【課題】材料コストや工数を増加させずに、コンフォーマル工法で形成した非貫通孔内へのフィルドビアめっきの充填性を改善し、接続信頼性を向上させた配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】表層銅箔３の開口１０から基材４を貫通して内層導体５に到る非貫通孔７と、前記非貫通孔７の周囲の基材上に前記表層銅箔の窓孔２を前記非貫通孔７より拡大して形成したエッチバック部１１と、前記非貫通孔７を充填し、前記内層導体５と表層銅箔３とを電気的に接続するフィルドビア１４と、を有する配線基板及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通孔のフィルドビアめっき内へのボイドを抑制し、また表裏面の貫通孔上のフィルドビアめっき表面が平坦なことにより、工数低減と信頼性の確保を図ることが可能な配線基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】スルーホールめっき層を備えるＩＶＨと内層導体とを有する内層板と、この内層板の表裏両側に積層した絶縁樹脂及び表層導体とを有する積層基板と、前記積層基板を貫通する貫通孔とを有し、前記貫通孔の断面形状が、前記積層基板の表裏両側から内部に向かって孔径が縮小したテーパ形状の部分と、前記貫通孔の内層板に対応する部分に設けられた対向する内壁が平行となる部分と、を有する配線基板及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】貫通コンデンサの接続不良の発生を低減できる貫通コンデンサ内蔵多層基板及び貫通コンデンサ内蔵多層基板の実装構造を提供する。
【解決手段】貫通コンデンサ内蔵多層基板１では、基板１１の内部に貫通コンデンサ２１を配置することにより、ノイズ成分を貫通コンデンサ２１の接地用端子電極２４から接地導体層１３に流して除去することができる。また、貫通コンデンサ内蔵多層基板１では、貫通コンデンサ２１の接地用端子電極２４に接続される接地プレーン１４ｃが、貫通コンデンサ２１の信号用端子電極２３に接続される電源プレーン１４ａ及び電源用配線１４ｂと同一段の導体層として配置されている。これにより、貫通コンデンサ２１と電源導体層１４及び接地導体層１３との接続が同一段で実現されるので、貫通コンデンサ２１の寸法に多少のばらつきが生じたとしても接続不良の発生を低減できる。 （もっと読む）

【課題】樹脂充填材とコア基板との密着性を改善することにより、信頼性に優れた部品内蔵配線基板を製造することが可能な部品内蔵配線基板の製造方法を提供すること。
【解決手段】コア基板準備工程ではコア基板１１を準備し、収容穴部形成工程では収容穴部９０をコア基板１１に形成し、貫通穴部形成工程では貫通穴部１４を形成する。めっき層形成工程では、収容穴部９０の内壁面９１に対してめっき層９２を形成するとともに、貫通穴部１４の内壁面に対して、空洞部を有するスルーホール導体となるめっき層７１を形成する。収容工程では、部品１０１を収容穴部９０に収容する。樹脂埋め工程では、収容穴部９０の内壁面９１と部品側面１０６との隙間、及び、空洞部に対して、樹脂充填材９３を充填して埋める。 （もっと読む）

【課題】積層される半導体チップの個数を増加させて高機能化を果たすとともに、薄板化の要求を満すことができるだけでなく、キャビティの内部下面を平坦化してキャビティに挿入される半導体チップを容易に整列できるようにする効果を有し、多数の半導体チップを同時に収容することができ、容易に高機能化を果たすことができるプリント回路基板及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一実施例によるプリント回路基板１００は、第１絶縁材１１０ａ及び第１絶縁材１１０ａ上に形成された第２絶縁材１１０ｂを含む絶縁層１１０と、絶縁層１１０の内層及び外層に形成された回路パターン１２０と、第１絶縁材１１０ａ又は第２絶縁材１１０ｂに複数個形成された半導体チップ挿入用キャビティ１４０と、を含む。 （もっと読む）

【課題】分割溝を形成する際の素子基板の変形や位置ずれを抑制できる連結基板の製造方法の提供を目的とする。
【解決手段】複数の素子基板３となる未焼成の連結基板１の第１の主面１ｂに０．０９Ｎ／２０ｍｍ以上の粘着力を有する粘着シート７ａを貼り合わせた後、前記第１の主面１ｂとは反対側の第２の主面１ａに前記複数の素子基板３を分割するための分割溝５を形成する工程と、前記第１の主面１ｂから前記粘着シート７ａを剥離した後、前記未焼成の連結基板１を焼成する工程とを有する連結基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能な半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージは、第１の半導体チップの回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層と、前記第１の封止絶縁層の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層及び絶縁層と、前記絶縁層上に搭載された第２の半導体チップと、前記第２の半導体チップを封止するように前記絶縁層上に形成された第２の封止絶縁層と、を有する。 （もっと読む）

【課題】回路基板（例えば内層材）の位置ずれを抑制し、外側に外層材を重ねて積層成形する場合には外層材の溶着部におけるシワの発生を抑制することができる多層プリント配線板の製造方法を提供する。
【解決手段】２枚の回路基板１を絶縁層用プリプレグ２を介して溶着により仮止めした後に積層成形することによって多層プリント配線板を製造する方法に関する。前記回路基板１が、前記絶縁層用プリプレグ２に対向する面に厚み１０５μｍ以上の回路パターン４及び枠部５を設けて形成されている。前記枠部５に溶着用プリプレグ６が配置されている。 （もっと読む）

【課題】 インダクタを有しつつも反りを抑制することを可能とする多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】 コア基材３０の内部には、第１導体パターンと第１ビア導体とによりインダクタＬ１、Ｌ２が形成されている。そして、コア基板３０を構成する第１絶縁層３０Ｍ，３０Ａ，３０Ｂ，３０Ｃ，３０Ｄ，３０Ｅ，３０Ｆは無機繊維補強材を含んでいる。すなわち、インダクタＬ１、Ｌ２が形成される層には、剛性を高めるための無機繊維補強材が設けられているため、無機繊維補強材によって絶縁層の熱収縮が抑制されやすくなる。 （もっと読む）

【課題】
金属ベース片面銅張板の多段プレスにおける作業性・生産性を大幅に改善すると共に、成形後の製品反りを抑制する製造方法を提供する。
【解決手段】
銅箔の片面に樹脂層を備えた樹脂付銅箔と金属板とを重ね合わせ熱盤間で加熱加圧成形する金属ベース片面銅張板の製造方法において、前記樹脂付銅箔の樹脂層を有する面を金属板に対向させてなる積層物を、前記樹脂付銅箔と前記金属板とが交互となるように複数組配置して加熱加圧成形する。 （もっと読む）

【課題】
隣接する半田バンプ同士が接触して短絡してしまうことを防いで、半導体素子を正常に作動させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】
内層配線導体４ａが被着された第１の絶縁層３ａの表面に内層配線導体４ａを挟んで第２の絶縁層３ｂが積層されているとともに第２の絶縁層３ｂの表面に半導体素子Ｓの電極Ｔが半田バンプ１２を介して接続される複数の半導体素子接続パッド９が配設されて成る配線基板１０であって、半導体素子接続パッド９は、半導体素子接続パッド９の直下に接続されたビア導体５ａを介して内層配線導体４ａに接続されている第１のパッド９ａと、半導体素子接続パッド９から離間した位置で内層配線導体４ａに接続されているか、あるいは内層配線導体４ａから電気的に独立している第２のパッド９ｂとを含み、第２のパッド９ｂの直下に内層配線導体４ａと直接的に非接続のダミービア導体５ｂが接続される。 （もっと読む）

【課題】反りを低減可能な半導体パッケージ、及びその製造方法を提供する。
【解決手段】本半導体パッケージ１０は、第１の半導体チップ２０の回路形成面及び側面を封止する第１の封止絶縁層３２と、第１の封止絶縁層３２の前記回路形成面側の面である第１面に積層された配線層３３、３５、３７及び絶縁層３４、３６と、第１の封止絶縁層３２の前記第１面の反対面である第２面に搭載された第２の半導体チップ４０と、第２の半導体チップ４０を封止するように前記第２面に形成された第２の封止絶縁層４９と、を有する。 （もっと読む）

【課題】製造中のプリント配線板は剥離しにくく、製造後のプリント配線板は容易に剥離することができると共に、金属張積層板として再利用することができる支持体を提供する。
【解決手段】プリプレグ層１に第１金属箔２及び第２金属箔３を積層して形成されている。前記プリプレグ層１よりも前記第１金属箔２が小さい。前記第１金属箔２よりも前記第２金属箔３が大きい。前記第１金属箔２の周囲において前記プリプレグ層１と前記第２金属箔３とが接着されている。 （もっと読む）

【課題】信号配線に３０ＧＨｚ以上の超高周波の信号を効率よく伝送させることが可能な配線基板を提供すること。
【解決手段】絶縁層１を貫通する貫通導体３Ｓと、絶縁層１の表面に貫通導体３Ｓを覆うランド部Ｌを有して配設された帯状の信号配線２Ｓと、絶縁層１の表面に信号配線２Ｓの周囲を所定の間隔をあけて取り囲むように配設された接地導体２Ｇまたは電源導体２Ｐと、を具備して成る配線基板であって、信号配線２Ｓは、ランド部Ｌの直径よりも広い幅で接地導体２Ｇまたは電源導体２Ｐとの間隔が一定である幅広部Ｗと、幅広部Ｗとランド部Ｌとの間を接続し、ランド部Ｌの直径よりも狭い幅で且つ信号配線２Ｓを伝播する信号の波長の４分の１未満の長さの幅狭部Ｎとを有する配線基板である。 （もっと読む）

【課題】構造欠陥の少ない多層セラミック基板およびその製造方法を得る。
【解決手段】多層基板１０は、第１のセラミック層１２ａ〜１２ｄと第２のセラミック層１４ａ〜１４ｃとを交互に積層した構成を有する。第１のセラミック層１２ｂ，１２ｃ，１２ｄ上には、第１の内部電極１６、第２の内部電極２０、第３の内部電極２２が形成される。第１の内部電極１６の主面上に、第３のセラミック層１８が形成される。第２の内部電極２０および第３の内部電極２２の主面および端部を覆うように、第３のセラミック層１８が形成される。第３の内部電極２２が形成された層において、第３のセラミック層１８は、第１のセラミック層１２ｄの全面を覆うように形成される。 （もっと読む）

【課題】良好な樹脂硬化性、すなわちプリプレグ積層時に、高温かつ長時間の処理を必要とせず、且つワニスやプリプレグの硬化性や保存安定性が良好であり、耐薬品性、耐熱性、接着性に優れる樹脂組成物、及びこれを用いたプリプレグ、積層板、多層プリント配線板を提供する。
【解決手段】１分子中に少なくとも２個のＮ−置換マレイミド基を有するマレイミド化合物（ａ）と、１分子中に少なくとも２個の１級アミノ基を有するアミン化合物（ｂ）を有機溶媒中で反応させて製造される不飽和マレイミド基を有する樹脂組成物（Ａ）、熱硬化性樹脂（Ｂ）及び、イソシアネートマスクイミダゾールやエポキシマスクイミダゾールなどの変性イミダゾール化合物（Ｃ）を含有する熱硬化性樹脂組成物を使用する。 （もっと読む）

【課題】絶縁基板とサーマルビアとの界面におけるクラックの抑制および発光素子で発生した熱の放熱性の向上。
【解決手段】配線基板２０は、外部接続用電極層１２０、セラミックス層１３０および配線層１４０を備える。セラミックス層１３０は、アルミナとホウ珪酸ガラスを材料として形成されており、熱伝導率が６Ｗ／ｍ・Ｋ以下である。セラミックス層１３０は、複数の第１のサーマルビア１３２、および、第１のサーマルビア１３２より小さい直径を有する第２のサーマルビア１３４を配置することにより、熱伝導率の低いセラミックス層１３０を用いた配線基板２０において、発光素子１５０で生じる熱の放熱性能を向上している。第１のサーマルビア１３２は、発光素子搭載領域１５０ａ内に格子状に配置され、第２のサーマルビア１３４は、隣接する全ての第１のサーマルビア１３２から等距離離れた位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】上部配線層と下部配線層とを、微細なコンタクトホールを介して接続する多層配線基板、アクティブマトリクス基板及びこれを用いた画像表示装置、並びに多層配線基板の製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０上に形成された第１の導電層２０と、層間絶縁層３０と、第２の導電層７０とを有し、前記層間絶縁層に形成されたコンタクトホール４０を介して前記第１の導電層と前記第２の導電層とが電気的に接続された構造を有する多層配線基板において、
前記層間絶縁層は、前記コンタクトホールを含まない第１の領域５０と、前記コンタクトホールを含み、該第１の領域よりも表面エネルギーが高く形成された第２の領域６０とを有し、
前記第１の導電層の前記コンタクトホール内の領域は、前記第２の領域よりも表面エネルギーが高く、
前記第２の導電層は、前記層間絶縁層の前記第２の領域に接触して堆積形成され、前記コンタクトホールを介して前記第１の導電層と接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続バンプが狭小化された半導体チップであっても信頼性よく実装できる配線基板を提供する。
【解決手段】ガラス又はシリコンからなり、下面に開口した第１ホールＨ１と上面に開口した第２ホールＨ２とが連通してなるスルーホールＴＨを備えた基板層１０と、第１ホールＨ１に形成された配線層２０と、第２ホールＨ２に形成されて配線層２０に接続された接続パッドＰと、基板層１０の下面に形成された絶縁層３０及び他の配線層２２とを含む。 （もっと読む）

【課題】チップ側面にスルーホールを設ける場合において、樹脂等の絶縁体が充填されたとしてもマザーシートをチップ毎に分割することができる電子部品モジュールを提供する。
【解決手段】絶縁体３１を塗布するより前に、スルーホール内に固体材料５２を充填しておき、絶縁体３１がスルーホール内に流れ込まないようにする。固体材料５２は、ワックスや蝋材等の低融点材料（絶縁体３１の硬化温度よりも低い１００℃未満の融点を有するもの）である。そして、絶縁体３１を熱硬化させると、固体材料５２が溶出または揮発し、スルーホールは空洞となる。したがって、上記Ｖ字型のブレイク用溝５５を外側に、矩形状のブレイク用溝５１およびＶ字型のブレイク用溝５７を内側にして曲げることでマザー積層体を各チップにブレイクすると、スルーホールの側壁に端面電極が露出し、分割後のいずれか一方のチップの側壁に絶縁体が付着している、ということはなくなる。 （もっと読む）