真空ポンプ排出システムが、第１のガス、例えばキセノンを真空チャンバに供給する第１のガス供給源を有する。ポンプが、チャンバからのガス出力を受け入れる。第２のガス供給源が、第１のガスと共にポンプ排出のためのパージガス、例えば窒素又はヘリウムを供給する。ガスセパレータが、ポンプにより排出されたポンプ排出ガスを受け入れて流れから第１のガス及びパージガスを回収する。回収した第１のガスを真空チャンバ経由で再循環させ、回収した第２のガスを少なくともポンプ経由で再循環させる。
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酸化イットリウムを含む一組の構造体から一組の粒子を除去する方法が開示される。この方法は、第１の期間、一組の構造体を酸化剤を含む第１の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第１の溶液から一組の構造体を取り出して、第２の期間、この一組の構造体を主反応物を含む第２の溶液にさらすことを含む。この方法は、更に、第２の溶液から一組の構造体を取り出して、第３の期間、この一組の構造体を酸の第１の混合物を含む第３の溶液で研磨することを含む。
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【課題】レイヤ中にフィーチャを形成する方法を提供する。
【解決手段】レイヤ上にフォトレジストレイヤが形成される。フォトレジストレイヤがパターン付けされることによって、フォトレジスト側壁を持つフォトレジストフィーチャが形成され、フォトレジストフィーチャは第１微小寸法を有する。フォトレジストフィーチャの側壁上にコンフォーマルレイヤが堆積されることによって、フォトレジストフィーチャの前記微小寸法が低減される。レイヤ内でフィーチャがエッチングされ、レイヤフィーチャは、第１微小寸法より小さい第２微小寸法を有する。 （もっと読む）

【課題】マスクを通して基板上のエッチングされるべきレイヤ内へ高アスペクト比フィーチャをエッチングする方法を提供する。
【解決手段】ＲＦ電力を第１周波数、前記第１周波数とは異なる第２周波数、および前記第１および第２周波数とは異なる第３周波数において与えることができる処理チャンバ内に基板が置かれる（４０４）。エッチャントガスが処理チャンバに供給される（４０８）。第１エッチングステップが行われ（４１２）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は第１エッチングステップとしての電力設定である。第２エッチングステップが行われ（４１６）、ここで第１周波数、第２周波数、および第３周波数は異なる電力設定である。オプションとして第３エッチングステップも提供されえる（４２０）。 （もっと読む）

【課題】 ＨＩＧＨ−Ｋ誘電材料をエッチングする方法とシステム。
【解決手段】 プラズマを使用した、第１のプロセスと、第２のプロセスとの間での基板を加熱する方法は、記載されている。この加熱方法は、熱伝達ガスの裏面供給を取りやめ、クランプ力を取り除くこととによって基板ホルダ上の基板を熱的にアイソレートすることを具備する。さらにまた、希ガスのような不活性ガスは、プラズマ処理システムに導入され、プラズマは、点火される。基板は、第１の温度（すなわち、一般的に１００℃未満）から第２の温度（すなわち、一般的に４００℃オーダー）まで基板の温度を上昇させるのに十分な期間、不活性プラズマにさらされる。 （もっと読む）

プラズマプロセスシステム内で基板上の高ｋ誘電体層をエッチングするための方法が記述されている。この高ｋ誘電体層は、例えば、ＨｆＯ_２を有することができる。前記方法は、前記基板の温度を２００℃より上（すなわち、典型的に４００℃のオーダに）に上昇させることと、ハロゲンを含んでいるガスを有するプロセスガスを導入することと、前記プロセスガスからプラズマに点火することと、前記基板をプラズマに露出することとを有している。前記プロセスガスは、ＨｆＯ_２のＳｉとＳｉＯ_２とに対するエッチング速度を改善するために、さらに還元ガスを有することができる。
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【課題】ＧａＡｓを含むＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に、自然に形成されているＡｓ_２Ｏ_３、Ａｓ_２Ｏ、Ｇａ_２Ｏ等の表面酸化膜を予め除去する必要性がなく、また、複雑で微細化された回路パターンを形成するためのドライエッチング用マスクを形成することなく、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に、量子デバイスに用いられる微細な回路パターンをその場で形成する電子ビーム微細加工方法を提供する。
【解決手段】単体のＧａＡｓ及びＩｎＰ基板を含む、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ（０≦ｘ、ｙ、ｚ≦１）層表面に、任意の電子ビーム径、電流密度に制御した電子ビームを照射し、前記Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面に形成されている自然酸化膜を選択的にＧａ_２Ｏ_３又はＧａ_２Ｏに置換又は生成させた後、前記Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ層表面を臭素化物により一原子層単位でドライエッチングし、前記Ｇａ_２Ｏ_３又はＧａ_２Ｏに置換した部分以外の前記自然酸化膜及びＡｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_{１−ｘ−ｙ}Ａｓ_ｚＰ_１−ｚ基板を除去する。 （もっと読む）

【課題】ウェーハ上のレイヤのプラズマエッチングを行う装置を提供する。
【解決手段】容量的に結合されたプロセスチャンバが提供される。ガス源は、前記容量的に結合されたプロセスチャンバに流体的に連通する。前記プロセスチャンバ内に第１電極が提供される。前記第１電極から間隔が置かれ対向する第２電極が提供される。第１高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第１高周波電源は１５０ｋＨｚおよび１０ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第２高周波電源は、前記第１および第２電極のうちの少なくとも１つに電気的に接続され、前記第２高周波電源は１２ＭＨｚおよび２００ＭＨｚの間の高周波電力を供給する。第１変調制御器は、前記第１高周波電源に接続され、１ｋＨｚから１００ｋＨｚの間の周波数において前記第１高周波電源の制御された変調を提供する。 （もっと読む）

本発明は、交互の周期的な、エッチングプロセス又は時分割多重プロセスの際に、終点を決定するための方法及び装置を提供する。基板がプラズマチャンバ中に置かれ、エッチングステップ及び堆積ステップを有する交互の周期的なプロセスにかけられる。プラズマ発光強度の変動が、既知の発光分析技法を用いてモニタリングされる。包絡線フォロアアルゴリズムを用いて、振幅情報が、プラズマ発光強度の複雑な波形から抽出される。この交互の周期的なプロセスは、終点がモニタリングステップに基づいた時間に到達すると停止される。
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【課題】残渣を生じることなく、精度良くエッチング可能な半導体装置の製造方法の提供。
【解決手段】ゲート酸化膜により段差を持つポリシリコン膜７を積層後、フォトレジスト６を全面に塗布し、パターン形成せず段差が見えるまでフォトレジストをアッシングする。そのあとＲＩＥにより段差部のエッチングを行い、段差を緩和する。この後、フォトレジストをパターンしＳｉＯ２に対する選択比の高いＨＢｒでエッチングを行うことにより、残渣を生じないエッチングができる。 （もっと読む）

【課題】 放熱性が良好で、製造コストが低く、微細加工に好適なデュアルダマシンによる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 基板１上に無機層間膜５、有機層間膜６、シリコン酸化膜からなる下部マスク７、シリコン窒化膜からなる上部マスク８を形成し、上部マスク８上にシリコン酸化窒化膜からなり膜厚が２０乃至１００ｎｍであるカバーマスク１０を形成する。そして、反射防止膜１１及びレジスト膜１２を形成する。次に、レジスト膜１２をマスクとして、反射防止膜１１、カバーマスク１０、下部マスク７をエッチングする。そして、カバーマスク１０をマスクとして、有機層間膜６及び無機層間膜５をエッチングしてビアホールを形成する。次に、上部マスク８をマスクとして有機層間膜６をエッチングして配線溝を形成する。 （もっと読む）

【課題】 積層絶縁膜を良好に加工する方法、並びにその方法を用いた配線構造の形成方法を提供すること。
【解決手段】 互いに異なる複数の絶縁膜４、５（更には３）のそれぞれについて少なくとも反応ガスの種類及び／又はその供給量に対するエッチング速度の関係を求めておき、この関係に基づいて反応ガスの供給量を設定してエッチング速度を選択し、エッチングを行う。各絶縁膜のエッチング速度をそれぞれ適切に選択するので、複数の絶縁膜が積層していても、常に良好な加工形状を得ることができる。膜種ごとに異なるエッチング速度の反応ガスの供給量に対する依存性を、複数の絶縁膜の相互間で差別化し、積層絶縁膜のエッチング選択比を目的にあわせて適切に設定する。 （もっと読む）

【課題】 メインテナンス後に再装着しても割れることのない電極板を有するプラズマ装置を提供する。
【解決手段】 電極支持体２２と電極板２３との境界面の少なくとも片方に，薄い絶縁被膜６２を設け，電極支持体２２と電極板２３との直接の接触を避け，絶縁被膜の厚さを調整して，融着を防止しつつ性能を保持したプラズマ装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、例えば１ｍ×１ｍ乃至２ｍ×２ｍ級の大面積基板に対しても高速且つ均一性に優れることを課題とする。
【解決手段】内部に基板７５がセットされる、排気系５９を備えた真空容器４１と、この真空容器４１内に放電用ガスを導入する放電用ガス導入系と、前記真空容器４１内に前記基板７５と対向して配置された電極４６と、この電極４６に高周波電力を供給して放電用ガスを放電させてプラズマを生成する電力供給系とを具備し、生成したプラズマを利用して真空容器４１に配置される基板７５の表面を処理する表面処理装置において、前記電極４６は金属製の薄膜構造であることを特徴とする表面処理装置。 （もっと読む）

【課題】 多結晶シリコン薄膜の表面に形成された突起を容易且つ確実に除去することができる多結晶シリコン薄膜の平坦化方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 多結晶シリコン薄膜を炭素（Ｃ）とフッ素（Ｆ）と水素（Ｈ）とを少なくとも含有するガスのプラズマに曝すことにより突起を除去して多結晶シリコン薄膜の表面を容易且つ確実に平坦化することができる。 （もっと読む）

【課題】 微細で高アスペクト比の接続孔により、低抵抗で信頼性の高い層間接続を達成できる電子装置の製造方法を提供する。
【解決手段】 接続孔７底部に露出する、下層導電層４表面に不所望に形成された自然酸化膜等５を、希ガスの放電プラズマ処理や逆スパッタリングにより清浄化するに際し、プラズマ生成電力を漸次増加させ、所定値に達した段階で基板バイアスを印加する。 （もっと読む）

【課題】 シリル化プロセスを用いて微細なパターンの形成を可能とし、しかもシリル化部表面に形成されるＳｉＯ_x 層の除去を支障なく行うことのできる、半導体装置の製造方法が提供が望まれている。
【解決手段】 下地基板２０上の被パターニング層２３上にレジスト層２４を形成し、次にレジスト層２４の所定箇所を露光し、次いでこの露光工程後のレジスト層２４における未露光部分をシリル化する。続いて、露光した箇所のレジスト層２４をドライ現像によって除去し、シリル化された部分に対応した積層パターン３０を得る。次いで、積層パターン３０からその表層部に形成されたＳｉＯ_x層２９を除去してレジストパターン３２を形成する。その後、レジストパターン３２をマスクにして被パターニング層２３をエッチングする。 （もっと読む）

【課題】 内部配線パターンを電源／グランド層によりシールドすることにより特性インピーダンスやクロストークノイズの影響を改善でき、また厚さを薄く形成できる回路基板を提供する。
【解決手段】 コア基板１の両面に内部配線パターン２が形成されており、該内部配線パターン２の上に絶縁樹脂層３を介して電源／グランド層５が各々形成されてなる回路基板４であって、表層の絶縁樹脂層３がドライエッチングにより除去されて形成された凹部６に露出する内部配線パターン２に電子部品７が表面実装可能になっている。 （もっと読む）