【課題】絶縁性材料から成る本体部の表面に金属層を形成して端子部とし、該端子の両端部の間において前記端子部を横切る方向に延在する仕切部材を前記本体部と一体化するように形成するようにして、前記端子部の両端部を水密に仕切ることができ、前記端子部の一端側から他端側への液体の侵入を確実に防止することができるようにする。
【解決手段】絶縁性材料から成る本体部１１と、該本体部１１の少なくとも一表面に形成された金属層から成り、相手方コネクタの相手方端子と接触する接触部、及び、他の導電部材に接続される接続部を備える端子部１２と、前記接触部と接続部との間において前記端子部１２を横切る方向に延在し、前記本体部１１と一体化するように成形された絶縁性材料から成る仕切部材１３とを有する。 （もっと読む）

【課題】リード端子の小型化を容易にし、かつ複数個のリード端子を必要とする際に極めて有利となる金属ベースを使用する金属パッケージを提供する。
【解決手段】貫通する孔を有する筒体の金属外環１２とこの金属外環の内側の絶縁材１４で気密封着されたリード部材１６とを具備する金属ベース１０を使用した金属パッケージであって、金属ベースのリード部材１６はセラミックセグメント１８の表面にメタライズによるリード用導電パターン２０、２２を設けて構成する。ここで、セラミックセグメント１８はＡｌ_２Ｏ_３を主成分に含むセラミック材からなり、メタライジング導電パターンはセラミックセグメント１８の焼結工程に先立つ製造過程でグリーンシートに対する導電ペーストによる印刷技術を駆使して実施される。
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【課題】本発明は、インサート部材と樹脂材との接着性を向上させたインサート部品の製造方法を提供する。
【解決手段】金属製の母材２１と、この母材２１の表面に形成された金属製のメッキ層２２とを備えてなる端子金具１３のうちハウジング１２を構成する樹脂材に覆われるインサート部１４には、レーザ光を照射して格子状パターンでメッキ層２２が除去されて母材露出部２５が形成されている。母材露出部２５の表面はレーザ光に削られることで粗化されて凹部２３が形成されている。母材２１に形成された凹部２３内にはハウジング１２を構成する樹脂材が進入した状態でインサート成形されており、凹部２３内に進入した樹脂材がアンカーとなって、母材２１と樹脂材とを強固に固定するようになっている。これにより端子金具１３と樹脂材との接着性が向上する。 （もっと読む）

【課題】半田吸い上がり効果の高い新規な半田吸い上がりバリア部を持つ端子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明は、半田吸い上がりバリア部を有する端子であって、オージェ電子分光分析装置で測定した場合に該領域から平均して、Ｃが５０〜７０ａｔ％及びＮｉが２０〜４０ａｔ％検出されることを特徴とする端子である。
本発明に係る端子は以下の（ａ）〜（ｃ）の工程：（ａ）端子の母材にニッケル下地めっきと表面金めっきが施される工程、（ｂ）成分にＣを含む封孔処理液で該端子が表面処理される工程、（ｃ）該端子の１又は２以上の箇所がレーザー照射されて該箇所に半田吸い上がりバリア部が形成される工程、を順次行うことを含む方法によって製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 簡単且つ高精度に接触子の立体成形することを可能とする凸型体の製造をも含めたスパイラル接触子の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板の表面にフォトレジストからなる凸型体を形成する工程と、前記凸型体の表面に金属製のシード膜を形成する工程と、前記シード膜の表面にフォトレジスト膜を形成する工程と、前記フォトレジスト膜にフォトリソグラフィによって螺旋形状のパターン溝を形成する工程と、前記パターン溝から露出した前記シード膜上に金属製のスパイラル接触子をメッキ形成する工程Ｅと、前記フォトレジスト膜を除去する工程と、前記工程の後、露出状態にある前記シード膜を前記凸型体の表面から除去する工程と、前記凸型体を除去する工程と、によりスパイラル接触子を製造する。 （もっと読む）

【課題】本発明は電気接点２０同士の接続不良に繋がることがなく、所定の高さを形成することができる電気接点２０の製作方法と電気コネクタ１０の製造方法を提供。
【解決手段】本目的の電気接点２０の製作方法は第一工程として所定の大きさの銅箔４０上に銅箔４０より小さい径の孔４２の開いたカバーレイ４６を固定するとともに孔４２にカバーレイ４６の表面までめっき４４を施し、第二工程としてカバーレイ４６上に孔４２よりも小さい径の穴４８を開けたドライフィルム５０を装着するとともに穴４８にドライフィルム５０の表面までめっき４４を施し、第三工程としてドライフィルム５０を除去した後にさらにめっき４４を施すことで達成でき、本目的の電気コネクタ１０の製造方法は電気接点２０に位置によって、めっき加工時のマスク径（ドライフィルム５０に開けた穴径）の大きさを変えることで達成できる。 （もっと読む）

【課題】ウィスカ成長を防止し、露出したエッジの半田付け性劣化の問題をなくす電気コンタクトの製造方法の提供。
【解決手段】電気コンタクト（１２）を製造する方法は、誘導加熱ステーション（３８）の前のめっきステーション（３６）に、キャリアストリップ（２８）に連結された一連の電気コンタクト（３０）を供給する工程を有する。めっきステーション（３６）では、導電性合金コーティングで電気コンタクト（３０）をめっきして、コーティングされた電気コンタクト（４２）を形成する。誘導加熱ステーション（３８）では、コーティングされた電気コンタクト（４２）を誘導加熱する。 （もっと読む）

【課題】 導電体の耐久性を向上し、低荷重で安定した電気抵抗特性を有し、導電体が破断しにくいこと。
【解決手段】 基材１１上に配設された粘着剤又は接着剤からなる媒介剤層１３と、該媒介剤層１３上に配設された補強フィルム１５と、該補強フィルム１５上に配設されている導電体１７とを有し、該導電体１７は前記接続対象物と接続する際に前記媒介剤層１３がもつ弾性力によって押圧されて前記接続対象物と接続される。 （もっと読む）

本発明は、導波体を伝播する電磁波の接続・伝播エネルギーの減衰を低減したり、或いは制御したり、及び前記低減のばらつき、或いは制御のばらつきを最適化することである。本発明に係る電磁コンタクト導波体は、電磁波が進行する方向に伝播経路を有し、該伝播経路上に該電磁波が入射する近端部と、該電磁波が伝播する伝導部と、及び該電磁波を他の電磁回路部品と接続する遠端部と、必要に応じて該導波体を実装する基底部とを備える連続体であり、該連続体は、該連続体の内側に大きい弾性係数のコア層を備え、該コア層の外側には、前記コア層より大きい伝導率か、前記コア層より小さい誘電率と小さい透磁率か、前記コア層より小さい弾性係数の表皮層か、或いは、前記コア層より大きい伝導率、かつ前記コア層より小さい誘電率と小さい透磁率、かつ前記コア層より小さい弾性係数の表皮層を連続に備える。
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【課題】 特に、従来に比べて電子部品やマザー基板等に接点モジュールを容易に取り付けることが出来る接点モジュール及びその製造方法、ならびに前記接点モジュールを用いた接点付き部材及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 スパイラル接触子２と、前記スパイラル接触子２の下側にバンプ３とを有して成る接点モジュール１を、マザー基板１０に形成された貫通孔１１内に挿入し、前記マザー基板１０の裏面１０ａから前記バンプ３をかしめる。これにより、前記接点モジュール１を前記マザー基板１０に容易に且つ適切に固定保持できる。 （もっと読む）

【課題】
性能を維持しつつ製造コストを低減できる半田付用端子、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】
半田付用端子１は、導電部品と接触導通される接点部１０ａと、半田付け用の端子部１０ｂと、接点部１０ａ及び端子部１０ｂを一体に連結し、端子部１０ｂの半田の接点部１０ａへの這い上がりを防止するバリア部１０ｃとを備え、接点部１０ａは、下地となるニッケルめっき層２と、ニッケルめっき層２の表面に形成されるパラジウム系めっき層３ａと、パラジウム系めっき層３ａの表面に形成される金めっき層４ａとを有し、端子部１０ｂは、下地となるニッケルめっき層２と、ニッケルめっき層２の表面に形成されるパラジウム系めっき層３ｂと、パラジウム系めっき層３ｂの表面に形成される金めっき層４ｂとを有し、バリア部１０ｃは、下地となるニッケルめっき層２と、ニッケルめっき層２の表面に形成されるパラジウム系めっき層３ｃとを有する。 （もっと読む）

【課題】 特に、接触子をアモルファス状態で形成し、従来に比べてバネ特性の向上を可能とした接触子及びその製造方法、ならびに前記接触子を用いた接続装置及びその製造方法を提供することを目的としている。
【解決手段】 本発明は、弾性変形部を有する接触子において、前記弾性変形部の少なくとも一部が、アモルファス状態で形成されていることを特徴とするものである。前記弾性変形部を構成する補助弾性部材４１は例えばＮｉＰ（Ｐは１５原子％）以上で形成されていおり、かかる場合、前記補助弾性部材４１の物質状態は、アモルファス５０が支配的な状態となる。これにより、降伏応力等のばね特性を従来よりも向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】基板に当接させて半田接合したときの接合強度が高いコンタクトを有する超小形の電子部品を提供することにある。
【解決手段】本発明の電子部品は、溶融半田との濡れ性のあるめっき表面をもち、基板Ｓに当接させて半田接合されるプレート状の端子部２と、該端子部２とは反対側の端部を構成し、電気接触抵抗が１Ω以下のめっき表面をもつ接触部３と、前記端子部２および前記接触部３の間に位置し、溶融半田が濡れ上がりし難い物性をもつめっき表面をもつプレート状の中間部４とを具えるコンタクト１を有し、該コンタクト１の端子部２の幅Ｗ１が、中間部４の幅Ｗ２に比べて大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】耐摩耗性及び耐食性に優れた金属電気接点を備えるメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器を提供する。
【解決手段】バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材１上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層２、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層３、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層４が順次積層されてなる電気接点６と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点６がバネ接点と接触することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 複雑な形状に加工された基体に対しても、加熱による損傷などを与えることなく、所望の部分にめっきを施すことのできる表面処理方法を提供する。
【解決手段】 基体１４の長手状部分７の全表面に電着塗装によってレジスト層１５を形成した後、低濡れ性領域形成予定部２３に形成されたレジスト層１５を長手状部分７の周方向全周にわたって露光して現像することによってレジストパターン１６を形成し、基体１４の長手状部分７のレジスト層１５で覆われていない部分２２にめっきを施す。これによって、複雑な形状に加工された基体１４に対しても、また基体１４のピッチＴが０．１ｍｍ程度と狭い場合であっても、基体１４の長手状部分７の所望の部分に周方向全周にわたってめっきを施すことができるので、長手状部分７の周方向全周にわたって、はんだ接合部とコネクタ嵌合部との間に低濡れ性領域が形成されたコネクタピンなどの接点部品を容易に製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 特にＩＣ等の外部接続部と接触する接触子の導電性とばね性の双方を良好にすることが可能な接続装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 接触子片２０ａの導電性部材４０の上面、下面及び両側面は補助弾性部材４１で完全に囲まれている。前記導電性部材４０は、前記補助弾性部材４１よりも比抵抗が低く、前記補助弾性部材４１は導電性部材４０よりも降伏点及び弾性係数が高い材料である。これによりスパイラル接触子の導電性とばね性の双方を良好に向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】充分な耐摩耗性及び高潤滑性を持つ品質高いコンタクトを提供する。
【解決手段】酸化処理を施してから表面に凹部を形成した上で潤滑剤を塗布した実施例１の試料（基材を加熱により酸化処理して酸化物層が形成されたものを所定の水素イオン濃度に調整された酸性フッ化アンモニウム溶液に浸して表面に微小な複数の凹部の核を形成した後、基材の表面に下地用金属及び凹部，接触用金属のメッキ層を形成してから潤滑剤を塗布して各凹部内に滞留保持させたコンタクト）では、摺動回数が２万回であっても低い動摩擦係数を維持しており、安定した潤滑効果が発揮されるが、酸化処理を施さずに潤滑剤を塗布していない比較例１の試料では動摩擦係数が摺動後にすぐに急上昇し、比較例２のように潤滑剤が塗布された試料でも酸化処理を施さずに表面に凹部を持たない場合には摺動回数が７千回を超えると動摩擦係数が上昇して潤滑効果を示さなくなる。 （もっと読む）

【課題】 後メッキ処理を施す場合と比べて、製造コストを抑えることができるコネクタ端子の製造方法及びコネクタ端子を得る。
【解決手段】 上段ターミナル２２は、嵌合部２４と、基板取付部２６とを備える。このような上段ターミナル２２を製造する際には、予め全周面にメッキ処理が施され嵌合部２４の素になる第１線材と、予め全周面にメッキ処理が施され基板取付部２６の素になる第２線材とが使用される。第１線材の端部と第２線材の端部とを互いに重ね合わせて例えばレーザ溶接処理等の処理を施すことで、第１線材と第２線材とが接合され、第１線材から嵌合部２４が形成されると共に第２線材から基板取付部２６が形成される。この結果、上段ターミナル２２の表層が第１線材の周面のメッキ層と第２線材の周面のメッキ層とによって構成される。このため、後メッキ処理を不要にできる。 （もっと読む）

【課題】 経時的に低い接触抵抗が保持されたり、下地金属の拡散により皮膜の硬度上昇を招くというような不都合を防止でき、実装部の半田濡れ特性が維持される接続端子およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施した接続端子において、少なくとも嵌合部または接点部にリフローを施し、且つ、そのリフローについて、導電性基体に達しない表層近傍の溶融によりそこに溶融・再結晶化層を形成した。また、接続端子を構成する導電性基体の表面に直接または異種金属めっき層を介して錫めっき又は錫合金めっきを施してから、少なくとも嵌合部又は接点部にレーザー光線を走査して照射することによりリフローを施すとともに、その照射により導電性基体に達しない表層近傍に溶融・再結晶化層を形成する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の電気的諸特性の測定を行うテスト用ソケットであって、ハンダ凝着物がより付着しにくいもの、および、より簡易なテスト用ソケットの接触端子の製造方法を提供する。
【解決手段】質別１／２Ｈまたはそれよりも軟らかいＪＩＳ合金番号Ｃ１７２０のベリリウム銅合金板を準備し、テスト用ソケットの接触端子の基材を、プレス加工によりベリリウム銅合金板から打ち抜いて得る。その後、接触端子の基材にメッキを施す。メッキには、下地メッキとしての無光沢ニッケルメッキ、および、最表層メッキとしての白金族合金メッキが含まれる。また、接触端子の基材をエッチング液に浸漬する。 （もっと読む）