバ内に設けられた基板ホルダー２０と基板ホルダに電圧を印加するための給電部材１３と、給電部材の先端部に設けられた、ダイヤフラム式給電部２２と、真空処理チャンバーの外部に設けられ、かつ給電部材を可動して、ダイヤフラム式給電部を基板ホルダに接触又は非接触させる可動機構１８と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】薄膜化してもコロージョン耐性、機械的耐久性、潤滑層との密着性、ヘッドの浮上安定性に優れた保護層を備えた磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に少なくとも磁性層と炭素系保護層と潤滑層が順次設けられた磁気記録媒体の製造方法であって、前記炭素系保護層は、前記磁性層側に形成される下層と、前記潤滑層側に形成される上層とを備え、炭化水素系ガスを用いて化学気相成長（ＣＶＤ）法で前記下層を形成し、次いで、炭化水素系ガスと窒素ガスの混合ガスを用いて前記上層を形成した後、該上層の表面を窒素化する処理を施す。 （もっと読む）

【課題】本発明は、摺動耐性や腐食耐性等の耐久性を向上させつつ、薄膜化を図ることのできる保護層を備える磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 基体上１１０に少なくとも、磁気記録層１２２と、保護層１２６とを、この順に備える垂直磁気記録媒体１００において、保護層１２６は表層側に希ガスの原子を含有し、かつ、保護層のラマン分光法におけるＧピークの高さをＧｈとし、Ｄピークの高さをＤｈとし、Ｇピークの蛍光を含んだバックグラウンド強度をＢとし、Ｇピークの蛍光を除いたピーク強度をＡとした場合、保護層１２６のラマン分光法による測定結果は、Ｄｈ／Ｇｈが０．７８〜０．９６であり、Ｂ／Ａが１．３１〜１．３４であることにより、保護層を薄膜化可能であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】基板フィルムの両面及び片面への蒸着を行なうことができ、装置の大型化及び複雑化を回避できる蒸着装置を提供する。
【解決手段】基板フィルムに蒸着膜を成膜する蒸着装置であって、基板フィルムを送り出すように回転駆動する第１の駆動部と、搬送された基板フィルムを巻き取るように回転駆動する第２の駆動部と、第１駆動部と第２駆動部との間で搬送される基板フィルムの搬送経路に設けられ、基板フィルムの一方の面を周面に支持する複数の成膜ローラと、基板フィルムの成膜ローラに支持された面の反対側の面に蒸着膜を成膜する複数の蒸着部と、第１の駆動部及び第２の駆動部の一方と切り換えられて駆動する第３の駆動部とを備え、第３の駆動部への切り換えの有無によって基板フィルムの両面又は片面に蒸着が行われるように搬送経路が変更される。 （もっと読む）

【課題】Ｓｉ原盤の凹凸形状に成膜した複版を凸部に欠けが生じることなく剥離し得るモールドおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】表面に微細な凹凸パターンを有するモールド１０の製造方法において、凹凸パターンを有するＳｉ原盤２６の表面に、イオン化傾向が水素よりも小さい金属、例えば、Ｐｔ、Ｏｓ、Ｉｒ、Ａｕ、ＲｕおよびＰｄから選ばれる少なくとも一種の金属を含む金属膜からなる剥離層１６を形成する剥離層形成工程と、剥離層１６の形成後にモールドを構成する金属基板１２を電鋳形成する電鋳工程と、電鋳工程の後、剥離層１６と金属基板１２とを備える複版をＳｉ原盤２６から剥離する剥離工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】本件は、ＲＦ−ＣＶＤ法により基板表面に成膜を行なう成膜方法に関し、基板の特性劣化を防ぎつつ成膜の生産効率を高める。
【解決手段】チャンバ内に基板を搬入しチャンバ内に成膜ガスを導入してさらにＲＦ放電による成膜ガスのプラズマを発生させることにより基板表面に成膜し成膜後の基板をチャンバ内から搬出する成膜工程と、基板搬出後のチャンバ内にクリーニングガスを導入しＲＦ放電によるクリーニングガスのプラズマを発生させることによりチャンバ内をクリーニングするクリーニング工程とを有し、このクリーニング工程がさらに、チャンバ内のクリーニングの終了後に、チャンバ内に、クリーニングガスとの反応によりそのクリーニングガスに起因する基板の特性低下を防止するための無害化ガスを導入しＲＦ放電によるクリーニングガスと無害化ガスとの混合ガスのプラズマを発生させてクリーニングガスと無害化ガスを反応させる無害化工程を有する。 （もっと読む）

【課題】本件は、基板上に磁性体記録層が形成された記録媒体等に関し、パターン化された記録層の上に平坦化された保護膜を形成する。
【解決手段】基板上に磁性体の記録層を形成する記録層形成工程（ａ）と、記録層をエッチングして所定パターンに分離された記録層を形成するエッチング工程（ｂ）〜（ｅ）と、エッチング工程において形成された所定パターンに分離された記録層２０３どうしの間を非磁性体で埋めるとともにさらに記録層の上を含めて非磁性体からなる分離層２０５を形成する分離層形成工程（ｆ）と、分離層上面を、記録層上面に分離層を残しつつ平坦化除去する平坦化除去工程（ｇ）と、平坦化除去工程を経た後の分離層上に保護膜２０６を形成する保護膜形成工程（ｈ）とを有する。 （もっと読む）

【課題】本件は、ホルダに支持された基板上への製膜と、製膜後の基板のホルダからの取外しおよび新たな基板のホルダへの取付けとを繰り返す製膜方法に関し、支持爪への製膜材料の堆積を抑える。
【解決手段】ディスク状の基板３０の周面に接する支持面２２１を有し、基板周面の複数点それぞれに各支持面を当てて基板を共同で支持する複数の支持爪２２を有するホルダに基板を支持させ、ホルダに支持した状態の基板表面に製膜し、ホルダから製膜後の基板を取り出してホルダに新たな基板を支持させる過程を複数の基板について順次に繰り返すにあたり、ホルダから製膜後の基板を取り外し、新たな基板を、ホルダから取り外した基板の支持面上の支持位置からずれた位置に支持させる。 （もっと読む）

【課題】 コロージョンの発生を回避しつつ、磁気記録媒体の主表面の平坦化を容易に行うことができ、且つ磁気記録媒体の製造効率を向上することが可能な磁気記録媒体および磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる磁気記録媒体の構成は、面内方向に所定のパターンで形成された磁性記録部と非記録部とを有する磁気記録媒体１００において、非記録部は、非磁性材料または非硬磁性材料からなる充填材（充填層１４０）と、充填材と磁性記録部との界面に配置された非磁性膜（ＤＬＣ膜１３８）と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 装置の大型化やそれに伴うコストの増加を招くこと無く、カーボン保護膜作成時間の短縮化および生産性に優れたインライン真空処理技術を提供すること。
【解決手段】 第１の成膜室と第２の成膜室とを有するインライン真空処理装置は、第１ロットに含まれる複数枚の基板を１つのまとまりとして、同一の成膜室で成膜処理を行うために、第１の成膜室および第２の成膜室のうち、いずれか一の成膜室に成膜処理を実行させる成膜部と、一の成膜室が成膜処理を実行している間に、成膜処理を行っていない他の成膜室において、成膜処理を行うための処理を実行させる処理実行部と、一の成膜室で処理された基板の枚数を計測し、第１ロットに含まれる基板が全て成膜処理されたか否かを判定する判定部と、判定部の判定結果に基づき、他の成膜室に成膜処理を実行させ、一の成膜室に成膜処理を行うための処理を実行させるように、第１の成膜室及び第２の成膜室で行う処理の切替えを行う制御部と、を備える。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク等の基板を搬送し、基板処理を施して大量に生産する基板処理システムのスループット及び生産性の向上のため、各処理チャンバにおける処理時間（タクトタイム）を短縮する。
【解決手段】基板搬送装置は、ゲートバルブを介して連結されたチャンバと、前記ゲートバルブを開状態にして前記チャンバ間でキャリアを搬送路に沿って搬送する搬送機構と、前記キャリアが前記チャンバの停止位置に到達する前に前記キャリアを検知するセンサと、前記センサからの検知信号に基づき前記ゲートバルブの閉動作を開始するよう制御する制御器とを有する。 （もっと読む）

【課題】 保護層成膜工程に用いたチャンバー内部における堆積物を効率的に除去することで、基体上の層へのパーティクルの混入を低減し、垂直磁気記録媒体の歩留まりを向上することが可能な垂直磁気記録媒体の製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明にかかる垂直磁気記録媒体１００の製造方法の構成は、基体１１０上に、柱状に成長した結晶粒子の間に非磁性の粒界部を形成したグラニュラー構造の磁気記録層１２２を成膜する磁気記録層成膜工程と、ＣＶＤ法により炭素系保護層１２６を成膜する保護層成膜工程と、炭素系保護層の成膜に使用したチャンバーの内部に堆積した堆積物をオゾンを用いて除去するクリーニング工程と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】媒体保護層の硬度を維持しつつ、当該媒体保護層の表面を工夫することで潤滑層の媒体保護層に対する付着率を向上させた磁気記録媒体の製造方法および磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】記録磁気媒体の製造方法は、磁気記録層を成膜する磁気記録層成膜工程と、ＣＶＤ（Chemical Vapour Deposition）法を用いて媒体保護層を成膜する保護層成膜工程と、媒体保護層の表面を窒化処理する窒化処理工程と、潤滑層を成膜する潤滑層成膜工程と、を含み、保護層成膜工程は、第１圧力の雰囲気で成膜した後に第２圧力の雰囲気で媒体保護層を成膜し、第１圧力は、第２圧力未満である。 （もっと読む）

【課題】簡単な構造で処理空間内のガス圧力（濃度）分布を制御できる真空処理装置及び真空処理方法を提供する。
【解決手段】減圧雰囲気を維持可能であり、減圧雰囲気中で被処理体３に対しての処理が行われる処理空間１０を内部に有する真空槽１と、真空槽１の壁部１ａを貫通して処理空間１０に通じるガス導入路４と、を備えた真空処理装置であって、ガス導入路４から処理空間１０内へのガス吹き出し方向が、ガス導入路４が設けられた部分近傍の真空槽１内壁面に対して平行もしくは傾いている。 （もっと読む）

【課題】イオンミリングによって磁気記録層を有する基板表面が消失することなく、かつ大気の影響を受けずに磁気記録媒体を製造する。
【解決手段】磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入した後、該イオンビーム注入後の磁気記録層を有する基板の表面をアッシングにより除去して磁気記録媒体を製造する磁気記録媒体製造装置１０であって、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板にイオンビームを注入するイオン注入室２０と、レジスト膜またはメタルマスクが塗布された磁気記録層を有する基板のレジスト膜またはメタルマスクを、プラズマによりアッシングして除去するアッシング室３０と、を有し、イオン注入室２０とアッシング室３０とは真空状態で連結されると共に、イオンビーム注入後の基板をイオン注入室２０からアッシング室３０に搬送する基板搬送機６０を備える。 （もっと読む）

【解決課題】 充分な耐衝撃性を有し、加工プロセスや磁気記録層の成膜プロセスを複雑なものとすることがなく、表面平坦性に優れ、しかもコストダウンを可能とする磁気記録媒体用Ｓｉ基板を提供すること。
【解決手段】 粗研磨（Ｓ６）後の多結晶シリコン基板表面に熱酸化により酸化膜を形成（Ｓ７）した後、ＣＶＤやスパッタなどの気相系成膜処理もしくはシリコーン系材料やオルガノシリカを含有する液剤を塗布して段差や結晶粒界部分を遮蔽する平滑な薄膜とした後、この薄膜を適度な温度で熱処理して有機成分を気散させることでＳｉやＳｉＯ_２膜を形成し（Ｓ８）、このＳｉ膜、ＳｉＯ_２膜に対してＣＭＰ研磨等の精密研磨（Ｓ９）を施して基板の平坦性を高めることとした。これにより、多結晶粒の結晶方位の違いや結晶粒界の存在には影響を受けずに平坦で平滑な表面（ウェビネスとマイクロウェビネスの２乗平均値が何れも０．３ｎｍ以下）を得ることができる。 （もっと読む）