【課題】コモンモードチョークコイルを構成するコイル間の絶縁性の低下を抑制できる電子部品及びその製造方法を提供する。
【解決手段】積層体１２ａは、複数の多孔質の磁性体層が積層されてなる。コイルＬ１は、積層体１２ａに内蔵され、かつ、コイル導体１８ａ〜１８ｄにより構成されている。コイルＬ２は、積層体１２ａに内蔵され、コイル導体１８ｅ〜１８ｈにより構成されていると共に、コイルＬ１よりもｚ軸方向の負方向側に設けられている。コイルＬ１，Ｌ２は、コモンモードチョークコイルを構成している。コイル導体１８の周囲の領域Ｒ２内に存在する空孔ｈ２には、結晶化ガラスが充填されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、ＧＨｚ帯領域で使用可能な磁性焼結体、および磁性体と誘電体との複合焼結体、並びにそれらの製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 六方晶Ｂａフェライト粉末と、Ｌｉ_２Ｏ換算で５．０モル％以上のＬｉ、およびＳｉＯ_２換算で１７．０〜２４．１モル％のＳｉを含み、軟化点が４００〜４７０℃のガラス粉末とを、前記六方晶Ｂａフェライト粉末および前記ガラス粉末の合量に対して前記ガラス粉末が１５〜３０体積％となるように混合し、成形し得られるＬｉ−Ｚｎ−Ｃｕ−Ｆｅ−Ｏスピネル型結晶を主結晶とする磁性焼結体を用いる。 （もっと読む）

【課題】磁束漏れが低減され、小型化が容易な磁気結合装置を提供する。
【解決手段】磁心と、前記磁心に巻回され且つ前記磁心と絶縁された導電層を有し、入力電気信号が入力される１次コイルと、前記磁心に巻回され且つ前記磁心と絶縁された導電層を有し、前記１次コイルにより発生する磁束の変化による相互誘導起電力を出力可能な２次コイルと、前記磁心の上に設けられ、前記入力電気信号の立ち上がりまたは立ち下がりに応じた信号を前記１次コイルに向けて出力可能な変換回路と、前記磁心の上に設けられ、前記２次コイルの出力に応じて立ち上がりまたは立ち下がりに応じた出力電気信号を出力可能な逆変換回路と、を備えたことを特徴とする磁気結合装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】共振周波数におけるインピーダンスの変化をなだらかにすることができると共に、広帯域にわたって使用できる電子部品を提供することである。
【解決手段】積層体１２ａは、絶縁体層からなる。螺旋状のコイルＬは、積層体１２ａ内に内蔵されているコイルであって、ｚ軸方向の正方向側にいくにしたがって、コイル径が小さくなっていく形状を有している。外部電極１４ａ，１５ａは、積層体１２ａの表面に設けられ、コイルＬの両端に接続されている。抵抗体Ｒは、外部電極１４ａ，１５ａ間において、コイルＬと並列に接続されている。 （もっと読む）

【課題】コイルと外部電極との間に発生する浮遊容量を低減できる電子部品を提供する。
【解決手段】積層体１２は、複数の磁性体層が積層されてなる。外部電極１４ａは、積層体１２の側面に設けられている。外部電極１４ｂは、外部電極１４ａが設けられている側面に対向する積層体１２の側面に設けられている。コイルＬは、積層体１２に内蔵され、かつ、外部電極１４ａ，１４ｂ間を延在しているコイル軸Ｃ１０を有する螺旋状のコイルであって、該コイル軸Ｃ１０上において、外部電極１４ａと外部電極１４ｂとの中点から外部電極１４ａ及び外部電極１４ｂに近づいていくにしたがって、コイル径が小さくなる形状を有している。 （もっと読む）

集積磁気膜強化インダクタ及び集積磁気膜強化インダクタの形成方法が開示される。集積磁気膜強化インダクタが、第一部分及び第二部分を有するインダクタ金属部（５３０）、インダクタ金属部に結合された上端金属部または底金属部（５３２）、及びインダクタ金属部の第一部分及び第二部分の少なくとも一方の中か、該一方の上か、該一方に隣接するかのいずれかで配置される分離膜（５４４）を備える。分離膜が、磁気膜のような磁気材料部（５３６）を備える。
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【課題】マザー積層体のカット時にカット刃やダイサーが痛むことを抑制でき、直流抵抗値を低減でき、かつ、積層体にいびつな変形が発生することを抑制できる電子部品を提供する。
【解決手段】積層体１２ａは、長方形状の磁性体層１６が積層されることにより構成されている。コイルＬは、積層体１２ａに内蔵されている。引き出し導体２２ａは、コイルＬと接続されている引き出し導体であって、磁性体層１６ｄ上において、短辺Ａ１に接しながら該短辺Ａ１に沿って延在していると共に、長辺Ａ２に接している。引き出し導体２４ａは、コイルＬと接続されている引き出し導体であって、磁性体層１６ｅ上において、短辺Ａ１に接しながら短辺Ａ１に沿って延在していると共に、長辺Ａ３に接している。外部電極は、引き出し導体２２ａ，２４ａと接続され、かつ、積層体１２ａの表面に設けられている。 （もっと読む）

【課題】低抵抗及び高インダクタンスを有し、磁気飽和が発生し難いことにより直流重畳特性が良好な小型インダクタを提供すること。
【解決手段】小型インダクタ１０は、コイル１１と、コイル埋設体１２と、閉磁路構成体１３と、を有する。コイル埋設体は、第１透磁率を有する多孔質のセラミック焼成体であり、コイルを埋設している。コイル埋設体には、コイルの内側において「コイルの軸線に沿って貫通する貫通孔１２ａ」が形成されている。閉磁路構成体は、前記第１透磁率よりも大きい第２透磁率を有する略緻密なセラミック焼成体である。閉磁路構成体は、コイル埋設体の外周部及び貫通孔に密に配設される。その結果、磁路は、主として閉磁路構成体に形成され、コイル近傍における磁束密度が低下する。よって、磁気飽和が発生し難く、直流重畳特性が良好なインダクタが提供される。 （もっと読む）

【課題】ＧＨｚ帯のコモンモードノイズを抑制する効果が高いコモンモードフィルタを提供する。
【解決手段】コモンモードフィルタ１００は、第１及び第２のセラミック基体１１ａ、１１ｂと、第１のセラミック基体１１ａと第２のセラミック基体１１ｂに挟まれた機能層１２とを備えている。機能層１２は、互いに磁気結合した積層方向に重なる２つのコイル導体１７，１８を含み、第２のセラミック基体１１ｂからコイル導体１７，１８までの最短距離は、第１のセラミック基体１１ａからコイル導体１７，１８までの最短距離よりも短い。第１のセラミック基体１１ａは焼結フェライト、複合フェライト等の磁性材料からなる。一方、第２のセラミック基体１１ｂはアルミナ等の低誘電率材料からなり、第１のセラミック基体１１ａと共に機能層１２を物理的に保護すると共に、機能層１２内のコイル導体間の浮遊容量を低減する役割を果たす。 （もっと読む）

【課題】静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成され、５ｋＶ以上の保護電圧を得ることが可能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品１００は、第１及び第２の磁性基体１１ａ、１１ｂと、それらの間に挟まれた機能層１２とを備え、機能層１２はコモンモードフィルタ層１２ａと静電気対策素子層１２ｂによって構成されている。静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。コモンモードフィルタ層１２ａは、絶縁層１６ｂ上に形成された第１のスパイラル導体１７と、絶縁層１６ｃ上に形成された第２のスパイラル導体１８とを備え、コモンモードフィルタの直流抵抗は０．５Ω以上５Ω以下であり、静電気対策素子の静電容量は０．３５ｐＦ以下である。さらに第１及び第２のスパイラル導体１７，１８の幅Ｗ及び長さＬは、√（Ｌ／Ｗ）＜（７．６６５１−ｆｃ）／０．１３８５で表される関係式を満たしている。 （もっと読む）

【課題】放電開始電圧が低く、繰り返しの使用の耐久性が高められた、静電気対策素子等を提供すること。
【解決手段】絶縁性表面２ａを有する基体２と、該絶縁性表面２ａ上において相互に離間して対向配置された電極３ａ，３ｂと、少なくとも該電極３ａ，３ｂ間に配置された機能層４とを備える静電気対策素子において、前記電極３ａ，３ｂ間のギャップ距離△Ｇを０．５〜１０μｍとし、前記電極３ａ，３ｂの厚み△Ｔを△Ｇ／△Ｔ＝１〜３０の関係を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】導体線１１の抵抗値が低くＱ値が高いスパイラルインダクタを提供する。
【解決手段】スパイラルインダクタは、平板状の絶縁基板１０と、絶縁基板１０の主表面に配置されたらせん形状を有する導体線１１とを有する。導体線１１は線分状の複数の要素Ｐ１〜Ｐ１２を直列に接続した多角形に近似した形状を有する。要素Ｐ１〜Ｐ１２同士の接続箇所において導体線１１の外側の角部を切り欠いたベンド部Ｃ１〜Ｃ１１をそれぞれ形成することにより、高周波の分野において導体線１１の外側の角部で発生する反射を抑制することができる。 （もっと読む）

電気的ブリッジを製造するための方法であって、その方法は、（ａ）可撓性の電気的絶縁性の第１材料（１１）供給するステップと、（ｂ）電気的導電性の第２材料（１２）のパターンを第１材料の上に積層するステップと、（ｃ）電気的導電性の材料（１２）から形成された接続部（１３）を備えたストラップ（１５）を分離するステップと、を含んでいる。
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【課題】高精度なインピーダンスと低挿入損失を実現でき、かつフリップチップ実装したときのバランの特性変動を低減できる樹脂多層デバイスおよびその製造方法を提供する。
【解決手段】バランを有するＷＬＰの樹脂多層デバイスであって、基板１０と、その上に形成された第１樹脂層２２と、第１樹脂層２２上に設けられた平衡信号伝送路３０および３５と、その上に形成された第２樹脂層２４と、第２樹脂層２４上に平衡信号伝送路３０および３５と対向して設けられた不平衡信号伝送路５０と、その上に形成された第３樹脂層２６と、第３樹脂層２６上において不平衡信号伝送路５０と対向する領域の一部を含むように設けられた絶縁性の磁性体１５０とを備える。 （もっと読む）

【課題】携帯電話のドライバとレシーバとの間におけるコモンモードノイズ対策及びノーマルモードノイズ対策に適したノイズフィルタ及びこれを供えた電子装置を提供する。
【解決手段】ＬＣフィルタＬＣ１は、コイルＬ１を含んでいる。ＬＣフィルタＬＣ２は、コイルＬ２を含んでいる。コイルＬ１とコイルＬ２は、０．３以上０．６以下の結合係数で磁気結合することにより、コモンモードチョークコイルＬ１１を構成している。 （もっと読む）

【課題】配線基板に対して形成される導体パターンを用いて構成され、かつ、配線幅を広くできる構造のモータに接続される電磁ノイズ吸収素子としての基板コイルを提供する。
【解決手段】配線基板９を構成する樹脂フィルムに対して形成される導体パターンを用いて基板コイル６、７を形成し、各導体パターンが、中心軸Ｘ、Ｙの周囲に対して半周以上（１８０度以上）かつ一周未満（３６０度未満）の角度巻回された構成となるようにする。このようにすれば、導体パターンを複数回巻回した構造ではないため、各導体パターンの配線幅を複数回巻回した構造とする場合と比べて広く取れる。そして、導体パターンにて構成される第１、第２コイル部６１ａ、６１ｂ、７１ａ、７１ｂの配線幅が広いほど流せる電流が多くなり、インダクタンスも大きくなるため、基板コイル６、７にてモータ１に接続される電磁ノイズ吸収素子としての役割を果たさせることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】静電容量が小さく且つ放電特性に優れた静電気対策素子とコモンモードフィルタとを組み合わせて構成された小型で高性能な複合電子部品を提供する。
【解決手段】複合電子部品１００は、第１及び第２の磁性基体１１ａ、１１ｂに挟まれたコモンモードフィルタ層１２ａ及び静電気対策素子層１２ｂによって構成されている。コモンモードフィルタ層１２ａは互いに磁気結合されたスパイラル導体１７，１８を備えている。静電気対策素子層１２ｂは、下地絶縁層２７の表面に形成されたギャップ電極２８，２９と、ギャップ電極２８，２９を覆う静電気吸収層３０とを備えている。ギャップ電極２８，２９は、磁性基体１１ａの表面に下地絶縁層２７を介して形成されている。静電気吸収層３０は低電圧放電タイプの静電気保護材料として機能し、静電気などの過電圧が印加された際に、この静電気吸収層３０を介して電極間で初期放電が確保される。 （もっと読む）

【課題】大きな電流容量を確保しつつ、共振周波数の低下を抑制することができる電子部品を提供する。
【解決手段】積層体１２は、複数の絶縁層１６ａ〜１６ｎが積層されてなる。外部電極は、ｚ軸方向に延在し、かつ、互いに対向している該積層体１２の側面に設けられている。コイル導体１８ａ〜１８ｌは、絶縁層１６ａ〜１６ｎと共に積層されてコイルＬを形成している。複数のコイル導体１８ａ〜１８ｌはそれぞれ、同じ形状を有するコイル導体１８と隣り合うように設けられていると共に、互いに並列に接続されている。外部電極に接続されているコイル導体１８ａ，１８ｌは、同じ形状を有するコイル導体１８に並列に接続されていない。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３およびＢｉを含む複合焼結体層と銀系導体層が積層されている積層型電子部品において複合焼結体層の絶縁性を向上させることを目的とする。
【解決手段】 Ｙ型六方晶Ｂａフェライトを主結晶とし、Ｍ型六方晶Ｂａフェライト、ＳｒＴｉＯ_３およびＢｉ−Ｆｅ−Ｏ化合物を他の結晶として含む磁性体と誘電体との複合焼結体層と銀系導体層とが積層された積層型電子部品であって、前記複合焼結体層と前記銀系導体層との界面から３μｍ以内の前記複合焼結体層のＢｉの含有量をＡ質量％とし、前記複合焼結体層の積層方向中央部のＢｉの含有量をＢ質量％としたとき、Ａ−Ｂが０〜４質量％である積層型電子部品を用いる。 （もっと読む）

【課題】インダクタンス及び直流重畳特性の双方を確保できる積層インダクタを簡単な手法で製造できる積層インダクタの製造方法を提供する。
【解決手段】この積層インダクタ１の製造方法では、磁性体層１３のＮｉ成分と非磁性体シート１２のＺｎ成分とを相互拡散させ、非磁性体シート１２における導体パターン１０の内側の領域に相互拡散層８を形成している。この方法では、非磁性体シート１２に複雑な加工をせずに相互拡散層８を形成できる。また、磁性体層１３とその周囲の非磁性体シート１２との間に境界部分が形成されず、クラックの発生も抑制される。積層インダクタ１では、コイル状導体５，５間に非磁性体層７が位置することで直流重畳特性の低下を抑えられ、コイル状導体５の内側の領域に磁性体が貫通することで、コイル状導体５，５間に非磁性体層７を設けたことによるインダクタンス低下を抑えられる。 （もっと読む）