メモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器
【課題】耐摩耗性及び耐食性に優れた金属電気接点を備えるメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器を提供する。
【解決手段】バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材１上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層２、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層３、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層４が順次積層されてなる電気接点６と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点６がバネ接点と接触することを特徴とする。
【解決手段】バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材１上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層２、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層３、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層４が順次積層されてなる電気接点６と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点６がバネ接点と接触することを特徴とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐久性に優れた電気接点を備えたメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、メモリチップをカード型外殻に封止しカード形状に形成したメモリカード（メモリスティック、ＳＤカード、マルチメディアカード、スマートメディアなど）、モバイル情報端末機器（携帯電話やポータブル電子機器など）の充電部、コネクタ等の電気接点部分には、銅（Ｃｕ）系素材の上にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施した金属接点が一般的に使用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このような材料構成の電気接点には、以下に示す２つのメカニズムによる腐食課題があり、接点の接触不良の原因となっていた。
1）Ａｕめっきに存在するピンホールを通して、下層めっきのＮｉあるいは下地素材のＣｕが腐食する。
2）挿抜や摺動が繰り返し行われると、Ａｕめっきが削られてしまい、露出した下層めっきのＮｉや下地素材のＣｕが腐食する。
【０００４】
前記課題に対する従来の解決法は、Ａｕめっきを厚くすることであった。ピンホール数はめっき厚に反比例するため、ある程度の厚さのＡｕめっきを施せばピンホール数を問題ないレベルまで低減することができる。また、ある程度の挿抜や摺動にも耐えられる。例えば、市販のメモリカードの場合、Ａｕめっき層の膜厚を１〜２．５μｍ程度としていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２１８０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記メモリカードを機器に挿抜することやモバイル情報端末機器を充電器に着脱することは、ほぼ毎日のように行われその挿抜回数や着脱回数は飛躍的に多くなってきている。そのため、電気接点ではＡｕめっき層の摩耗や損傷が進み、単にＡｕめっき層の膜厚を厚くするだけでは相対的なピンホール数の増加や下地金属の露出に伴う腐食を防ぐことができなかった。
【０００７】
また、最近のようにメモリカードやモバイル情報端末機器、それに伴う充電器が数多く広く普及している状況では、上記のようにＡｕめっき層を厚くすることは、全体でみると多大な経済的損失となってしまい、好ましくなかった。
そこで、上記メモリカード、モバイル情報端末機器や充電器においてはコストアップすることなく、耐摩耗性／耐食性に優れた金属電気接点が必要とされていた。
【０００８】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性及び耐食性に優れた金属電気接点を備えるメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために提供する本発明は、バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点がバネ接点と接触することを特徴とするメモリカードである（請求項１）。
【００１０】
前記課題を解決するために提供する本発明は、電源となる充電可能なバッテリと、該バッテリに接続される電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる充電用電気接点とを備えることを特徴とするモバイル情報端末機器である（請求項２）。
【００１１】
前記課題を解決するために提供する本発明は、モバイル情報端末機器に充電をする充電器であって、外部電源と接続される電極基材の前記モバイル情報端末機器の充電用電気接点と接触する部分に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点を備えることを特徴とする充電器である（請求項３）。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のメモリカードによれば、その接点部を耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回もメモリカード装着装置などの機器への挿抜が繰り返して行われる場合であっても接点部は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
本発明のモバイル情報端末機器によれば、その充電用電気接点を耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても充電用電気接点は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
本発明の充電器によれば、充電端子を構成する電気接点を耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても充電端子の電気接点は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の根幹となる電気接点について説明する。
図１は、本発明で使用する電気接点の構成を示す断面図である。
図１に示すように、電気接点６は、電極基材１上に膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層２、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層３、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層４を順次積層したものである。
【００１４】
電極基材１は、電気接点用の導電性材料として一般的に使用されている材料であればいずれのものでもよい。例えば、黄銅（Ｃｕ−Ｚｎ系）、りん青銅（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系）などの銅系材料が挙げられる。また、電極基材１は薄板や箔など用途に応じた形状であればよい。なお、電極基材１の表面粗さは各めっき層が形成された後の表面に電極基材１の表面凹凸が反映されない程度に滑らかであることが好ましい。
【００１５】
Ｎｉめっき層２は、電極基材１との密着性が確保され、膜厚１〜３μｍにコントロールできれば、従来公知のＮｉめっき方法でよく、例えば電気めっき法によればよい。
【００１６】
Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３は、Ｎｉめっき層２との密着性が確保され、膜厚０．２〜１μｍにコントロールできれば、従来公知のＰｄ−Ｎｉ合金めっき方法でよく、例えば電気めっき法によればよい。また、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３のＰｄ：Ｎｉ比（重量比）は７０：３０〜９０：１０であることが好ましく、８０：２０前後が最もよい。
【００１７】
Ｃｏ含有Ａｕめっき層４は、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３との密着性が確保され、膜厚０．０３〜０．０５μｍにコントロールできれば、従来公知のＣｏ含有Ａｕめっき方法でよく、例えば電気めっき法（フラッシュめっき）によればよい。膜厚が０．１μｍ以上になると摺動に対する潤滑効果が得られず耐摩耗性が低下するため好ましくない。また、めっき層中のＣｏ含有率は０．３〜０．５ｗｔ％であることが好ましい。
なお、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４に封孔処理を施してもよい。
【００１８】
前記のような電気接点６の構成とすることにより、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４の膜厚を従来よりも大幅に低減しつつ（膜厚比で９５％以上低減）、従来の電気接点よりも耐摩耗性及び耐食性を改善することができる。これらの改善効果はつぎのようなメカニズムによる。
【００１９】
（１）耐摩耗性
Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３の硬い層の上に、相対的に軟らかい層（Ｃｏ含有Ａｕめっき層４）を薄く付けると、軟らかい方（Ｃｏ含有Ａｕめっき層４）の金属が固体潤滑剤のような働きをし、摺動に対して摩耗しにくくなる。
【００２０】
（２）耐食性
Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４ともに、めっき層中にピンホールが存在する（Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３の有孔度はＣｏ含有Ａｕめっき層４より少ない）が、２層に重ねることで下層めっきのＮｉめっき層２まで貫通するピンホール数が激減するため、耐食性が向上する。また、Ｎｉめっき層２と接する金属が従来のＡｕからＰｄ−Ｎｉ合金に変わることで、局部電池効果が低減され、耐食性が向上している（ＡｕとＮｉの電位差：１．７３Ｖ、ＰｄとＮｉの電位差：１．１５Ｖ）。
【００２１】
さらに、めっき速度の遅いＮｉめっき層の一部をめっき速度の速いＰｄ−Ｎｉ合金めっき層に置き換えることになるため、電気接点６のめっき層全体としては生産効率が向上する。
【００２２】
次に、本発明に係るメモリカードについて説明する。
図２及び図３は本発明のメモリカードの構成例を示す概略図である。
図２及び図３において、１０はメモリカードを示し、それぞれメモリカード１０の一方の面１３ａ及びその反対側の他方の面１３ｂから見た外観構成を示すもので薄型の略カード状の形状をしている。
【００２３】
図３において、メモリカード１０の一方の面１３ａの一方の端部１４ａの縁部に沿って２段構成の各段１０列の端子配列からなる接点部１６が設けられている。この２段構成からなる接点部１６の１段目の接点部１６ａ及び２段目の接点部１６ｂは図１に示す電気接点の構成で形成されている。また、これらのうち、挿入方向の左端２列の接点は互いに切れ目なく繋がって短絡しており、他の８列の接点は間隔１８をおいて１段目の接点部１６ａ及び２段目の接点部１６ｂの２つの接点部に区切られている。そしてこの２段構成の各段の１０列の接点は隣あった接点がそれぞれ仕切り１７で仕切られる如く構成されている。
【００２４】
また、メモリカード１の一方の端部１４ａと一方の側面１５ａとの角にはメモリカード１０をメモリカード装着装置２０のスロット部２１に挿入する際に、メモリカード１０の挿入方向が正しいかどうかを検出する曲面部１９ａを備えると共に位置決め用の凹部１９が設けられている。そして位置決め用の凹部１９により決められた位置にメモリカード１０を固定する固定用凹部１ａが側面１５ａの縁に設けられている。
【００２５】
また、図２において、メモリカード１０の一方の面１３ａと反対の他方の面１３ｂの端部１４ａと反対の端部１４ｂの近傍にフラッシュメモリ素子（メモリ）を格納するための高さＨ１の第１の凸部１２を設けている。これにより、外形寸法の大きな変更をすることなく容易にメモリカードのメモリ容量を増量することを達成している。
【００２６】
つぎに、メモリカード１０をバネ接点を有する機器（メモリカード装着装置）に挿入して使用する場合を説明する。
図４Ａ，Ｂ及び図５に、メモリカード装着装置２０にメモリカード１０を挿入及び装着した状態を側面１５ｂから見た断面図を示す。
【００２７】
ここで、メモリカード装着装置２０は、前述したメモリカード１０の第１の凸部１２に対応する部分に切込みを入れ開口部２２が設けられている。またメモリカード１０の接点部１６が設けられている一方の面１３ａと接するメモリカード装着装置２０の略箱型のスロット部２１を構成する静電気対策を兼ねた金属板２５の面上にメモリカードの挿入方向と平行して長い凸部２５ａを２箇所設け、メモリカードを滑りやすくして挿入・取出しが容易になるようにしている。
【００２８】
図４Ｂは、本例メモリカード装着装置２０を側面２５ｂからみた断面図である。メモリカード装着装置２０において、２段構成のバネ接点端子３６ａ及び３６ｂの一部を屈曲させてバネ接点３７、３７を形成すると共にこのバネ接点端子３６ａ及び３６ｂは樹脂によりモールド成形されたモールド樹脂部２６の一方の面２６ｂの端部２６ｃ縁に取付けられた可動配線部を有するフレキシブル基板２７に接続されている。
【００２９】
図４Ａは、本例メモリカード１０を側面１５ｂから見た断面図である。３０は従来から内蔵されているメモリであり３０ａは新しく増設されたメモリである。このメモリカード１０の接点部１６が設けられている一方の面１３ａの反対側の面１３ｂを上側にして端部１４ａからメモリカード装着装置２０に挿入する。
【００３０】
図５にメモリカード装着装置２０にメモリカード１０を装着した状態を示す。メモリカード装着装置２０のスロット部２１の挿入口から挿入されたメモリカード１０を所定の位置まで挿入しメモリカード装着装置２０に装着する。このときメモリカード１０の２段構成の接点部１６ａ及び１６ｂの表面は、それぞれメモリカード装着装置２０のバネ接点３７、３７がバネ接点端子３６ａ及び３６ｂのバネ作用により圧接された状態で摺動され、その後この圧接された状態が保持され電気的接続が得られる。そしてこのバネ接点３７、３７から接点端子３６ａ及び３６ｂを通じてモールド樹脂部２６を介してフレキシブル基板２７に接続され、このフレキシブル基板２７の可動配線部の先に接続されている電子機器（図示せず）に内蔵された制御手段と信号の送受信を行うことができる。
【００３１】
また、メモリカード１０をスロット部２１の挿入口から抜き出す際には、メモリカード１０の２段構成の接点部１６ａ及び１６ｂの表面は、それぞれメモリカード装着装置２０のバネ接点３７、３７がバネ接点端子３６ａ及び３６ｂのバネ作用により圧接された状態で摺動された後、バネ接点３７、３７との接触から開放される。
【００３２】
このように、メモリカード１０はその使用のたびに、メモリカード装着装置２０への挿抜が行われ、メモリカード１０の接点部１６ａ及び１６ｂの表面はバネ接点３７、３７により摺動される。本発明のメモリカード１０は、その接点部１６ａ及び１６ｂを図１の構成からなる耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回もメモリカード装着装置２０への挿抜が繰り返して行われる場合であっても接点部１６ａ及び１６ｂは良好な状態が保たれ、長期使用が可能である。
【００３３】
次に、本発明に係るモバイル情報端末機器及び充電器について説明する。
図６は、本発明のモバイル情報端末機器の一態様である携帯電話機の構成を示す概略図である。なお、以降に各図において矢印で示す、Ｕ方向、Ｄ方向、Ｌ方向、Ｒ方向、Ｆ方向、Ｂ方向は、それぞれ、上方、下方、左方、右方、前方、後方を意味するものとする。また、本明細書において示す上記方向性は、携帯電話機４０及び充電器６０を本明細書において説明するための便宜上のものである。
【００３４】
図６に示すように、携帯電話機４０は、ほぼ同等の大きさのほぼ薄箱状を呈する操作部本体４１及び表示部本体４２と、これら操作部本体４１と表示部本体４２とを相対する一側部において回転自在に組み合わせるヒンジ部４３とからなる。この基本的な構成は従来の携帯電話機と同様である。
【００３５】
また、携帯電話機４０は、未使用時において、操作部本体４１と表示部本体４２とがヒンジ部４３を介して互いに重ね合わされるようにして折り畳まれた状態で携帯される。携帯電話機４０は、通話時や電子メール操作等の使用時において、図６に示すようにこれら操作部本体４１と表示部本体４２とがヒンジ部４３を介して展開された状態で用いられる。
【００３６】
操作部本体４１は、折畳み状態において表示部本体４２と対向する一方の主面を操作面４１ａとし、この操作面４１ａに図６に示すように、テンキー４４、ジョグダイヤル４５、各種機能ボタン４６が設けられている。操作部本体４１には、操作面４１ａのヒンジ部４３と反対側の自由端側に位置して図示しないマイクロホンが内蔵された送話部４７が設けられている。
【００３７】
携帯電話機４０には、操作部本体４１内に充電可能な二次電池パックなどのバッテリが収納されており、各部に対して電源の供給が行われる。
【００３８】
また、操作部本体４１には、その操作面４１ａのヒンジ部４３と反対側の自由端側の側面に、前記二次電池パックに対する充電を行うための充電用端子部４８が設けられている。
【００３９】
充電端子部４８は、操作部本体４１の自由端側面に形成された扁平な凹部４９の底面にそれぞれ充電用電気接点４８ａ、４８ａが露出するように構成されている。この電気接点４８ａ、４８ａは図１に示す電気接点の構成で形成されている。
【００４０】
操作部本体４１には、ヒンジ部４３側の側面であって、その左端に伸縮自在なロッドアンテナを収納したアンテナ部５０が設けられ、また、そのほぼ中央に充電器６０の係止爪６７が係止する係止穴（図示せず）が形成されている。
【００４１】
図７は、本発明のモバイル情報端末機器の充電器の一態様である携帯電話機用充電器の構成を示す概略図である。
充電器６０は、前後方向に長くやや肉厚な平板状をした本体部６２と該本体部６２の後端側の左右角部に上方へ向かって突設された２つの支持柱６３、６３と本体部６２の前端側の左右中央部に上方へ向かって突設された係止凸部６４とから成り、本体部６２の内部に充電回路（図示せず）を備えて成る。
【００４２】
上記２つの支持柱６３、６３と係止凸部６４との前後方向の間の間隔は、当該充電器６０により充電するもの（携帯電話機４０）の前後方向の長さとほぼ同じに形成されており、これら２つの支持柱６３、６３及と係止凸部６４とで、当該充電器６０における携帯電話機４０の装着部６５を構成する。
【００４３】
充電器６０の上記２つの支持柱６３、６３の前方を向いた面には、外部電源と接続される充電端子６６、６６が突設されている。この充電端子６６、６６は図１に示す電気接点の構成で形成されている。
【００４４】
係止凸部６４のほぼ中央部には後方に向かって係止爪６７が設けられており、該係止爪６７は当該充電器６０により充電するもの（携帯電話機４０）に設けられた係止穴に係止して携帯電話機４０の位置決めをするようになっている。
【００４５】
前記携帯電話機４０は次のようにして充電器６０に装着され充電が為される。
先ず、携帯電話機４０を折り畳んだ状態で、これを傾斜させて充電端子部４８の電気接点４８ａ、４８ａを充電器６０の充電端子６６、６６に接触させる（図８）。次に、上記充電端子部４８側を支点として携帯電話機４０をそのヒンジ部４３側が下方へ行くように回動させる。これに伴い、電気接点４８ａ、４８ａと充電端子６６、６６とは一定の圧力がかかった状態でお互いの表面を摺動するようになる。
【００４６】
そして、携帯電話機２０のヒンジ部２３側に形成された係止穴３１を充電器１の係止爪７に係止させる。
【００４７】
これにより、携帯電話機２０は折り畳まれた状態でかつ水平な状態となって充電器１に装着され、電気接点４８ａ、４８ａと充電端子６６、６６とは電気的接続のある状態で保持される（図９）。
【００４８】
また、携帯電話機４０を充電器６０から外す場合には装着の場合と逆の操作が行われる。このときにも、電気接点４８ａ、４８ａと充電端子６６、６６とは一定の圧力がかかった状態でお互いの表面を摺動した後、その接触が開放される。
【００４９】
このように、携帯電話機４０はその充電のたびに、充電器６０への着脱が行われ、携帯電話機４０の電気接点４８ａ、４８ａと、充電器６０の充電端子６６、６６とはお互いの表面を摺動する。本発明の携帯電話機４０の電気接点４８ａ、４８ａ及び充電器６０の充電端子６６、６６は、図１の構成からなる耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点とされていることにより、１日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても電気接点４８ａ、４８ａ及び充電端子６６、６６は良好な状態が保たれ、長期使用が可能である。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施した例を示す。
（実施例１）
図２，図３に示す構成のメモリカードサンプルを作製した。なお、接点部１６ａ，１６ｂの電気接点の構成は以下の通りとした。
・電極基材１：銅板
・Ｎｉめっき層２：膜厚３μｍを電気めっき法で形成した。
・Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３：膜厚１μｍ、Ｐｄ：Ｎｉ重量比８０：２０を電気めっき法で形成した。
・Ｃｏ含有Ａｕめっき層４：膜厚０．０３μｍ、Ｃｏ含有率０．３％を電気めっき法で形成した。
【００５１】
（比較例１）
実施例１において、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３を省略し、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４に代えて膜厚０．５μｍのＡｕめっき層とし、それ以外は実施例１と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
【００５２】
（比較例２）
実施例１において、Ｎｉめっき層２の膜厚を４μｍ、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４に代えて膜厚０．０３μｍのＡｕめっき層とし、それ以外は実施例１と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
【００５３】
（比較例３）
実施例１において、Ｎｉめっき層２の膜厚を１．５μｍ、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３のＰｄ：Ｎｉ重量比を５０：５０、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４の膜厚を０．５μｍとし、それ以外は実施例１と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
【００５４】
得られたサンプルを用いて、以下に示す挿抜試験及び混合ガス腐食試験による劣化試験を行った。
（１）挿抜試験
図４，図５に示したメモリカード装着装置２０への挿抜を１２０００回繰り返す試験を行った。このときの接点圧力は０．５Ｎであった。
（２）混合ガス腐食試験
ついで、挿抜試験後のサンプルについて、二酸化硫黄ガス：１０ｐｐｍ、二酸化窒素ガス：１０ｐｐｍ、温度：４０℃、湿度：７５％ＲＨの環境下に４８時間暴露する混合ガス腐食試験を行った。
【００５５】
前記劣化試験を行った後の実施例１、比較例１〜３の接点部１６ａ，１６ｂの表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。それぞれの結果を図１０〜図１３に示す。
【００５６】
実施例１では、挿抜試験にてバネ接点と擦れた部分（摺動部）における明確な摺動痕が見られず、ほとんど摩耗を受けていなかった（図１０）。また、腐食も発生していなかった。
これに対して、比較例１では摺動部におけるめっき層の削れが大きく、激しく腐食されている状態（図中黒色部分）が確認された（図１１）。また、比較例２では摺動部におけるめっき層の削れがあり、かなり腐食されている状態が確認された（図１２）。Ａｕめっき層中にＣｏを含有していないために耐摩耗性が低下したことによると考えられる。さらに、比較例３ではＣｏ含有Ａｕめっき層４の膜厚が０．５μｍあるにも関わらず、摺動部における腐食が認められた（図１３）。
【００５７】
つぎに、前記劣化試験前後における、実施例１、比較例１の接点部１６ａ，１６ｂについて印加電流と電圧との関係を調査した。それぞれの結果を図１４，図１５に示す。
実施例１では劣化試験前後で電流と電圧との関係にほとんど差がなく、良好な金属接点であることが分かる（図１４）。これに対して、比較例１では劣化試験後に電圧上昇、すなわち接触抵抗値の増加が認められた（図１５）。
【００５８】
（比較例４〜８）
市販されている各種メモリカード（５種）を比較例４〜８のサンプルとして、前記劣化試験を行い、印加電流と電圧との関係を調査した。なお、挿抜試験ではそれぞれのサンプルについて、接点圧力が０．５Ｎとなるようにした。
【００５９】
また、比較例４〜８のサンプルの接点部についてめっき層構成を分析したところ、すべてＡｕ／Ｎｉの２層構造であり、それぞれの膜厚は次の通りであった。
・比較例４：Ｎｉめっき層＝６．９２μｍ、Ａｕめっき層＝０．５８μｍ
・比較例５：Ｎｉめっき層＝９．５０μｍ、Ａｕめっき層＝１．０８μｍ
・比較例６：Ｎｉめっき層＝３．３３μｍ、Ａｕめっき層＝１．６７μｍ
・比較例７：Ｎｉめっき層＝１３．００μｍ、Ａｕめっき層＝２．５０μｍ
・比較例８：Ｎｉめっき層＝１１．７０μｍ、Ａｕめっき層＝１．８３μｍ
【００６０】
その結果を図１６に示す。ここでは、接点に電流Ｍを流した時に得られる電圧ｙの平均値と、実データとのばらつきの関係をＳＮ比として求め、その値に６５ｄｂを加算したものを示している。
実施例１は、比較例４〜８と比べて少なくとも５ｄｂ以上（信頼性で４倍以上）耐食性及び耐摩耗性に優れていることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明で使用する電気接点の構成を示す断面図である。
【図２】本発明のメモリカードの構成例を示す概略図（１）である。
【図３】本発明のメモリカードの構成例を示す概略図（２）である。
【図４】メモリカード装着装置にメモリカードを挿入する状態を示す断面図である。
【図５】メモリカード装着装置にメモリカードを装着した状態を示す断面図である。
【図６】本発明のモバイル情報端末機器（携帯電話機）の構成を示す概略図である。
【図７】本発明の充電器の構成を示す概略図である。
【図８】充電器にモバイル情報端末機器（携帯電話機）を装着する途中段階の状態を示す断面図である。
【図９】充電器にモバイル情報端末機器（携帯電話機）を装着した状態を示す断面図である。
【図１０】実施例１の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１１】比較例１の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１２】比較例２の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１３】比較例３の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１４】実施例１の劣化試験前後の電流−電圧の関係を示す図である。
【図１５】比較例１の劣化試験前後の電流−電圧の関係を示す図である。
【図１６】実施例１及び比較例４〜８の評価結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・電極基材、２・・・Ｎｉめっき層、３・・・Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層、４・・・Ｃｏ含有Ａｕめっき層、６・・・電気接点、１０・・・メモリカード、１２・・・メモリ格納用凸部、１２ａ・・・ラベル貼り付け面、１２ｂ・・・引っ掛かり用凸部、１２ｃ・・・ラベル、１３ａ，１３ｂ・・・面、１４ａ，１４ｂ・・・端部、１５ａ，１５ｂ・・・側面、１６，１６ａ，１６ｂ・・・接点部、１７・・・仕切り、１８・・・間隔、１９・・・凹部、１９ａ・・・曲面部、１ａ・・・固定用凹部、２０・・・メモリカード装着装置、２１・・・スロット部、２２・・・開口部、２５・・・金属板、２６・・・モールド樹脂部、３０，３０ａ・・・メモリ、３６ａ，３６ｂ・・・バネ接点端子、３７・・・バネ接点、４０・・・モバイル情報端末機器（携帯電話機）、４１・・・操作部本体、４２・・・表示部本体、４３・・・ヒンジ部、４４・・・テンキー、４５・・・ジョグダイヤル、４６・・・各種機能ボタン、４７・・・送話部、４８・・・充電端子部、４８ａ，４８ｂ・・・充電用電気接点、４９…凹部、５０・・・アンテナ部、６０・・・充電器、６２・・・本体部、６３・・・支持柱、６４・・・係止凸部、６５・・・装着部、６６・・・充電端子、６７・・・係止爪
【技術分野】
【０００１】
本発明は、耐久性に優れた電気接点を備えたメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来より、メモリチップをカード型外殻に封止しカード形状に形成したメモリカード（メモリスティック、ＳＤカード、マルチメディアカード、スマートメディアなど）、モバイル情報端末機器（携帯電話やポータブル電子機器など）の充電部、コネクタ等の電気接点部分には、銅（Ｃｕ）系素材の上にＮｉめっきおよびＡｕめっきを施した金属接点が一般的に使用されている（例えば、特許文献１参照。）。
【０００３】
このような材料構成の電気接点には、以下に示す２つのメカニズムによる腐食課題があり、接点の接触不良の原因となっていた。
1）Ａｕめっきに存在するピンホールを通して、下層めっきのＮｉあるいは下地素材のＣｕが腐食する。
2）挿抜や摺動が繰り返し行われると、Ａｕめっきが削られてしまい、露出した下層めっきのＮｉや下地素材のＣｕが腐食する。
【０００４】
前記課題に対する従来の解決法は、Ａｕめっきを厚くすることであった。ピンホール数はめっき厚に反比例するため、ある程度の厚さのＡｕめっきを施せばピンホール数を問題ないレベルまで低減することができる。また、ある程度の挿抜や摺動にも耐えられる。例えば、市販のメモリカードの場合、Ａｕめっき層の膜厚を１〜２．５μｍ程度としていた。
【０００５】
【特許文献１】特開２００４−２１８０３１号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上記メモリカードを機器に挿抜することやモバイル情報端末機器を充電器に着脱することは、ほぼ毎日のように行われその挿抜回数や着脱回数は飛躍的に多くなってきている。そのため、電気接点ではＡｕめっき層の摩耗や損傷が進み、単にＡｕめっき層の膜厚を厚くするだけでは相対的なピンホール数の増加や下地金属の露出に伴う腐食を防ぐことができなかった。
【０００７】
また、最近のようにメモリカードやモバイル情報端末機器、それに伴う充電器が数多く広く普及している状況では、上記のようにＡｕめっき層を厚くすることは、全体でみると多大な経済的損失となってしまい、好ましくなかった。
そこで、上記メモリカード、モバイル情報端末機器や充電器においてはコストアップすることなく、耐摩耗性／耐食性に優れた金属電気接点が必要とされていた。
【０００８】
本発明は、以上の従来技術における問題に鑑みてなされたものであり、耐摩耗性及び耐食性に優れた金属電気接点を備えるメモリカード、モバイル情報端末機器及び充電器を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
前記課題を解決するために提供する本発明は、バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点がバネ接点と接触することを特徴とするメモリカードである（請求項１）。
【００１０】
前記課題を解決するために提供する本発明は、電源となる充電可能なバッテリと、該バッテリに接続される電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる充電用電気接点とを備えることを特徴とするモバイル情報端末機器である（請求項２）。
【００１１】
前記課題を解決するために提供する本発明は、モバイル情報端末機器に充電をする充電器であって、外部電源と接続される電極基材の前記モバイル情報端末機器の充電用電気接点と接触する部分に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点を備えることを特徴とする充電器である（請求項３）。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のメモリカードによれば、その接点部を耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回もメモリカード装着装置などの機器への挿抜が繰り返して行われる場合であっても接点部は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
本発明のモバイル情報端末機器によれば、その充電用電気接点を耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても充電用電気接点は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
本発明の充電器によれば、充電端子を構成する電気接点を耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても充電端子の電気接点は良好な状態が保たれ、長期使用が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下に、本発明の根幹となる電気接点について説明する。
図１は、本発明で使用する電気接点の構成を示す断面図である。
図１に示すように、電気接点６は、電極基材１上に膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層２、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層３、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層４を順次積層したものである。
【００１４】
電極基材１は、電気接点用の導電性材料として一般的に使用されている材料であればいずれのものでもよい。例えば、黄銅（Ｃｕ−Ｚｎ系）、りん青銅（Ｃｕ−Ｓｎ−Ｐ系）などの銅系材料が挙げられる。また、電極基材１は薄板や箔など用途に応じた形状であればよい。なお、電極基材１の表面粗さは各めっき層が形成された後の表面に電極基材１の表面凹凸が反映されない程度に滑らかであることが好ましい。
【００１５】
Ｎｉめっき層２は、電極基材１との密着性が確保され、膜厚１〜３μｍにコントロールできれば、従来公知のＮｉめっき方法でよく、例えば電気めっき法によればよい。
【００１６】
Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３は、Ｎｉめっき層２との密着性が確保され、膜厚０．２〜１μｍにコントロールできれば、従来公知のＰｄ−Ｎｉ合金めっき方法でよく、例えば電気めっき法によればよい。また、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３のＰｄ：Ｎｉ比（重量比）は７０：３０〜９０：１０であることが好ましく、８０：２０前後が最もよい。
【００１７】
Ｃｏ含有Ａｕめっき層４は、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３との密着性が確保され、膜厚０．０３〜０．０５μｍにコントロールできれば、従来公知のＣｏ含有Ａｕめっき方法でよく、例えば電気めっき法（フラッシュめっき）によればよい。膜厚が０．１μｍ以上になると摺動に対する潤滑効果が得られず耐摩耗性が低下するため好ましくない。また、めっき層中のＣｏ含有率は０．３〜０．５ｗｔ％であることが好ましい。
なお、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４に封孔処理を施してもよい。
【００１８】
前記のような電気接点６の構成とすることにより、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４の膜厚を従来よりも大幅に低減しつつ（膜厚比で９５％以上低減）、従来の電気接点よりも耐摩耗性及び耐食性を改善することができる。これらの改善効果はつぎのようなメカニズムによる。
【００１９】
（１）耐摩耗性
Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３の硬い層の上に、相対的に軟らかい層（Ｃｏ含有Ａｕめっき層４）を薄く付けると、軟らかい方（Ｃｏ含有Ａｕめっき層４）の金属が固体潤滑剤のような働きをし、摺動に対して摩耗しにくくなる。
【００２０】
（２）耐食性
Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４ともに、めっき層中にピンホールが存在する（Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３の有孔度はＣｏ含有Ａｕめっき層４より少ない）が、２層に重ねることで下層めっきのＮｉめっき層２まで貫通するピンホール数が激減するため、耐食性が向上する。また、Ｎｉめっき層２と接する金属が従来のＡｕからＰｄ−Ｎｉ合金に変わることで、局部電池効果が低減され、耐食性が向上している（ＡｕとＮｉの電位差：１．７３Ｖ、ＰｄとＮｉの電位差：１．１５Ｖ）。
【００２１】
さらに、めっき速度の遅いＮｉめっき層の一部をめっき速度の速いＰｄ−Ｎｉ合金めっき層に置き換えることになるため、電気接点６のめっき層全体としては生産効率が向上する。
【００２２】
次に、本発明に係るメモリカードについて説明する。
図２及び図３は本発明のメモリカードの構成例を示す概略図である。
図２及び図３において、１０はメモリカードを示し、それぞれメモリカード１０の一方の面１３ａ及びその反対側の他方の面１３ｂから見た外観構成を示すもので薄型の略カード状の形状をしている。
【００２３】
図３において、メモリカード１０の一方の面１３ａの一方の端部１４ａの縁部に沿って２段構成の各段１０列の端子配列からなる接点部１６が設けられている。この２段構成からなる接点部１６の１段目の接点部１６ａ及び２段目の接点部１６ｂは図１に示す電気接点の構成で形成されている。また、これらのうち、挿入方向の左端２列の接点は互いに切れ目なく繋がって短絡しており、他の８列の接点は間隔１８をおいて１段目の接点部１６ａ及び２段目の接点部１６ｂの２つの接点部に区切られている。そしてこの２段構成の各段の１０列の接点は隣あった接点がそれぞれ仕切り１７で仕切られる如く構成されている。
【００２４】
また、メモリカード１の一方の端部１４ａと一方の側面１５ａとの角にはメモリカード１０をメモリカード装着装置２０のスロット部２１に挿入する際に、メモリカード１０の挿入方向が正しいかどうかを検出する曲面部１９ａを備えると共に位置決め用の凹部１９が設けられている。そして位置決め用の凹部１９により決められた位置にメモリカード１０を固定する固定用凹部１ａが側面１５ａの縁に設けられている。
【００２５】
また、図２において、メモリカード１０の一方の面１３ａと反対の他方の面１３ｂの端部１４ａと反対の端部１４ｂの近傍にフラッシュメモリ素子（メモリ）を格納するための高さＨ１の第１の凸部１２を設けている。これにより、外形寸法の大きな変更をすることなく容易にメモリカードのメモリ容量を増量することを達成している。
【００２６】
つぎに、メモリカード１０をバネ接点を有する機器（メモリカード装着装置）に挿入して使用する場合を説明する。
図４Ａ，Ｂ及び図５に、メモリカード装着装置２０にメモリカード１０を挿入及び装着した状態を側面１５ｂから見た断面図を示す。
【００２７】
ここで、メモリカード装着装置２０は、前述したメモリカード１０の第１の凸部１２に対応する部分に切込みを入れ開口部２２が設けられている。またメモリカード１０の接点部１６が設けられている一方の面１３ａと接するメモリカード装着装置２０の略箱型のスロット部２１を構成する静電気対策を兼ねた金属板２５の面上にメモリカードの挿入方向と平行して長い凸部２５ａを２箇所設け、メモリカードを滑りやすくして挿入・取出しが容易になるようにしている。
【００２８】
図４Ｂは、本例メモリカード装着装置２０を側面２５ｂからみた断面図である。メモリカード装着装置２０において、２段構成のバネ接点端子３６ａ及び３６ｂの一部を屈曲させてバネ接点３７、３７を形成すると共にこのバネ接点端子３６ａ及び３６ｂは樹脂によりモールド成形されたモールド樹脂部２６の一方の面２６ｂの端部２６ｃ縁に取付けられた可動配線部を有するフレキシブル基板２７に接続されている。
【００２９】
図４Ａは、本例メモリカード１０を側面１５ｂから見た断面図である。３０は従来から内蔵されているメモリであり３０ａは新しく増設されたメモリである。このメモリカード１０の接点部１６が設けられている一方の面１３ａの反対側の面１３ｂを上側にして端部１４ａからメモリカード装着装置２０に挿入する。
【００３０】
図５にメモリカード装着装置２０にメモリカード１０を装着した状態を示す。メモリカード装着装置２０のスロット部２１の挿入口から挿入されたメモリカード１０を所定の位置まで挿入しメモリカード装着装置２０に装着する。このときメモリカード１０の２段構成の接点部１６ａ及び１６ｂの表面は、それぞれメモリカード装着装置２０のバネ接点３７、３７がバネ接点端子３６ａ及び３６ｂのバネ作用により圧接された状態で摺動され、その後この圧接された状態が保持され電気的接続が得られる。そしてこのバネ接点３７、３７から接点端子３６ａ及び３６ｂを通じてモールド樹脂部２６を介してフレキシブル基板２７に接続され、このフレキシブル基板２７の可動配線部の先に接続されている電子機器（図示せず）に内蔵された制御手段と信号の送受信を行うことができる。
【００３１】
また、メモリカード１０をスロット部２１の挿入口から抜き出す際には、メモリカード１０の２段構成の接点部１６ａ及び１６ｂの表面は、それぞれメモリカード装着装置２０のバネ接点３７、３７がバネ接点端子３６ａ及び３６ｂのバネ作用により圧接された状態で摺動された後、バネ接点３７、３７との接触から開放される。
【００３２】
このように、メモリカード１０はその使用のたびに、メモリカード装着装置２０への挿抜が行われ、メモリカード１０の接点部１６ａ及び１６ｂの表面はバネ接点３７、３７により摺動される。本発明のメモリカード１０は、その接点部１６ａ及び１６ｂを図１の構成からなる耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点としていることにより、１日に何回もメモリカード装着装置２０への挿抜が繰り返して行われる場合であっても接点部１６ａ及び１６ｂは良好な状態が保たれ、長期使用が可能である。
【００３３】
次に、本発明に係るモバイル情報端末機器及び充電器について説明する。
図６は、本発明のモバイル情報端末機器の一態様である携帯電話機の構成を示す概略図である。なお、以降に各図において矢印で示す、Ｕ方向、Ｄ方向、Ｌ方向、Ｒ方向、Ｆ方向、Ｂ方向は、それぞれ、上方、下方、左方、右方、前方、後方を意味するものとする。また、本明細書において示す上記方向性は、携帯電話機４０及び充電器６０を本明細書において説明するための便宜上のものである。
【００３４】
図６に示すように、携帯電話機４０は、ほぼ同等の大きさのほぼ薄箱状を呈する操作部本体４１及び表示部本体４２と、これら操作部本体４１と表示部本体４２とを相対する一側部において回転自在に組み合わせるヒンジ部４３とからなる。この基本的な構成は従来の携帯電話機と同様である。
【００３５】
また、携帯電話機４０は、未使用時において、操作部本体４１と表示部本体４２とがヒンジ部４３を介して互いに重ね合わされるようにして折り畳まれた状態で携帯される。携帯電話機４０は、通話時や電子メール操作等の使用時において、図６に示すようにこれら操作部本体４１と表示部本体４２とがヒンジ部４３を介して展開された状態で用いられる。
【００３６】
操作部本体４１は、折畳み状態において表示部本体４２と対向する一方の主面を操作面４１ａとし、この操作面４１ａに図６に示すように、テンキー４４、ジョグダイヤル４５、各種機能ボタン４６が設けられている。操作部本体４１には、操作面４１ａのヒンジ部４３と反対側の自由端側に位置して図示しないマイクロホンが内蔵された送話部４７が設けられている。
【００３７】
携帯電話機４０には、操作部本体４１内に充電可能な二次電池パックなどのバッテリが収納されており、各部に対して電源の供給が行われる。
【００３８】
また、操作部本体４１には、その操作面４１ａのヒンジ部４３と反対側の自由端側の側面に、前記二次電池パックに対する充電を行うための充電用端子部４８が設けられている。
【００３９】
充電端子部４８は、操作部本体４１の自由端側面に形成された扁平な凹部４９の底面にそれぞれ充電用電気接点４８ａ、４８ａが露出するように構成されている。この電気接点４８ａ、４８ａは図１に示す電気接点の構成で形成されている。
【００４０】
操作部本体４１には、ヒンジ部４３側の側面であって、その左端に伸縮自在なロッドアンテナを収納したアンテナ部５０が設けられ、また、そのほぼ中央に充電器６０の係止爪６７が係止する係止穴（図示せず）が形成されている。
【００４１】
図７は、本発明のモバイル情報端末機器の充電器の一態様である携帯電話機用充電器の構成を示す概略図である。
充電器６０は、前後方向に長くやや肉厚な平板状をした本体部６２と該本体部６２の後端側の左右角部に上方へ向かって突設された２つの支持柱６３、６３と本体部６２の前端側の左右中央部に上方へ向かって突設された係止凸部６４とから成り、本体部６２の内部に充電回路（図示せず）を備えて成る。
【００４２】
上記２つの支持柱６３、６３と係止凸部６４との前後方向の間の間隔は、当該充電器６０により充電するもの（携帯電話機４０）の前後方向の長さとほぼ同じに形成されており、これら２つの支持柱６３、６３及と係止凸部６４とで、当該充電器６０における携帯電話機４０の装着部６５を構成する。
【００４３】
充電器６０の上記２つの支持柱６３、６３の前方を向いた面には、外部電源と接続される充電端子６６、６６が突設されている。この充電端子６６、６６は図１に示す電気接点の構成で形成されている。
【００４４】
係止凸部６４のほぼ中央部には後方に向かって係止爪６７が設けられており、該係止爪６７は当該充電器６０により充電するもの（携帯電話機４０）に設けられた係止穴に係止して携帯電話機４０の位置決めをするようになっている。
【００４５】
前記携帯電話機４０は次のようにして充電器６０に装着され充電が為される。
先ず、携帯電話機４０を折り畳んだ状態で、これを傾斜させて充電端子部４８の電気接点４８ａ、４８ａを充電器６０の充電端子６６、６６に接触させる（図８）。次に、上記充電端子部４８側を支点として携帯電話機４０をそのヒンジ部４３側が下方へ行くように回動させる。これに伴い、電気接点４８ａ、４８ａと充電端子６６、６６とは一定の圧力がかかった状態でお互いの表面を摺動するようになる。
【００４６】
そして、携帯電話機２０のヒンジ部２３側に形成された係止穴３１を充電器１の係止爪７に係止させる。
【００４７】
これにより、携帯電話機２０は折り畳まれた状態でかつ水平な状態となって充電器１に装着され、電気接点４８ａ、４８ａと充電端子６６、６６とは電気的接続のある状態で保持される（図９）。
【００４８】
また、携帯電話機４０を充電器６０から外す場合には装着の場合と逆の操作が行われる。このときにも、電気接点４８ａ、４８ａと充電端子６６、６６とは一定の圧力がかかった状態でお互いの表面を摺動した後、その接触が開放される。
【００４９】
このように、携帯電話機４０はその充電のたびに、充電器６０への着脱が行われ、携帯電話機４０の電気接点４８ａ、４８ａと、充電器６０の充電端子６６、６６とはお互いの表面を摺動する。本発明の携帯電話機４０の電気接点４８ａ、４８ａ及び充電器６０の充電端子６６、６６は、図１の構成からなる耐摩耗性及び耐食性に優れた電気接点とされていることにより、１日に何回も充電が繰り返して行われる場合であっても電気接点４８ａ、４８ａ及び充電端子６６、６６は良好な状態が保たれ、長期使用が可能である。
【実施例】
【００５０】
以下、本発明を実施した例を示す。
（実施例１）
図２，図３に示す構成のメモリカードサンプルを作製した。なお、接点部１６ａ，１６ｂの電気接点の構成は以下の通りとした。
・電極基材１：銅板
・Ｎｉめっき層２：膜厚３μｍを電気めっき法で形成した。
・Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３：膜厚１μｍ、Ｐｄ：Ｎｉ重量比８０：２０を電気めっき法で形成した。
・Ｃｏ含有Ａｕめっき層４：膜厚０．０３μｍ、Ｃｏ含有率０．３％を電気めっき法で形成した。
【００５１】
（比較例１）
実施例１において、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３を省略し、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４に代えて膜厚０．５μｍのＡｕめっき層とし、それ以外は実施例１と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
【００５２】
（比較例２）
実施例１において、Ｎｉめっき層２の膜厚を４μｍ、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４に代えて膜厚０．０３μｍのＡｕめっき層とし、それ以外は実施例１と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
【００５３】
（比較例３）
実施例１において、Ｎｉめっき層２の膜厚を１．５μｍ、Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層３のＰｄ：Ｎｉ重量比を５０：５０、Ｃｏ含有Ａｕめっき層４の膜厚を０．５μｍとし、それ以外は実施例１と同じ条件でメモリカードサンプルを作製した。
【００５４】
得られたサンプルを用いて、以下に示す挿抜試験及び混合ガス腐食試験による劣化試験を行った。
（１）挿抜試験
図４，図５に示したメモリカード装着装置２０への挿抜を１２０００回繰り返す試験を行った。このときの接点圧力は０．５Ｎであった。
（２）混合ガス腐食試験
ついで、挿抜試験後のサンプルについて、二酸化硫黄ガス：１０ｐｐｍ、二酸化窒素ガス：１０ｐｐｍ、温度：４０℃、湿度：７５％ＲＨの環境下に４８時間暴露する混合ガス腐食試験を行った。
【００５５】
前記劣化試験を行った後の実施例１、比較例１〜３の接点部１６ａ，１６ｂの表面を走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で観察した。それぞれの結果を図１０〜図１３に示す。
【００５６】
実施例１では、挿抜試験にてバネ接点と擦れた部分（摺動部）における明確な摺動痕が見られず、ほとんど摩耗を受けていなかった（図１０）。また、腐食も発生していなかった。
これに対して、比較例１では摺動部におけるめっき層の削れが大きく、激しく腐食されている状態（図中黒色部分）が確認された（図１１）。また、比較例２では摺動部におけるめっき層の削れがあり、かなり腐食されている状態が確認された（図１２）。Ａｕめっき層中にＣｏを含有していないために耐摩耗性が低下したことによると考えられる。さらに、比較例３ではＣｏ含有Ａｕめっき層４の膜厚が０．５μｍあるにも関わらず、摺動部における腐食が認められた（図１３）。
【００５７】
つぎに、前記劣化試験前後における、実施例１、比較例１の接点部１６ａ，１６ｂについて印加電流と電圧との関係を調査した。それぞれの結果を図１４，図１５に示す。
実施例１では劣化試験前後で電流と電圧との関係にほとんど差がなく、良好な金属接点であることが分かる（図１４）。これに対して、比較例１では劣化試験後に電圧上昇、すなわち接触抵抗値の増加が認められた（図１５）。
【００５８】
（比較例４〜８）
市販されている各種メモリカード（５種）を比較例４〜８のサンプルとして、前記劣化試験を行い、印加電流と電圧との関係を調査した。なお、挿抜試験ではそれぞれのサンプルについて、接点圧力が０．５Ｎとなるようにした。
【００５９】
また、比較例４〜８のサンプルの接点部についてめっき層構成を分析したところ、すべてＡｕ／Ｎｉの２層構造であり、それぞれの膜厚は次の通りであった。
・比較例４：Ｎｉめっき層＝６．９２μｍ、Ａｕめっき層＝０．５８μｍ
・比較例５：Ｎｉめっき層＝９．５０μｍ、Ａｕめっき層＝１．０８μｍ
・比較例６：Ｎｉめっき層＝３．３３μｍ、Ａｕめっき層＝１．６７μｍ
・比較例７：Ｎｉめっき層＝１３．００μｍ、Ａｕめっき層＝２．５０μｍ
・比較例８：Ｎｉめっき層＝１１．７０μｍ、Ａｕめっき層＝１．８３μｍ
【００６０】
その結果を図１６に示す。ここでは、接点に電流Ｍを流した時に得られる電圧ｙの平均値と、実データとのばらつきの関係をＳＮ比として求め、その値に６５ｄｂを加算したものを示している。
実施例１は、比較例４〜８と比べて少なくとも５ｄｂ以上（信頼性で４倍以上）耐食性及び耐摩耗性に優れていることが分かった。
【図面の簡単な説明】
【００６１】
【図１】本発明で使用する電気接点の構成を示す断面図である。
【図２】本発明のメモリカードの構成例を示す概略図（１）である。
【図３】本発明のメモリカードの構成例を示す概略図（２）である。
【図４】メモリカード装着装置にメモリカードを挿入する状態を示す断面図である。
【図５】メモリカード装着装置にメモリカードを装着した状態を示す断面図である。
【図６】本発明のモバイル情報端末機器（携帯電話機）の構成を示す概略図である。
【図７】本発明の充電器の構成を示す概略図である。
【図８】充電器にモバイル情報端末機器（携帯電話機）を装着する途中段階の状態を示す断面図である。
【図９】充電器にモバイル情報端末機器（携帯電話機）を装着した状態を示す断面図である。
【図１０】実施例１の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１１】比較例１の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１２】比較例２の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１３】比較例３の劣化試験後の表面状態を示す図である。
【図１４】実施例１の劣化試験前後の電流−電圧の関係を示す図である。
【図１５】比較例１の劣化試験前後の電流−電圧の関係を示す図である。
【図１６】実施例１及び比較例４〜８の評価結果を示す図である。
【符号の説明】
【００６２】
１・・・電極基材、２・・・Ｎｉめっき層、３・・・Ｐｄ−Ｎｉ合金めっき層、４・・・Ｃｏ含有Ａｕめっき層、６・・・電気接点、１０・・・メモリカード、１２・・・メモリ格納用凸部、１２ａ・・・ラベル貼り付け面、１２ｂ・・・引っ掛かり用凸部、１２ｃ・・・ラベル、１３ａ，１３ｂ・・・面、１４ａ，１４ｂ・・・端部、１５ａ，１５ｂ・・・側面、１６，１６ａ，１６ｂ・・・接点部、１７・・・仕切り、１８・・・間隔、１９・・・凹部、１９ａ・・・曲面部、１ａ・・・固定用凹部、２０・・・メモリカード装着装置、２１・・・スロット部、２２・・・開口部、２５・・・金属板、２６・・・モールド樹脂部、３０，３０ａ・・・メモリ、３６ａ，３６ｂ・・・バネ接点端子、３７・・・バネ接点、４０・・・モバイル情報端末機器（携帯電話機）、４１・・・操作部本体、４２・・・表示部本体、４３・・・ヒンジ部、４４・・・テンキー、４５・・・ジョグダイヤル、４６・・・各種機能ボタン、４７・・・送話部、４８・・・充電端子部、４８ａ，４８ｂ・・・充電用電気接点、４９…凹部、５０・・・アンテナ部、６０・・・充電器、６２・・・本体部、６３・・・支持柱、６４・・・係止凸部、６５・・・装着部、６６・・・充電端子、６７・・・係止爪
【特許請求の範囲】
【請求項１】
バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点がバネ接点と接触することを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
電源となる充電可能なバッテリと、該バッテリに接続される電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる充電用電気接点とを備えることを特徴とするモバイル情報端末機器。
【請求項３】
モバイル情報端末機器に充電をする充電器であって、
外部電源と接続される電極基材の前記モバイル情報端末機器の充電用電気接点と接触する部分に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点を備えることを特徴とする充電器。
【請求項１】
バネ接点を有する機器に挿入して使用するメモリカードにおいて、電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点と、フラッシュメモリ素子とを備え、前記機器への挿入の際に前記電気接点がバネ接点と接触することを特徴とするメモリカード。
【請求項２】
電源となる充電可能なバッテリと、該バッテリに接続される電極基材上に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる充電用電気接点とを備えることを特徴とするモバイル情報端末機器。
【請求項３】
モバイル情報端末機器に充電をする充電器であって、
外部電源と接続される電極基材の前記モバイル情報端末機器の充電用電気接点と接触する部分に、膜厚１〜３μｍのＮｉめっき層、膜厚０．２〜１μｍのＰｄ−Ｎｉ合金めっき層、膜厚０．０３〜０．０５μｍのＣｏ含有Ａｕめっき層が順次積層されてなる電気接点を備えることを特徴とする充電器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【公開番号】特開２００６−２５２８６２（Ｐ２００６−２５２８６２Ａ）
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−６５４３６（Ｐ２００５−６５４３６）
【出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年９月２１日（２００６．９．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月９日（２００５．３．９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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