【課題】ウエハと保持面とが平行でなくても、相互に平行に調整したあとで、ウエハに接触し、当該ウエハを吸着して搬送可能とする搬送装置及び搬送方法を提供すること。
【解決手段】載置面ＴＳに載置された半導体ウエハＷを吸着する保持面１５Ａを備えた吸着プレート１５と、この吸着プレート１５の外周側に設けられるとともに、保持面１５Ａよりも載置面ＴＳ側に突出する当接部材２０とを備えて搬送装置１０が構成されている。当接部材２０は、保持面１５Ａと被保持面Ｗａとが接触する前に、載置面ＴＳに当接し、全ての当接部材２０が載置面ＴＳに当接して保持面１５Ａと被保持面Ｗａとを平行とした後に、ウエハＷに接触し、保持面１５Ａによる吸着保持を可能とする。 （もっと読む）

【課題】滑りにくく作業性に優れ、半導体製造装置用部材として使用可能な炭素複合部材を提供する。
【解決手段】炭素複合部材１は、炭素基材１０上に、熱分解炭素層１１が形成されている。熱分解炭素層１１の表面には突起１２が形成されており、この突起１２は、炭素系粉末１３を核とし、その周りに熱分解炭素を結晶成長させることにより形成される。突起１２の短径は５〜３０００μｍの範囲であり、その面密度は１０^２〜１０^８個／ｍ^２の範囲である。 （もっと読む）

【課題】ウエハステージ等を駆動する際に生じる駆動反力を低減し、投影光学系等へ伝達する振動の影響を小さくして、高精度な露光を行う。
【解決手段】レチクル１のパターンを投影光学系２を介してウエハ３上に投影する露光装置において、ウエハステージ５が載置されるウエハベース７とは分離されるとともに、レチクルステージ４及びレチクルベース９を支持する構造体６から延びる３本の柔構造のロッド１９Ａ〜１９Ｃにより投影光学系２を支持する。また、ウエハベース７が載置される床面上に防振パッド４９を介して構造体６を支持する。 （もっと読む）

【課題】処理中に基板の縁部を保護し、基板を支持部材に固定する方法及び装置を提供する。
【解決手段】本発明は、基板との接触を最小にし、改善された縁部の遮断を提供する。支持タブがルーフ下面から内向きに延びて、基板上に装置を支持し、装置の内端部が基板の縁部に近づいて、改善された縁部の遮断を提供する。変更可能な高さのルーフ下面が基板の縁部の上方に設けられ、大きい有効ルーフアスペクト比（ルーフ幅：基板上方のルーフ高さ）を提供して、装置及び基板の間、又は基板を越えてブリッジ層が形成される可能性を低減する。 （もっと読む）

【課題】 サファイア基板のように剛性の高い被吸着物を吸着させた場合であっても、均熱性に優れた静電チャックを提供する。
【解決手段】 ヤング率が３００ＧＰａ以上の被吸着物を吸着する静電チャックであって、静電チャックの誘電体と被吸着物の剛性比（被吸着物のヤング率/誘電体のヤング率）が１．０以上であり、前記誘電体の吸着面は環状稜部を有し、前記環状稜部の直径Ｄと前記誘電体の直径Ｄｄの比Ｄ／Ｄｄが０．７５以上であり、前記環状稜部から中央部側の吸着面は凹面形状を成し、吸着面の中央部の深さＨと前記環状稜部の直径Ｄとの比Ｈ／Ｄが２×１０^−５以下であることを特徴とする静電チャック。 （もっと読む）

【課題】高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができるチャックアセンブリ及びそれを用いた高密度プラズマ装置を提供する。
【解決手段】チャックアセンブリ１５０は、上面に半導体基板９０が載置されて外周部に複数のピンホールが形成されたチャック１５１と、チャック１５１の上面に載置された半導体基板９０がチャック１５１から離脱することを防止するための基板ガイド１５９と、チャック１５１下部に配置された固定プレート１５８と、固定プレート１５８に固定されてピンホール１５２ａにそれぞれ嵌め込まれるように設けられ、チャック１５１の上面に隣接する位置まで延長形成されたリフトピン１５７と、固定プレート１５８を貫通してチャック１５１を下降及び上昇させるチャックリフタ１５６と、を含む。これにより、高密度プラズマ工程中のプラズマによるウエハ裏の膜質ダメージを減少することができる。 （もっと読む）

【課題】基板の受け渡し動作において、チャックプレートからピン状配管への受け渡しにかかる時間を短縮する。
【解決手段】基板Ｗを吸着保持するチャックプレートＣＰと、該基板を吸着保持する突出可能なピン状配管１２と、駆動部２５と、被駆動部材１と、前記駆動部を制御する制御部２１と、記憶部２４とを有するステージ装置において、前記制御部は、前記駆動部により第１の速度で前記被駆動部材を移動させることにより、前記チャックプレートに保持された第１の基板に前記ピン状配管が接触したことの判定を行い、該判定がなされたときの前記被駆動部材の位置の情報を前記記憶部に記憶させ、前記チャックプレートに第２の基板が保持されている状態で、前記記憶部に記憶された該位置の情報に対応する位置を目標位置として、前記駆動部により該第１の速度より高速な第２の速度で前記被駆動部材を移動させる。 （もっと読む）

【課題】製造誤差によりガイド部材の位置がずれても、ガイド部材を再度位置決めし、基板を基板テーブルの所定位置に位置決めすることができるガイド部材の位置決め方法、及び基板の位置決め方法を得る。
【解決手段】基板テーブル２４の円孔４６へ脚部５４を嵌合させ、位置決め冶具５０の基本形状部５２を基板テーブル２４に位置決めする。そして、レール部材３４によって移動可能に保持された第１ガイド３０を基本形状部５２に当てて停止させ、第１ガイドピン３０Ａ部の位置決め位置として設定する。製造誤差により第１ガイドピン３０Ａ，及び第２ガイドピンの位置決め位置がずれていても、位置決め冶具５０によって第１ガイドピン３０Ａ，及び第２ガイドピンの位置決め位置を正規の位置へ設定することができ、これにより、基板を基板テーブル２４の所定位置に位置決めすることができる。 （もっと読む）

【課題】基板を平坦化しつつ支持する。
【解決手段】表面電位測定装置１の基板支持装置２では、第１流体噴出部２１の円環状の第１多孔質部材２１１から、基板９の上面９１上の対象領域９１１の周囲に向けて第１流体が噴出され、基板９を挟んで第１流体噴出部２１と対向する第２流体噴出部２２の円環状の第２多孔質部材２２１から基板９の下面９２に向けて第２流体が噴出される。これにより、第１流体噴出部２１と第２流体噴出部２２との間において基板９を平坦化しつつ基板９を支持することができる。また、基板９と第１流体噴出部２１の第１多孔質部材２１１との間の距離を、簡素な構造で一定に維持することができる。その結果、表面電位測定装置１において、平坦化された対象領域９１１上に所望の間隔をあけてプローブ３１を位置させることができ、基板９上の対象領域９１１に対する表面電位の測定を高精度に行うことができる。 （もっと読む）

【課題】半導体ウェハをウェハトレイのウェハ支持部に真空吸着する際、半導体ウェハの平坦性を確保して、プローブカードとのコンタクトを良好にする手段の提供。
【解決手段】ウェハトレイ６のウェハ支持部６ａの位置に、ポーラス材料１０が配置される。このポーラス材料１０は、組織中に多数のポア（気孔）を有するポーラス（多孔質）構造の材料である。このポーラス材料１０の上面には、前記半導体ウェハ４が配置されると共に、このポーラス材料１０の左側方には、ウェハトレイ６に横方向に延びる真空通路６ｂが形成され、ポーラス材料１０の端部は前記真空通路６ｂにつながる。従って、この真空通路６ｂから排気すると、前記ポーラス材料１０の組織中の多数のポアが排出されて、ポーラス材料１０の全体が均一に縮小しながら、半導体ウェハ４の下面がポーラス材料１０に真空吸着される。 （もっと読む）

【課題】縦型熱処理炉により被処理基板を熱処理する際、個々の支持部の傾きを起因とするスリップの発生を防止でき、安価で改良が容易な縦型熱処理用ボートを提供する。
【解決手段】少なくとも、複数の支柱と、各支柱の両端部に連結した一対の板状部材とを有し、前記各支柱に、被処理基板を水平に支持するための複数の支持部が形成されており、該複数の支持部に、前記被処理基板が各々一枚ずつ載置される支持補助部材が着脱可能に装着されている縦型熱処理用ボートであって、前記支持補助部材は、各々の支持部の形状に合わせて、前記支持部に装着している面に加工を施すか、前記支持部と前記支持補助部材との間にスペーサを介在させることによって、前記被処理基板が載置される面の傾きが各々の支持部ごとに調整されているものである縦型熱処理用ボート。 （もっと読む）

【課題】基板裏面のレジスト付着による汚染を低減できるチャックを提供することを目的とする。
【解決手段】本発明のチャックは、チャックの最外周部分に凸型非接触面を設けたことを特徴とする。基板裏面と凸型非接触面との毛細管レベルのギャップにより、表面張力によってレジストがギャップ間に留まり、凸型非接触面より先にレジストが進入することを防ぐこと出来る。このため、基板裏面のレジストによる汚染を最小限にするという効果を奏する。基板の汚染を最小限に留めることで、例えば、半導体製造工程におけるレジストコートプロセスの歩留まり向上に寄与し、また、搬送ロボットをはじめとした各種装置への汚染防止効果も期待できる。 （もっと読む）

【課題】短時間で基板を吸着することが可能な低価格のチャックステージを提供する。
【解決手段】このパターン修正装置のチャックステージ１１では、定盤１２の表面に複数の支持板１３を設け、各支持板１３の中央部に被修正ガラス基板１０を吸着するための真空吸着用孔１４を開口する。したがって、各孔１４は基板１０と支持板１３の隙間の空気のみを排出すればよいので、基板１０を迅速に吸着できる。 （もっと読む）

【課題】切削ブレードを用いて被加工物を切削すると同時にウェーハを固定する固定部材を切削してドレッシングを行う場合において、被加工物とドレッシング機能を有する固定部材との着脱を容易とする。
【解決手段】チャックテーブルに保持されたウェーハに切削ブレードを切り込ませて切削を行う切削装置において、切削装置において、チャックテーブルに保持されてウェーハを固定するウェーハ固定プレート８を、切削ブレードをドレッシングするプレート本体８０とプレート本体８０の表面に塗布された粘着層８１とで構成する。ウェーハ固定プレートの表面に粘着層８１を設けたことにより、ウェーハを容易に固定し、剥離することができる。 （もっと読む）

【課題】基板をチャック上に載置したりチャック上から移動したりする時間を短縮でき、基板表面の露光ムラを低減するフィルタ露光装置を提供する。
【解決手段】フィルタ露光装置１０は、基板１２に対して光を照射する光源２０ａを含む光源機構２０と、光源機構２０下方に配置された露光マスク１６と、露光マスク１６の下方に設けられ、基板１２を載置するステージ機構１７とを備えている。ステージ機構１７は、ベース１５と、ベース１５上方に設けられ、基板１２を載置するチャック１３とを有している。このチャック１３のチャック上面１３Ａに、基板１２をチャック１３上に載置するロボットハンド１８が挿入される切欠１３ａが形成され、少なくともチャック上面１３Ａのうち切欠１３ａ以外の面１３ｂは断熱材からなっている。 （もっと読む）

【課題】吸着性を確保しつつ被吸着部材の変形を抑えることのできる真空チャックを提供すること。
【解決手段】真空チャック１０の吸着部分に用いる多孔体１４を、吸着面２８Ａを形成している多孔質吸着部材２８と、裏面側に配置される多孔質支持部材２６とで構成し、多孔質吸着部材２８の細孔径を５〜２５μｍ、多孔質支持部材２６の細孔径を５０〜１００μｍの範囲内、多孔質吸着部材２８の厚さを０．１〜２ｍｍ、多孔質支持部材２６の厚さを１５〜２５ｍｍの範囲内とする。被吸着物３０が薄い半導体ウェハであっても、被吸着物３０にディンプルを生じさせる虞がなく、吸着性も確保できる。 （もっと読む）

【課題】予め設定された大きさよりも小さい試料基板を装置内の試料基板保持部で保持することができる保持治具を提供する。
【解決手段】半導体処理装置内で予め設定された大きさの試料基板を保持する試料基板保持部に取り付けられる保持冶具１００であって、試料基板と略同じ大きさを有し、試料基板の大きさよりも小さい試料基板８００の一面を露出した状態で小さい試料基板８００の一面に対する裏面を支持する冶具本体２００を備え、冶具本体２００には、小さい試料基板の裏面を露出する穴２１０が設けられた。 （もっと読む）

【課題】保持テーブル上に水層を介してウエーハを保持するための給水量を減らして表面張力が強い状態であってもウエーハを水層上から剥離して搬送できるようにする。
【解決手段】水層１６２を介して保持テーブル１６３に保持されたウエーハＷに対する搬送手段１７の吸着パッド１７１の吸着位置を、パッド中心φ２がウエーハＷの中心φ１に一致しないようにずれた位置に設定して、吸着パッド１７１で吸着した状態で搬送アーム１７２を鉛直方向に上昇させて搬送させることで、ウエーハ中心位置で吸着する場合に比べて格段に水層１６２からのウエーハＷの吸着剥離が容易となるようにした。 （もっと読む）

【課題】ウエハを薄板化する工程の中で、接着剤層と貼りあわされている該ウエハと貫通孔を有するサポートプレートを剥離する剥離方法であり、短時間で剥離ができる剥離方法を提供する。
【解決手段】接着剤層１と貼りあわされているウエハＷと貫通孔３を有するサポートプレート２で構成されている。貫通孔３を、サポートプレート２の接着剤層１とは反対の面に封鎖部材４で封鎖し、加熱することで貫通孔内の空気が膨張し、サポートプレート２と接着剤層１の間に進出させて接着剤の接着力を低下させ、剥離を行う。 （もっと読む）

【課題】成膜用の基板とマスクとの位置合わせ精度を向上させる。
【解決手段】基板５の側縁の中央部を、基板ホルダー１に設けられた突起３に当接させて、基板５が凸形状となるように保持することで、基板５の自重による撓みを防止する。位置合わせ用アクチュエーター４によって基板ホルダー１上に保持されたときの基板５の凸形状の稜線上にアライメントマーク５ａを配置する。基板５とマスク６の位置合わせを行うときと、位置合わせ後に基板５とマスク６を密着させたときとで、アライメントマーク５ａの位置変動が生じないようにすることで、位置合わせ精度を向上させる。 （もっと読む）