【課題】熱安定性を確保して特性バランスに優れた記憶素子を実現する。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層と、上記記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層と、上記記憶層と上記磁化固定層の間に設けられる非磁性体による中間層とを有する層構造を備える。その上で、上記層構造の積層方向に電流を流すことで記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に対して情報の記録が行われる。記憶層は、少なくともＣｏ−Ｆｅ−Ｂ磁性層を有する。また記憶層に接する中間層と、該中間層とは反対側で記憶層が接する他方の層は、少なくとも記憶層と接する界面が酸化物層とされており、さらに上記他方の層は、酸化物層が、Ｌｉを含むＬｉ系酸化物層とされている。 （もっと読む）

【課題】 加熱処理によってもアモルファスまたは微結晶構造を維持できる熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 原子比における組成式がＦｅ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}−Ｃｕ_ｘ−Ｎｂ_ｙ−（Ｓｉ＋Ｂ）_ｚ、０．５≦ｘ≦３．０、１≦ｙ≦１５、２０≦ｚ≦３０で表され、残部不可避的不純物でなる熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜である。また、原子比における組成式がＦｅ_{１００−ｘ−ｙ−ｚ}−Ｃｕ_ｘ−Ｎｂ_ｙ−（Ｓｉ＋Ｂ）_ｚ、０．５≦ｘ≦３．０、１≦ｙ≦１５、２０≦ｚ≦３０で表され、残部不可避的不純物でなる合金ターゲットを用いてスパッタリングにより形成する熱アシスト磁気記録媒体用軟磁性膜の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】スパッタリング法等により形成される不規則なＡ１構造を有するＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜を、熱処理以外の方法により規則化させてＬ１_０構造を有するＦｅ−Ｐｔ系合金磁性薄膜にすることができる手段を提供すること。
【解決手段】Ｆｅ−Ｐｔ合金に特定量のＰを単独で配合するか或いは特定量のＣｕ又は特定量のＣｕ及びＡｇと共に配合すると、電子線照射により、熱処理することなく、規則化を行うことができるＦｅ−Ｐｔ系合金薄膜を得ることができる。 （もっと読む）

【解決課題】 磁場書き込み方式ＭＲＡＭ、および、スピン注入磁化反転方式ＭＲＡＭにおいても、書き込みに必要な電流値を小さくすることが可能な強磁性トンネル接合素子を提供する。
【解決手段】 順に、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性自由層２と、絶縁層３と、強磁性層を含む複数の層からなる強磁性固定層４とを積層した構造を有し、前記強磁性自由層２が、該強磁性自由層２の飽和磁化を下げる働きを有する添加元素を、前記絶縁層３と接しない側において前記絶縁層３と接する側よりも多く含む強磁性トンネル接合素子１である。 （もっと読む）

【課題】ヘッドスペーシングの拡大、および磁性層の磁気異方性の低下を抑制することができる垂直磁気記録媒体の製造方法の提供。
【解決手段】（１）規則合金を構成する金属および炭素を含むターゲットを用いるスパッタ法によって、非磁性基板上に、規則合金の結晶粒子および炭素からなる粒界層を含む磁気記録層と、磁気記録層上に存在し、炭素からなる保護層前駆体とを形成する工程と、（２）保護層前駆体に、炭化水素系ガスに対するプラズマ放電により生成した炭化水素系イオンを照射して、保護層前駆体を保護層に変化させる工程とを含み、炭化水素系イオンは保護層前駆体に到達する際に３００ｅＶ以上のエネルギーを有することを特徴とする方法。 （もっと読む）

【課題】 複数の磁気層および中間層を有するパターン化垂直磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】 パターン化垂直磁気記録媒体は、第１および第２の強磁性層（ＭＡＧ１およびＭＡＧ２）を、ＭＡＧ１とＭＡＧ２との間に第１および第２の非磁性中間層（ＩＬ１およびＩＬ２）を備えた状態で有するディスクリートデータアイランドを有する。ＭＡＧ１およびＭＡＧ２は、類似の厚さを有した類似のＣｏＰｔＣｒ合金でもよく、ＩＬ１およびＩＬ２の厚さは、ＭＡＧ１およびＭＡＧ２が強固に交換結合されることを保証する。あるいは、ＭＡＧ２は、「書き込み補助」層、例えば、交換スプリング構造における高飽和磁化の軟磁性材料でもよく、ＩＬ１は非常に薄く、それによってＩＬ２が、ＭＡＧ１と書き込み補助ＭＡＧ２層間とのカップリング層として機能できる。 （もっと読む）

【課題】磁気記録素子のＭＲ比の向上を図る。
【解決手段】実施形態に係わる磁気記録素子は、磁化が可変で磁化容易軸方向が膜面に垂直となる方向の磁気記録層１１と、磁化が膜面に垂直となる方向に固定される磁気固着層１２と、磁気記録層１１と磁気固着層１２との間の非磁性バリア層１３と、磁気記録層１１と非磁性バリア層１３との間の挿入層１４とを備える。挿入層１４は、軟磁性材料、ホイスラー合金、ハーフメタル酸化物、及び、ハーフメタル窒化物のうちの１つを含む。 （もっと読む）

【課題】高い強磁性共鳴周波数を有するグラニュラ磁性材料を利用しつつ、強磁性共鳴線幅の増加を抑制し、動作周波数の広い積層磁性薄膜及び磁性部品を提供する。
【解決手段】積層磁性薄膜１０は、絶縁体媒質１４中に磁性粒子１６が分散されたグラニュラ磁性層１２と絶縁層１８とを交互に積層した構造であり、磁性粒子１６には結晶配向を促すＰｄが添加されている。Ｐｄの添加量は、グラニュラ磁性層１２をＣｏＦｅＰｄＳｉＯとし、絶縁層１８をＳｉＯ_２とする積層磁性薄膜１０においては、Ｃｏ−Ｆｅの磁性粒子１６に対し、２０ａｔ％以上とすることが好ましい。グラニュラ磁性層１２と絶縁層１８の積層構造により、磁性粒子１６の粒径の分布を抑制して膜厚方向の磁性粒子１６の間隔を一定に保ち、前記Ｐｄの添加により磁性粒子１６の結晶配向を促して磁化容易軸方向の分散に起因した強磁性共鳴線幅の増加を抑制する。 （もっと読む）

【課題】超高密度記録、センシング、生物医学、画像化技術などの広い分野に応用して好適な、貴金属に起因する表面プラズモンを用いた高い磁気光学性能を有する磁気光学材料を提供する。
【解決手段】上記課題は、チタニアナノシートなどの極薄い磁性体を貴金属表面上に配置することにより達成される。 （もっと読む）

【課題】均一な粒界幅で分断されており、かつ、コラム成長した磁性結晶粒で構成される磁性層を有する熱アシスト記録媒体が実現し、これを用いたエラーレートの低い磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】基板と、該基板上に形成された複数の下地層と、Ｌ１_０構造を有する合金を主成分とする磁性層からなる磁気記録媒体において、該磁性層が、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ合金とＣからなる第１の磁性層と、Ｌ１_０構造を有するＦｅＰｔ合金とＣｒ_２Ｏ_３、Ｙ_２Ｏ_３もしくはＴａ_２Ｏ_５からなる第２の磁性層で構成された２層構成であることを特徴とする磁気記録媒体を用いる。また、第１の磁性層と、第２の磁性層の間に、交換結合を制御するための非磁性中間層を設ける。 （もっと読む）

【課題】垂直磁気異方性を有するとともにより大きな磁気抵抗効果を発現することが可能な磁気抵抗素子およびこれを用いた磁気メモリを提供する。
【解決手段】下地層と、下地層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、Ｍｎ_ｘＧａ_{１００−ｘ}（４５≦ｘ＜６４ａｔｍ％）である磁性体膜を含む第１の磁性層と、第１の磁性層上に設けられた第１の非磁性層と、第１の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向に磁化容易軸を有し、Ｍｎ_ｙＧａ_{１００−ｙ}（４５≦ｘ＜６４ａｔｍ％）である磁性体膜を含む第２の磁性層と、を備え、第１および第２の磁性層のＭｎの組成比が異なり、第１の非磁性層を介して第１の磁性層と第２の磁性層との間に流れる電流によって、第１の磁性層の磁化方向が可変となる。 （もっと読む）

【課題】低磁歪定数、高飽和磁束密度及び良好な表面平滑性を備えたハ−ドディスク装置などに用いられる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】非磁性基板１上に、少なくとも軟磁性裏打ち層１１、下地層６、中間層７及び磁気記録層８をこの順で有する磁気記録媒体において、軟磁性裏打ち層１１が、少なくとも１層以上のナノ結晶粒子を含まないアモルファス構造を有する軟磁性合金膜３，５を含み、この軟磁性合金膜３，５の磁歪定数λの絶対値が１×１０^−６以下である。 （もっと読む）

【課題】成膜材料であるＤｙ、Ｔｂを有効に利用しつつ、所定形状鉄−ホウ素−希土類系の磁石の表面に高速で成膜させて生産性が向上し、低コストで永久磁石を製造できるようにする。
【解決手段】真空排気が可能な処理室と、前記処理室内を加熱する加熱手段と、前記処理室内でバルク体たる蒸発材料と被処理物とを離隔して保持する保持手段とを備え、前記被処理物を保持する保持手段が、前記処理室内の加熱により蒸発材料から蒸発した材料の通過を許容し、前記被処理物の複数個が並置できる部材から構成される。 （もっと読む）

【課題】結晶配向中間層と、中間層上に配設される磁気ゼロ層と、磁気ゼロ層上に配設される磁気記録層とを含む積層体を提供する。
【解決手段】磁気ゼロ層（１４０，２４０）は非磁性であるか、または飽和磁束密度（Ｂ_S）が約１００ｅｍｕ／ｃｃ未満である。磁気ゼロ層（１４０，２４０）および磁性層（１５０，２４２）は、非磁性分離体によって囲まれる粒子を含む。磁気ゼロ層（１４０，２４０）は、格子不整合が約４％未満である、中間層（１３０，２３８）と磁性層（１５０，２４２）との間のコヒーレントな界面を設ける。 （もっと読む）

【課題】放熱層を厚膜化した場合でも放熱層が磁気記録層に与える影響を適切に抑制できる磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】熱アシスト磁気記録装置に用いられる磁気記録媒体である。前記磁気記録媒体が、非磁性基体、放熱層、バッファ層、軟磁性裏打ち層、および磁気記録層をこの順に含む。前記バッファ層が、非磁性かつ非晶質の材料からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】面積抵抗のばらつきを抑えつつ、大きなＭＲ変化率を実現する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子４は、外部磁界に対して磁化方向のなす相対角度が変化する第１及び第２の磁性層Ｌ１，Ｌ２と、第１の磁性層Ｌ１と第２の磁性層Ｌ２との間に位置するスペーサ層１６と、を有している。スペーサ層１６は、酸化ガリウムを主成分とし、マグネシウム、亜鉛、インジウム、及びアルミニウムからなる群から選択された少なくとも１つの金属元素を含む主スペーサ層１６ｂを有している。 （もっと読む）

【課題】量産プロセスで形成可能な３ｎｍ以下の膜厚のＭｇＯ下地層を用いながらも、優れた磁気特性を有するＬ１_０型ＦｅＰｔ規則合金を磁気記録層に用いた磁気記録媒体を提供する。
【解決手段】ＭｇＯ下地層の下部に設ける下地層の材料として、立方晶系に属する結晶構造を有する導電性化合物を用いる。ＭｇＯ層の膜厚は１ｎｍ以上３ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】低保磁力をもつ軟磁性薄膜を備え、この軟磁性薄膜で磁気収束する半導体装置及びその製造方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板１に設けられたホール素子２と、ホール素子１上に設けられた軟磁性薄膜６が、少なくともホウ素を含有している。また、半導体基板１上で、かつホール素子２上に設けられた有機絶縁膜４と、有機絶縁膜４と軟磁性薄膜６との間に設けられた金属導電層５とを備え、軟磁性薄膜６が、金属導電層５上で少なくとも１個以上のホール素子２の感磁部を覆うように配置されている。形成された軟磁性薄膜６の総重量を１００重量％としたときの鉄含有量が１５〜３０重量％、ホウ素含有量が０．１５〜０．３５量％、電解めっき液を安定化するｐＨ緩衝剤に起因する炭素を０．４〜０．８重量％、残部がニッケルである。 （もっと読む）

【課題】 積層構造の側方に生成された付着物の影響を受けにくい磁気トンネル接合素子が求められている。
【解決手段】 基板上に形成された下部電極の一部の領域の上に、下部電極とはエッチング特性が異なる導電材料で形成されたバッファ層が配置されている。バッファ層の上に、アモルファスの強磁性材料で形成された第１磁化自由層が配置されている。第１磁化自由層の上に、結晶化した強磁性材料で形成された第２磁化自由層が配置されている。第２磁化自由層の上にトンネルバリア層が配置されている。トンネルバリア層の上に、磁化方向が固定された磁化固定層が配置されている。磁化固定層の上に上部電極層が配置されている。 （もっと読む）