【課題】本発明は、プリント回路基板の製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、微細パターンの形成のために基板を表面処理する段階を含むプリント回路基板の製造方法であって、前記表面処理する段階は、表面処理前にパターンの間の銅を除去する時に残留された銅を除去する段階と、前記残留された銅が除去された基板をヨウ素化合物で処理する段階と、前記ヨウ素化合物で処理された基板を有機二価硫黄化合物で処理する段階と、前記基板を酸洗する段階と、パラジウム活性化段階と、前記酸洗された基板に無電解ニッケルメッキ層を形成する段階と、を含むことを特徴とする。本発明によると、ＳＡＰにより製作された製品に対して、滲み改善のための回路工程を別に施さなくても、表面処理工程で微細パターンの滲みを改善することができるため、工程が単純化し、これによる工程コストの低減が可能であり、銅との密着力も改善する効果を有する。 （もっと読む）

【課題】良好な絶縁性と配線密着性を両立した配線基板を製造することが可能な配線形成用基板およびその製造方法ならびにそれを用いた配線基板および電子デバイスを提供する。
【解決手段】基板上に多孔質層が設けられた配線形成用基板であって、
前記多孔質層の厚さが１０μｍ以上であり、
前記多孔質層の空隙率が１０％以上であり、
前記多孔質層は、平均粒子径が０．１μｍ以上である無機粒子と無機系結着剤とを含有し、
前記無機系結着剤が、リン酸アルミニウム、ケイ酸ナトリウムおよび塩化アルミニウムからなる群から選択される少なくとも１種である配線形成用基板。 （もっと読む）

【課題】樹脂の表面形状によらず、簡易な手法で樹脂の表面全面を改質することができ、樹脂表面の平滑性を維持した上で、密着性の高い金属層を形成可能な無電解めっき方法、及び、金属張積層板の製造方法を提供することを課題とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、樹脂１０の表面に無電解めっきにより金属層を形成する際に、当該樹脂１０の表面に、ヒドロキシラジカルを含むラジカル水を接触させて、樹脂１０の表面を改質する表面改質処理を施した上で、当該樹脂１０の表面に無電解めっきにより金属層を形成することを特徴とする無電解めっき方法及び、当該無電解方法を用いた金属張積層板の製造方法を提供する。 （もっと読む）

【課題】本発明はプリント基板及びその製造方法に関する。
【解決手段】本発明は、回路パターンを含むベース基板と、前記ベース基板上に備えられる導電性パッドと、前記導電性パッドに接合されるはんだボールと、前記ベース基板と前記導電性パッドとの間に備えられる剥離防止層と、を含むプリント基板及びその製造方法を開示する。 （もっと読む）

【課題】電子部品の導電部の元素がその周辺に設けた絶縁層へ拡散するのを抑制する。
【解決手段】第１絶縁層１上に導電部２を形成して、その導電部２上にバリアメタル層３を形成した後、そのバリアメタル層３上に、非共有電子対を有する官能基を少なくとも２つ備える化合物を含む化合物層４を形成し、その化合物層４上に第２絶縁層５を形成する。導電部２から拡散する元素が、たとえバリアメタル層３を通過しても、そのバリアメタル層３を通過した元素を化合物層４によって捕捉し、導電部２の元素が第２絶縁層５等へ拡散するのを抑制する。 （もっと読む）

【課題】金属−セラミックス接合回路基板の断面形状を少ない工数または低コストで容易に制御することができ、且つ耐熱衝撃性または絶縁性に対してより高信頼性を有する金属−セラミックス接合回路基板を製造することができる、金属−セラミックス接合回路基板の製造方法を提供する。
【解決手段】セラミックス基板１０の両面にろう材１２を介してＣｕ板１４を接合した後、 Ｃｕ板１４の表面の所定の部分にＵＶ硬化アルカリ剥離型レジスト１６を塗布してＣｕ板１４の不要部分をエッチングすることにより金属回路部を形成し、レジスト１６を維持したまま、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し（あるいは、不要なろう材１２およびろう材１２とセラミックス基板１０との反応生成物を除去し、金属回路部の側面部をエッチングし）、その後、レジスト１６を剥離し、 Ｎｉ−Ｐ無電解メッキ１８を施す。 （もっと読む）

【課題】ファインパターンの回路形成性や高周波域における伝送特性に優れ、かつ樹脂基材との密着性や耐薬品性に優れる粗化処理銅箔を提供する。
【解決手段】母材銅箔（未処理銅箔）の少なくとも片面に、前記母材銅箔の表面粗さＲｚに対してＲｚが０．０５〜０．３μｍ増加する粗化処理が施されて、粗化処理後の表面粗さＲｚが１．１μｍ以下である粗化処理面を有する粗化処理銅箔であって、前記粗化処理面は幅が０．３〜０．８μｍ、高さが０．４〜１．８μｍで、アスペクト比［高さ／幅］が１．２〜３．５で、先端が尖った凸部形状の粗化粒子で形成されている表面粗化処理銅箔である。 （もっと読む）

【課題】ＳＵＳ箔層と液晶ポリマー層とが積層された積層体において、界面の密着性を改善する。
【解決手段】ＳＵＳ箔の表面をその十点平均高さが４０ｎｍ以上となるように化学的に粗化してＳＵＳ箔層２を形成する。一方、ハロゲン原子を含まない非プロトン性溶媒に液晶ポリマーを溶解させて液晶ポリマー溶液を調製する。次いで、この液晶ポリマー溶液をＳＵＳ箔層２上に塗工する。最後に、液晶ポリマー溶液に含まれる非プロトン性溶媒を除去して液晶ポリマー層３を形成する。これにより、腐食性が高くて取扱いが難しいという問題を生じることなく、ＳＵＳ箔層２と液晶ポリマー層３との密着性を改善することができる。 （もっと読む）

【課題】 シランカップリング処理による銅箔の表面またはその上の金属防錆層の表面へのシランの付着量を適正化して、有機材料からなる絶縁性基材の表面との接合強度の向上を達成したプリント配線板用銅箔およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 銅箔１の表面上に設けられたシランカップリング処理層２における、グロー放電発光表面分析によって計測されるシランの成分分布のピーク面積Ｖを、当該プリント配線板用銅箔におけるシランカップリング処理層２が設けられた面における比表面積Ｓで除算した値Ｖ／Ｓを、０．０３以上０．６以下とする。 （もっと読む）

【課題】微細な形状を有し、基材との密着性や形状精度、信頼性に優れ、複雑、高価な設備、工程を必要とせずに形成する導電膜パターン及びその導電膜パターンの形成方法を提供する。
【解決手段】基材５００１と、前記基材上に絶縁性インクを配置することにより形成された絶縁層５００２と、前記絶縁層上に、インクジェット装置によって導電性のインクを所定のパターンに配置することにより形成された導電層５００４と、を少なくとも有する導電膜パターンにおいて、前記絶縁層上に、フッ素原子を含有しないシランカップリング剤、チタンカップリング剤、ジルコニアカップリング剤、およびアルミニウムカップリング剤から選択される少なくとも一種のカップリング剤により形成されたカップリング剤膜５００３を有することを特徴とする導電膜パターン。 （もっと読む）

【課題】 特にポリイミドフィルムやガラス板等の基板上に設けられる膜であって、印刷法などにより配線形成を行う際に、基板との密着性、インクの印刷特性に優れ、また、配線形成プロセス中に使用される薬液に対して高耐性を有する上、高耐熱性を有する多孔質膜を提供する。
【解決手段】 走査型電子顕微鏡により測定したときの平均粒子径が２〜２００ｎｍの範囲内にあり、少なくとも１種の金属の酸化物からなる一次粒子が２個以上結合してなる、動的光散乱法により測定したときの平均粒子径が７０〜３０００ｎｍの範囲内にある凝集体粒子を１０〜１００質量％含む凝集体粒子含有物（Ａ）と、耐熱性高分子化合物および／またはその前駆体（Ｂ）とを含む塗工液から得られた薄膜の硬化物からなり、かつ走査型電子顕微鏡により測定したときに、前記凝集体粒子を構成する一次粒子の平均粒子径よりも大きな長径の平均値を有する細孔を表面に形成してなる多孔質膜である。 （もっと読む）

【課題】配線導体の表面にメッキを形成する工程などにおいて、メッキ液などの薬液に触れることにより、アルミナ焼成基板中におけるアルミナ粒子間に位置するガラス相及び絶縁基板中におけるセラミック粒子間に位置するガラス相が溶出することがある。
【解決手段】主面を備え、複数の第１のセラミック粒子及び隣り合う第１のセラミック粒子間に位置するガラス相を有する絶縁基板と、主面上に露出する第１のセラミック粒子間に位置し、第１のセラミック粒子の平均粒径よりも平均粒径が小さい第２のセラミック粒子を含有する樹脂部材と、主面上に配設された配線導体とを具備した配線基板を用いる。 （もっと読む）

【課題】硬化物表面のシリカの脱離性が良好で、優れた密着性示すように、粗化処理で硬化物表面の粗さを容易に小さくできる樹脂組成物、及び該樹脂組成物を加熱硬化してなる硬化物の提供。
【解決手段】ビフェニル骨格含有フェノール系硬化剤、ジシクロペンタジエン骨格含有フェノール系硬化剤、トリアジン骨格含有フェノール樹脂及びリモネン骨格含有フェノール樹脂からなる群から選択される一種以上の硬化剤と、ビスフェノール型エポキシ樹脂と、硬化促進剤と、シリカとが配合された樹脂組成物であって、前記ビスフェノール型エポキシ樹脂が、ビスフェノール又はその誘導体一分子にエポキシ基が二つ導入された化合物を、分子数の割合で７９〜８４％含有することを特徴とする樹脂組成物；かかる樹脂組成物を加熱硬化してなることを特徴とする硬化物。 （もっと読む）

【課題】導体配線の間隔が１５μｍ以下の狭間隙導体パターンを有するビルドアッププリント配線基板のセミアディティブ工法で、ドライフィルムレジストが巧く剥離できるようにし、不良の発生の低減に繋がるビルドアッププリント配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】レジスト剥離工程で導体配線がアノードになるよう電荷を印画することによりレジスト剥離性を向上させ、特にはレジスト剥離工程で剥離液にアゾール化合物を添加することにより導体配線の細りを押さえレジスト剥離性を向上させる。 （もっと読む）

【課題】電子回路のマイグレーションを防止し、長時間駆動した場合であっても絶縁抵抗が低下しない電子回路、および高い導電性を有する導電膜を、低コストで製造する方法を提供する。
【解決手段】支持体１２上に金属を含有する金属配線部１４を形成する金属配線部形成工程と、金属配線部に金属イオントラップ剤（メルカプト化合物含有溶液）を接触させ、金属配線部にメルカプト化合物を吸着させるメルカプト化合物吸着工程とを有することを特徴とする電子回路１０の製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面粗化を行わなくても微細配線パターン層と樹脂絶縁層との間に十分な密着性を付与でき、しかも形状的に優れた微細配線パターン層を形成できる配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】この製造方法では、無電解銅めっき工程及びレジスト形成工程の後、めっきにより電解銅めっき層２０ｂを形成する。次に、剥離液を用いてめっきレジスト２２ａ，２２ｂを剥離した後、電解銅めっきよりも無電解銅めっきを溶解しやすいエッチング液を用い、めっきレジスト２２ａ，２２ｂの直下にあった無電解銅めっき層２０ａを選択的に除去する。その結果、底部にアンダーカット部Ｕ１を有する配線パターン層２８，２８ａを形成する。次に、樹脂接着層４１を配線パターン層２８，２８ａの表面上に形成して当該表面を改質する金属表面改質工程を行う。その後、樹脂絶縁層３０を形成し、配線基板Ｋ１とする。 （もっと読む）

【課題】 無電解ニッケルめっき合金皮膜の保護層として機能する被めっき体に形成される無電解パラジウムめっき皮膜が形成されなかったり、厚みが薄くなるのを抑制し、厚みの均一な皮膜を形成するための無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液やこれを用いた無電解めっき方法、接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 被めっき体に、無電解ニッケルめっき合金皮膜、無電解パラジウムめっき皮膜、及び置換金めっき皮膜を形成するか又はさらに無電解金めっき皮膜を形成する無電解めっきを行うに際し、無電解パラジウムめっき皮膜を形成する前に浸漬して無電解パラジウムめっき反応の開始を促進する無電解パラジウムめっき反応開始促進前処理液、この前処理液を用いた無電解めっき方法、無電解めっき方法で形成された接続端子並びにこの接続端子を用いた半導体パッケージ及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】銅張積層板に加工したとき、銅箔と硬化したフィラー粒子含有樹脂層との密着性に優れたフィラー粒子含有樹脂層付銅箔の提供を目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するため、銅箔の片面にフィラー粒子含有樹脂層を備えたプリント配線板用のフィラー粒子含有樹脂層付銅箔において、前記フィラー粒子含有樹脂層は、芳香族ポリアミド樹脂、エポキシ樹脂、適当量の硬化促進剤を含み、且つ、アミノ系シランカップリング剤処理したフィラー粒子を含む半硬化樹脂層であることを特徴としたフィラー粒子含有樹脂層付銅箔を採用する。そして前記フィラー粒子含有樹脂層は、フィラー粒子を２．０ｖｏｌ％〜１８．０ｖｏｌ％の範囲で含有する事が好ましい。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、銀粉末と樹脂バインダーおよび溶剤を少なくとも含有する導電性樹脂ペーストを用いる導電性部材の製造方法であって、導電性に優れた導電性部材を得ることが出来る簡便な製造方法および、導電性に優れた導電性部材を提供することにある。
【解決手段】銀粉末と樹脂バインダーおよび溶剤を少なくとも含有する導電性樹脂ペーストを用いる導電性部材の製造方法であって、導電性樹脂ペーストを固化させた後に、ＡからＥに記載される何れかの処理方法により後処理することを特徴とする導電性部材の製造方法。
（Ａ）ハロゲン無機塩類を含有する水溶液と固化した導電性樹脂ペーストを接触させる処理方法 （もっと読む）

【課題】窒化珪素からなるセラミックス基板と金属部材とを接合させた際に十分な接合強度が得られるセラミックス基板、セラミックス基板の製造方法及びパワーモジュール用基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】窒化珪素からなるセラミックス母材の一面に形成されたスクライブラインに沿って該セラミックス母材を分割して形成されたセラミックス基板であって、前記一面における酸化シリコン及びシリコンの複合酸化物の濃度が、電子プローブマイクロアナライザを用いた表面測定において２．７Ａｔｏｍ％以下であることを特徴とする。 （もっと読む）