【課題】フラッシュランプからの閃光照射時の基板の割れを防止することができる熱処理装置を提供する。
【解決手段】フラッシュランプから閃光を照射してフラッシュ加熱を行うときに半導体ウェハーＷを保持する保持部７は、窒化アルミニウムのプレート７１の上面周縁部に石英製のガイド７２を設けて構成される。ガイド７２によって囲まれるプレート７１の保持面７５には８ｃｍ²当たりに１個の噴出口７４が全面にわたって均等に配設されている。複数の噴出口７４は、気体通路７７を介してガス供給源９９と連通接続されている。保持部７によって半導体ウェハーＷを保持して閃光照射を行うときには、ガス供給源９９から供給された気体が各噴出口７４から鉛直方向上方に向けて噴出しており、半導体ウェハーＷが保持面７５から浮上している。 （もっと読む）

【課題】製造コストの低減を図ることができるとともに、ベースプレートの温度に影響されず、吸着対象物の温度の均一化を図ることができる静電チャック及び基板温調固定装置を提供することを目的とする。
【解決手段】静電電極が内蔵された基体の上面に載置される吸着対象物を吸着保持し、前記基体の上面と前記吸着対象物の下面とが形成する空間に、圧力を調整した不活性ガスを充填する静電チャックであって、前記基体は、前記空間に前記不活性ガスを排出するガス排出部及び前記ガス排出部と連通し前記ガス排出部に前記不活性ガスを導入するガス路を内蔵することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ウェーハの研削後における研削面を平坦にすることのできる吸着部の調整方法を提供する。
【解決手段】ウェーハ（４０）を吸着する吸着部（２６）と、吸着部に吸引力を生じさせる真空手段（３６）と、吸着部に吸着されたウェーハを研削する研削手段（２８Ａ）とを備えた研削装置の吸着部を調整する調整方法において、真空手段を駆動し、吸着部に目詰まり材を供給し、それにより、目詰まり材によって吸着部を目詰まりさせ、研削手段により吸着部を研削する。目詰まり材を供給する代わりに、吸着部を予備研削することにより生じた研削屑を使用してもよい。 （もっと読む）

絶縁層と、絶縁層の上にある導電層と、導電層の上にある誘電体層であって、連続多孔性を形成する細孔を有する誘電体層と、誘電体層の細孔に存在する硬化されたポリマー溶浸材とを備える、静電チャック。
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【課題】製造コストを大幅に低減し、さらに多孔質体からなる載置部と支持部との接合強度を高めて、洗浄時の破損を防止する。また、載置部の多孔質体内に残留した研削屑や脱落砥粒等の汚染物質の十分な除去洗浄を可能とする。
【解決手段】凹部が設けられたセラミックス緻密質焼結体からなる支持部と、セラミックス粉末とガラスから構成された多孔質体の載置部とからなり、前記セラミックス粉末がガラスにより結合されて多孔質体が得られるとともに、前記多孔質体のガラスにより該多孔質体と前記支持部とが接合されて、前記凹部に多孔質体の載置部が形成されてなる真空吸着装置であって、前記載置部と前記支持部との接合界面が実質的に隙間なく一体的に焼成されてなることを特徴とする真空吸着装置。 （もっと読む）

【課題】炭化ケイ素単結晶ウェハを高温で加熱処理した後にウェハ裏面の表面粗さが悪化することを効果的に抑制することができるウェハ保持方法を提供する。
【解決手段】炭化ケイ素ウェハ１１をウェハ保持具に保持して加熱するに当たり、ウェハ保持具２１のウェハ保持面２１ａと炭化ケイ素ウェハ１１の裏面との隙間形成を防止する手段を用いること。 （もっと読む）

【課題】吸着面を一段と平坦にし得る吸着ステージを提供すること。
【解決手段】表裏面間を連通する複数の粗孔１３ａを有する平板１３の一方の面から空気を吸引することにより前記平板１３の他方の面に被吸着物Ｗを吸着する吸着ステージ１１であって、前記粗孔１３ａの孔径より小さく前記粗孔１３ａと同方向に通気性を有する細孔１４ａが形成されたシート部材１４を、前記平板１３の他方の面に具備することとした。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板の製造に好適な処理システムを提供する。
【解決手段】この処理システム３０００は、ロボットハンド３１５２により貼り合わせ基板を保持して搬送するスカラーロボット３１５０と、スカラーロボット３１５０の駆動軸３１５１から略等距離の位置に夫々配置された芯出し装置３０７０、分離装置３０２０、反転装置３１３０と、洗浄／乾燥装置３１２０とを備え、駆動軸３１５２を中心としてロボットハンド３１５２を水平面内で回動させると共に該ロボットハンド３１５２を駆動軸３１５１から遠ざけたり近づけたりすることにより、各処理装置の間で貼り合わせ基板又は分離後の基板を搬送する。 （もっと読む）

【課題】高温における全放射率が高く、基板載置装置に適した窒化アルミニウム焼結体を提供し、また、高温域においても充分な熱応答性を有する低パーティクル性の基板載置装置を提供する。
【解決手段】２００℃における全放射率が６０％以上であることを特徴とする窒化アルミニウム焼結体を用いた基板載置装置。発熱抵抗体を備える基体と、前記基体の表面に形成された突起部と、を具備する基板載置装置であって、前記基体の２００℃における全放射率が６０％以上である。 （もっと読む）

【課題】成膜工程における金属汚染を抑え、ウェーハ上に均一に成膜することができ、歩留の低下を抑え、半導体装置の信頼性の向上を図ることが可能なサセプタ、半導体製造装置および半導体製造方法を提供する。
【解決手段】サセプタ１１は、ウェーハｗの径より小さく、表面にウェーハｗを載置するための凸部を有するインナーサセプタ１２と、中心部に開口部を有し、インナーサセプタ１２を開口部が遮蔽されるように載置するための第１の段部と、この第１の段部の上段に設けられ、ウェーハを載置するための第２の段部を有するアウターサセプタ１３を備える。 （もっと読む）

【課題】 切削量の要求精度より大きい厚さばらつきを有する半導体基板に対し、切削量の要求精度を満足する切削加工により金属膜をパターニングして金属電極を形成する半導体装置の金属電極形成方法を実現する。
【解決手段】 吸着ステージ２１ｂに吸着固定されることにより裏面１１ｂの形状を反映して表面部１１ｃの凹凸差が増大した半導体基板１１について、表面部１１ｃの表面形状データを取得し、この表面形状データに基づいて、圧電アクチュエータ２４ａにより半導体基板１１に変位を与えて、切削面Ｐと表面部１１ｃとの距離が切削加工の要求精度内になるように変形させる。そして、半導体基板１１を吸着ステージ２１ｂに吸着固定したまま切削面Ｐにおいて切削加工を行うことにより、金属膜１４のうち開口部１３ａの内部に形成された部分のみを残すようにパターニングされた金属電極１５を形成する。 （もっと読む）

【課題】バックグラインド工程を経て極薄に研削されたウエハの研削面に、塗布剤を滴下し、平滑化させて所定の膜を形成する際、ウエハを破損しないようになされた塗布方法を提供する。
【解決手段】ウエハＷの片面に固定治具を密着固定した状態で搬送し、塗布装置で保持する。固定治具として、板状の治具本体と、当該治具本体の片面に設けられた、半導体ウエハを着脱自在に密着保持する密着層とから構成する。治具本体は、片面に前記密着層を支持する複数の支持突起を有すると共に、片面の外周部に前記支持突起と同等高さの側壁を有し、この側壁の端面に前記密着層が接着されて、前記密着層と前記治具本体との間に前記側壁で囲われた区画空間が画成され、前記治具本体に前記区画空間に連通する通気孔７が形成され、この通気孔を介して前記区画空間内の空気を吸引することにより、前記密着層が変形されるものを用いる。 （もっと読む）

【課題】 急速な昇温や冷却時にもチャックトップの平面度を維持でき、プロービングによる押圧に対してチャックトップの変形や破損を防止でき、且つ繰り返し使用しても正確な測定を実現できるウエハプローバ用ウエハ保持体、及びそれを搭載したウエハプローバを提供する。
【解決手段】 ウエハプローバ用ウエハ保持体は、表面にチャックトップ導体層２を有し且つ加熱体３を備えるチャックトップ１と、チャックトップ１の裏面外周部を支持する支持体４と、チャックトップ１の裏面中心部を含む内周部を部分的に支持する支持棒５とを備え、チャックトップ１と支持体４及び支持棒５との間に空隙を有し、支持体４の熱膨張係数が支持棒５の熱膨張係数以上である。 （もっと読む）

【課題】 高精度な温度分布の実現と共に、急速な昇温や冷却時あるいはプロービングによる押圧時にチャックトップの変形や破損がなく、チャックトップ平面度を維持することができ、繰り返し使用しても正確で高精度の測定を実現できるウエハ保持体及びそれを搭載したウエハプローバ装置を提供する。
【解決手段】 ウエハプローバ用ウエハ保持体１は、表面にチャックトップ導体層３を有し且つ加熱体４を備えるチャックトップ２と、チャックトップ２を支持する複数の支持棒５と、支持棒５が設置される底部基板６とからなり、支持棒５はチャックトップ１の裏面側を部分的に支持している。また、支持棒５のチャックトップ支持部合計面積は、チャックトップ２の裏面全面積の１５％以下であることが好ましい。チャックトップ２は冷却モジュールを備えることができる。 （もっと読む）

【課題】ウェハを浮かせた状態で支持することにより、ウェハ面内全体を均一な温度分布に制御し、均一な膜厚の良質な結晶膜を成膜させることができる気相成長装置及び気相成長方法を提供する。
【解決手段】チャンバ１０１内でベルヌーイチャックによってウェハ１０２を浮かせた状態で支持するホルダ１０３と、ウェハ１０２表面に結晶膜を成膜するためのプロセスガスを供給するプロセスガス供給部１０４と、成膜後のプロセスガスを含むチャンバ１０１内のガスをチャンバ１０１外へと排気する排気部１０５とを備えることを特徴とする。これにより、ウェハ１０２面内の温度分布を均一に制御でき、結果としてウェハ１０２表面に成膜される結晶膜の膜厚の分布の均一性を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】
ウェーハの剥がれを無くし、精密に加工することが可能となるウェーハのチャックテーブルを提供すること。
【解決手段】
ポーラス板７が接合されるチャックテーブル基台２の接合面８上に形成された溝３Ａ〜３Ｆと、負圧を伝達する流路５と溝３Ａ〜３Ｆとを連通させる穴４Ａ〜４Ｅとは、内周部に位置する穴４Ａよりも外周部に位置する穴４Ｅの方が大きい内径であって、内周部に位置する溝３Ａよりも外周部に位置する溝３Ｆの方が広い幅であり、外周部により大きな負圧を伝達する。 （もっと読む）

【課題】静電チャックを用いて被吸着物を高温に保持した状態で各種の処理を行うとき、被吸着面に形成される欠陥の発生を低減する。
【解決手段】本発明の静電チャック６は、誘電体層１４と、誘電体層１４の表面に電荷を誘起する電極１３と、誘電体層１４を４００℃以上に加熱するヒータとを備える静電チャック６であって、被吸着物（半導体ウェハ１）に接触する面が鏡面加工された絶縁部材２０を更に備えている。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム固有の特性を保持し、広い範囲で抵抗制御された窒化アルミニウム耐食性部材を提供する。
【解決手段】カルシウム（Ｃａ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び酸素（Ｏ）を少なくとも含む連続化した粒界相を窒化アルミニウム内に形成することにより、窒化アルミニウム固有の特性を損なうことなく低抵抗化を実現できることを知見した。 （もっと読む）

【課題】窒化アルミニウム固有の特性を保持して低抵抗化された窒化アルミニウム焼結体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ユウロピウム（Ｅｕ）、アルミニウム（Ａｌ）、及び酸素（Ｏ）を少なくとも含み、Ｘ線回折プロファイルがＳｒ_３Ａｌ_２Ｏ_６相と略一致するピークを有する粒界相を窒化アルミニウム焼結体内に３次元的に連続化させることにより、窒化アルミニウム固有の諸特性を損なうことなく低抵抗化を実現できることを知見した。 （もっと読む）

【解決手段】 基板処理方法および装置が開示される。該装置は、表面にガス流を供給するように構成される、一つあるいはそれ以上のガス流開口を備えた表面を有するチャックを含む。前記表面は、表面に亘って分散された一つあるいはそれ以上の真空チャンネルを含む。真空チャンネルは、それを通って真空を引くことを可能にする。本方法では、基板は、基板の裏面でチャック表面の近傍に、チャック表面に充分に接近して支持されるので、ガス流と真空が基板の裏面とチャック表面とを隔置された関係に維持することができる。ガス流は、ガス流開口を通して供給され、真空は、一つあるいはそれ以上の真空チャンネルを通して引かれる。基板は、基板表面に実質的に垂直な方向に沿って移動される。 （もっと読む）