【課題】比較的に高い比誘電率を示し、絶縁抵抗にも優れ、十分な信頼性が確保された電子部品の誘電体層を製造するのに好適な誘電体磁器組成物を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｂａ_１−αＭ_α）_Ａ（Ｔｉ_１−βＭｎ_β）_ＢＯ_３で表され、結晶構造が六方晶であって、Ｍの有効イオン半径が、１２配位時のＢａ^２＋の有効イオン半径に対して±２０％以内であり、Ａ、Ｂ、αおよびβが、１．０００＜Ａ／Ｂ≦１．０４０、０≦α＜０．００３、０．０３≦β≦０．２の関係を満足する六方晶系チタン酸バリウムを主成分とし、該主成分１００モルに対し、副成分として、ＭｇＯ等のアルカリ土類酸化物、Ｍｎ_３Ｏ_４および／またはＣｒ_２Ｏ_３と、ＣｕＯと、Ａｌ_２Ｏ_３と、希土類元素酸化物と、ＳｉＯ_２を含むガラス成分とを特定量含んでなる誘電体磁器組成物。 （もっと読む）

【課題】電気的特性、耐熱性、巻取り性および加工性等の取り扱い性に優れた高絶縁性フィルムを提供すること。
【解決手段】シンジオタクチック構造のスチレン系重合体を主たる構成成分とする二軸延伸フィルムであって、特定の不活性微粒子Ａと、酸化防止剤と、ＤＳＣによるガラス転移温度Ｔｇが１３０℃以上である重合体Ｙとを、それぞれ特定の含有量で含有し、厚み方向の屈折率が１．５７５０以上１．６３５０以下である高絶縁性フィルム。 （もっと読む）

【課題】内部でのクラックや剥離の発生が抑制された薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】本実施形態に係る薄膜コンデンサ１００では、Ｎｉを主成分とする内部電極３，５，７，９が積層方向に貫通する貫通孔Ｈを有すると共に、この貫通孔Ｈの少なくとも一部の面積が０．１９〜７．０μｍ^２であって、且つ主面に対する貫通孔Ｈの面積の割合が０．０５〜５％の範囲である内部電極３，５，７，９の主面全体の面積に対する貫通孔Ｈの面積が上記の範囲であることによって、内部電極３，５，７，９と誘電体層２，４，６，８，１０との界面での剥離やクラックの発生が抑制され、この結果、歩留まりが向上される。 （もっと読む）

【課題】ポリエーテルイミド樹脂を用いて耐熱性や耐電圧性に優れる厚さ１０μｍ以下のフィルムキャパシタ用フィルムを高い厚さ精度で製造できるフィルムキャパシタ用フィルムの製造方法及びフィルムキャパシタ用フィルムを提供する。
【解決手段】ポリエーテルイミド樹脂を含有する成形材料１を押出機１０に投入してＴダイス２０先端のリップ部２１からフィルムキャパシタ用フィルム５０を直下に押出成形し、フィルムキャパシタ用フィルム５０を圧着ロール３１と冷却ロール３３の間に挟持させて冷却し、冷却した厚さ１０μｍ以下のフィルムキャパシタ用フィルム５０を巻取機４０に巻き取る製造方法で、Ｔダイス２０のリップ部２１における溶融した成形材料１のせん断速度をγ〔／ｓ〕、冷却ロール３３の周速度をＶ〔ｍ／ｓ〕とした場合に、冷却ロール３３の周速度Ｖと成形材料１のせん断速度γの比Ｖ／γ〔ｍ〕を３．０×１０^−２〜９０×１０^−２〔ｍ〕の範囲とする。 （もっと読む）

【課題】シアノ樹脂誘電体フィルムを含んでなる物品、およびそれを用いたコンデンサを提供する。
【解決手段】シアノ樹脂誘電体フィルムを有するシアノ樹脂誘電体フィルムが強化材料のナノ構造体を含んでおり、かかるシアノ樹脂誘電体フィルムが、シアノエチルプルラン、シアノエチルポリビニルアルコール、シアノエチルヒドロキシエチルセルロース、シアノエチルセルロース及びこれらの組合せからなる群から選択される１種以上のシアノ樹脂からなるのが好ましく、かつ、それに結合された１以上の電極を含んでなるコンデンサであって、その製法は、シアノ樹脂を溶媒に溶解して溶液を調製する段階、強化材料を溶液中に分散させる段階、及び溶液を基材に塗工してシアノ樹脂誘電体フィルムを形成する段階を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】 端子電極の密着層と誘電体層とが直接接触することによる電気特性の劣化を防ぎ、信頼性を高めることができる薄膜コンデンサを提供する。
【解決手段】 薄膜コンデンサ１０は、下地電極１１上に積層された誘電体層１２と、誘電体層１２上に積層された上部電極層１３と、密着層１７ａ、シード層１７ｂ及びめっき層１７ｃを有する端子電極１７と、上部電極層１３と端子電極１７との間に設けられ、上部電極層１３と端子電極１７とを絶縁する配線用樹脂層１４と、配線用樹脂層１４を貫通するよう設けられ、密着層１７ａに接しており、上部電極層１３と端子電極１７とを電気的に接続する配線層１５と、を備え、配線層１５の組成が端子電極１７の密着層１７ａと異なるものであり、配線層１５の誘電体層１２に対する還元力が、密着層１７ａのものより小さい。 （もっと読む）

【課題】 高温負荷寿命の向上を実現し、信頼性の高いセラミック電子部品およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】誘電体層および電極層を有するセラミック電子部品であって、誘電体層２が、ＡＢＯ_３（ＡはＢａ、ＣａおよびＳｒから選ばれる少なくとも１つ、ＢはＴｉおよびＺｒから選ばれる少なくとも１つである）で表される化合物と、希土類元素の酸化物と、を含有する誘電体磁器組成物から構成されており、誘電体層２には、希土類元素の酸化物のみが偏析している偏析領域２０が存在しており、誘電体層２の断面において、１．０×１．０μｍの視野面積に対し、偏析領域２０が占める面積の割合が０．４５〜０．９０％である。希土類元素の酸化物の含有量は１．０〜２．０モル％が好ましい。偏析領域の面積割合はたとえば焼成時の昇温速度を７００〜２０００℃／時間とすることで制御できる。 （もっと読む）

【課題】高温での良好な保安性および耐電圧性を有する金属化フィルムコンデンサを提供する。
【解決手段】金属化フィルムの幅方向において、絶縁マージン７２側からメタリコン接続部７１にかけて第１小分割電極部、大分割電極部、第２小分割電極部および非分割電極部８１の順に配置されている。第１小分割電極部を構成する複数の小分割電極８３の各々は、当該小分割電極８３を長手方向に挟む絶縁スリット７３間に形成されたヒューズ９３にて大分割電極８４と接続されている。また、第２小分割電極部を構成する複数の小分割電極８５の各々は、当該小分割電極８５を長手方向に挟む絶縁スリット７４、７５間に形成されたヒューズ９４、９５にてそれぞれ大分割電極８４、非分割電極部８１と接続されている。 （もっと読む）

【課題】一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型構造を有する誘電体磁器組成物であって、Ａ／Ｂ比（モル比）が１以下で、結晶性に優れ、高い誘電率を有する誘電体磁器組成物を確実に、しかも効率よく製造することが可能な誘電体磁器組成物の製造方法を提供する。
【解決手段】第１の工程で、Ａサイト元素化合物と、Ｂサイト元素化合物を、モル比：Ａ／Ｂが１を超える割合で配合し、焼成することにより、一般式：ＡＢＯ₃で表されるペロブスカイト型複合酸化物を合成した後、第２の工程で、このペロブスカイト型複合酸化物に、Ｚｒ化合物を、ＺｒがＢサイト成分の一部と考えた場合に、全体としての前記、モル比：Ａ／Ｂが１以下となるような割合で混合してセラミック原料とする。
好ましくは、第２の工程において、モル比：Ａ／Ｂが１未満になるような割合で前記Ｚｒ化合物を混合する。 （もっと読む）

【課題】大容量のエネルギーを瞬時に放出・蓄積することができ、且つ、誘電率の温度依存性が小さい特性を有する、コンデンサー用誘電体ガラス材料を提供する。
【解決手段】コンデンサー用誘電体ガラスは、ガラスの誘電率が５以上、誘電正接が０．０５以下、体積抵抗率が１０８Ω・ｃｍ以上、液相粘度が１０３．５ｄＰａ・ｓ以上であり、誘電体ガラスフィルムの厚さが５０μｍ以下、且つ、平均表面粗さＲａが５０Å以下とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】主成分が（Ｂａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ，Ｒ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび／またはＹ）であり、副成分として、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌおよび／またはＭｇ）と、Ｓｉとを含む、誘電体セラミック。各主成分粒子１１の断面上における、Ｍが存在している領域１２の面積割合が、平均値で１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】誘電体セラミック層が薄層化されても、信頼性、特に負荷試験における寿命特性に優れた、積層セラミックコンデンサを実現できる、誘電体セラミックを提供する。
【解決手段】主成分がＢａ（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系または（Ｂａ，Ｃａ）（Ｔｉ，Ｍｎ）Ｏ_３系であり、副成分として、Ｒ（Ｒは、Ｌａ、Ｃｅ、Ｐｒ、Ｎｄ、Ｓｍ、Ｅｕ、Ｇｄ、Ｔｂ、Ｄｙ、Ｈｏ、Ｅｒ、Ｔｍ、Ｙｂ、Ｌｕおよび／またはＹ）と、Ｍ（Ｍは、Ｆｅ、Ｃｏ、Ｖ、Ｗ、Ｃｒ、Ｍｏ、Ｃｕ、Ａｌおよび／またはＭｇ）と、Ｓｉとを含む、誘電体セラミック。各主成分粒子１１の断面上における、ＲおよびＭの少なくとも一方が存在している領域１２の面積割合が、平均値で１０％以下である。 （もっと読む）

【課題】コンデンサユニットを遮断部に取付ける際に、コンデンサユニットを構成する絶縁筒に曲げの力がかかっても、コンデンサ素子同士が点接触や横ずれを起こさない積層コンデンサを提供する。
【解決手段】遮断部間に配置されるコンデンサユニットを構成する積層コンデンサにおいて、該積層コンデンサを構成するコンデンサ素子の一方の電極には嵌合凸部２３を設け、他方の電極には嵌合凹部２２を設け、該嵌合凸部と嵌合凹部が半径方向の空隙を有しないように嵌め合う構成とする。 （もっと読む）

【課題】可塑剤を含むグリーンチップの研磨効率を高めることができ、電子部品の欠損（欠け、チッピングなど）を抑制することができると共に、耐電圧不良率などの電気特性の劣化を抑制することができる電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】可塑剤を含む未焼成のグリーンチップを準備する工程と、前記グリーンチップを研磨する工程と、を有し、研磨工程直前のグリーンチップのガラス転移温度Ｔｇが４０℃以下であり、研磨工程でのグリーンチップの温度Ｔｃが前記ガラス転移温度Ｔｇよりも２５℃以上低いことを特徴とする電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導電性接着剤を用いて実装することができ、かつ短絡不良の生じ難い電子部品を提供する。
【解決手段】第１の外部電極１５は、Ａｇを含まない第１の導電層１６と、最外層に位置するように第１の導電層１６の上に積層されており、Ａｇを含む第２の導電層１７とを有する。第２の導電層１７は、第１の主面１０ａに接触している第１の接触部１７ｂ１を有する一方、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには接触していない。第１の接触部１７ｂ１に最も近接して位置している内部電極である第２の内部電極１２ａと、第１の接触部１７ｂ１とを最短距離で結ぶ仮想直線Ｌ１上には、第１の内部導体１３ａが設けられている。第１の内部導体１３ａは、第１及び第２の外部電極１５，１８のうちの第１の外部電極１５にのみ接続されているか、第１及び第２の外部電極１５，１８のいずれにも接続されていない。 （もっと読む）

【課題】 信頼性および生産性の高い積層体を提供する。
【解決手段】
複数の絶縁体層と導体層とが交互に積層された積層体であって、前記導体層は、第１導体層と、前記第１導体層と前記誘電体層を介して対向し、平面視で前記第１導体層の端部を越えるように互い違いに配置される第２導体層と、を有し、前記第１導体層と前記第２導体層とが互い違いに延びる方向を第１方向，この第１方向に直交する方向を第２方向としたときに、前記第１導体層の端部は、平面視で、前記第２方向に平行な部分を有さない、積層体。 （もっと読む）

表面アークオーバーを防止するための部品のコーティングを必要としない、高電圧能力を有する多層セラミックコンデンサの新しい設計を記述する。１つの設計は、高電圧能力を維持しつつ、相対的に大きな静電容量のための大きなオーバーラップ面積を兼ね備えている。オーバーラップ面積と、したがって静電容量とが減少するが、この設計の一バリエーションは、この設計および従来技術において既知のその他の設計と比べた場合に、増大した電圧能力を具備する。
（もっと読む）

【課題】グリーンシートを構成する元素がイオンとして溶出することを抑制し、コンデンサ素子本体の欠損を抑え、しかも耐電圧、誘電損失および高温負荷寿命が良好な積層型セラミック電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】ＡがＡサイトの元素、ＢがＢサイトの元素、Ｏが酸素元素をそれぞれ示す場合に、一般式がＡＢＯ_３ で表されるペロブスカイト化合物を主成分とする誘電体層を有する電子部品の製造方法であって、前記Ａサイトの元素のイオンの飽和溶液を作製する工程と、焼成後に前記誘電体層となるグリーンシートを含む未焼成のグリーンチップを準備する工程と、前記グリーンチップを前記飽和溶液中で研磨する工程と、を有する電子部品の製造方法。 （もっと読む）

【課題】カラムナー構造の誘電体薄膜を備え、容量が大きく、絶縁抵抗値及びその信頼性が高い薄膜コンデンサの製造を低コストで実現する薄膜コンデンサの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の薄膜コンデンサの製造方法は、金属溶液の塗膜の仮焼成を電極上で一回以上行い、一層以上の前駆体層を電極上に積層する積層工程、一層以上の前駆体層を真空中で本焼成して、誘電体層を電極上に形成する本焼成工程、並びに積層工程及び本焼成工程を交互に二回以上行い、誘電体薄膜を電極上に形成する薄膜形成工程を備え、金属溶液が元素Ａ（Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａ又はＰｂの少なくともいずれか）と元素Ｂ（Ｔｉ，Ｚｒ，Ｈｆ又はＳｎの少なくともいずれか）を含み、Ｂのモル数の合計Ｍ_Ｂに対するＡのモル数の合計Ｍ_Ａの比Ｍ_Ａ／Ｍ_Ｂを１未満にして、一層の誘電体層の単位面積当たりの質量を１０〜５０μｇ／ｃｍ^２にする。 （もっと読む）

【課題】リーク電流が低減されると共に個体間においてリーク電流のバラつきが小さい薄膜デバイスを提供する。
【解決手段】薄膜デバイス１００は、金属からなる下地電極２と、第１の誘電体層４、第１の内部電極１０、第２の誘電体層６、第２の内部電極１２、第３の誘電体層８と、を備える。複数の誘電体層のうち下地電極２に接する最下層の第１の誘電体層４の厚さをＴ１とし、第１の誘電体層４を除く複数の誘電体層６，８のうち最も薄い誘電体層の厚さをＴｍｉｎとしたとき、Ｔ１＞Ｔｍｉｎを満たすことを特徴とする。第１の誘電体層４の厚さを他の誘電体層のうち最も薄い誘電体層よりも厚くすることにより、下地電極２の金属表面の表面粗さに由来して金属表面から突出する金属部分と最下層の誘電体層上に積層された内部電極との距離を大きくすることができるため、リーク電流を低減させることができる。 （もっと読む）